JP2016018758A - 有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ表示装置の製造方法 - Google Patents

有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ表示装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】製造コストを抑えつつ、より額縁領域を小さくすることのできる有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置（１００）は、導電膜からなるコンタクト電極を露出させた開口であるコンタクト部を有する無機絶縁膜（２５１）と、無機絶縁膜上に形成され、薄膜トランジスタを有する回路からなるＴＦＴ回路層（２６０）と、ＴＦＴ回路層上に形成され、回路により発光が制御される有機ＥＬ素子（２３６）を有する有機ＥＬ素子層（２７０）と、有機層を覆う無機絶縁材料からなる封止層（２８１）と、を備える。【選択図】図６

Description

本発明は、有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
近年、有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode）と呼ばれる自発光体を用いた画像表示装置（以下、「有機ＥＬ表示装置」という。）が実用化されている。この有機ＥＬ表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、自発光体を用いているため、視認性、応答速度の点で優れているだけでなく、バックライトのような補助照明装置を要しないため、更なる薄型化が可能となっている。
特許文献１は、液晶パネルの２つの基板のうち１つの基板に貫通した導電部材を用いて、２つの基板が電気的に接続された電気光学装置について開示している。特許文献２は、第１基板に形成されたアクティブ駆動素子と重畳して第１基板に開けられた開口部に端子電極が形成され、端子電極と配線基板の端子が電気的に接続された構成について開示している。
国際公開第２００１／００８１２８号 特開２０１０−８６７７号公報
有機ＥＬ表示装置等の薄型の表示装置では、小型化軽量化の要請により、表示領域の外側の、いわゆる額縁領域について面積を小さくすることが求められている。このような表示装置において、画像表示の制御は、駆動集積回路素子（ドライバＩＣ（Integrated Circuit））により行われるが、駆動集積回路素子は、一般に薄膜トランジスタが形成される同じ基板上の額縁領域に載置されるため、駆動集積回路素子が載置される部分の額縁領域の面積を小さくすることは難しかった。また、駆動集積回路素子に限らず、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）やその他の電子部品の載置により額縁領域の面積を小さくできない場合もあった。一方、特許文献１及び２には、基材である基板に貫通孔を設けることが記載されているが、特殊な高コストの工程を必要とするため、量産される表示装置の製造工程に適用することは困難であった。
本発明は、上述の事情を鑑みてしたものであり、製造コストを抑えつつ、より額縁領域を小さくすることのできる有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
上述の課題を解決するための代表的な有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ表示装置の製造方法は以下の通りである。
（１）導電膜からなるコンタクト電極を露出させた開口であるコンタクト部を有する無機絶縁膜と、前記無機絶縁膜上に形成され、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を有する回路からなるＴＦＴ回路層と、前記ＴＦＴ回路層上に形成され、前記回路により発光が制御される有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ素子層と、前記有機ＥＬ素子層を覆う無機絶縁材料からなる封止層と、を備える有機ＥＬ表示装置。
（２）上記（１）に記載の有機ＥＬ表示装置において、前記コンタクト部において、前記コンタクト電極と電気的に接続される端子を有する電子部品を更に備える有機ＥＬ表示装置。
（３）上記（２）に記載の有機ＥＬ表示装置において、前記電子部品はＦＰＣ（フレキシブルプリント配線基板）である、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
（４）上記（３）に記載の有機ＥＬ表示装置において、前記ＦＰＣ上には、前記回路を制御する駆動集積回路素子が載置されている、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
（５）上記（３）に記載の有機ＥＬ表示装置において、前記ＦＰＣは、外部制御機器と非接触通信を行うアンテナ配線を有している、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
（６）上記（３）に記載の有機ＥＬ表示装置において、前記ＦＰＣは、平面視で表示領域の２５％以上の面積を有するベタ状の金属膜を有している、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
（７）上記（６）に記載の有機ＥＬ表示装置において、前記封止層上には、タッチパネルを更に備える、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
（８）上記（３）に記載の有機ＥＬ表示装置において、前記ＦＰＣの端子は、前記表示領域の外側の額縁領域に形成された前記コンタクト部を介して電気的に接続される、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
（９）上記（８）に記載の有機ＥＬ表示装置において、前記コンタクト部は、前記有機ＥＬ素子の発光に必要な電位差の供給を受ける低基準電位コンタクト部及び高基準電位コンタクト部を有し、前記低基準電位コンタクト部及び高基準電位コンタクト部の少なくとも一方は、複数箇所に形成され、矩形の表示領域の４辺にそれぞれ対応する前記額縁領域のうち、少なくとも２辺に対応する前記額縁領域に形成される、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
（１０）上記（８）に記載の有機ＥＬ表示装置において、前記コンタクト部は、画像信号を受信する複数の画像信号コンタクト部を有し、前記画像信号コンタクト部は、矩形の表示領域の対向する２辺に対応する前記額縁領域に形成される、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
（１１）上記（２）に記載の有機ＥＬ表示装置において、前記電子部品は駆動集積回路素子である、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
（１２）上記（２）に記載の有機ＥＬ表示装置において、前記電子部品の端子は、異方性導電膜により接続される、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
（１３）上記（１）に記載の有機ＥＬ表示装置において、前記コンタクト電極の一部は、平面視において表示領域と重畳している、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
（１４）上記（１）に記載の有機ＥＬ表示装置において、前記コンタクト電極は、平面視において前記ＴＦＴ回路層の前記薄膜トランジスタと重畳している、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
（１５）上記（１）に記載の有機ＥＬ表示装置において、前記コンタクト電極は、複数の前記電子部品を互いに電気的に接続する、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
（１６）上記（１３）乃至１５に記載の有機ＥＬ表示装置において、前記コンタクト電極は、コンタクトホールを介して前記ＴＦＴ回路層又は前記有機ＥＬ素子層から延びる導電膜と接している、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
（１７）上記（１）に記載の有機ＥＬ表示装置において、前記ＴＦＴ回路層は、前記コンタクト部の導電膜を介して入力された画像信号を複数の配線に分配する信号分配回路を有している、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
（１８）上記（１）に記載の有機ＥＬ表示装置において、前記封止層上に接着された透明材料からなる封止基板を更に備える有機ＥＬ表示装置。
（１９）基板に層間分離膜を成膜する層間分離膜成膜工程と、前記層間分離膜成膜工程の後、無機絶縁膜を成膜する無機絶縁膜成膜工程と、前記無機絶縁膜成膜工程の後、ＴＦＴ回路層及び有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ素子層を形成する回路素子形成工程と、前記回路素子形成工程の後、前記基板を層間分離膜において剥離する基板剥離工程と、前記基板剥離工程の後、コンタクト電極が露出したコンタクト部を介して電気的に接続される端子を有する電子部品を圧着する電子部品圧着工程と、を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（２０）上記（１９）に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記回路素子形成工程の後、前記基板剥離工程の前に、前記有機ＥＬ素子層上に封止層を介して透明材料からなる封止基板を接着する封止基板接着工程を更に備える、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（２１）上記（１９）に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記基板剥離工程の後に、剥離面の一部又は全面のエッチングを行い、コンタクト電極を露出させ、コンタクト部を形成するエッチング工程を更に備える、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（２２）上記（１９）に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記無機絶縁膜成膜工程において、前記無機絶縁膜に挟まれるように前記コンタクト電極となる導電膜を成膜する、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（２３）上記（１９）に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記基板剥離工程の後に、前記電子部品圧着工程の前に、前記コンタクト電極となる導電膜を成膜し、コンタクト部を形成するコンタクト部形成工程を更に備える、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（２４）上記（２３）に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記コンタクト部形成工程の前に、剥離面全面のエッチングを行い、前記コンタクト電極と接続する導電膜を露出させる導電膜露出工程を更に備える、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す図である。 図１の有機ＥＬパネルの表面側を概略的に示す平面図である。 有機ＥＬパネルの画素回路の例について示す図である。 図３の各配線とコンタクト部との関係について説明するための概略図である。 図１の有機ＥＬパネルの裏面側を概略的に示す平面図である。 ＦＰＣが接続されたコンタクト部付近の断面について示す概略図である。 有機ＥＬ表示装置の製造工程について示すフローチャートである。 封止基板接着工程、基板剥離工程及び電子部品圧着工程における積層構造について示すフローチャートである。 図２の有機ＥＬパネルの表面側を示す平面図の変形例について示す図である。 図５の有機ＥＬパネルの裏面側を示す平面図の変形例について示す図である。 図６のコンタクト部付近の断面の第１変形例について示す図である。 図６のコンタクト部付近の断面の第２変形例について示す図である。 図６のコンタクト部付近の断面の第３変形例について示す図である。 図６のコンタクト部付近の断面の第４変形例について示す図である。 図１４の第４変形例に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法について示すフローチャートである。 有機ＥＬ表示装置を備える情報処理装置であるタブレット端末の構成について示す図である。
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
図１には、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ（Electro Luminescent）表示装置１００が概略的に示されている。この図に示されるように、有機ＥＬ表示装置１００は、上フレーム１１０及び下フレーム１２０に挟まれるように固定された有機ＥＬパネル２００から構成されている。なお、有機ＥＬ表示装置１００は、このような形態に限られず、例えば有機ＥＬパネル２００が、一つのフレームによって固定されるものであってもよい。
図２には、図１の有機ＥＬパネル２００の画像表示方向側である表面側を示す平面図が概略的に示されている。この図に示されるように、有機ＥＬパネル２００は、画素２１２がマトリックス状に配置された矩形の表示領域２１０を有している。ここで、各画素２１２に形成された画素回路の例について図３を参照して説明する。
図３に示されるように、画素回路は、低基準電位に保たれたカソード電極２３９に接続された発光素子である有機ＥＬ素子２３６と、有機ＥＬ素子２３６のアノードにソース／ドレインの一方が接続され、ソース／ドレインの他方が、高基準電位に保たれた高基準電位線２３１に接続された駆動トランジスタ２３４と、駆動トランジスタ２３４のゲートに接続され、画像信号線２３３に印加された画像信号を印加する画素トランジスタ２３８と、駆動トランジスタ２３４のゲートとソース／ドレインの他方との間に形成された保持容量２３７と、アノードと他の定電位との間に形成された付加容量２３５とを有している。この画素回路の動作の例について説明すると、まず、画像信号線２３３に印加された画像信号を、走査信号線２３２のＯＮ／ＯＦＦのタイミングで駆動トランジスタ２３４のゲートに印加し、保持容量２３７に画像信号の電圧を保持することにより、画像信号に対応する電圧が駆動トランジスタ２３４のゲートに保たれ、ソース／ドレイン間に画像信号の電圧に対応する電流が流れることにより有機ＥＬ素子２３６が発光する。なお、図３は画素回路の一例であり、画素回路の構成は適宜変更することができる。
図４は、図３の各配線と、有機ＥＬパネル２００の外部から信号の入出力を行うためのコンタクト部（外部接続端子）との関係について説明するための概略図である。この図に示されるように、画像信号線２３３はそれぞれコンタクト部２５５（後述）である画像信号線コンタクト部２２４に接続される。高基準電位はコンタクト部２５５である高基準電位コンタクト部２２２から、走査回路２３０を介して高基準電位線２３１に印加される。また、走査回路２３０は、走査信号線２３２に対して順番に走査トランジスタのソース・ドレインを導通させるための導通電位を印加する回路であり、コンタクト部２５５である走査回路信号コンタクト部２２３から、この回路を動作させるための走査回路信号が入力される。
図２に戻り、有機ＥＬパネル２００の表面側において、表示領域２１０の外側の額縁領域（外側領域）２２０における、表示領域２１０の一辺に対応する位置には、走査回路２３０が配置される。また、各コンタクト部２５５は、有機ＥＬパネル２００の裏面側の額縁領域２２０に対応する位置に形成されている。具体的には、走査回路２３０の近くの額縁領域２２０に走査回路信号コンタクト部２２３が形成され、画像信号線２３３の並ぶ方向に平行な一辺、つまり走査回路２３０が配置された表示領域２１０の一辺とは垂直に延びる一辺に対応する額縁領域２２０に、画像信号線コンタクト部２２４が並んで配置されている。ここで、高基準電位コンタクト部２２２及びカソード電極２３９に接続される低基準電位コンタクト部２２１は、画像信号線コンタクト部２２４及び走査回路２３０が配置されていない隣合う２辺に沿って複数配置されている。高基準電位コンタクト部２２２及び低基準電位コンタクト部２２１は、交互に並べられていてもよいし、複数ずつ等その他の順番で並べられていてもよい。
なお、カソード電極２３９は表示領域２１０の全面に成膜され、各画素の有機ＥＬ素子２３６のカソードに共通の電位を供給する電極であり、カソード電極２３９に電位を供給するコンタクト部２５５である低基準電位コンタクト部２２１や高基準電位線２３１に電位を供給する高基準電位コンタクト部２２２は、このように表示領域２１０の４辺のうち少なくとも２辺に対応する額縁領域２２０に形成されることができる。このようにすることにより、より均一な電位を各画素２１２のカソード電極２３９に提供することができる。また、有機ＥＬパネル２００内部の電圧降下が抑制され、有機ＥＬ表示装置１００の低消費電力化に繋がり、更に、輝度傾斜を抑制することができる。
なお、コンタクト部２５５の配置はこのような配置に限られず、低基準電位コンタクト部２２１や高基準電位コンタクト部２２２が少なくとも２辺に対応する額縁領域２２０に配置されていなくてもよいし、額縁領域２２０でなく、表示領域２１０内に形成する等その他の配置とすることができる。また、コンタクト部２５５はここに挙げられたものに限られず必要に応じて設けることができる。
図５は、有機ＥＬパネル２００の裏面側を示す平面図であり、電子部品であるＦＰＣ（フレキシブル回路基板）２９０が有機ＥＬパネル２００の裏面に重畳するように取付けられているときの様子を示す図である。この図に示されるように、ＦＰＣ２９０は、有機ＥＬパネル２００のコンタクト部２５５である低基準電位コンタクト部２２１、高基準電位コンタクト部２２２、画像信号線コンタクト部２２４及び走査回路信号コンタクト部２２３において、異方性導電膜（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）等を用いて圧着されている。なお、ＦＰＣ２９０上には実装部品２９２及び、有機ＥＬパネル２００の一部のコンタクト部２５５に印加する信号を生成する集積回路である駆動ＩＣ（Integrated Circuit）２９１が載置されている。このように駆動ＩＣ２９１をＦＰＣ２９０上に実装することにより、有機ＥＬパネル２００の額縁領域２２０に配置しなくてもよいため、額縁領域２２０をより小さくすることができる。しかしながら、実装部品２９２や駆動ＩＣ２９１はＦＰＣ２９０上に実装されていなくてもよい。ＦＰＣ２９０はＦＰＣコネクタ２９５を介して外部制御機器に接続される。また、ＦＰＣ内には、表示領域２１０の２５％以上の面積のベタ状（一連）の金属膜２９３が形成されていてもよく、このようなベタ状の金属膜２９３が形成されることにより熱拡散効率を上げることができ、パネル全体の温度の均一化を図ることができる。また、金属膜２９３は静電シールドとなるため、外部制御機器からの飛び込みノイズを低減することができる。特にタッチパネルが実装されている場合には、外部制御機器からのノイズを遮蔽することができるため、タッチパネルを高速化及び高精度化することができる。ベタ状の金属膜２９３の電位は他と接続されていないフローティングでもよいし、定電位に固定されているものであってもよい。図５では、ベタ状の金属膜２９３が形成されるものとしたが、ベタ状の金属膜２９３は形成されていなくてもよい。
図６はＦＰＣ２９０が接続されたコンタクト部２５５付近の断面について示す概略図である。この図に示されるように、ＦＰＣ２９０の端子は、有機ＥＬパネル２００のコンタクト部２５５に異方性導電膜２５２を介して接続されている。ここで異方性導電膜２５２はコンタクト部２５５の全面を覆って圧着されるものであるが、図では説明のために配置のみを分かりやすく示している。有機ＥＬパネル２００は、ＳｉＮやＳｉＯ等からなる無機絶縁膜２５１と、無機絶縁膜２５１の上に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）２６３を有する回路からなるＴＦＴ回路層２６０と、ＴＦＴ回路層２６０上に形成され、ＴＦＴ回路層２６０の回路により発光が制御される有機ＥＬ素子２３６を有する有機ＥＬ素子層２７０と、有機ＥＬ素子層２７０上に形成され、ＳｉＮ等の無機膜からなり、外部からの水分の侵入を遮断する封止層２８１と、透明の有機材料からなる接着層２８２と、ガラスやプラスチック等の透明の絶縁材料からなる封止基板２８３と、を有している。ここで、コンタクト部２５５は、無機絶縁膜２５１の開口にコンタクト電極２５３が露出されることにより形成されている。この図に示されるように、コンタクト部２５５は額縁領域２２０に形成されているが、コンタクト部２５５は表示領域２１０内に形成されるものであってもよい。また、ＴＦＴ回路層２６０の半導体は、低温ポリシリコン、アモルファスシリコンその他の半導体材料を用いることができる。また、封止層２８１、接着層２８２及び封止基板２８３を用いずに、別の形態により有機ＥＬ素子層２７０に水分の侵入を防ぐものであってもよい。
なお、この図において薄膜トランジスタ２６３は、ＴＦＴ回路層２６０に形成される薄膜トランジスタ２６３の一例として配置されたものであり、回路構成を限定するものでなく、他の薄膜トランジスタの配置を適宜用いることができる。また、コンタクト電極２５３は、薄膜トランジスタの一方の電極に接続されるものであってもよいし、例えば高基準電位コンタクト部２２２や低基準電位コンタクト部２２１のように直接他の電極や他の配線に接続されるものであってもよい。また、封止基板２８３には各画素２１２に形成されたカラーフィルタを含む構成のものを用いることができるが、カラーフィルタを含まないものであってもよい。また上述の例では有機ＥＬパネル２００のコンタクト部２５５にＦＰＣ２９０の端子が接続される場合について示したが、半導体集積回路素子等の他の電子部品の端子が接続されることとしてもよい。このように本実施形態によれば、基板に穴を備えることなく、電子部品を有機ＥＬパネル２００の裏面側に直接配置することができるため、製造コストを抑えつつ、より額縁領域２２０の小さな有機ＥＬ表示装置とすることができる。
図７は、上述の有機ＥＬ表示装置１００の製造工程について説明するためのフローチャートである。このフローチャートに示されるように、まず、層間分離膜成膜工程Ｓ１０１において、絶縁材料からなる基板２８８に層間分離膜２８９を成膜する。層間分離膜２８９は、後の工程において層間分離膜２８９上に形成された膜と基板２８８とを分離するための膜であり、材料は公知の材料を含め適宜選択することができる。次に、無機絶縁膜成膜工程Ｓ１０２において、ＳｉＮ又ＳｉＯ等からなる無機絶縁膜を成膜する。この無機絶縁膜は、後に無機絶縁膜２５１として利用されてもよいし、後述する図１４の第４変形例に示されるように無機絶縁膜２５１とは異なる無機絶縁膜であってもよい。
その後、回路素子形成工程Ｓ１０３において、ＴＦＴ回路を含むＴＦＴ回路層２６０及び有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ素子層２７０を形成する。回路素子形成工程Ｓ１０３においては、コンタクトホールを介して無機絶縁膜２５１に接する導電膜を形成することとしてもよい。有機ＥＬ素子層２７０上には、必要な場合には、ＳｉＮ又はＳｉＯ等の材料からなる封止層２８１が形成され、封止基板接着工程Ｓ１０４において、透明材料からなる封止基板２８３を接着する。封止基板接着工程Ｓ１０４後の積層構造の様子が、図８のＳ１０４に示されている。
この後、図８に示されるように、基板剥離工程Ｓ１０５において、層間分離膜２８９で基板２８８を分離する。分離後は、例えば図７のエッチング工程Ｓ２０１において、剥離面のコンタクト電極２５３の一部分をエッチングし、コンタクト電極２５３を露出させ、コンタクト部２５５を形成することもできる。しかしながら、エッチング工程Ｓ２０１を用いずにコンタクト部２５５を形成することもでき、この場合には他の工程を用いることができる。最後に電子部品圧着工程Ｓ１０６において、ＦＰＣ２９０等の電子部品の端子とコンタクト部２５５とを異方性導電膜２５２等を用いて圧着する。この後、完成した有機ＥＬパネル２００にフレーム等を取付けることにより有機ＥＬ表示装置１００となる。
このように本実施形態の製造方法によれば、高いコストの工程を用いることなく、電子部品を表示装置の裏面側に直接配置することができるため、製造コストを抑えつつ、より額縁領域の小さな有機ＥＬ表示装置とすることができる。
図９には、図２の有機ＥＬパネル２００の表面側を示す平面図の変形例が示されている。この図に示されるように、この変形例では、コンポジット信号の画像信号をＲＧＢの画像信号に分配する信号分配回路２４１が、表示領域２１０の対向する２辺に対応する額縁領域２２０に配置されている。ここで信号分配回路２４１は、有機ＥＬパネル２００のＴＦＴ回路層２６０に形成される回路であるものとする。また、信号分配回路２４１近くには、信号分配回路２４１に対して制御信号を外部から受信するコンタクト部２５５である信号分配回路コンタクト部２４２が形成されている。信号分配回路２４１を設けることにより、画像信号線コンタクト部２２４の数を低減できるため、製造工程を簡易化することができ、歩留まりを向上させることができる。また、図９の変形例においては、画像信号線コンタクト部２２４は、矩形の表示領域２１０の対向する２辺に対応する２箇所の額縁領域２２０に形成されている。このように画像信号線コンタクト部２２４を対向する２辺の額縁領域２２０に分散して配置することにより、画像信号線コンタクト部２２４の配置密度を低減することができ、製造工程が簡易になることにより、歩留まりを向上させることができる。なお、本実施形態においては、信号分配回路２４１有すると共に、対向する２辺に対応する２箇所の額縁領域２２０に形成された画像信号線コンタクト部２２４を有することとしたが、いずれか一方のみを有するものとしてもよい。
図１０には、図５の有機ＥＬパネル２００の裏面側を示す平面図の変形例が示されている。この変形例では、ＦＰＣ２９０にアンテナ配線２９４が配置されている点で異なっている。アンテナ配線２９４は、ＦＰＣコネクタ２９５と同様に、外部制御機器と無線通信により入出力を行うものとして構成される。従って、アンテナ配線２９４を有することにより、ＦＰＣコネクタ２９５の端子の数を低減することができ、製造工程を簡略化し、歩留まりを向上させることができる。
図１１は、図６のＦＰＣ２９０が接続されたコンタクト部２５５付近の断面の第１変形例について示す図である。図６と異なる点は、無機絶縁膜２５１とコンタクト部２５５とが同一平面で形成されている点であり、その他の点においては図６と同様であるため、説明を省略する。図１１のように無機絶縁膜２５１とコンタクト部２５５とを同一平面で形成するためには、図７の無機絶縁膜成膜工程Ｓ１０２においてコンタクト電極２５３を無機絶縁膜２５１内に成膜し、エッチング工程Ｓ２０１において、剥離面の全面をエッチングして、コンタクト電極２５３を露出させることにより形成することができる。このように無機絶縁膜２５１とコンタクト部２５５が同一平面に形成されることとしても、上述の実施形態と同様の効果を得ることができる。
図１２は、図６のＦＰＣ２９０が接続されたコンタクト部２５５付近の断面の第２変形例について示す図である。図６と異なる点は、コンタクト電極２５３が無機絶縁膜２５１の間に形成されており、このコンタクト電極２５３に対してＴＦＴ回路層２６０又は有機ＥＬ素子層２７０から延びる導電膜が接している点である。このようにすることによりコンタクト部２５５の面積を大きく取ることができ、コンタクト部２５５の形成工程や異方性導電膜２５２による圧着工程における歩留まりを向上させることができる。この場合において、コンタクト電極２５３は、平面視で薄膜トランジスタ２６３に重畳して形成されることができ、この場合にはコンタクト部２５５の面積を大きくすると共に、薄膜トランジスタ２６３の半導体層を遮光することができ、薄膜トランジスタ２６３を安定して動作させることができる。また、コンタクト電極２５３は、平面視で表示領域２１０の内部に重畳して形成することができ、この場合にはコンタクト部２５５を額縁領域２２０のみでなく、表示領域２１０に跨って形成することができ、更にコンタクト部２５５の面積を大きくし、歩留まりを向上させることができる。ここで、図１２のコンタクト電極２５３は、図７の無機絶縁膜成膜工程Ｓ１０２において、コンタクト電極２５３となる導電膜を、無機絶縁膜２５１に挟まれるように成膜することにより形成することができる。
図１３は、図６のＦＰＣ２９０が接続されたコンタクト部２５５付近の断面の第３変形例について示す図である。この図において、コンタクト電極２５３は、コンタクト電極２５３Ａ及びコンタクト電極２５３Ｂの２つがあり、電子部品である駆動ＩＣ２９６の複数の端子のうち２つの端子は、コンタクト電極２５３Ａ及びコンタクト電極２５３Ｂのそれぞれのコンタクト部２５５に異方性導電膜２５２を介して接続している。また、コンタクト電極２５３Ｂは、別のコンタクト部２５５においてＦＰＣ２９０の端子と、異方性導電膜２５２を介して接続している。コンタクト電極２５３Ｂのように複数の電子部品を互いに電気的に接続することもできる。このような構成とすることにより配線基板等を特別に設けることなく電子部品の端子を表示装置の裏面側で電気的に接続することができる。
図１４は、図６のＦＰＣ２９０が接続されたコンタクト部２５５付近の断面の第４変形例について示す図である。この第４変形例は、図１２の第２変形例と同様の構成であるが、製造方法が異なっている。図１５は、この第４変形例に係る有機ＥＬ表示装置１００の製造方法について示すフローチャートである。図７のフローチャートと異なる点は、基板剥離工程Ｓ１０５と電子部品圧着工程Ｓ１０６との間に、導電膜露出工程Ｓ２０７及びコンタクト部形成工程Ｓ２０８が加わっている点であり、その他は図７のフローチャートと同様であるため、同様の説明は省略する。基板剥離工程Ｓ１０５の後の導電膜露出工程Ｓ２０７では、剥離面全面のエッチングを行い、コンタクト電極２５３と接続する導電膜を露出させる。導電膜の露出は全面エッチングによらずに他の工程により行ってもよいし、この工程は行われなくてもよい。次に、コンタクト部形成工程Ｓ２０８において、コンタクト電極２５３となる導電膜を成膜し、コンタクト部２５５を形成する。このような工程を含む製造方法により第４変形例の断面を形成することができる。
図１６は、上述の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００を備える情報処理装置であるタブレット端末５００の構成について示す図である。タブレット端末５００は、上述の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００と、アンテナを含むワイヤレスインタフェース５０５等のハードウェアからの信号の入出力を行う入出力部５０４と、入出力部５０４からの情報を処理すると共に出力装置である有機ＥＬ表示装置１００に表示情報を出力するマイクロプロセッサ（ＭＰＵ）５０２と、マイクロプロセッサ５０２の処理情報の一時記憶を行うメモリと、これらのハードウェアに電力を供給する電源装置５０１とを有している。タブレット端末５００は、有機ＥＬ表示装置１００を備えることにより、表示領域２１０の周囲が狭い狭額縁であって、デザイン性の優れたタブレット端末５００を実現することができる。
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
１００ 表示装置、１１０ 上フレーム、１２０ 下フレーム、２００ 有機ＥＬパネル、２１０ 表示領域、２１２ 画素、２２０ 額縁領域、２２１ 低基準電位コンタクト部、２２２ 高基準電位コンタクト部、２２３ 走査回路信号コンタクト部、２２４ 画像信号線コンタクト部、２３０ 走査回路、２３１ 高基準電位線、２３２ 走査信号線、２３３ 画像信号線、２３４ 駆動トランジスタ、２３５ 付加容量、２３６ 有機ＥＬ素子、２３７ 保持容量、２３８ 画素トランジスタ、２３９ カソード電極、２４１ 信号分配回路、２４２ 信号分配回路コンタクト部、２５１ 無機絶縁膜、２５２ 異方性導電膜、２５３ コンタクト電極、２５５ コンタクト部、２６０ ＴＦＴ回路層、２６３ 薄膜トランジスタ、２７０ 有機ＥＬ素子層、２８１ 封止層、２８２ 接着層、２８３ 封止基板、２８８ 基板、２８９ 層間分離膜、２９１ 駆動ＩＣ、２９２ 実装部品、２９３ 金属膜、２９４ アンテナ配線、２９５ コネクタ、２９６ 駆動ＩＣ、５００ タブレット端末、５０１ 電源装置、５０２ マイクロプロセッサ、５０４ 入出力部、５０５ ワイヤレスインタフェース。

Claims (24)

  1. 導電膜からなるコンタクト電極を露出させた開口であるコンタクト部を有する無機絶縁膜と、
    前記無機絶縁膜上に形成され、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor） を有する回路からなるＴＦＴ回路層と、
    前記ＴＦＴ回路層上に形成され、前記回路により発光が制御される有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ素子層と、
    前記有機ＥＬ素子層を覆う無機絶縁材料からなる封止層と、を備える有機ＥＬ表示装置。
  2. 請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置において、
    前記コンタクト部において、前記コンタクト電極と電気的に接続される端子を有する電子部品を更に備える有機ＥＬ表示装置。
  3. 請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置において、
    前記電子部品はＦＰＣ（フレキシブルプリント配線基板）である、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
  4. 請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置において、
    前記ＦＰＣ上には、前記回路を制御する駆動集積回路素子が載置されている、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
  5. 請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置において、
    前記ＦＰＣは、外部制御機器と非接触通信を行うアンテナ配線を有している、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
  6. 請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置において、
    前記ＦＰＣは、平面視で表示領域の２５％以上の面積を有するベタ状の金属膜を有している、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
  7. 請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置において、
    前記封止層上には、タッチパネルを更に備える、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
  8. 請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置において、
    前記ＦＰＣの端子は、前記表示領域の外側の額縁領域に形成された前記コンタクト部を介して電気的に接続される、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
  9. 請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置において、
    前記コンタクト部は、前記有機ＥＬ素子の発光に必要な電位差の供給を受ける低基準電位コンタクト部及び高基準電位コンタクト部を有し、
    前記低基準電位コンタクト部及び高基準電位コンタクト部の少なくとも一方は、複数箇所に形成され、矩形の表示領域の４辺にそれぞれ対応する前記額縁領域のうち、少なくとも２辺に対応する前記額縁領域に形成される、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
  10. 請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置において、
    前記コンタクト部は、画像信号を受信する複数の画像信号コンタクト部を有し、
    前記画像信号コンタクト部は、矩形の表示領域の対向する２辺に対応する前記額縁領域に形成される、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
  11. 請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置において、
    前記電子部品は駆動集積回路素子である、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
  12. 請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置において、
    前記電子部品の端子は、異方性導電膜により接続される、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
  13. 請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置において、
    前記コンタクト電極の一部は、平面視において表示領域と重畳している、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
  14. 請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置において、
    前記コンタクト電極は、平面視において前記ＴＦＴ回路層の前記薄膜トランジスタと重畳している、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
  15. 請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置において、
    前記コンタクト電極は、複数の前記電子部品を互いに電気的に接続する、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
  16. 請求項１３乃至１５に記載の有機ＥＬ表示装置において、
    前記コンタクト電極は、コンタクトホールを介して前記ＴＦＴ回路層又は前記有機ＥＬ素子層から延びる導電膜と接している、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
  17. 請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置において、
    前記ＴＦＴ回路層は、前記コンタクト部の導電膜を介して入力された画像信号を複数の配線に分配する信号分配回路を有している、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
  18. 請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置において、
    前記封止層上に接着された透明材料からなる封止基板を更に備える有機ＥＬ表示装置。
  19. 基板に層間分離膜を成膜する層間分離膜成膜工程と、
    前記層間分離膜成膜工程の後、無機絶縁膜を成膜する無機絶縁膜成膜工程と、
    前記無機絶縁膜成膜工程の後、ＴＦＴ回路層及び有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ素子層を形成する回路素子形成工程と、
    前記回路素子形成工程の後、前記基板を層間分離膜において剥離する基板剥離工程と、
    前記基板剥離工程の後、コンタクト電極が露出したコンタクト部を介して電気的に接続される端子を有する電子部品を圧着する電子部品圧着工程と、を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法。
  20. 請求項１９に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
    前記回路素子形成工程の後、前記基板剥離工程の前に、前記有機ＥＬ素子層上に封止層を介して透明材料からなる封止基板を接着する封止基板接着工程を更に備える、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
  21. 請求項１９に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
    前記基板剥離工程の後に、剥離面の一部又は全面のエッチングを行い、コンタクト電極を露出させ、コンタクト部を形成するエッチング工程を更に備える、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
  22. 請求項１９に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
    前記無機絶縁膜成膜工程において、前記無機絶縁膜に挟まれるように前記コンタクト電極となる導電膜を成膜する、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
  23. 請求項１９に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
    前記基板剥離工程の後に、前記電子部品圧着工程の前に、前記コンタクト電極となる導電膜を成膜し、コンタクト部を形成するコンタクト部形成工程を更に備える、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
  24. 請求項２３に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
    前記コンタクト部形成工程の前に、剥離面全面のエッチングを行い、前記コンタクト電極と接続する導電膜を露出させる導電膜露出工程を更に備える、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
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