JP2016000845A - 浸炭装置 - Google Patents

Abstract

【課題】加熱室に収容された被処理物に対して均一な浸炭処理を行う。
【解決手段】加熱室内に収容した被処理物を浸炭処理する浸炭装置であって、加熱室内において、浸炭用ガスを被処理物の存在方向とは異なる方向に吹き出す少なくとも１つの浸炭ガス導入管と、被処理物を挟んで浸炭ガス導入管の反対側に設けられ、加熱室内のガスを排気する排気管とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、浸炭装置に関する。

下記特許文献１には、金属材料の表面に１０００℃近い高温環境下で炭素を浸入（浸炭）させる浸炭装置が開示されている。この特許文献１には、文章として明記はされていないものの、加熱室の下方に設置された浸炭ガス源から加熱室にアセチレンガスを供給すると共に、加熱室の上方に設置された真空排気源から加熱室内のガス（主にアセチレンガスの熱分解ガス）を加熱室の外部に排気する（例えば図１参照）。

また、この浸炭装置には、加熱室内においてワークを搬送する内部搬送装置が設けられている。ワークは、搬入扉を介して加熱室内に搬入され、内部搬送装置によって加熱室内を上流から下流に向かって搬送され、中間扉を通過することによって加熱室に隣接する冷却室に搬入される。

特許第２９６３８６９号公報

ところで、浸炭処理の対象となるワーク（被処理物）には様々な形態のものがあるが、比較的小型の部品は、主に専用のトレイやバスケット等の収納容器に収納された状態で加熱室内に収容されて浸炭処理される。上記従来の浸炭装置では、このようなワークを内部搬送装置によって加熱室内を搬送しつつ、加熱室の下方からアセチレンガスを供給すると共に、加熱室の上方から加熱室内のガスを外部に排気することにより、ワークに浸炭処理を施すことになる。

しかしながら、このような従来の浸炭装置では、加熱室に収容されたワークに対して均一な浸炭処理ができないという問題がある。すなわち、加熱室内においてアセチレンガスの熱分解ガスがワークの表面に均一に分布しないために、ワークの各部位に均一な厚さ（深さ）の浸炭層を形成することが困難である。

本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、加熱室に収容された被処理物に対して均一な浸炭処理を行うことを目的とするものである。

上記目的を達成するために、本発明では、第１の解決手段として、加熱室内に収容した被処理物を浸炭処理する浸炭装置であって、前記加熱室内において、前記浸炭用ガスを前記被処理物の存在方向とは異なる方向に吹き出す少なくとも１つの浸炭ガス導入管と、前記収納容器を挟んで前記供給口の反対側に設けられ、前記加熱室内のガスを排気する排気管とを備える、という手段を採用する。

本発明では、第２の解決手段として、上記第１の解決手段において、前記浸炭ガス導入管は、前記浸炭用ガスの吹出方向が異なる複数の吹出孔を備える、という手段を採用する。

本発明では、第３の解決手段として、上記第１または第２の解決手段において、前記排気管は離散的に複数設けられる、という手段を採用する。

本発明では、第４の解決手段として、上記第１〜第３のいずれかの解決手段において、前記浸炭ガス導入管は前記加熱室内の上側に設けられ、前記排気管は前記加熱室内の下側に設けられている、という手段を採用する。

本発明では、第５の解決手段として、上記第１〜第４のいずれかの解決手段において、前記加熱室内を１ｋＰａ以下の圧力とする、という手段を採用する。

本発明によれば、加熱室内に収容した被処理物を浸炭処理するに際して、浸炭ガス導入管によって浸炭用ガスを被処理物の存在方向とは異なる方向に吹き出すと共に、被処理物を挟んで浸炭ガス導入管の反対側から加熱室内のガスを排気するので、加熱室内において浸炭用ガスを十分に拡散させることが可能である。したがって、本発明によれば、加熱室内に収容された被処理物の各部位に対して浸炭用ガスを均一に作用させることが可能であり、これによって被処理物を均一に浸炭処理することが可能である。

本発明の第１実施形態に係る浸炭装置の全体構成を示す縦断面図である。 本発明の第１実施形態に係る浸炭装置の一部を断面として示す右側面図である。 図１におけるＡ−Ａ線矢視図である。 図１におけるＢ−Ｂ線矢視図である。 本発明の第１実施形態における浸炭ガス導入管４の詳細構成を示す拡大図である。 本発明の第２実施形態に係る浸炭装置の全体構成を示す縦断面図である。 本発明の第２実施形態における浸炭ガス導入管４Ａの詳細構成を示す正面図（ａ）及び部分拡大横断面図（ｂ）である。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。
〔第１実施形態〕
第１実施形態に係る浸炭装置は、図１に示すように、チャンバー１、断熱容器２、炉床３、複数の浸炭ガス導入管４、浸炭ガス供給源５、複数の加熱ヒータ６、複数の排気管７及び排気ポンプ８等々を備えている。

チャンバー１は、図１〜図４に示すように、直方体形状の本体容器であり、一側面（左側面）に断熱ドア１ａが設けられている。この断熱ドア１ａは、チャンバー１内に被処理物Ｘを出し入れするための開閉扉であり、鉛直姿勢で設けられていると共に鉛直方向（上下方向）にスライドすることによりチャンバー１内を外部に対して開放あるいは閉鎖する。また、この断熱ドア１ａは、内側に断熱材が設けられているため断熱性能を併せ持つ。

断熱容器２は、図１及び図２に示すように、上記チャンバー１内に設けられた直方体形状の容器であり、所定の断熱性能を有する断熱材（セラミックス材）から形成されている。このような断熱容器２の内部空間は、被処理物Ｘを収容し、浸炭処理を施す浸炭室Ｓ（加熱室）である。浸炭室Ｓには、上記断熱ドア１ａを介して被処理物Ｘ（浸炭対象物）が搬入される。

ここで、被処理物Ｘは、収納容器（浸炭用容器Ｙ）内に収納された状態で浸炭室Ｓ内に収容される。すなわち、この浸炭用容器Ｙは、直方体形状であり、上面が全体として開放されており、被処理物Ｘを出し入れする開口（容器開口）になっている。また、この浸炭用容器Ｙは、上記上面以外の面が格子状あるいは網状に形成されている。なお、このような浸炭用容器Ｙの構成はあくまでも一例であり、他の構成であってもよい。

第１実施形態では、上記断熱ドア１ａに平行な水平方向を浸炭室Ｓの幅方向とし、断熱ドア１ａに垂直な水平方向を浸炭室Ｓの奥行き方向とする。炉床３は、図１及び図２に示すように、上記断熱容器２の内側かつ下部に備えられている。この炉床３は、上記奥行き方向に延在すると共に、所定間隔を空けて２列に設けられている。このような炉床３は、上記断熱ドア１ａを介して外部から搬入された浸炭用容器Ｙが載置される載置台である。なお、この場合の浸炭用容器Ｙの姿勢（載置状態）は、上記容器開口を鉛直方向の上側にした状態である。

複数の浸炭ガス導入管４は、アセチレン（Ｃ_２Ｈ_２）等の浸炭ガスを浸炭室Ｓ内に導入するための管路であり、図１に示すように先端が浸炭室Ｓの上部に位置する一方、後端が浸炭ガス供給源５に連通する。また、この浸炭ガス導入管４は、図３に示すように、浸炭室Ｓの幅方向の中心に設けられ、また浸炭室Ｓの奥行き方向においては所定の間隔を空けて合計で３つ設けられている。すなわち、浸炭ガス導入管４は、浸炭用容器Ｙにおいて被処理物Ｘを出し入れする方向つまり上記容器開口の直上方向に位置している。

また、各浸炭ガス導入管４は、図５の拡大図に示されているように、先端が閉塞すると共に当該先端近傍の側方に３つの吹出孔４ａが形成されている。これら吹出孔４ａは、各浸炭ガス導入管４の周方向において等間隔、つまり周方向の角度として１２０°間隔で設けられている。すなわち、このような３つの吹出孔４ａは、浸炭ガス導入管４の軸線方向（上下方向）に対して直交する方向に浸炭ガスを吹き出す。

ここで、浸炭ガス導入管４の軸線方向は上下方向であり、また各浸炭ガス導入管４の先端は浸炭用容器Ｙの直上つまり被処理物Ｘの直上に位置しているので、浸炭ガス導入管４の各吹出孔４ａから浸炭室Ｓ内に吹出される浸炭ガスの吹出方向は、水平方向つまり被処理物Ｘの存在方向とは異なる方向となる。すなわち、各浸炭ガス導入管４は、被処理物Ｘに向けて浸炭ガスを吹き出すのではなく、浸炭室Ｓ内のより広い範囲に拡散するように浸炭ガスを吹き出す。

浸炭ガス供給源５は、所定流量の浸炭ガスを浸炭ガス導入管４に吐出する。すなわち、浸炭室Ｓ内には、浸炭ガス供給源５によって流量設定された浸炭ガスが供給される。なお、上記浸炭ガスとしては、アセチレン（Ｃ_２Ｈ_２）の他にメタン（ＣＨ_４）等の炭化水素が一般的に使用される。

複数の加熱ヒータ６は、図１及び図２に示すように浸炭室Ｓの幅方向に延在する棒状の熱源であり、断熱容器２の内側の上部及び下部に所定間隔で設けられている。これら複数の加熱ヒータ６は、セラミックス製の直管の内部に棒状の発熱体を収納したものであり、浸炭室Ｓ内の被処理物Ｘを所定温度（加熱温度）まで加熱する。なお、この加熱温度や加熱時間等の加熱条件は、浸炭処理の目的や被処理物Ｘの材質等に基づいて適宜設定される。

複数の排気管７は、一端が浸炭室Ｓ内に開口する一方、他端が排気ポンプ８の吸引口に接続された管路である。この排気管７は、図４に示すように、浸炭室Ｓの幅方向の中心に設けられると共に、浸炭室Ｓの奥行き方向においては等間隔に合計３つ設けられている。すなわち、排気管７は、炉床３上に載置された浸炭用容器Ｙの直下、つまり浸炭用容器Ｙを挟んで浸炭ガス導入管４とは反対側に離散的に複数設けられ、浸炭室Ｓ内のガスを排気する。

ここで、排気管７の個数（３つ）は、浸炭ガス導入管４の個数（３つ）と同一であるが、３つの排気管７の断面積は全て同一である。また、３つの浸炭ガス導入管４の断面積も全て同一である。しかしながら、各排気管７の断面積は、各浸炭ガス導入管４の断面積よりも大きく設定されている。

排気ポンプ８は、上記排気管７を介して浸炭室Ｓ内のガス（浸炭ガスと当該浸炭ガスが熱分解した熱分解ガスとの混合ガス）を浸炭室Ｓ外に排気する。排気ポンプ８の排気量は、浸炭ガス供給源５による浸炭室Ｓへの浸炭ガスの供給量に応じて設定されている。すなわち、排気ポンプ８の排気量は、浸炭室Ｓ内が所定の浸炭圧力となるように設定されている。なお、浸炭室Ｓ内の圧力（真空度）は、浸炭室Ｓ内の温度を一定とした場合に、浸炭室Ｓにおける浸炭ガスの供給量、浸炭ガスの熱分解率及び排気ポンプ８による浸炭室Ｓ内のガスの排気量によって支配される。

なお、図１〜図４には示されていないが、第１実施形態に係る浸炭装置は、専用の制御盤（制御装置）及び浸炭室Ｓ内の温度を検出する複数の熱電対を備えている。上記制御盤は、ユーザが浸炭処理における各種条件を設定入力する操作部と、内部に予め記憶された制御プログラムに基づいて上記浸炭ガス供給源５、加熱ヒータ６及び排気ポンプ８等の各駆動部を制御することにより、被処理物Ｘに対して上記設定情報及び各熱電対の検出温度に基づいた浸炭処理を実行させる制御部と、を備えている。

次に、このように構成された浸炭装置の動作（浸炭処理方法）について詳しく説明する。なお、この浸炭装置の動作は、上記制御盤が設定情報及び熱電対の検出温度に基づいて主体的に実行するものである。

被処理物Ｘが収納された浸炭用容器Ｙは、断熱ドア１ａが開放された状態で外部の搬送装置によって炉床３上に載置される。この際、浸炭用容器Ｙの姿勢は、浸炭用容器Ｙの容器開口が鉛直方向の上側に位置する状態である。そして、断熱ドア１ａが閉鎖されることによって浸炭室Ｓ内が密閉状態となる。

そして、浸炭室Ｓ内の被処理物Ｘは、排気ポンプ８が作動して浸炭室Ｓ内の空気が外部に排気されることによって浸炭室Ｓ内の雰囲気（被処理物Ｘの周囲雰囲気）が所定の圧力まで減圧されると、加熱ヒータ６が作動して被処理物Ｘの表面温度が所定温度（浸炭温度）まで加熱される。なお、この被処理物Ｘの加熱時において、排気ポンプ８は作動を一旦停止するので、被処理物Ｘの表面温度は、熱電対の検出温度に基づいて加熱ヒータ６が制御されることによって、温度一定の圧力環境下で一定時間を掛けて徐々に昇圧して浸炭温度まで到達する。

そして、被処理物Ｘの表面温度が浸炭温度に安定した状態で、浸炭ガス供給源５が作動することによって、所定流量の浸炭ガスが各浸炭ガス導入管４を介して浸炭室Ｓ内に連続的に導入される。そして、排気ポンプ８が上記浸炭ガス供給源５の作動に呼応するように作動を再開することによって、浸炭室Ｓ内のガスが各排気管７を介して外部に排気する。

このような浸炭ガス供給源５及び排気ポンプ８の同時作動によって浸炭室Ｓ内の真空度（圧力）は所定圧力（浸炭圧力）に維持される。すなわち、各浸炭ガス導入管４から浸炭室Ｓ内に連続導入される浸炭ガスの導入量と各排気管７を介して浸炭室Ｓ内から外部に排気されるガスの排出量とのバランスが維持されることによって、浸炭室Ｓ内の圧力は所定の浸炭圧力を維持する。例えば、浸炭ガスとしてアセチレン（Ｃ_２Ｈ_２）を用いる場合には、上記浸炭圧力を１ｋＰａ以下、また浸炭温度を１０００℃付近である。

上述したように浸炭ガス供給源５及び排気ポンプ８が同時に作動することによって浸炭用容器Ｙ内に収納された被処理物Ｘの浸炭処理が実質的に開始される。すなわち、浸炭ガスが熱分解することによって浸炭室Ｓ内に発生した炭素原子（Ｃ）が被処理物Ｘの表面から内部に浸入する現象が開始される。

そして、上記浸炭圧力の維持状態が所定の時間（浸炭時間）に亘って継続することによって、浸炭ガスが熱分解して発生した炭素原子（Ｃ）が被処理物Ｘの表面から被処理物Ｘ内に徐々に浸入し、この結果として被処理物Ｘの表面近傍に所定深さ（浸炭深さ）の浸炭層が形成される。すなわち、被処理物Ｘの浸炭深さは、浸炭時間によって主にコントロールされる。

浸炭ガスが熱分解すると、炭素原子（Ｃ）と水素ガス（Ｈ_２）とが生成されるが、炭素原子（Ｃ）は被処理物Ｘの浸炭に寄与し、一方、水素ガス（Ｈ_２）は余剰な熱分解ガスとして各排気管７から浸炭室Ｓ外に排気される。

ここで、第１実施形態では、被処理物Ｘの直上に各浸炭ガス導入管４が設けられ、また被処理物Ｘの直下に各排気管７が設けられると共に、各浸炭ガス導入管４は被処理物Ｘの存在方向（下方）ではなく水平方向に向けて浸炭ガスを吹き出す。このような浸炭室Ｓ内の状態において、各浸炭ガス導入管４から吹き出された浸炭ガスは、被処理物Ｘの直上において浸炭室Ｓ内の全領域に均一に拡散する。そして、このような浸炭ガスは、熱分解することにより炭素原子（Ｃ）と水素ガス（Ｈ_２）とに分離しつつ徐々に下降する。

そして、浸炭室Ｓ内に均一に拡散した浸炭ガスが熱分解して生成された炭素原子（Ｃ）は、浸炭ガスと同様に浸炭室Ｓ内に均一に分散した状態となる。そして、このように浸炭室Ｓ内に均一に分散した炭素原子（Ｃ）は、被処理物Ｘの各部位に均等に到達して被処理物Ｘ内に浸入するので、被処理物Ｘの各部位は均一に浸炭処理される。そして、被処理物Ｘの浸炭に寄与しなかった炭素原子（Ｃ）、水素ガス（Ｈ_２）及び熱分解しなかった浸炭ガスの一部は、各排気管７から浸炭室Ｓの外部に排気される。

このような炭素原子（Ｃ）の流場が形成される第１実施形態によれば、浸炭ガスを被処理物Ｘの存在方向（下方）ではなく水平方向に向けて吹き出すので、浸炭ガスを浸炭室Ｓ内の広い領域に均一に拡散させることができる。したがって、第１実施形態によれば、被処理物Ｘの各部位に炭素原子（Ｃ）を均等に到達させることが可能であり、よって被処理物Ｘを均一に浸炭処理することが可能である。

また、第１実施形態によれば、排気管７の個数（３つ）が浸炭ガス導入管４の個数（３つ）と同一であるが、各排気管７の断面積が各浸炭ガス導入管４の断面積よりも大きく設定されているので、浸炭室Ｓ内のガスの排気流速が浸炭ガスの浸炭室Ｓ内への導入流速よりも遅くなる。このような排気流速と導入流速との差によっても、被処理物Ｘに対して均一な浸炭処理を行うことが可能である。

また、第１実施形態によれば、浸炭ガス導入管４が浸炭用ガスの吹出方向が異なる複数の吹出孔４ａを備えるので、浸炭ガスを浸炭室Ｓ内のより広い領域に均一に拡散させることができる。

また、第１実施形態によれば、浸炭ガス導入管４が浸炭室Ｓ（加熱室）内の上側に設けられ、排気管７は浸炭室Ｓ（加熱室）内の下側に設けられているので、浸炭室Ｓ内において熱分解ガスの上から下への流れを発生することができる。
さらには、第１実施形態によれば、浸炭圧力を１ｋＰａ以下としている、つまり浸炭室Ｓ（加熱室）内を浸炭雰囲気としてかなり低圧に設定しているので、浸炭室Ｓ（加熱室）における熱分解ガスの拡散性を向上させることが可能である。

〔第２実施形態〕
次に、第２実施形態に係る浸炭装置について、図６及び図７を参照して説明する。
第２実施形態に係る浸炭装置は、第１実施形態に係る浸炭装置の浸炭ガス導入管４に代えて浸炭ガス導入管４Ａを採用するものである。第２実施形態に係る浸炭装置は、上記浸炭ガス導入管４Ａ以外の構成については、第１実施形態に係る浸炭装置と同一である。したがって、以下では浸炭ガス導入管４Ａについて詳細を説明する。

浸炭ガス導入管４Ａは、図６に示すように上下方向（鉛直方向）に延在する縦管部４ｂと、当該縦管部４ｂに接続（連通）し、左右方向（水平方向）に延在する横管部４ｃとを備えている。縦管部４ｂは、先端が浸炭室Ｓの上部に位置する一方、後端が浸炭ガス供給源５に連通する直管である。この縦管部４ｂは、第１実施形態の浸炭ガス導入管４と同様に、浸炭室Ｓの幅方向の中心かつ被処理物Ｘの直上に設けられている。

横管部４ｃは、後端が縦管部４ｂの先端に接続（連通）する一方、先端が閉塞した直管である。この横管部４ｃは、図６に示すように、被処理物Ｘの上方において浸炭室Ｓの奥行き方向（水平方向）に延在する。この横管部４ｃには、図７（ａ）に示すように、吹出孔４ｄが延在方向（水平方向）に所定間隔で一列に形成されている。なお、図７（ａ）では横管部４ｃの片側のみが示されているが、上記吹出孔４ｄは、図７（ｂ）に示すように、横管部４ｃの両側に同様の態様で設けられている。なお、吹出孔４ｄの個数は、図７（ａ）に示す個数に限定されない。

このような複数の吹出孔４ｄは、横管部４ｃの両側方に浸炭ガスを吹き出す。すなわち、浸炭ガス導入管４Ａにおける浸炭ガスの吹出方向は、被処理物Ｘの存在方向（上下方向）とは異なる水平方向である。このような浸炭ガス導入管４Ａによれば、第１実施形態の浸炭ガス導入管４と同様に、浸炭室Ｓ内のより広い範囲に浸炭ガスを拡散させることができる。したがって、第２実施形態によれば、第１実施形態と同様に、被処理物Ｘを均一に浸炭処理することが可能である。

ここで、浸炭ガス導入管４Ａにおける複数の吹出孔４ｄは、縦管部４ｂに近い程小径に形成されている。全ての吹出孔４ｄを同一径に形成した場合、横管部４ｃの圧力損失に起因して横管部４ｃの先端に近い程、吹出孔４ｄからの浸炭ガスの吹出量が低下するが、吹出孔４ｄを縦管部４ｂに近い程小径に形成することにより、複数の吹出孔４ｄから略同一量の浸炭ガスを吹き出すことができる。

なお、本発明は上記第１、第２実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のような変形例が考えられる。
（１）上記第１実施形態では、浸炭ガス導入管４及び排気管７を各々３つ設けたが、本発明はこれに限定されない。浸炭ガス導入管４及び排気管７の個数は最低で１つあればよい。すなわち、浸炭ガスとしてアセチレン（Ｃ_２Ｈ_２）を用いる場合には、上述したように浸炭圧力を１ｋＰａ以下、浸炭温度を１０００℃付近とすることが好ましく、このような浸炭条件下では、浸炭室Ｓ内における浸炭ガス及び熱分解ガスの拡散速度が比較的速いので、１つの浸炭ガス導入管４で浸炭ガスを浸炭室Ｓ内に導入しても、容易に拡散して浸炭ガス及び熱分解ガスが浸炭室Ｓ内に均一に分散する。

（２）上記第１実施形態では、各々の浸炭ガス導入管４に３つの吹出孔４ａを設けたが、本発明はこれに限定されない。吹出孔４ａの個数は３つ以外でもよく、また吹出孔４ａによる浸炭ガスの吹出方向は、水平方向つまり被処理物Ｘの存在方向に直交する方向以外の方向でもよい。

（３）上記第１実施形態では、各排気管７の断面積を各浸炭ガス導入管４の断面積よりも大きく設定したが、本発明はこれに限定されない。各排気管７の断面積と各浸炭ガス導入管４の断面積とを同等とし、排気管７の個数を浸炭ガス導入管４の個数よりも多く設定してもよい。

（４）上記第１、第２実施形態では、浸炭ガスとしてアセチレン（Ｃ_２Ｈ_２）を用いる場合には浸炭圧力を１ｋＰａ以下、浸炭温度を１０００℃付近としたが、浸炭条件は浸炭の目的や被処理物Ｘの材質等によって変わり得る。したがって、浸炭条件は、上記実施形態に限定されない。

（５）上記第２実施形態では、横管部４ｃの圧力損失に起因する浸炭ガスの吹出量の差異を軽減するための方策として、複数の吹出孔４ｄについて縦管部４ｂに近い程小径に形成したが、本発明はこれに限定されない。例えば、横管部４ｃの後端を縦管部４ｂの先端に接続することに代えて、横管部４ｃの中間部を縦管部４ｂの先端に接続すると共に横管部４ｃの後端を閉塞させてもよい。この場合には、横管部４ｃにおける浸炭ガスの通過長さが第２実施形態の半分になるので、横管部４ｃの圧力損失に起因する浸炭ガスの吹出量の差異を軽減することができる。

１…チャンバー（炉体）、２…断熱容器、３…炉床、４、４Ａ…浸炭ガス導入管、４ａ、４ｄ…吹出孔、４ｂ…縦管部、４ｃ…横管部、５…浸炭ガス供給源、６…加熱ヒータ、７…排気管、８…排気ポンプ、Ｘ…被処理物、Ｙ…浸炭用容器

Claims (5)

1. 加熱室内に収容された被処理物を浸炭処理する浸炭装置であって、
   前記加熱室内において、浸炭用ガスを前記被処理物の存在方向とは異なる方向に吹き出す少なくとも１つの浸炭ガス導入管と、
   前記被処理物を挟んで前記浸炭ガス導入管の反対側に設けられ、前記加熱室内のガスを排気する排気管と
   を備えることを特徴とする浸炭装置。
2. 前記浸炭ガス導入管は、前記浸炭用ガスの吹出方向が異なる複数の吹出孔を備えることを特徴とする請求項１記載の浸炭装置。
3. 前記排気管は、離散的に複数設けられることを特徴とする請求項１または２記載の浸炭装置。
4. 前記浸炭ガス導入管は前記加熱室内の上側に設けられ、前記排気管は前記加熱室内の下側に設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の浸炭装置。
5. 前記加熱室内を１ｋＰａ以下の圧力とすることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の浸炭装置。

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