CN209592015U

CN209592015U - 基板结构

Info

Publication number: CN209592015U
Application number: CN201920687085.3U
Authority: CN
Inventors: 吴铭洪; 吴基福; 曾安平; 吴皓宇
Original assignee: TDK Taiwan Corp
Current assignee: TDK Taiwan Corp
Priority date: 2017-11-07
Filing date: 2018-09-12
Publication date: 2019-11-05
Anticipated expiration: 2028-09-12
Also published as: TW201919465A; CN209169125U; TWI786182B; TWI791648B; TW201919162A; CN208938956U

Abstract

本实用新型提供一种基板结构，包含基板、集成电路芯片、电路结构以及散热结构。集成电路芯片设置于基板中。电路结构电性连接至集成电路芯片。散热结构设置于基板中，邻近集成电路芯片，且此散热结构包括多个导热构件。

Description

基板结构

技术领域

本实用新型涉及一种基板结构。更具体地来说，本实用新型涉及一种具有邻近集成电路芯片的散热结构的基板结构。

背景技术

随着科技的发展，现今电子产品的使用愈来愈普遍，尤其手机更是逐渐成为现代人生活的重心。近年来，快速充电技术成为各大手机制造商研究开发的目标，目前此技术已导入手机应用中。然而，受限于手机内部基板的尺寸，在不影响手机功能的情况下，电池容量一直无法提升。

此外，在使用时，手机的快速充电模块或电源管理模块相较于其他部分会通过较大的电流，且在流经大电流的情况下，不论集成电路(integrated circuit；IC)芯片本身及周围的无源元件皆是发热源，因此手机在进行充电或耗能的操作时，往往会产生发热的问题。

实用新型内容

为了解决上述现有的问题点，本实用新型提供一种基板结构，包含一基板、一集成电路芯片、一电路结构以及一散热结构。集成电路芯片设置于基板中。电路结构电性连接至集成电路芯片。散热结构设置于基板中，邻近集成电路芯片，且此散热结构与电路结构电性独立。

在一实施例中，集成电路芯片更具有一第一表面、一第二表面及至少一接点，其中第二表面是相反于第一表面，接点位于第一表面上，且电路结构与前述接点连接，第二表面面朝散热结构。由垂直于第一表面的方向观察，集成电路芯片与散热结构至少部分重叠。基板结构还包含一第一绝缘层及一第二绝缘层，其中基板位于第一绝缘层及第二绝缘层之间，第二表面面朝第二绝缘层，且散热结构贯穿第二绝缘层。散热结构还包含多个导热构件。前述接点包含一功率接点与一信号接点，且散热结构邻近功率接点的密集程度大于散热结构邻近信号接点的密集程度。

在一实施例中，散热结构还包含一导热构件以及一散热件，且散热件于表面具有多个凸出部。基板结构还包含一另一散热结构，其中第一表面面朝前述另一散热结构。基板结构还包含一金属导热板，金属导热板设置在基板中，且位于第二表面及散热结构之间。

在一实施例中，基板结构还包含一第三绝缘层及一金属导热板，其中第三绝缘层位于第二绝缘层与金属导热板之间，且金属导热板同时接触第三绝缘层及散热结构。基板结构还包含一无源元件及一绝缘材料层，其中无源元件设置于第一绝缘层上，且绝缘材料层包覆无源元件。第二绝缘层及基板中形成有一沟槽，且散热结构设置于沟槽中。

在一实施例中，基板结构还包含一金属导热板，设置于基板上，其中金属导热板同时接触基板及散热结构。基板结构还包含一散热件，其中金属导热板位于散热结构及散热件之间。散热结构具有一第一截面及一第二截面，第一截面位于集成电路芯片与第二截面之间，且第一截面的面积小于第二截面的面积。散热结构与集成电路芯片之间夹有部分基板。

根据本实用新型的一种基板结构，包括：一基板；一集成电路芯片，设置于该基板中；一电路结构，电性连接该集成电路芯片；以及一散热结构，设置于该基板中，邻近该集成电路芯片，且该散热结构与该电路结构电性独立。

优选的，其中该集成电路芯片还具有一第一表面、一第二表面及至少一接点，该第二表面是相反于该第一表面，该接点位于该第一表面上，且该电路结构与该至少一接点连接，该第二表面面朝该散热结构。

优选的，其中由垂直于该第一表面的方向观察，该集成电路芯片与该散热结构至少部分重叠。

优选的，还包括一第一绝缘层及一第二绝缘层，其中该基板位于该第一绝缘层及该第二绝缘层之间，该第二表面面朝该第二绝缘层，且该散热结构贯穿该第二绝缘层。

优选的，其中该散热结构还包括多个导热构件。

优选的，其中该至少一接点包括一功率接点与一信号接点，且该等导热构件邻近该功率接点的密集程度大于该等导热构件邻近该信号接点的密集程度。

优选的，其中该散热结构还包括一导热构件以及一散热件，且该散热件具有多个凸出部。

优选的，还包括另一散热结构，其中该第一表面面朝该另一散热结构。

优选的，还包括一金属导热板，设置在该基板中，且该金属导热板位于该第二表面及该散热结构之间。

优选的，还包括一第三绝缘层及一金属导热板，其中该第三绝缘层位于该第二绝缘层与该金属导热板之间，且该金属导热板同时接触该第三绝缘层及该散热结构。

优选的，还包括一无源元件及一绝缘材料层，其中该无源元件设置于该第一绝缘层上，且该绝缘材料层包覆该无源元件。

优选的，其中该第二绝缘层及该基板中形成有一沟槽，且该散热结构设置于该沟槽中。

优选的，还包括一金属导热板，设置于该基板上，其中该金属导热板同时接触该基板及该散热结构。

优选的，还包括一散热件，其中该金属导热板位于该散热结构及该散热件之间。

优选的，其中该散热结构具有一第一截面及一第二截面，该第一截面位于该集成电路芯片与该第二截面之间，且该第一截面的面积小于该第二截面的面积。

优选的，其中该散热结构与该集成电路芯片之间夹有部分该基板。

根据本实用新型，一种基板结构包括：一基板；一集成电路芯片，设置于该基板中；一电路结构，电性连接该集成电路芯片；以及一散热结构，设置于该基板中，邻近该集成电路芯片，且该散热结构包括多个导热构件。

优选地，其中该集成电路芯片还具有一第一表面、一第二表面及至少一接点，该第二表面是相反于该第一表面，该接点位于该第一表面上，且该电路结构与该至少一接点连接，由垂直于该第一表面的方向观察，该集成电路芯片与该散热结构至少部分重叠。

优选地，基板结构还包括一第一绝缘层及一第二绝缘层，其中该基板位于该第一绝缘层及该第二绝缘层之间，且该散热结构贯穿该第一绝缘层或该第二绝缘层。

优选地，基板结构还包括一第三绝缘层及一金属导热板，其中该第三绝缘层位于该第二绝缘层与该金属导热板之间，且该金属导热板同时接触该第三绝缘层及该散热结构。

优选地，基板结构还包括一无源元件及一绝缘材料层，其中该无源元件设置于该第一绝缘层上，且该绝缘材料层包覆该无源元件。

优选地，其中该第二绝缘层及该基板中形成有一沟槽，且该散热结构设置于该沟槽中。

优选地，其中该至少一接点包括一功率接点与一信号接点，且该多个导热构件邻近该功率接点的密集程度大于该多个导热构件邻近该信号接点的密集程度。

优选地，基板结构还包括另一散热结构，其中该第一表面、该第二表面分別面朝该散热结构以及该另一散热结构。

优选地，基板结构还包括一金属导热板，设置在该基板中，且该金属导热板位于该第二表面及该散热结构之间。

优选地，其中该散热结构还包括一散热件，连接于该多个导热构件。

优选地，基板结构还包括一金属导热板，设置于该基板上，其中该金属导热板同时接触该基板及该散热结构。

优选地，基板结构还包括一散热件，其中该金属导热板位于该散热结构及该散热件之间。

优选地，其中该多个导热构件具有一第一截面及一第二截面，该第一截面位于该集成电路芯片与该第二截面之间，且该第一截面的面积小于该第二截面的面积。

优选地，其中该散热结构与该集成电路芯片之间夹有部分该基板。

附图说明

图1显示根据本实用新型一实施例的基板结构的剖视示意图。

图2显示根据本实用新型另一实施例的基板结构的剖视示意图。

图3显示根据本实用新型另一实施例的基板结构的剖视示意图。

图4显示根据本实用新型另一实施例的基板结构的剖视示意图。

图5显示根据本实用新型另一实施例的基板结构的剖视示意图。

图6显示根据本实用新型另一实施例的基板结构的剖视示意图。

图7显示根据本实用新型另一实施例的基板结构的剖视示意图。

图8显示根据本实用新型另一实施例的基板结构的剖视示意图。

图9显示根据本实用新型另一实施例的基板结构的剖视示意图。

图10显示根据本实用新型另一实施例的基板结构的剖视示意图。

附图标记列表

1A、1B、1C、1D、1E、1F、1G、1H、1I、1J～基板结构；

10～基板；

11～上部；

12～下部；

20～集成电路芯片；

201～第一表面；

202～第二表面；

203～接点；

203P～功率接点；

203S～信号接点；

30～电路结构；

40～第一绝缘层；

50～第二绝缘层；

52～第三绝缘层；

60A、60B、60C、60D、60E、60F、60G、60H、60I、60J～散热结构；

61、61’、61”、64～导热构件；

611～第一截面；

612～第二截面

62～导热材料层；

63、63’～散热件；

631、631’～凸出部；

70A、70B～无源元件；

80～绝缘材料层；

90、90’、90”～金属导热板；

G～间隙；

Wi～第三绝缘层的厚度；

Wm～金属导热板的厚度。

具体实施方式

以下说明本实用新型实施例的基板结构。然而，可轻易了解本实用新型实施例提供许多合适的实用新型概念而可实施于广泛的各种特定背景。所公开的特定实施例仅仅用于说明以特定方法使用本实用新型，并非用以局限本实用新型的范围。

除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与此篇公开所属的一般技艺者所通常理解的相同涵义。能理解的是这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有一与相关技术及本公开的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在此特别定义。

请先参照图1，图1显示根据本实用新型一实施例的基板结构1A的剖视示意图。在本实施例中，基板结构1A主要包含一基板10、一集成电路芯片 20、一电路结构30、一第一绝缘层40、一第二绝缘层50、以及一散热结构60A。集成电路芯片20是设置于基板10中，其中基板10包含上部11及下部12。举例而言，集成电路芯片20是设置于下部12上，再于集成电路芯片 20上设置上部11，最后以压合加热的方式结合上部11及下部12，借此将集成电路芯片20设置于基板10中。在以下的实施例中，将上部11及下部12 共同示出为基板10。集成电路芯片20具有一第一表面201、一第二表面202 及至少一接点203，其中第二表面202是相反于第一表面201(亦即第一表面 201、第二表面202分别位于集成电路芯片20的相对两侧)，且接点203位于第一表面201。电路结构30电性连接至集成电路芯片20的接点203。在基板10的上下两侧上分别设置第一绝缘层40及第二绝缘层50，亦即基板10 位于第一绝缘层40及第二绝缘层50之间，其中第一表面201面朝第一绝缘层40，且第二表面202面朝第二绝缘层50。应了解的是，基板10的材料可以是硬度较低的材料，借此可保护设置于基板10中的集成电路芯片20。举例而言，基板10材料的硬度可低于第一绝缘层40及/或第二绝缘层50材料的硬度。

虽然在本实用新型的实施例中仅示出单一个集成电路芯片20，然而在其他一些实施例中，可将多个集成电路芯片20设置于基板10中，且前述多个集成电路芯片20可沿垂直方向(Y轴方向)或水平方向(X轴方向)排列。此外，在另外一些实施例中，多个集成电路芯片20亦可以不规则的方式设置于基板10中。

散热结构60A设置于基板10中，并贯穿第二绝缘层50，其中集成电路芯片20的第二表面202面朝散热结构60A。在本实施例中，散热结构60A 包含多个导热构件61，邻近集成电路芯片20。举例而言，如图1所示，首先朝第二表面202的方向在基板10上进行激光钻孔后，填入金属材料(例如铜等热传导系数高的材料)，再于第二绝缘层50上进行激光钻孔，并填入金属材料以形成导热构件61。通过激光钻孔的方式形成的孔洞的孔径会向外逐渐增加，换言之，散热结构60A的导热构件61于其顶部具有平行于X轴方向的一第一截面611(即导热构件61的顶面)，且于基板10与第二绝缘层50 的交界处具有平行于X轴方向的一第二截面612(如图1的虚线所示)，其中第一截面611位于集成电路芯片20及第二截面612之间(亦即第一截面 611相较于第二截面612更接近集成电路芯片20)，且第一截面611的面积小于第二截面612的面积。

在进行上述激光钻孔的工艺时，如果孔洞太接近集成电路芯片20、或甚至显露出集成电路芯片20，则可能对集成电路芯片20造成损害。因此，在一些实施例中，填入上述孔洞的散热结构60A与集成电路芯片20之间通常会留有部分基板10(亦即散热结构60A与集成电路芯片20之间具有一间隙 G)，以避免使集成电路芯片20受损。当然，在其他一些实施例中，散热结构60A亦可直接接触集成电路芯片20，如此有助于提升散热结构60A的散热效果。散热结构60A与电路结构30基本上彼此电性独立(除了接地之外，散热结构60A与电路结构30并不会电性连接)。此外，由垂直于第一表面 201的方向(Y轴方向)观察，集成电路芯片20与散热结构60A至少部分重叠。

另外，散热结构60A可选择性地包含导热材料层62，其中导热材料层62是设置于导热构件61显露出的表面上。换言之，导热构件61是位于导热材料层62与集成电路芯片20之间。此外，可依照设计需求，对导热材料层 62的表面进行各种不同的处理(例如：表面粗糙化、设置凸台、设置凹陷、或设置金属基板等)，以增加散热结构60A与外界的接触面积，进而提升散热效率。

此外，可根据实际需求，在基板结构1A中选择性地设置无源元件70A、 70B(例如：电阻器、电容器、电感器等)以及绝缘材料层80，其中无源元件70A、70B是设置于第一绝缘层40上，并经由电路结构30电性连接至集成电路芯片20，且绝缘材料层80以模内成型的方式形成于第一绝缘层40上，且包覆无源元件70A、70B。绝缘材料层80例如为树脂(epoxy)等热导率高于空气的材料，且绝缘材料层80的热导率可高于其他绝缘层(例如上述第一绝缘层40、第二绝缘层50)，借此可进一步提升基板结构1A的散热效率。

应了解的是，相较于目前市面上将集成电路芯片设置于基板表面上的半导体封装结构，上述实施例所述将集成电路芯片20设置于基板10中的基板结构可使整体封装结构的尺寸缩小40％以上，且于基板结构表面上省下的空间可用于设置其他电子元件。同时，由于集成电路芯片20设置于基板10中，连接至集成电路芯片20的电路亦包覆于基板10中，故电路较不易损坏，借此可避免故障的情形发生，另外，因为包覆集成电路芯片20的基板10的热导率大于空气的热导率，因此上述基板结构也具有加强散热的效果。

接着，请参照图2，图2显示根据本实用新型另一实施例的基板结构1B 的剖视示意图。应注意的是，基板结构1B可包含与基板结构1A相同或相似的元件，以下相同或相似的元件将以相同或相似的标号表示，并不再详述。基板结构1B与基板结构1A的主要不同的处在于：如图2所示，基板结构 1B的散热结构60B具有不同形状的导热构件61’、61”，其中导热构件61’于基板20与第二绝缘层50交界处的表面是设计为相对于水平方向(X轴方向)倾斜(亦即导热构件61’的上述表面与水平方向之间夹有一角度)，借此增加导热构件61’的表面积，提升散热效率。另外，导热构件61”是形成于对基板10及第二绝缘层50进行单一激光钻孔工艺所形成的孔洞中，借此可简化相关工艺并节省成本。应了解的是，虽然图2示出不同形状的导热构件，基板结构1B可仅具有单一种导热构件(例如导热构件61’、61”的其中的一)、或前述导热构件的组合。

应说明的是，虽然在图2的散热结构60B中未示出导热材料层62，但可根据实际需求，将导热材料层62设置于导热构件61’、61”显露出的表面上。换言之，导热构件61’、61”是位于导热材料层62与集成电路芯片20 之间，借此可更进一步提升散热效果。

图3显示根据本实用新型另一实施例的基板结构1C的剖视示意图。应注意的是，基板结构1C可包含与基板结构1A相同或相似的元件，以下相同或相似的元件将以相同或相似的标号表示，并不再详述。基板结构1C与基板结构1A的主要不同的处在于：基板结构1C的散热结构60C还包含散热件63，其中散热件63位于前述导热构件61下方(亦即位于导热构件61显露出的表面上)。换言之，导热构件61位于基板10与散热件63之间。举例而言，散热件63可以是银(Ag)、纳米碳管(carbon nanotube；CNT)、石墨烯(graphene)等具高热导率的材料(即热导率大于空气的材料)、或前述材料的组合。此外，散热件63于其下方的表面(即相反于面朝导热构件 61的表面)具有多个凸出部631。凸出部631的设置有助于增加散热件63显露于外界的表面积，可更进一步地提升散热效果。

应了解的是，上述导热材料层62与散热件63皆是设置于导热构件61、 61’或61”的显露出的表面上，且两者都具有提升散热效果的作用。一般而言，导热材料层62所占的空间较小，适用于有空间上的需求的设计；而散热件63的设置较为简便，可简化工艺并提供较大的散热表面积。在制造本实用新型所述的各种基板结构的过程中，可根据实际需求，选择设置导热材料层 62或散热件63。换言之，虽然在本实用新型的所有实施例中可能仅示出导热材料层62或散热件63、或者并未示出前述两者，但应将上述实施例理解为包含导热材料层62或散热件63的其中的一。有关于导热材料层62与散热件 63的选择或替换，以下将不再赘述。

图4显示根据本实用新型另一实施例的基板结构1D的剖视示意图。应注意的是，基板结构1D可包含与基板结构1A相同或相似的元件，以下相同或相似的元件将以相同或相似的标号表示，并不再详述。基板结构1D与基板结构1A的主要不同的处在于：散热结构60D还包含至少一导热构件61A，设置于集成电路芯片20的第一表面201上。换言之，第一表面201面朝前述导热构件61A。由于在集成电路芯片20的第一表面201及第二表面202上皆设有导热构件61、61A，借此可更进一步加强散热。在一些实施例中，除了设置于集成电路芯片20的上下两侧，导热构件61、61A亦可设置于集成电路芯片20的周围。

图5显示根据本实用新型另一实施例的基板结构1E的剖视示意图。应注意的是，基板结构1E可包含与基板结构1A相同或相似的元件，以下相同或相似的元件将以相同或相似的标号表示，并不再详述。基板结构1E与基板结构1A的主要不同的处在于：集成电路芯片20的接点203包含一功率接点203P及一信号接点203S。在本实施例中，基板结构1E更具有一重布线层 (图未示)，用以将供应电源的线路集中连接至集成电路芯片20的功率接点 203P，而信号接点203S则用来传输信号。由于功率接点203P是电性连接至电源，相较于信号接点203S，功率接点203P会通过较大的电流。因此，功率接点203P的周围会较容易产生热源。为了加强功率接点203P周围区域的散热，如图5所示，提高邻近功率接点203P的导热构件61的密集程度。换言之，导热构件61邻近功率接点203P的密集程度大于导热构件61邻近信号接点203S的密集程度。通过将导热构件61集中于特定区域的设计，可局部提升前述区域的散热效率。

图6显示根据本实用新型另一实施例的基板结构1F的剖视示意图。应注意的是，基板结构1F可包含与基板结构1A相同或相似的元件，以下相同或相似的元件将以相同或相似的标号表示，并不再详述。基板结构1F与基板结构1A的主要不同的处在于：在第二绝缘层50及基板10中形成有一沟槽51，且散热结构60F包含导热构件64。将导热构件64设置于沟槽51中，其中导热构件64是以电镀的方式形成于沟槽51中。相较于前述具有多个导热构件61、61’或61”的散热结构，一体化的散热结构60F可更进一步提高导热效率。

图7显示根据本实用新型另一实施例的基板结构1G的剖视示意图。应注意的是，基板结构1G可包含与基板结构1F相同或相似的元件，以下相同或相似的元件将以相同或相似的标号表示，并不再详述。基板结构1G与基板结构1F的主要不同的处在于：在沟槽51中设置散热件63’，且可在散热件63’于下方的表面(相反于面朝导热构件61的表面)形成多个凸出部631’，如此可增加散热件63’面向外界的表面积，借此更进一步地提升散热效果。

图8显示根据本实用新型另一实施例的基板结构1H的剖视示意图。应注意的是，基板结构1H可包含与基板结构1A相同或相似的元件，以下相同或相似的元件将以相同或相似的标号表示，并不再详述。基板结构1H与基板结构1A的主要不同的处在于：基板结构1H的散热结构60H还包含一金属导热板90，设置于基板10中，金属导热板90具有面朝第二表面202的平面，且金属导热板90位于第二表面202与导热构件61之间。在一些实施例中，导热构件61可直接接触金属导热板90。金属导热板90可吸收集成电路芯片20所发出的热量，再通过导热构件61将前述热量传导至外部。因此，金属导热板90的设置有助于更平均且快速地散热。

图9显示根据本实用新型另一实施例的基板结构1I的剖视示意图。应注意的是，基板结构1I可包含与基板结构1A相同或相似的元件，以下相同或相似的元件将以相同或相似的标号表示，并不再详述。基板结构1I与基板结构1A的主要不同的处在于：基板结构1I的散热结构60I还包含金属导热板 90’，设置于基板10上，其中金属导热板90’同时接触基板10及散热结构 60I。在本实施例中，以金属导热板90’取代前述第二绝缘层50，金属导热板90’除了具有散热的作用以外，同时也可增强基板结构1I的强度。此外，亦可在金属导热板90’下选择性地设置散热件63。换言之，金属导热板90’位于散热结构60I与散热件63之间。

应注意的是，基板结构1I还包含一绝缘层54，用以将电路结构30与金属导热板90’电性绝缘，来避免电路结构30与散热结构60I电性连接。绝缘层54可以包含空气或是任何适合的绝缘介电质。

虽然第2至9图中未示出无源元件70A、70B及绝缘材料层80，但应理解的是，根据实际需求可选择性地于前述基板结构上设置无源元件70A、70B 及/或绝缘材料层80。此外，即使前述基板结构上(例如于第一绝缘层40上) 未设置无源元件，仍可于第一绝缘层40上以任何适合的方式(例如模内成型等)设置绝缘材料层80，由于绝缘材料层80的热导率远大于空气，因此设置绝缘材料层80可有助于提升散热效果。

图10显示根据本实用新型另一实施例的基板结构1J的剖视示意图。应注意的是，基板结构1J可包含与基板结构1A相同或相似的元件，以下相同或相似的元件将以相同或相似的标号表示，并不再详述。基板结构1J与基板结构1A的主要不同的处在于：基板结构1J还包含第三绝缘层52及金属导热板90”，皆设置于第二绝缘层50下，其中第三绝缘层52位于第二绝缘层 50与金属导热板90”之间，且金属导热板90”同时接触第三绝缘层52与散热结构60J。此外，无源元件70A、70B亦可设置于金属导热板90”上，借此有助于无源元件70A、70B的散热效果。应注意的是，电路结构30与无源元件70A、70B必须与金属导热板90”电性绝缘。

在本实施例中，第三绝缘层52于垂直于第一表面201的方向(Y轴方向) 具有一厚度Wi，而金属导热板90”则于相同方向具有另一厚度Wm，且金属导热板90”的厚度Wm大于第三绝缘层52的厚度Wi。如此可提升基板结构1J的机械强度及平面度。

综上所述，本实用新型提供一种具有邻近集成电路芯片的散热结构的基板结构，通过前述散热结构的设置，可有助于提升基板结构内的集成电路芯片等电子元件的散热效果。应了解的是，本实用新型所述各种不同的散热结构可根据实际需求进行替换、调整或组合，而不限于单一实施例所述的结构。

虽然本实用新型的实施例及其优点已公开如上，但应该了解的是，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本实用新型的构思和范围内，当可作变动、替代与润饰。此外，本实用新型的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域中技术人员可从本实用新型公开内容中理解现行或未来所发展出的工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本实用新型使用。因此，本实用新型的保护范围包括上述工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本实用新型的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。

虽然本实用新型以前述数个优选实施例公开如上，然其并非用以限定本实用新型。本实用新型所属技术领域中技术人员，在不脱离本实用新型的构思和范围内，当可做些许的变动与润饰。因此本实用新型的保护范围当视权利要求所界定者为准。此外，每个权利要求建构成一独立的实施例，且各种权利要求及实施例的组合皆介于本实用新型的范围内。

Claims

1.一种基板结构，其特征在于，包括：

一基板；

一集成电路芯片，设置于该基板中；

一电路结构，电性连接该集成电路芯片；以及

一散热结构，设置于该基板中，邻近该集成电路芯片，且该散热结构包括多个导热构件。

2.如权利要求1所述的基板结构，其特征在于，其中该集成电路芯片还具有一第一表面、一第二表面及至少一接点，该第二表面是相反于该第一表面，该接点位于该第一表面上，且该电路结构与该至少一接点连接，由垂直于该第一表面的方向观察，该集成电路芯片与该散热结构至少部分重叠。

3.如权利要求2所述的基板结构，其特征在于，还包括一第一绝缘层及一第二绝缘层，其中该基板位于该第一绝缘层及该第二绝缘层之间，且该散热结构贯穿该第一绝缘层或该第二绝缘层。

4.如权利要求3所述的基板结构，其特征在于，还包括一第三绝缘层及一金属导热板，其中该第三绝缘层位于该第二绝缘层与该金属导热板之间，且该金属导热板同时接触该第三绝缘层及该散热结构。

5.如权利要求3所述的基板结构，其特征在于，还包括一无源元件及一绝缘材料层，其中该无源元件设置于该第一绝缘层上，且该绝缘材料层包覆该无源元件。

6.如权利要求3所述的基板结构，其特征在于，其中该第二绝缘层及该基板中形成有一沟槽，且该散热结构设置于该沟槽中。

7.如权利要求2所述的基板结构，其特征在于，其中该至少一接点包括一功率接点与一信号接点，且该多个导热构件邻近该功率接点的密集程度大于该多个导热构件邻近该信号接点的密集程度。

8.如权利要求2所述的基板结构，其特征在于，还包括另一散热结构，其中该第一表面、该第二表面分別面朝该散热结构以及该另一散热结构。

9.如权利要求2所述的基板结构，其特征在于，还包括一金属导热板，设置在该基板中，且该金属导热板位于该第二表面及该散热结构之间。

10.如权利要求1所述的基板结构，其特征在于，其中该散热结构还包括一散热件，连接于该多个导热构件。

11.如权利要求1所述的基板结构，其特征在于，还包括一金属导热板，设置于该基板上，其中该金属导热板同时接触该基板及该散热结构。

12.如权利要求11所述的基板结构，其特征在于，还包括一散热件，其中该金属导热板位于该散热结构及该散热件之间。

13.如权利要求1所述的基板结构，其特征在于，其中该多个导热构件具有一第一截面及一第二截面，该第一截面位于该集成电路芯片与该第二截面之间，且该第一截面的面积小于该第二截面的面积。

14.如权利要求1所述的基板结构，其特征在于，其中该散热结构与该集成电路芯片之间夹有部分该基板。