JP2015533373A5 - - Google Patents

Claims (28)

1. 式（Ｉ）
   

   

   の化合物の製造方法であって、
   （ａ）式（III）
   

   

   （式中、Ｒはグリニャール試薬または他の有機金属試薬に耐える保護基である）
   の化合物をフェニルマグネシウムハロゲン化物と反応させ、式（IV）
   

   

   （式中、Ｒは上述のとおりである）
   の化合物を生成すること、および
   （ｂ）式（IV）の化合物を塩酸で処理し、式（Ｖ）
   

   

   （式中、Ｒは上述のとおりである）
   の化合物を生成すること、および
   （ｃ）式（Ｖ）（式中、Ｒは上述のとおりである）の化合物のエステル結合を切断し、式（Ｉ）の化合物を得ること
   を含む方法。
2. フェニルマグネシウムハロゲン化物が塩化フェニルマグネシウムである請求項１記載の方法。
3. 式（Ｖ）の化合物が結晶化により単離される請求項１または２記載の方法。
4. 式（Ｖ）の化合物が低級アルコールから結晶化される請求項３記載の方法。
5. 式（Ｖ）の化合物がメタノールまたはエタノールからなる溶媒から結晶化される請求項４記載の方法。
6. 工程（ｃ）における式（Ｖ）の化合物のエステル結合の切断が、塩基触媒加水分解または還元的切断を用いて行われる請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
7. 還元的切断が、水素化リチウムアルミニウムの存在下で行われる請求項６記載の方法。
8. 生成された式（Ｉ）の化合物が結晶化により単離される請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
9. 式（Ｉ）の化合物が、Ｃ_1-5アルコールから、またはＣ_1-5アルコールおよび水の混合物から結晶化される請求項８記載の方法。
10. Ｒがｔ−ブチル、アダマンチルまたは２，４，６−トリメチルフェニルである請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
11. Ｒがｔ−ブチルである請求項１０記載の方法。
12. 式（III）の化合物が、式（II）
    

    

    の化合物を、式Ｘ₁−ＣＨ₂−ＣＨ₂−Ｘ₂の化合物と反応させることにより製造され、式中、Ｘ₁およびＸ₂は脱離基であり、Ｒはグリニャール試薬または他の有機金属試薬に耐える保護基である請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
13. Ｘ₁がハロゲンであり、かつＸ₂がハロゲンである請求項１２記載の方法。
14. Ｘ₁がＢｒであり、かつＸ₂がＣｌである請求項１３記載の方法。
15. Ｒがｔ−ブチル、アダマンチルまたは２，４，６−トリメチルフェニルである請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の方法。
16. Ｒがｔ−ブチルである請求項１５記載の方法。
17. 反応が、相間移動触媒の存在下で行われる請求項１２〜１６のいずれか１項に記載の方法。
18. 相間移動触媒が硫酸水素テトラブチルアンモニウム（ＴＢＡＨＳ）である請求項１７記載の方法。
19. 式（II）の化合物が、式（VI）
    

    

    （式中、Ｒはグリニャール試薬または他の有機金属試薬に耐える保護基である）
    の化合物を、２−フェニル酢酸と反応させることにより製造される請求項１２〜１８のいずれか１項に記載の方法。
20. Ｒがｔ−ブチル、アダマンチルまたは２，４，６−トリメチルフェニルである請求項１９記載の方法。
21. Ｒがｔ−ブチルである請求項２０記載の方法。
22. 式（Ｉ）
    

    

    の化合物の製造方法であって、
    式（IV）
    

    

    （式中、Ｒはグリニャール試薬または他の有機金属試薬に耐える保護基である）
    の化合物を塩酸で処理して式（Ｖ）
    

    

    （式中、Ｒは上述のとおりである）
    の化合物を生成し、式（Ｖ）（式中、Ｒは上述のとおりである）の化合物のエステル結合を切断して、式（Ｉ）の化合物を得ることを含む方法。
23. Ｒがｔ−ブチル、アダマンチルまたは２，４，６−トリメチルフェニルである請求項２２記載の方法。
24. Ｒがｔ−ブチルである請求項２３記載の方法。
25. 式（III）
    

    

    （式中、Ｒはｔ−ブチル、アダマンチルまたは２，４，６−トリメチルフェニルである）
    の化合物。
26. Ｒがｔ−ブチルである請求項２５記載の化合物。
27. 式（IV）
    

    

    （式中、Ｒはｔ−ブチル、アダマンチルまたは２，４，６−トリメチルフェニルである）
    の化合物。
28. Ｒがｔ−ブチルである請求項２７記載の化合物。