JP2016014187A - Cvd装置またはpvd装置用固体または液体出発物質からの蒸気発生装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】キャリヤガスの流動方向に相前後して配置され、伝熱面を有し、各々加熱可能な少なくとも2つの熱伝達本体と、エーロゾル粒子を該伝熱面と接触させてエーロゾルを蒸発させる様に熱伝達本体の1つにエーロゾルを供給する為の供給配管4と、を備えた蒸気発生装置であって、熱伝達本体の少なくとも1つが、供給配管4がその中に差し込まれる開口を有し、供給配管4がエーロゾルを供給する為の第1の流動チャネル23及びキャリヤガスを供給する為の第2の流動チャネル24を有し、キャリヤガスが第2の流動チャネル24から第1の流動チャネル内23にそれを介して流動可能なガス貫通開口29、30が設けられ、及びこの場合、特に、第2の流動チャネル24が供給配管の流出口4'の領域内において閉鎖されている様に設計される蒸発器。
【選択図】図10
Description
2 熱伝達本体
3 熱伝達本体
3' 下側
4 供給配管
4' 流出口
5 供給配管
5' 流出口
6 開口
7 開口
8 開口
9 間隔空間
10 間隔空間
11 キャリヤガス供給ライン
12 ハウジング
13 サセプタ
14 基板
15 プロセスチャンバ
16 ガス入口機構
17 CVDリアクタ
18 逆流防止板
18′ 開口
19 逆流防止板
19' 開口
20 電気接点
21 電気接点
22 ガス流出開口
23 流動チャネル
24 流動チャネル
25 供給開口
26 供給開口
27 拡大部
28 絶縁スリーブ
29 ガス貫通開口
30 ガス貫通開口
31 ねじ山セクション
32 ねじ込み工具係合プロファイル
33 内管
34 外管
S 流動方向
Claims (15)
- キャリヤガスの流動方向に相前後してハウジング(12)内に配置された、伝熱面を有する、それぞれ熱伝達温度に加熱可能な少なくとも2つの熱伝達本体(1、2、3)と、エーロゾル粒子を該伝熱面と接触させてエーロゾルを蒸発させるように熱伝達本体(2、3)の1つにエーロゾルを供給するための供給配管(4、5)であって、この場合、熱伝達本体(1、2、3)の少なくとも1つが、供給配管(4、5)がその中に差し込まれる開口(6、7、8)を有する、該供給配管(4、5)と、を備えたCVD装置またはPVD装置用蒸気発生装置において、
熱伝達本体(1、2、3)が相互に異なる温度に加熱可能であり、この場合、流動方向において最初の上流側熱伝達本体(1)が、該最初の熱伝達本体の上流側のキャリヤガス供給ライン(11)を介してハウジング(12)内に供給可能なキャリヤガスのための予熱本体であり、該ハウジング(12)内において、熱伝達本体(1、2、3)は、キャリヤガスが全ての熱伝達本体(1、2、3)を貫通流動するように流動方向に相前後して配置され、および供給配管(4、5)が熱伝達本体(1、2、3)の開口(6、7、8)を貫通して案内され且つ第1および第2の熱伝達本体(1,2;2,3)の間の間隔空間(9、10)内に開口するか、または供給配管(4、5)の流出口(4′、5′)が熱伝達本体(2、3)内に配置されていることを特徴とするCVD装置またはPVD装置用蒸気発生装置。 - 開口(6、7)が上流側熱伝達本体(1、2)に付属され且つ供給配管(4、5)の流出口(4′、5′)が流動方向において下流側熱伝達本体(2、3)の手前または下流側熱伝達本体(2、3)内に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 熱伝達本体(1、2、3)が開放細孔固体発泡体から構成され、固体発泡体は1インチ当り500〜100個の細孔の多孔率を有し、この場合、特に、固体発泡体の表面における全開放面の割合は90%より大きいことを特徴とする請求項1または2に記載の装置。
- 熱伝達本体(1、2、3)が導電性であり且つ熱伝達本体(1、2、3)を熱伝達温度に加熱するために電流を導通させるように電気接点(20、21)を有することを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の装置。
- 下流側熱伝達本体(2、3)の熱伝達温度が上流側熱伝達本体(1、2)の熱伝達温度より大きくなるように熱伝達本体(1、2、3)が加熱可能であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の装置。
- 伝熱面を有する、熱伝達温度に加熱可能な少なくとも1つの熱伝達本体(1、2、3)と、およびエーロゾル粒子を伝熱面と接触させてエーロゾルを蒸発させるように熱伝達本体にエーロゾルを供給するための供給配管(4)と、を備えたCVD装置またはPVD装置用蒸気発生装置において、
供給配管が、流動方向(S)に供給配管(4)内を貫通するエーロゾル流れを流出口(4')から拡大させて流出させるために、手段(29,30;27)を有することを特徴とするCVD装置またはPVD装置用蒸気発生装置。 - 供給配管(4)がエーロゾルを供給するための第1の流動チャネル(23)およびキャリヤガスを供給するための第2の流動チャネル(24)を有し、この場合、キャリヤガスが第2の流動チャネル(24)から第1の流動チャネル(23)内にそれを介して流動可能なガス貫通開口(29、30)が設けられ、およびこの場合、特に、第2の流動チャネル(24)が供給配管の流出口(4')の領域内において閉鎖されているように設計されていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の装置。
- 第1のガス貫通開口(29)内を貫通するキャリヤガス流れが第1の流動チャネル(23)内に乱流を発生させるような、エーロゾルの流動方向(S)に対する角度で、第1のガス貫通開口(29)が第1の流動チャネル(23)内に開口し、この場合、特に、第2の流動チャネル(24)が第1の流動チャネル(23)を包囲するように設計されていることを特徴とする請求項1ないし7のいずれかに記載の装置。
- 第2のガス貫通開口(30)内を貫通するキャリヤガス流れが流出口(4')の領域内において流動方向(S)を向く軸の周りに渦流を発生させるような、エーロゾルの流動方向(S)に対する角度で、第2のガス貫通開口(30)が第1の流動チャネル(23)内に配置されていることを特徴とする請求項1ないし8のいずれかに記載の装置。
- 第1の流動チャネル(23)を形成する配管(33)が、流出口(4')の領域内に、特に回転対称の拡大部(27)を有することを特徴とする請求項1ないし9のいずれかに記載の装置。
- 開口(6、7、8)内に差し込まれた供給配管(4、5)のセクションが絶縁スリーブ(28)によって包囲されていることを特徴とする請求項1ないし10のいずれかに記載の装置。
- その中をエーロゾルが貫通流動する流動チャネル(23)の壁の冷却手段を特徴とする請求項1ないし11のいずれかに記載の装置。
- 前記冷却手段が、その中を貫通して冷媒を導入可能な流動チャネル(23)を有することを特徴とする請求項12に記載の装置。
- エーロゾルを導入するための供給配管(4、5)がその中に差し込まれている開口(6、7、8)を有する、熱伝達温度に加熱可能な少なくとも1つの熱伝達本体(1、2、3)を備え、この場合、熱伝達本体(1)の上流側にキャリヤガスを供給するためのキャリヤガス供給ライン(11)が設けられている、CVD装置またはPVD装置用蒸気発生装置において、
流動方向において熱伝達本体(1)の手前に逆流防止(18、19)が配置され、該逆流防止(18、19)は、特に、全流動断面にわたり伸長し、密に隣接する、開口(18′、19')を有する2枚の板により形成され、この場合、相互に異なる板の開口(18′、19')が、流動方向に対して直角方向に、相互にオフセットされて配置されていることを特徴とするCVD装置またはPVD装置用蒸気発生装置。 - 請求項1ないし14のいずれかに記載の1つまたは複数の特徴的な特性を特徴とする装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102014109196.5 | 2014-07-01 | ||
DE102014109196.5A DE102014109196A1 (de) | 2014-07-01 | 2014-07-01 | Vorrichtung zum Erzeugen eines Dampfes aus einem festen oder flüssigen Ausgangsstoff für eine CVD- oder PVD-Einrichtung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016014187A true JP2016014187A (ja) | 2016-01-28 |
JP6777381B2 JP6777381B2 (ja) | 2020-10-28 |
Family
ID=53525057
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015129856A Active JP6777381B2 (ja) | 2014-07-01 | 2015-06-29 | Cvd装置またはpvd装置用固体または液体出発物質からの蒸気発生装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9942946B2 (ja) |
EP (1) | EP2963147B1 (ja) |
JP (1) | JP6777381B2 (ja) |
KR (1) | KR20160003559A (ja) |
CN (1) | CN105274476B (ja) |
DE (1) | DE102014109196A1 (ja) |
TW (1) | TWI662147B (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102016100625A1 (de) | 2016-01-15 | 2017-07-20 | Aixtron Se | Vorrichtung zum Bereitstellen eines Prozessgases in einer Beschichtungseinrichtung |
DE102017103047A1 (de) * | 2016-11-29 | 2018-05-30 | Aixtron Se | Aerosolverdampfer |
KR102369676B1 (ko) | 2017-04-10 | 2022-03-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 |
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- 2015-06-25 EP EP15173776.4A patent/EP2963147B1/de active Active
- 2015-06-26 KR KR1020150091082A patent/KR20160003559A/ko not_active Application Discontinuation
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KR20160003559A (ko) | 2016-01-11 |
CN105274476B (zh) | 2019-06-04 |
DE102014109196A1 (de) | 2016-01-07 |
EP2963147A3 (de) | 2016-05-25 |
CN105274476A (zh) | 2016-01-27 |
TWI662147B (zh) | 2019-06-11 |
TW201610213A (zh) | 2016-03-16 |
US20160007410A1 (en) | 2016-01-07 |
EP2963147A2 (de) | 2016-01-06 |
JP6777381B2 (ja) | 2020-10-28 |
EP2963147B1 (de) | 2017-08-02 |
US9942946B2 (en) | 2018-04-10 |
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