JP2016013900A - 浮上搬送装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板を破損させることなく浮上搬送させることができる浮上搬送装置を提供する。【解決手段】基板Ｗを浮上させる浮上ステージ２と、基板Ｗの端面と当接する当接部５３を有し、浮上ステージ２により浮上している基板Ｗの端部に当接部５３を当接させることにより基板Ｗを把持するハンド部５１と、ハンド部５１を基板Ｗの搬送方向に沿って移動させる走行機構５２と、を備える浮上搬送装置１であって、浮上ステージ２の基板Ｗを浮上させる面である基板浮上面２３は、搬送方向と直交する幅方向に関して基板Ｗの幅より狭く、ハンド部５１が基板Ｗを把持する際、当接部５３は、幅方向に関して基板浮上面２３よりも外側で基板Ｗと当接し、当接部５３の下端は基板浮上面２３よりも低い位置にある。【選択図】図２

Description

本発明は、塗布膜が形成された基板を浮上させ搬送する浮上搬送装置に関するものである。

液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等のフラットパネルディスプレイには、基板上にレジスト液が塗布されたもの（塗布基板と称す）が使用されている。この塗布基板は、塗布装置により基板上にレジスト液が均一に塗布されることによって塗布膜が形成され、その後、例えば、下記特許文献１および図５に示されるような浮上搬送装置９１により基板を搬送しながら塗布膜の乾燥、焼成を行うことにより生産される。

この浮上搬送装置９１は加熱された浮上ステージ９２を有しており、浮上搬送装置９１よりも上流の塗布装置９４によって塗布膜が形成された基板Ｗが最上流の浮上ステージ９２に搬入されると、この浮上ステージ９２上で基板Ｗがたとえば超音波振動浮上により浮上した状態を維持しながら、所定時間載置される。このように基板Ｗを浮上ステージ２上で載置することにより、加熱された浮上ステージ９２によって基板Ｗの熱処理が行われて、塗布膜の乾燥、焼成などが進行する。そして、所定の載置時間が経過した後に、基板Ｗは搬送部９３が有するハンド部９５により端部を把持されながら、搬送部９３によって次の浮上ステージ９２などに搬送される。

ここで、ハンド部９５は、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように当接部９７を有しており、この当接部９７が基板Ｗの端部と当接することにより、基板Ｗを把持する。また、ハンド部９５は、エアベアリング９８を有しており、当接部９７を浮上ステージ９２から微小なギャップを有するように浮かせ、当接部９７と浮上ステージ９２とが干渉しないようにしている。

特開２０１２−２４８７５５号公報

しかし、上記特許文献１に記載された浮上搬送装置９１では、基板Ｗを搬送する際に基板Ｗを破損させるおそれがあった。具体的には、基板Ｗの搬送中に浮上ステージ９２の表面の微小な凹凸や浮上ステージ９２と次の浮上ステージ９２との間の段差などによって当接部９７と浮上ステージ９２との間隔が短時間でも大きくなった際に、基板端部Ｗａが当接部下端９７ａの下に潜り込み、その結果、当接部９７が基板Ｗを押さえつけて破損させるといった問題があった。

また、搬送する基板Ｗが薄くなるほど、浮上ステージ９２上で浮上している際の基板Ｗの表面の高さが低くなり、浮上ステージ９２との干渉を回避するために最低限必要な当接部下端９７ａ高さに近づくため、基板の搬送中に基板端部Ｗａが当接部下端９７ａの下に潜り込む危険性は高くなっていた。

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、基板を破損させることなく浮上搬送させることができる浮上搬送装置を提供することを目的としている。

上記課題を解決するために本発明の浮上搬送装置は、基板を浮上させる浮上ステージと、基板の端面と当接する当接部を有し、前記浮上ステージにより浮上している基板の端部に前記当接部を当接させることにより基板を把持するハンド部と、前記ハンド部を基板の搬送方向に沿って移動させる走行機構と、を備える浮上搬送装置であって、前記浮上ステージの基板を浮上させる面である基板浮上面は、前記搬送方向と直交する幅方向に関して基板の幅より狭く、前記ハンド部が基板を把持する際、前記当接部は、前記幅方向に関して前記基板浮上面よりも外側で基板と当接し、前記当接部の下端は前記基板浮上面よりも低い位置にあることを特徴としている。

上記の構成の浮上搬送装置により、基板を破損させることなく浮上搬送させることができる。具体的には、ハンド部が基板を把持する際、当接部は、幅方向に関して基板浮上面よりも外側で基板と当接し、当接部の下端は基板浮上面よりも低い位置にあることにより、搬送中に基板が当接部の下に潜り込まないようにして当接部が基板を破損させることを防いでいる。

また、前記浮上ステージを加熱するヒータ部をさらに有し、基板上には塗布液による塗布膜が形成されており、前記幅方向における塗布膜の両端は、前記基板浮上面の両端よりも外側であると良い。

こうすることにより、塗布膜の端部がその他の部分に比べて温度が低くなり、その結果、塗布膜の膜厚が不均一になる部分を塗布膜端部に集中させ、膜厚が均一な領域を広くすることができる。

また、前記浮上ステージは、前記基板浮上面を有する基板浮上部と、前記幅方向に関して前記基板浮上部に隣接し、天面が前記基板浮上面よりも低いサポート部とを有し、前記基板把持部が基板を把持する際、前記当接部は、前記サポート部の上方で基板と当接すると良い。

こうすることにより、当接部を安定して保持することができるとともに、基板浮上部とサポート部の段差を調節して塗布膜端部とそれ以外の部分との温度差を調節し、膜厚が均一な領域を広くするよりよい条件を形成することができる。

本発明の浮上搬送装置によれば、基板を破損させることなく浮上搬送させることができる。

本発明の一実施形態における浮上搬送装置の概略図である。 本実施形態における基板の把持形態を示す概略図である。 塗布膜端部の膜厚分布を示すグラフである。 他の実施形態の浮上搬送装置における基板の把持形態を示す概略図である。 従来の浮上搬送装置の概略図である。 従来の実施形態における基板の把持形態を示す概略図である。

本発明に係る実施の形態を図面を用いて説明する。

図１は、本発明の一実施形態における浮上搬送装置の概略図であり、図１（ａ）は上面図、図１（ｂ）は正面図である。また、図２は、本実施形態における基板の把持形態を示す概略図であり、図２（ａ）は上面図、図２（ｂ）は側面図である。

浮上搬送装置１は、塗布装置６の下流側に設けられており、複数の浮上ステージ２、ヒータ部３、および超音波発生部４を備えている。浮上ステージ２は超音波発生部４により超音波振動し、その振動による放射圧によって浮上ステージ２上の基板Ｗを浮上させる。また、浮上ステージ２はヒータ部３により加熱され、加熱された浮上ステージ２からの輻射熱により、基板Ｗを加熱する。

また、各浮上ステージ２はそれぞれ浮上ステージ２と対をなす搬送ユニット５を有しており、搬送ユニット５によって基板Ｗが浮上ステージ２からすぐ下流の浮上ステージ２へ搬送され、基板Ｗの受け渡しが行われる。また、搬送ユニット５の動作は図示しない制御部により制御される。

なお、以下の説明では、基板Ｗが搬送される方向をＹ軸方向、Ｙ軸方向と水平面上で直交する方向をＸ軸方向、Ｘ軸およびＹ軸方向の双方に直交する方向をＺ軸方向として説明を進めることとする。

浮上ステージ２は、基板Ｗを超音波振動浮上させる振動板であり、基板Ｗを浮上させる際に基板Ｗに最も接近する基板浮上面２３を有して基板Ｗを積極的に浮上させる基板浮上部２１と、基板Ｗの搬送方向（Ｙ軸方向）と直交する幅方向（Ｘ軸方向）に関して基板浮上部２１の両側に隣接するサポート部２２とを有している。また、本実施形態では、複数の浮上ステージ２がＹ軸方向に隣接する形態を有している。

サポート部２２の天面の高さは、図２（ｂ）で寸法ｈで示すように、基板浮上面２３よりも低い位置にある。ここで、本実施形態では、基板浮上部２１と２つのサポート部２２とは一体であり、Ｙ軸方向から見て凸の形状を有するアルミ製（アルミ合金製）の板である。この浮上ステージ２を後述の超音波発生部４により超音波振動させる際、基板浮上部２１とともにサポート部２２も振動する。これにより、基板浮上部２１だけでなくサポート部２２も物体を超音波振動浮上させる機能を有するが、サポート部２２の天面に対して基板浮上部２１の基板浮上面２３の方がより基板Ｗに接近するため、基板浮上面２３が主として基板Ｗの浮上に寄与する。なお、基板浮上部２１とサポート部２２のＹ軸方向の寸法は同じであり、両者のＹ軸方向の端部の位置は同じである。

ここで、基板浮上部２１のＸ軸方向の寸法（基板浮上面２３のＸ軸方向の寸法）は、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、浮上搬送させる基板ＷのＸ軸方向の寸法よりも小さく、基板Ｗが載置される際、寸法ｄ１が示すように基板ＷのＸ軸方向の両端部は基板浮上部２１の外側にはみ出る。一方、基板浮上部２１（およびサポート部２２）のＹ軸方向の寸法は、基板載置時に隣接する浮上ステージ２に基板Ｗがはみ出ないよう、基板ＷのＹ軸方向の寸法よりも大きくなっている。

また、浮上ステージ２が基板Ｗの搬送方向（Ｙ軸方向）に複数設けられている場合、それぞれの浮上ステージ２の温度をヒータ部３により任意の温度に設定することにより、基板Ｗの温度プロファイルを任意に設定することができる。たとえば、図１（ａ）における３つの浮上ステージ２のうち左の浮上ステージ２ａの温度は基板Ｗ上の塗布膜の溶剤の揮発が活発になる温度に設定されて塗布膜が乾燥され、真ん中の浮上ステージ２ｂの温度は左のステージ２の温度よりさらに高く設定されて塗布膜が焼成され、右の浮上ステージ２ｃの温度は室温以下に設定されて基板Ｗの温度が室温になるまで冷却されるように基板Ｗの温度プロファイルを設定することができる。

ヒータ部３は、浮上ステージ２の基板浮上面２３の裏面側、すなわち浮上ステージ２の下面側に位置し、浮上ステージ２の温度を制御する。

ヒータ部３はヒータユニット３１およびスペーサ３２を有しており、スペーサ３２がヒータユニット３１の上面に設置されて浮上ステージ２を支持することにより、浮上ステージ２とヒータユニット３１とが所定の間隔を設けて離間される。

ヒータユニット３１は、本実施形態ではカートリッジヒータまたはシーズヒータが矩形板状のアルミ板に挿入されて構成されるプレートヒータであるが、プレートヒータの代わりにマイカヒータを用いても良い。

ここで、ヒータユニット３１のＸ軸方向の寸法は、浮上ステージ２のＸ軸方向の寸法よりも大きく、また、ヒータユニット３１のＹ軸方向の寸法は、浮上ステージ２のＹ軸方向と同等以上であり、そして、Ｚ軸方向に沿って浮上ステージ２からヒータユニット３１を見たときに、浮上ステージ２の領域がヒータユニット３１の領域に収まる配置となっていると良い。これによって、ヒータユニット３１は浮上ステージ２の全面を同時に加熱することができ、浮上ステージ２全体を均一な温度に加熱することが可能である。

スペーサ３２は、例えば樹脂製の小径のブロックであり、本実施形態では、スペーサ３２によって浮上ステージ２とヒータユニット３１の間に１ｍｍの間隔が設けられている。このように浮上ステージ２とヒータユニット３１とを離間することにより、ヒータユニット３１と浮上ステージ２との間の熱伝達は、後述の通り対流によるものとなり、浮上ステージ２とヒータユニット３１とが接触する配置であり、直接的に熱伝達が行われる場合と比較して浮上ステージ２全体の温度を均一にすることが容易となる。

また、浮上ステージ２とヒータユニット３１とが接触する配置であった場合、両者の固有振動数など振動特性の差異により、ヒータユニット３１が浮上ステージ２の振動の妨げとなることがあるが、両者を離間することにより、浮上ステージ２はヒータユニット３１によって振動を妨げられることなく、設定された通りに振動することができる。

ここで、スペーサ３２は、浮上ステージ２の振動の節にあたる位置で浮上ステージ２を支持するよう、ヒータユニット３１上に配置されることが望ましい。これにより、スペーサ３２が浮上ステージ２から受ける振動を極小にすることができるため、スペーサ３２が浮上ステージ２との干渉によって摩耗することを防ぐことができる。

また、ヒータユニット３１の代わりに、浮上ステージ２を冷却する冷却ユニットが用いられても良い。この冷却ユニットは、具体的には浮上ステージにエアを当てて空冷するものであったり、空冷または水冷された金属板であっても良い。この場合、冷却された浮上ステージ２により、浮上ステージ２上に位置する基板Ｗは冷却される。

また、上記の通り浮上ステージ２が基板Ｗの搬送方向（Ｙ軸方向）に複数設けられている場合、それぞれの浮上ステージ２の温度を制御するヒータ部３の温度を任意の温度に設定することにより、基板Ｗの温度プロファイルを任意に設定することができる。たとえば、図１（ａ）において浮上ステージ２ａの温度を制御するヒータ部３ａの温度は基板Ｗ上の塗布膜の溶剤の揮発が活発になる温度に設定され、浮上ステージ２ｂの温度を制御するヒータ部３ｂの温度は塗布膜が焼成される温度に設定され、浮上ステージ２ｃの温度を制御するヒータ部３ｃの温度は室温以下に設定されていても良い。

超音波発生部４は、超音波振動子４１およびホーン４２を有している。超音波振動子４１は、Ｚ軸方向から見て浮上ステージ２に対してヒータユニット３１と同じ側にあり、ヒータユニット３１よりも浮上ステージ２から離れた位置に配置されている。超音波振動子４１にはホーン４２が接続されており、このホーン４２がヒータユニット３１を突き抜けて、浮上ステージ２に接触している。

超音波振動子４１は、図示しない発振器からの発振信号に基づいて対象物を励振させるものであり、例えば電極およびピエゾ素子を有するランジュバン型振動子がある。ランジュバン型振動子は、発振器によって電極に駆動電圧が印加されることでピエゾ素子が振動し、所定の振幅および周波数で発振する。このように発振した超音波振動子４１の振動は、ホーン４２を経由して、対象物である浮上ステージ２へ伝播し、浮上ステージ２を振動させる。浮上ステージ２が振動することで、浮上ステージ２から放射音圧が発せられ、この放射音圧によって、浮上ステージ２上にある基板Ｗには上向きの力が加わる。これにより、基板Ｗを浮上ステージ２の上方に所定の浮上量だけ浮上した状態で保持することが可能である。

また、超音波振動子４１の振動は、発振器から与えられる駆動電圧を制御することで振幅および周波数を調整することができ、これによって浮上ステージ２上で浮上する基板Ｗの浮上量を調整することが可能である。基板Ｗの浮上量は、本実施形態では０．１ｍｍ程度としている。

ホーン４２は、円柱もしくは複数の円柱をつなげた形状をとっており、片端が超音波振動子４１と接続され、他端が浮上ステージ２に接触しており、超音波振動子４１が発する振動の振幅を増幅もしくは減衰して浮上ステージ２に伝播させる。また、ホーン４２はヒータユニット３１を突き抜ける配置となるため、ホーン４２が配置される位置においてヒータユニット３１には貫通穴もしくは切り欠きが設けられ、ホーン４２との干渉を回避している。

ここで、本実施形態では、基板Ｗの搬送の妨げにならないことを考慮して、超音波振動子４１をＺ軸方向から見て浮上ステージ２に対してヒータユニット３１と同じ側、すなわち基板Ｗと反対側において浮上ステージ２と接触させているが、基板Ｗと同じ側で接触させても構わない。超音波振動子４１を基板Ｗと同じ側で接触させても、本実施形態のように基板Ｗと反対側で接触させた場合と同様に、基板Ｗを振動浮上させる効果を得ることが可能である。

搬送ユニット５は、ハンド部５１および走行機構５２を有しており、基板Ｗを支持してＹ軸方向へ搬送する。

また、搬送ユニット５は、それぞれの浮上ステージ２と対をなして設けられており、対となる浮上ステージ２からすぐ下流の浮上ステージ２への基板の搬送動作を行っている。図１（ａ）の例では、浮上ステージ２ａにはそれと対をなす搬送ユニット５ａが設けられており、浮上ステージ２ａから浮上ステージ２ｂへの基板Ｗの搬送動作を行う。また、これと同様に、浮上ステージ２ｂにはそれと対をなす搬送ユニット５ｂが設けられて浮上ステージ２ｂから浮上ステージ２ｃへの基板Ｗの搬送動作を行い、浮上ステージ２ｃにはそれと対をなす搬送ユニット５ｃが設けられて浮上ステージ２ｃからさらに下流への基板Ｗの搬送動作を行っている。

ハンド部５１は、２つで一組となるように設けられ、２つのハンド部５１が基板Ｗの対角の方向から基板Ｗを挟みこみ、基板ＷのＸ軸方向およびＹ軸方向の動きを拘束することにより、基板Ｗを把持する。

ハンド部５１は、当接部５３、天板５４、エアベアリング５５を有している。

当接部５３は、本実施形態では中心軸がサポート部２２の天面および基板浮上面２３と垂直な方向（Ｚ軸方向）を向いた円柱状の部材である。この当接部５３は、１つのハンド部５１につき２本設けられており、ハンド部５１が基板Ｗを把持する際には、サポート部２２の上方に位置する基板Ｗの角部において、当接部５３の側面が基板Ｗの２辺と当接する。

これら当接部５３は天板５４に取り付けられており、この天板５４にはエアベアリング５５も取り付けられている。エアベアリング５５は、エアの噴出および吸引を行い、それらのバランスにより載置面から所定の間隔を精密に保ちながら浮上する部材であり、ハンド部５１が基板Ｗを把持する際、エアベアリング５５は自身の作用によりサポート部２２の上方でサポート部２２の天面と所定の間隔を保ちながら浮上する。このエアベアリング５５がサポート部２２の天面と所定の間隔を保持することにより、エアベアリング５５が取り付けられている天板５４を介して、天板５４に取り付けられてる当接部５３もサポート部２２の天面と所定の間隔を保持することができる。これによって、当接部５３とサポート部２２の天面との間でたとえば０．３ｍｍ程度の微小な間隔を保持して、サポート部２２と当接部５３との干渉を防ぎながら、当接部５３とサポート部２２の間に基板Ｗが入り込むことを防ぐことが可能である。

また、ハンド部５１は、進退機構５６および昇降機構５７に取り付けられている。進退機構５６は、エアシリンダなどの直動機構であり、基板Ｗの把持時および把持解除時にハンド部５１を水平方向に移動させる。また、昇降機構５７はエアシリンダなどの直動機構であり、ハンド部５１を鉛直方向に移動させる。この進退機構５６および昇降機構５７によって、ハンド部５１は基板Ｗの把持時には当接部５３が基板Ｗの端部と当接するまで基板Ｗに接近し、把持解除時には基板Ｗ含め他の部材との干渉を起こさないように、基板Ｗから退避する。

ここで、ハンド部５１が退避している状態では、基板ＷはＸ軸方向およびＹ軸方向の拘束が解除されている状態であるため、次にハンド部５１が接近する時には基板Ｗの位置がずれ、ハンド部５１と衝突して基板Ｗおよびハンド部５１が破損する可能性がある。これに対し、本実施形態では、浮上ステージ２に上下動するピンを設け、ハンド部５１が退避している時はピンが上昇して基板Ｗの動きを拘束するようにしている、また、基板Ｗが浮上ステージ２上を搬送される時はピンが下降して搬送動作を妨げないようにしている。

走行機構５２は、本実施形態ではＹ軸方向を移動方向とするリニアステージなどの直動機構であり、ハンド部５１、進退機構５６および昇降機構５７がこの走行機構５２に取り付けられている。ハンド部５１が基板Ｗの角部に接近し、基板Ｗを把持している状態において、この走行機構５２によりハンド部５１がＹ軸方向に移動することによって、ハンド部５１に把持されている基板ＷがＹ軸方向へ搬送される。

次に、本実施形態における基板の把持形態を図２を用いて示す。

前述の通り、浮上ステージ２の基板浮上面２３のＸ軸方向の寸法は基板ＷのＸ軸方向の寸法より小さく、寸法ｄ１だけ基板Ｗはサポート部２２の方へはみ出す。また、サポート部２２の天面は基板浮上面２３より寸法ｈだけ低く、このサポート部２２の上方においてハンド部５１の２本の当接部５３が基板Ｗと当接することにより、当接部下端５３ａが基板浮上面２３よりも低い位置である状態で基板Ｗを把持することができる。これにより、基板Ｗの搬送中に浮上ステージ２の表面の微小な凹凸があった場合や浮上ステージ２と隣の浮上ステージ２との間の段差があった場合などによってハンド部５１が基板Ｗを搬送している最中に当接部下端５３ａとサポート部２２との間隔が大きくなった際であっても、基板端部Ｗａが当接部下端５３ａより下に潜り込むことを防ぎ、基板Ｗが当接部５３に押しつけられて破損することを防ぐことができる。

また、本実施形態では、Ｘ軸方向に関して基板浮上面２３の寸法は基板Ｗの寸法より小さく、図２に寸法ｄ２で示すように、塗布膜Ｍの端部が基板浮上面２３よりも外側にはみ出るようにしている。

図３は、Ｘ軸方向における塗布膜Ｍの端部の膜厚分布を示すグラフであり、本実施形態のように、基板ＷよりＸ軸方向の寸法の小さい基板浮上部２１とサポート部２２とが組み合わされた段差のある浮上ステージ２で基板Ｗを浮上させながら、段差をまたぐ塗布膜Ｍを加熱させた場合（これをケース１と呼ぶ）のものを実線で表し、従来のように塗布膜Ｍ全面に対して段差無く平坦な浮上ステージで基板を浮上させながら塗布膜を加熱させた場合（これをケース２と呼ぶ）のものを二点鎖線で表している。なお、グラフの横軸は、塗布膜端からの距離を表している。また、本実施形態では浮上ステージ２の段差（図２における寸法ｈ）は０．２ｍｍであり、基板浮上部２１の端面から塗布膜Ｍの端部までのＸ軸方向の距離（図２における寸法ｄ２）は５ｍｍである。

図３から分かるように、浮上ステージに段差がある場合でも無い場合でも、塗布膜の端部では内側の部分に対して隆起した部分が生じる傾向がある。これは、塗布液の粘度が高くなって塗布膜端が基板に固定された状態において塗布膜の中央部から端部の方への塗布液の流れが生じ、塗布膜端部に塗布液が集中する、いわゆるコーヒーステイン現象によるものと考えられる。このように隆起した部分近傍では、塗布膜の膜厚の均一性は非常に悪くなる。一般的に、ディスプレイ製造などで基板上に塗布された塗布膜では膜厚の均一性が製品の性能に左右するため、膜厚の均一性の良い領域を多く得ることが必要であり、上記の塗布膜端近辺のような膜厚の均一性の悪い部分はできる限り少なくする必要がある。

一方、ケース１では隆起した部分の膜厚はケース２よりも大きくなるものの、隆起した部分の位置はケース２よりも塗布膜端に近い（距離ゼロに近い）。その結果、膜厚が均一であると判断できる部分（所定のばらつきでおさまっている部分）の始点は、ケース１では塗布膜端から約７ｍｍ、ケース２では約１１ｍｍとなっている。したがって、ケース１の方が膜厚の均一性の良い領域を多く得られることとなる。

ケース１のようにＸ軸方向に関して基板浮上部２１の寸法（基板浮上面２３の寸法）を基板Ｗよりも小さくすることによって膜厚の均一性が悪い部分が塗布膜端部に集中する要因として、以下に説明する温度差マランゴニ効果が考えられる。

上記の通り、本実施形態では塗布膜Ｍの端部は基板浮上面２３よりも外側にはみ出るようにしている。これにより、加熱された浮上ステージ２からの輻射熱により塗布膜Ｍが加熱される場合に、塗布膜Ｍの端部はサポート部２２からの輻射熱により加熱され、それより内側の部分は基板浮上部２１からの輻射熱により加熱される。

ここで、サポート部２２の天面の高さは基板浮上部２１の基板浮上面２３よりも低い位置にあるため、サポート部２２と塗布膜Ｍとの距離は基板浮上部２１と塗布膜Ｍとの距離よりも大きくなる。これにより、サポート部２２による塗布膜Ｍの加熱の進行は基板浮上部２１による塗布膜Ｍの加熱の進行よりも緩やかになり、塗布膜Ｍの端部の温度はそれより内側の部分の温度よりも低くなる。これによって塗布膜表面で温度の高い部分から温度の低い部分に向かうマランゴニ流れが大きくなり、より塗布膜Ｍの端部の方へ塗布液が流れて塗布膜Ｍの端部に膜厚の大きい部分が集中するものと考えられる。

また、サポート部２２の天面と基板浮上面２３との段差（図２における寸法ｈ）が変わると、塗布膜端部とその内側との温度差も変わり、寸法ｈが小さい場合はその温度差は小さくなり、また、寸法ｈが大きい場合はその温度差は大きくなる。したがって、寸法ｈを調節することにより、意図的に塗布膜端部とその内側との温度差を調節することができる。これにより、この温度差に関して膜厚の均一性の悪い部分をできる限り少なくするための最適な条件にした塗布膜Ｍの加熱乾燥を容易に行うことができる。

次に、本発明の他の実施形態の浮上搬送装置における基板の把持形態を図４に示す。

この実施形態の浮上搬送装置は、本実施形態の浮上搬送装置と異なり、サポート部２２を備えず、基板浮上部２１だけで浮上ステージ２を構成している。すなわち、Ｘ軸方向に関して基板Ｗよりも寸法の小さい浮上ステージ２によって基板Ｗを浮上させてＹ軸方向へ搬送する構成を有している。

このような構成であっても、図示の通り、基板浮上面２３の領域外でハンド部５１が基板Ｗを把持することによって当接部下端５３ａが基板浮上面２３より低い状態にすることが可能であり、基板Ｗが当接部下端５３ａの下に潜り込むことを防ぐことができる。また、塗布膜Ｍの端部を基板浮上面２３より外側にすることにより、塗布膜Ｍの端部の温度をその他の部分の温度よりも低くし、膜厚が不均一になる部分を塗布膜端部に集中させて膜厚が均一な領域を広くすることができる。

以上説明した浮上搬送装置によれば、基板を破損させることなく浮上搬送させることが可能である。

１ 浮上搬送装置
２ 浮上ステージ
３ ヒータ部
４ 超音波発生部
５ 搬送ユニット
６ 塗布装置
２１ 基板浮上部
２２ サポート部
２３ 基板浮上面
３１ ヒータユニット
３２ スペーサ
４１ 超音波振動子
４２ ホーン
５１ ハンド部
５２ 走行機構
５３ 当接部
５３ａ 当接部下端
５４ 天板
５５ エアベアリング
５６ 進退機構
５７ 昇降機構
９１ 浮上搬送装置
９２ 浮上ステージ
９３ 搬送部
９４ 塗布装置
９５ ハンド部
９６ 走行機構
９７ 当接部
９７ａ 当接部下端
９８ エアベアリング
Ｍ 塗布膜
Ｗ 基板
Ｗａ 基板端部

Claims (3)

1. 基板を浮上させる浮上ステージと、
   基板の端面と当接する当接部を有し、前記浮上ステージにより浮上している基板の端部に前記当接部を当接させることにより基板を把持するハンド部と、
   前記ハンド部を基板の搬送方向に沿って移動させる走行機構と、
   を備える浮上搬送装置であって、
   前記浮上ステージの基板を浮上させる面である基板浮上面は、前記搬送方向と直交する幅方向に関して基板の幅より狭く、
   前記ハンド部が基板を把持する際、前記当接部は、前記幅方向に関して前記基板浮上面よりも外側で基板と当接し、前記当接部の下端は前記基板浮上面よりも低い位置にあることを特徴とする浮上搬送装置。
2. 前記浮上ステージを加熱するヒータ部をさらに有し、基板上には塗布液による塗布膜が形成されており、前記幅方向における塗布膜の両端は、前記基板浮上面の両端よりも外側であることを特徴とする、請求項１に記載の浮上搬送装置。
3. 前記浮上ステージは、前記基板浮上面を有する基板浮上部と、前記幅方向に関して前記中央部に隣接し、天面が前記基板浮上面よりも低いサポート部とを有し、前記基板把持部が基板を把持する際、前記当接部は、前記サポート部の上方で基板と当接することを特徴とする、請求項１または２のいずれかに記載の浮上搬送装置。

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