JP2015529622A - ゲッター構造体を含む真空断熱ガラス（ｖｉｇ）窓ユニット及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
ゲッター構造体を有する真空断熱ガラス（ＶＩＧ）窓ガラス及びその製造方法が提供される。ＶＩＧ窓ユニットの制約内において、活性化／フラッシュ前及び／又は後に活性ゲッター物質の表面領域を最適化（例えば、増加）するための方法が提供される。【選択図】図７
Description
本開示は、一般的に真空断熱ガラス（ＶＩＧ）窓ユニット構造及びＶＩＧ窓ユニットの製造方法に関する。具体的には、本開示は、ＶＩＧ窓ユニットに用いるためのゲッター構造体及びその製造方法に関する。一般的にゲッターは、２つの主要な分類、蒸発型ゲッター（ＥＧ）及び非蒸発型ゲッター（ＮＥＧ）に分けられる。
真空断熱ガラス（ＶＩＧ）窓ユニットは、一般的に、離隔された少なくとも２つのガラス基板を備えており、これらガラス基板の間には真空引きした又は低圧の空間／キャビティを含んでいる。基板は、外周端部シールで相互接続されており、一般的に、ガラス基板間の間隔を保持するため及び基板間に存在する低圧環境が原因で生じ得るガラス基板の崩壊を回避するためにガラス基板間にスペーサが含まれている。いくつかのＶＩＧ構造例は、例えば、米国特許第５，６５７，６０７号、同第５，６６４，３９５号、同第５，６５７，６０７号、同第５，９０２，６５２号、同第６，５０６，４７２号、及び同第６，３８３，５８０号に開示されており、これら公報の開示全体をいずれも参照として本明細書に組み込む。
図１及び図２は、従来のＶＩＧ窓ユニット１及びＶＩＧ窓ユニット１の構成要素を表している。
例えば、ＶＩＧユニット１は、離隔された２つの実質上平行なガラス基板２，３を備えていてよく、これらガラス基板の間には真空引きした低圧の空間／キャビティ６を含んでいる。ガラスシート又は基板２，３は、外周端部シール４で相互接続されており、外周端部シールは、例えば、溶融はんだガラス等であってよい。基板２，３の間に存在する低圧の空間／間隙６を考慮して、支柱／スペーサ５のアレイをガラス基板２，３の間に備えてＶＩＧユニット１の基板２，３の間隔を維持することもある。
排気管８は、例えば、はんだガラス９によって、一方のガラス基板２の内表面から当該ガラス基板２の外表面にある任意の凹部１１の底面に通じる、又は、場合により当該ガラス基板２の外表面にまで及ぶ開口部／穴１０に気密封止されていてよい。排気管８に吸引装置を取り付けて、内部キャビティ６を大気圧未満の低圧まで真空引きする。キャビティ６を真空引きした後、排気管８の一部（例えば、先端）を溶融することで低圧キャビティ／空間６を真空密封する。この任意の凹部１１は、封止された排気管８を保持することができる。
図１〜図２に示すように、ゲッター１２は、ガラス基板、例えば、１つのガラス基板２の内部面に配置される凹部１３内に含まれてもよい。ゲッター１２は、キャビティ６を真空引きと封止後に残存している可能性のある特定の残留不純物を吸着する、又は特定の残留不純物に結合するために使用され得る。ゲッターは、ゲッター表面に気体不純物を保持したり、このような気体を溶解するために気体と反応させられる金属混合物又はそれを含むものである。
本明細書には、ＶＩＧ窓ユニットの制約内で活性ゲッターの表面領域を最適化する（増加させる）技術が開示されている。
本発明の特定の実施形態例において、実質上平行な第１及び第２ガラス基板と、第１基板と第２基板との間に設けられた複数のスペーサ及びシールと、第１基板と第２基板との間に位置して、大気圧未満の圧力で少なくともシールによって規定された空間と、既に配置されたゲッターを受容するために第１基板内に規定されたゲッター凹部と、ゲッター活性化後に第２基板上のゲッター物質の表面領域が増加するように設計され、第１基板内のゲッター凹部の実質上対向する側に位置する、第２基板上のゲッター構造体とを含む真空断熱ガラス（ＶＩＧ）窓ユニットが提供される。特定の実施形態例において、第２基板上のゲッター構造体は、第２基板内に規定された凹部を含んでもよい。
本発明の特定の実施形態例において、実質上平行な第１基板及び第２基板と、第１基板と第２基板との間に設けられた複数のスペーサ及びシールと、第１基板と第２基板との間に位置して大気圧未満の圧力下で、少なくともシールによって規定された空間と、既に配置された蒸発型ゲッター（ＥＧ）を受容するために第１基板内に規定された第１ゲッター凹部と、第１基板内に第１ゲッター凹部の少なくとも一部が第２基板内に第２ゲッター凹部の少なくとも一部と重なるように、第１ゲッター凹部の実質上対向する位置に第２基板内で規定された第２基板凹部とを含み、ＥＧから蒸発して蒸着されたゲッター物質が第１ゲッター凹部及び第２ゲッター凹部内に位置する、真空断熱ガラス（ＶＩＧ）窓ユニットが提供される。
本発明の特定の実施形態例において、ゲッター蒸着物（例えば、ＥＧ型ゲッター）を受容する基板の表面及び／又は低圧キャビティにおける従来のゲッター蒸着物に対向する表面は、ゲッターを受容する制限されたＶＩＧ空間内で活性ゲッターの表面領域を増加させるように形成されてもよい。少なくとも、次のＥＧ活性化によってゲッター表面領域の増加が達成されてもよい。
（ｉ）ＥＧが活性化するときにゲッター物質の分散を増加させて、活性化した時より大きい領域上でフラッシュするように、ＥＧが配置された平滑なガラス基板内にカット／凹部の端部を丸み付け及び／又は面取り（ｃｈａｍｆｅｒｉｎｇ）する工程、
（ｉｉ）ゲッターをハウジングする制限された空間内で活性表面領域を増加させるためにＥＧ蒸着物を受容する基板の表面の輪郭を削る（ｃｏｎｔｏｕｒｉｎｇ）工程、
（ｉｉｉ）ゲッターする物質の表面領域を増加させるために、サンドブラスト、エッチング、及び／又は研削によって、ＥＧ蒸着物を受容する、実質上平滑なガラス基板の領域を粗面化する工程、
（ｉｖ）ゲッターの吸着能力を増加させる、ゲッター蒸着物内の気孔率を促進させるために、ゾルゲル又は選択されたフリットの適用によって、粗面（例えば、結節状）及び／又は多孔性コーティングを、ＥＧ蒸着物受容のための領域内に事前蒸着する工程、
（ｖ）活性化／フラッシュ時にゲッター物質の分散及び／又は蒸発方向を最適化するために、少なくとも１つの開口領域内に形成されたゲッター容器内に設けられるＥＧ物質を用いる工程、及び／又は
（ｖｉ）ＥＧ活性化／フラッシュ後の対向基板上に活性ゲッター表面領域を増加させるために、従来のゲッター位置から低圧キャビティを横切るように、従来のゲッター位置に対向基板上に任意の好適な凹部及び／又は粗面コーティングを設ける工程。
（ｉｉ）ゲッターをハウジングする制限された空間内で活性表面領域を増加させるためにＥＧ蒸着物を受容する基板の表面の輪郭を削る（ｃｏｎｔｏｕｒｉｎｇ）工程、
（ｉｉｉ）ゲッターする物質の表面領域を増加させるために、サンドブラスト、エッチング、及び／又は研削によって、ＥＧ蒸着物を受容する、実質上平滑なガラス基板の領域を粗面化する工程、
（ｉｖ）ゲッターの吸着能力を増加させる、ゲッター蒸着物内の気孔率を促進させるために、ゾルゲル又は選択されたフリットの適用によって、粗面（例えば、結節状）及び／又は多孔性コーティングを、ＥＧ蒸着物受容のための領域内に事前蒸着する工程、
（ｖ）活性化／フラッシュ時にゲッター物質の分散及び／又は蒸発方向を最適化するために、少なくとも１つの開口領域内に形成されたゲッター容器内に設けられるＥＧ物質を用いる工程、及び／又は
（ｖｉ）ＥＧ活性化／フラッシュ後の対向基板上に活性ゲッター表面領域を増加させるために、従来のゲッター位置から低圧キャビティを横切るように、従来のゲッター位置に対向基板上に任意の好適な凹部及び／又は粗面コーティングを設ける工程。
前記実施形態／特徴（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）、（ｉｖ）、（ｖ）、及び／又は（ｖｉ）は、本発明の異なる実施形態において、その他の実施形態／特徴（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）、（ｉｖ）、（ｖ）、及び／又は（ｖｉ）と組み合わせて用いてもよく、用いなくてもよい。例えば、実施形態／特徴（ｉ）は、本発明の異なる実施形態において、（ｉｉ）〜（ｖｉ）のいずれか１つと組み合わせて用いてもよく、用いなくてもよい。したがって、ゲッター凹部及び／又はゲッター凹部内のゲッター容器は、蒸発されたゲッター物質ゲッター物質の表面領域を増加させるために形成され、蒸発されたゲッター物質は、ＥＧ形態物質を含むゲッターの活性化及び／又はフラッシュ後に存在するゲッター物質である。
これら及びその他の実施態様及び利点は、本明細書では特定の実施態様例によって、そして以下の図面を参照しながら説明する。図面中、同様の参照符号は同様の要素を指すものとする。
本明細書では、以下の図面を参照して特定の実施態様例を詳述する。図面中、同様の参照符号は同様の要素を指すものとする。本明細書に記載の実施態様は、限定ではなく例示を目的とするものであり、また、当業者は、本明細書に添付する特許請求の範囲の真の趣旨及び全範囲を逸脱することなく様々な変更が可能であると考えることができることが分かるであろう。
図３及び図５〜図１５を参照すると、例示のＶＩＧ窓ユニット１の概略断面図が示されている。ＶＩＧ窓ユニット１は、例えば、これに限定されないが、家庭用住居、オフィスビル、共同住宅、ドアなどの窓として使用され得る。ＶＩＧ窓ユニット１は、離れている透明な第１及び第２ガラス基板２，３を含み、第１及び第２ガラス基板は、端部シール４によって相互接続されることができ、端部シール４は、例えば、バナジウム系、又はＶＢＺ型シール、又ははんだガラス型シールであるかこれらを含んでもよいが、これらに制限されない。バナジウム系、又はＶＢＺ型シール組成物は、２０１２年１月２０日に出願された米国特許出願第１３／３５４，９６３号に開示されており、本明細書に参照として含まれる。ＶＢＺ（例えば、バナジウム、バリウム、亜鉛）系のシール組成物は、米国特許出願第１３／３５４，９６３号に記載されており、特定の実施形態例として端部シール４及び／又はフリットベース管シール９に対して用いてもよい。特定の実施形態例において、従来のはんだガラスフリット材料は、気密端部シール４及び／又はフリットベース管シール９に対して用いてもよい。ＶＢＺ型シール組成物を用いる場合、ＶＢＺ組成物がＶＩＧユニットのシールを形成するために用いることができる特定のその他の従来のガラスフリット組成物よりも低い焼成温度（例えば、２５０℃未満）を有するため、ＶＩＧユニットのガラスの好ましい性質を保持するために低い温度のシール熱プロファイルが用いられる。本明細書に開示された実施形態は、任意の好適なシール物質を用いてＶＩＧ構成に同様に適用可能であることが理解されるであろう。
特定の実施形態において、透明なガラス基板２，３は、略同一の大きさであってもよい。しかし、特定の他の例示的な実施形態では、１つのガラス基板２は、例えばＶＩＧユニットの端部に近接して略Ｌ字状の段差を設けるために、その他のガラス基板３より大きくてもよい。ガラス基板２，３の１つ又は両方は、例えば、限定するものではないが、低放射率コーティングなどの少なくとも１つのコーティング物質（図示せず）を選択的に含んでもよい。ガラス基板２，３のうち少なくとも１つの内表面上に様々なコーティングが存在してもよく、このようなコーティングがＶＩＧ窓ユニット１に対する様々な有益な性能特徴を提供することが理解できる。特定の実施形態例において、ＩＲ照射を遮断するための低放射率コーティングは、基板３（ゲッターを支持する基板２に対向する）の内表面上に設ける。特定の実施形態例において、ＶＩＧ窓ユニットは、可視透過率が少なくとも約３０％、好ましくは少なくとも約４０％、さらに好ましくは少なくとも約５０％、より好ましくは少なくとも約６０％又は７０％である。
図３及び図５〜図１５を参照すると、支柱／スペーサ５のアレイは、ガラス基板２，３の間の低圧キャビティ／空間６に最終的に設けられる、大気圧未満の圧力の点で基板の間隔を保持するためにガラス基板２，３の間に位置する。特定の実施形態例において、スペーサは、高さが、例えば、約０．１から１．０ｍｍ、好ましくは約０．２から０．４ｍｍであってもよい。スペーサ５の高さは、略真空キャビティ６の高さで規定されてもよい。上記のように、スペーサ５は、顕著に目立たないように十分に小さいサイズであることが好ましい。特定の実施形態例によれば、スペーサ５は、はんだガラス、ガラス、セラミック、金属、ポリマー、又は、任意のその他の適切な物質であってもよく、あるいは、これらを含んでいてもよい。さらに、スペーサー５は、例えばおおむね円筒形、丸形、球形、ダイム形、Ｃ形、まくら形又は任意の他の好適な形であってよい。
排気管８（図３、図１０〜図１２、及び図１５参照）は、例えば、はんだガラス９を用いて気密封止されてもよく、ガラス基板のうちの１つ（例えば、基板３）内に孔２２を介して設けられる。排気管８は、例えば、排気管の先端に真空ポンプを取付けて、基板２，３の間のキャビティ６を低圧（例えば、大気圧未満の圧力）で減圧することによって、キャビティ６を真空引きする工程に用いられる。好ましい例としては、キャビティ６内の圧力は、例えば、好ましくは約１０−２Ｔｏｒｒ未満、さらに好ましくは約１０−３Ｔｏｒｒ未満、より好ましくは５×１０−４Ｔｏｒｒ未満である。キャビティ６を真空引きした後、排気管８は、例えば、任意の好適な手段（例えば、レーザ）で管８の先端８ａを溶融することによって封止されてもよい。特定の実施形態例によれば、排気管８は、ガラス基板３の内表面３ａをフラッシュするように孔２２を介して拡張されたり十分に拡張されなくてもよく、特定の実施形態例で内表面３ａから内表面３ａの直ぐ前（例えば、約０．１ｍｍ以下までの距離）に位置してもよい。
本発明の特定の実施形態例において（例えば、図５〜図１５参照）、実質上平行な第１及び第２ガラス基板２，３、第１基板と第２基板との間に設けられたスペーサ５のアレイ及びシール４、第１基板と第２基板との間に位置して、大気圧未満の圧力で少なくともシールによって規定された空間６、任意の位置するゲッターを受容するために第１基板２内に規定されたゲッター凹部１４、及びゲッター活性化後に基板３上のゲッター物質の表面領域が増加するように設計され、ゲッター凹部１４の実質上対向する側に位置する、第２基板３上にゲッター構造体（例えば、１４'、１５及び／又は３６参照）を含む、真空断熱ガラス（ＶＩＧ）窓ユニットが提供される。基板３上のゲッター構造体は、基板３内に規定された凹部１４'を含んでもよく（例えば、図５、図７〜図８、図１０〜図１１、及び図１３〜図１５）、凹部１４'は、（ｉ）基板３の主要内表面３ａより粗面（１５及び／又は３６）、及び／又は（ｉｉ）少なくとも部分的に垂直方向に対して傾斜させた少なくとも１つの側壁及び下面（例えば、図４ａ、図４ｄ、図４ｆ、及び図４ｋ参照）を含んでもよい。排気管８は、基板３内に規定された凹部１４'の真上及び／又は内に位置してもよい（図１０〜図１１、及び図１５）。
凹部１４'、粗面１５、コーティング３６及び／又は凹部１４の輪郭／形状は、ＥＧ３２から蒸発フラックスを受容する表面領域を増加させることによって、ゲッター吸着能力を増加させる。吸着能力は、特定の実施形態例において、減少した温度（例えば、室温又はさらに低い温度）でＥＧをフラッシュさせ、及び／又は活性化中に後にＥＧ物質によって吸収されて、気体（例えば、窒素気体）を少量添加することによって蒸発される蒸着物の気孔を増やすことによって増加させてもよい。このような手続は、ゲッター物質の表面領域を増加させた構造体（例えば、１４'，３６，１５）と共に用いてもよい。１つ以上のゲッターは、本発明の様々な実施形態に従う所定のＶＩＧユニットに提供されてもよい。本発明の例示的な実施形態は、ＥＧ型ゲッターと共に好ましくは用いられるが、本発明は、これらに限定されずにＮＥＧ型ゲッターと共に用いてもよい。（例えば、粗いガラス１５及び／又はコーティング３６によって）粗面領域は、ガラスと接触するＮＥＧ表面における気体流が増加して、ＮＥＧの実施形態の結果が改善される。特定の実施形態例において、ゲッター３２は、ＥＧ及びＮＥＧ材料を含むハイブリッドゲッターであってもよい。
図３及び図５〜図１２を参照すると、支柱／スペーサ５は、底面ガラス基板２上に位置し、少なくとも１つのゲッター（例えば、ＥＧ形態）３２は、凹部１４内に位置する。凹部１４（及び凹部１４'［存在する時］）は、上部／底面から見れば、四角形、長方形、円形、楕円形又は三角形を含む任意の好適な形状であってもよいが、これらに限定されない。その次に、端部シール物質が基板２上に蒸着される。その他の基板３は、スペーサ／支柱５、ガラスフリット溶液及び２つのガラス基板２，３の間のゲッター３２が介在できるように基板２上に位置する。ガラス基板２，３、スペーサ／支柱５、ゲッター３２及び端部シール物質を含む組立品は、任意の温度（少なくとも約５００℃）まで加熱し、この温度で端部シール物質を溶融してガラス基板２，３の表面を湿らせて、最終的に気密周辺／端部シール４を形成する。
基板の間に端部シール４を形成した後、基板２，３の間の低圧の空間／キャビティ６を形成するために排気管８を介して真空にされる。管８は、ゲッター上にあってもよく（例えば、図３、図１０〜図１２、及び図１５）、図５〜図６のようなその他の実施形態において、管８は、ゲッター物質３２から離隔して位置してもよい。空間／キャビティ６の低圧を保持するために、基板２，３は、端部シール４によって気密封止され、小さいスペーサ／支柱５は、大気圧下で略平行な基板の分離を保持するために基板の間に設けられる。基板２，３の間の空間６が真空引きされれば、排気管８は、例えば、レーザなどを用いてその先端を溶融することによって封止されてもよい。キャビティ／空間６を大気圧未満の圧力に真空引きした後、排気管８の端部８ａを加熱して開口部を熔融し、ＶＩＧ窓ユニットのキャビティを封止することによって排気管を封止してもよい。 例えば、限定されないが、排気管８の先端８ａにレーザを照射することによって加熱及び溶融を達成してもよい。
様々な実施形態において、ガラス又はガラスを含む基板（２及び／又は３）は、厚さが約１〜６ｍｍ、好ましくは約３〜５ｍｍであり、例えば、約４ｍｍであってもよい。様々な実施形態において、凹部１４及び／又は凹部１４'は、深さが１．５ｍｍ〜２．５ｍｍで、例えば厚さ４ｍｍのガラスシートに、凹部深さは約２ｍｍである。基板２，３を形成する特定の実施形態例において、ゲッター凹部（１４及び１４'）は、それぞれのガラスシートに形成され、選択的にガラスシートが熱強化された後に、選択的に基板のうちの１つの内表面上に低放射率コーティングが設けられてもよく、その次に２つの基板２，３（任意の低放射率コーティングを含む、図示せず）は、ＶＩＧ形成工程中に、本明細書に記載されたように端部シール物質及びスペーサの周辺に共に位置してもよい。
ゲッター３２は、排気管の真空引き及び封止後のキャビティ６内に存在又は／及び残留することがある特定の残留不純物（例えば、好ましくない気体、例えば、ＣＯ２及びＮ２）を吸収又は／及びこれらと結合する。図３及び図５〜図１５に示したゲッター３２は、非活性化形態で蒸着されたものとして示されている。任意の実施形態（例えば、図３及び図５〜図１５のいずれか１つに）に示した任意のゲッター３２は、任意の好適な形状の容器／トラフ（例えば、金属製であってもよい）に設けられてもよく、代替的に容器／トラフ内に設けられずに基板２上に蒸着されてもよい。ゲッター物質３２を保持する容器／トラフは、ゲッターの加熱／活性化するところに有利な場合があり、このようなゲッター容器は、円筒状の又は環状を含む任意の好適な形状であってもよいが、これらに限定されない。ゲッターは、２つの主要な種類に分けられる、蒸発型ゲッター（ＥＧ）及び非蒸発型ゲッター（ＮＥＧ）。ＥＧは、多くの場合、カルシウム、ストロンチウム及び／又は特にバリウムのうちの１つ以上のアルカリ土金属を含む。ＮＥＧは、多くの場合、チタニウム、ジルコニウム、又は、アルミニウム及び第１列の遷移金属の中から選択された１つ以上の金属との合金を含む。２つのゲッター型のＥＧ及びＮＥＧは、除去される気体種がゲッター表面上に吸収されるのを抑制し、様々な酸化物、炭化物及び／又は窒化物をゲッター表面から除去するこのような操作のために、加熱による活性を必要とする。大気気体に対する高い反応性により、一般的にゲッターが不活性形態で製造されて移動するため、真空空間に配列される場合、適切な活性化（例えば、フラッシュ）の熱処理を必要とする。
ＥＧ３２（例えば、バリウム又はバリウム含有）は、排気管８の下及びガラス基板２の凹部１４内に少なくとも部分的に設けられ、固体状で蒸着される。排気管８の下に位置することは、活性化／フラッシュ中のＥＧ物質を分散可能にし、活性ゲッター表面領域を増加させるために好ましい。
ＥＧ３２の活性化工程は、ＶＩＧユニットの内表面上に金属（例えば、バリウム）の蒸発を含み、ＶＩＧユニットの内表面は、凹部１４の垂直、丸みを帯びた又は傾斜した側壁及び／又は基板２，３の内側の主表面上部及び選択的に管８の内部を含む。バリウム蒸発は、ＶＩＧユニットの外側からバリウム含有のＥＧ組成物３２を加熱したりバリウム含有のＥＧ組成物を高周波に露出させることによって行うことができる。例えば、ゲッターのＥＧ組成物３２がＢａＡｌ４及びＮｉを含む場合、ゲッター物質がＶＩＧユニットの外側に配置されたコイルからの放射線に露出して粉末温度が約８００〜８５０℃に増加する。この温度で、発熱反応は、ＢａＡｌ４及びＮｉの間で発生して、約１１００〜１２００℃まで上昇し、この温度でＥＧからバリウムが蒸発する。金属はいわゆるフラッシュ現象に係るＶＩＧユニットの隣接した内表面上にフィルム状に凝縮して、蒸発されたバリウム含有フィルムは、真空キャビティ６から好ましくない気体をゲッターする活性要素である。したがって、ＥＧ３２の活性化によってゲッター物質が分散し、蒸発によってＶＩＧユニット内に隣接した領域上で蒸発してゲッター物質の表面領域を増加させる。したがって、活性化／フラッシュ後に、蒸発されたゲッター物質は、ゲッター凹部１４の垂直、丸みを帯びた又は傾斜した側壁及び凹部１４に近接する基板（２及び／又は３）の内周面、及び場合によって管８の部分及び／又は管８に対する孔の側壁に設けられる。図５〜図１５の実施形態において、ＥＧ３２が活性化すると、対向する側基板３上の凹部１４'及び／又は粗面／多孔性コーティング３６上のキャビティ６を介して、ゲッター成分（例えば、Ｂａ、Ｃａ及び／又はＳｒ）が隣接した表面上で蒸発されて、実質上の視線方向（活性／蒸発中のゲッター物質が進行する方向を示す矢印４４）ヘ蒸着される点まで、発熱反応によってＥＧの加熱を開始する。
ＥＧ３２は、蒸発型ゲッターとして機能する任意の好適な物質で構成してもよい。このような物質は、カルシウム、ストロンチウム、及びバリウムの中から選択される元素含有化合物を含むが、これらに限定されない。好ましくは、このような化合物は、このような元素の空気に対する反応性を制限する形態である。有用なＥＧ物質の例は、中間金属化合物ＢａＡｌ４であり、これは、ニッケル粉末、及び場合によってＡｌ、Ｆｅ、Ｔｉ及び／又はこれらの合金のうちの１つ以上の少量を混合してもよい。その他のＥＧ物質は、当業者によく知られている。
ＶＩＧ窓ユニットへの蒸発型ゲッター（ＥＧ）の使用は、ガラス基板２，３の間の小さい間隙６によって制限される。ＶＩＧ窓ユニット内の非常に薄い間隙６は、ＥＧがフラッシュ（活性化）される場合、ゲッター物質でコーティングされた表面領域を制限し、それによりＶＩＧユニット内のゲッター物質のゲッター能力を制限する。ＥＧにて、キャビティ６から残留気体を吸収するのは活性ＥＧの表面である。バルク内の拡散が表面ゲッター活性を満たすＮＥＧとは異なり、活性／フラッシュＥＧ表面は、飽和されれば、ゲッター／ポンプ作用が実質上中止する。
図４ａ〜図４ｋは、ＶＩＧ窓ユニット１の制約内で活性ゲッター物質（例えば、活性化したＥＧ）の表面領域を最適化（例えば、増加）させるために、本発明の例示的な実施形態に係る図３及び／又は図５〜図１５のＶＩＧユニットに用いることができるゲッター構造のダイアグラム／図である。図４ａ〜図４ｋのゲッター構造体は、図３の実施形態の凹部１４内に及び／又は凹部１４に対して用いてもよく、図５〜図１５の実施形態のうちのいずれか１つにおいて、凹部１４及び／又は凹部１４'の１つ又は両方内及び／又は両方に対して用いてもよい。本発明の特定の実施形態例において、ゲッター蒸着物（例えば、ＥＧ型ゲッター）３２を受容する透明なガラス基板２の表面は、ゲッターをハウジングする限定されたＶＩＧ空間内で活性化した後に活性ゲッター表面領域を増加させるように形成されてもよい（例えば、図４ａ〜図４ｄ、図４ｆ、及び図４ｊ〜４ｋ）。図５〜図１５の実施形態内で凹部（１４及び／又は１４'）は、図４ａ〜図４ｆ及び／又は図４ｊ〜４ｋのうちのいずれか１つに示すように円筒状であってもよく、ここに示すように設計／形成されてもよい。
ＥＧ３２の活性化／フラッシュ後のゲッター表面領域の増加は、次の中の１つによって達成してもよい。
（ｉ）ＥＧ３２が活性化するときにゲッター物質の分散を増加させて、活性化した時より大きい領域上でフラッシュするように、ＥＧ３２が配置された平滑なガラス基板２内にカット／凹部１４の端部を曲面及び／又は面取りする工程（例えば、図４ａ、図４ｄ、図４ｆ、図４ｊ、及び図４ｋ参照）、
（ｉｉ）ゲッターをハウジングする制限された空間内で活性化／フラッシュ後の活性ゲッター表面領域を増加させるように、ＥＧ蒸着物３２を受容する基板２の表面の輪郭を削る工程（例えば、図４ａ、図４ｂ、図４ｃ、図４ｄ、図４ｆ、図４ｊ、及び図４ｋ参照）、
（ｉｉｉ）活性化／フラッシュの前後、ゲッター物質表面領域を増加させるように、サンドブラスト、エッチング、研削及び／又はダブルドリルなどのＥＧ蒸着物３２を受容する実質上平滑なガラス基板２の領域を粗面化する工程（例えば、図４ａ、図４ｂ、図４ｃ、図４ｄ、図４ｆ、図４ｊ、及び図４ｋ参照）、
（ｉｖ）活性化／フラッシュ前及び／又は後、ゲッターの吸着能力を増加させるゲッター蒸着物３２内の気孔率を促進させるために、ゾルゲル又は選択されたフリットの適用によって、粗面（例えば、結節状）及び／又は多孔性コーティング３６を、ＥＧ蒸着物３２を受容するための領域内に事前蒸着する工程（図４ｅ及び図４ｆ参照）、
（ｖ）真空キャビティ内の活性化／フラッシュ時に、ゲッター物質の分散及び／又は蒸発方向を最適化するために、少なくとも１つの開口領域側４０で形成されたゲッター容器３８内に設けられるＥＧ物質３２を用いる工程（例えば、図４ｇ、図４ｈ、及び図４ｉ参照）、及び／又は
（ｖｉ）ＥＧ活性化／フラッシュ後の対向基板上に活性ゲッター表面領域を増加させるために、従来のゲッター位置から低圧キャビティ６を横切るように、従来のゲッター３２の位置に対向基板３上に任意の好適な凹部１４'及び／又は粗い面又はコーティング３６を設ける工程（例えば、図５〜図１５及び図４ａ〜４ｋ参照）。
（ｉｉ）ゲッターをハウジングする制限された空間内で活性化／フラッシュ後の活性ゲッター表面領域を増加させるように、ＥＧ蒸着物３２を受容する基板２の表面の輪郭を削る工程（例えば、図４ａ、図４ｂ、図４ｃ、図４ｄ、図４ｆ、図４ｊ、及び図４ｋ参照）、
（ｉｉｉ）活性化／フラッシュの前後、ゲッター物質表面領域を増加させるように、サンドブラスト、エッチング、研削及び／又はダブルドリルなどのＥＧ蒸着物３２を受容する実質上平滑なガラス基板２の領域を粗面化する工程（例えば、図４ａ、図４ｂ、図４ｃ、図４ｄ、図４ｆ、図４ｊ、及び図４ｋ参照）、
（ｉｖ）活性化／フラッシュ前及び／又は後、ゲッターの吸着能力を増加させるゲッター蒸着物３２内の気孔率を促進させるために、ゾルゲル又は選択されたフリットの適用によって、粗面（例えば、結節状）及び／又は多孔性コーティング３６を、ＥＧ蒸着物３２を受容するための領域内に事前蒸着する工程（図４ｅ及び図４ｆ参照）、
（ｖ）真空キャビティ内の活性化／フラッシュ時に、ゲッター物質の分散及び／又は蒸発方向を最適化するために、少なくとも１つの開口領域側４０で形成されたゲッター容器３８内に設けられるＥＧ物質３２を用いる工程（例えば、図４ｇ、図４ｈ、及び図４ｉ参照）、及び／又は
（ｖｉ）ＥＧ活性化／フラッシュ後の対向基板上に活性ゲッター表面領域を増加させるために、従来のゲッター位置から低圧キャビティ６を横切るように、従来のゲッター３２の位置に対向基板３上に任意の好適な凹部１４'及び／又は粗い面又はコーティング３６を設ける工程（例えば、図５〜図１５及び図４ａ〜４ｋ参照）。
前記実施形態／特徴（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）、（ｉｖ）、（ｖ）、及び／又は（ｖｉ）は、本発明の異なる実施形態において、その他の実施形態／特徴（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）、（ｉｖ）、（ｖ）、及び／又は（ｖｉ）と組み合わせて用いてもよく、用いなくてもよい。例えば、実施形態／特徴（ｉ）は、本発明の異なる実施形態において、（ｉｉ）〜（ｖｉ）のいずれか１つと組み合わせて用いてもよく、用いなくてもよい。同様に、図４ａ〜図４ｋに示した任意の又は前記実施形態／特徴は、図４ａ〜図４ｋに示したその他の実施形態／特徴のいずれか１つと組み合わせて用いてもよく、用いなくてもよい。例えば、図４ｄの実施形態において、ゲッター凹部１４内のガラスの表面上の粗さは、図４ａ、図４ｂ、図４ｅ、図４ｆ、図４ｊ、及び／又は図４ｋの実施形態のいずれと組み合わせて用いてもよい。
図４ａは、本発明の例示的な実施形態に係る図３及び／又は図５〜図１５のＶＩＧユニット１内に用いることができるゲッター構造を示す概略部分側断面図である。ゲッター凹部１４の側壁／端部は、ゲッター活性化／フラッシュ中に蒸発するゲッター物質が広く分散（矢印４４）なってＥＧ３２の活性／フラッシュ後の活性ゲッター表面が増加するように、少なくとも凹部の上部が丸み付けされたり面取りされる。したがって、図４ａ内にゲッター凹部１４の上部角の丸み付け及び／又は面取りは、活性化／フラッシュ内のＥＧ３２からゲッター物質がさらに広く分散させることができ、その結果、図３に示すように平坦な底面を有する簡単な円筒状のゲッター凹部が設けられる場合に比べて、活性ゲッター表面が増加する。したがって、図４ａのゲッター構造は、図３のゲッター構造に比べて、活性化／フラッシュ後の体積及び／又は時間に従って、ＥＧによって好ましくない多くの気体を吸収することができる。図４ａ内の丸み付け及び／又は面取りされたゲッター凹部の角／端部は、図３に示すように凹部１４を穿孔した後、図４に示した構造体が達成されるまで、上部の角／端部を研磨又は研削／バフ研磨することによって形成されてもよい。本発明の別の例示的な実施形態において、すでにＥＧ３２が固体状に蒸着されたゲッター凹部１４は、本発明の異なる例示的な実施形態で上から見た形態が円形状、又は、楕円形状又は長方形状であってもよい。ガラス基板３内に凹部１４'（例えば、図５、図７〜図８、図１０〜図１１、図１３〜図１５参照）の任意の１つは、凹部１４'内で活性前にＥＧが存在しないことを除いて本発明の特定の実施形態例の図４ａのように形成されてもよい。
図４ｂは、本発明のまた他の例示的な実施形態における図３及び／又は図５〜図１５のＶＩＧユニット１内に用いることができるゲッター構造を示す概略部分側断面図である。ガラス２内に規定されたゲッター凹部１４の少なくとも底部又は底面壁は、活性化／フラッシュ前及び／又は後に蒸着されたＥＧによって露出した表面領域が増加するように（例えば、凹部１４の底面にガラス基板を研削及び／又はエッチングすることにより）粗面化１５されている。その結果、ＥＧ３２の活性化／フラッシュ後の活性ゲッター表面が増加する。したがって、図４ｂに示した、少なくとも凹部１４の底部が粗面化１５すれば、ＥＧ３２からのゲッター物質は、図３に示した平坦な底部を有する簡単な円筒状のゲッター凹部が設けられた場合に比べて活性ゲッター表面が増加する。したがって、図４ｂのゲッター構造は、図３のゲッター構造に比べて活性化／フラッシュ後の体積及び／又は時間に従って、ＥＧによって好ましくない多くの気体を吸収することができる。図４ｂの凹部１４は、図３に示すように凹部を穿孔した後、粗面１５がガラス基板２，３の主要内表面２ａ，３ａの大部分より粗面化される粗面構造体（図４ｂに図示）が達成されるまで、砥石車による研削、サンドブラスト、及び／又は湿性ガラスエッチング液によるエッチングを用いて凹部の底面ガラス表面を粗面化１５することによって形成されてもよい。図４ｂの凹部１４の下面は、ガラス基板２の主要内表面２ａより実質上粗面化される。図４ｂのゲッター構造は、図４ａのゲッター構造と組み合わせて用いてもよく、用いなくてもよい。また、ガラス基板３内の任意の凹部１４'（例えば、図５、図７〜図８、図１０〜図１１、図１３〜図１５参照）は、ＥＧゲッター活性化前にＥＧが凹部１４'内に存在しないことを除いて、本発明の特定例示的な実施形態で図４ｂに示すように粗面１５に形成してもよい。
図４ｃは、本発明のまた他の例示的な実施形態における図３、及び／又は図５〜図１５のＶＩＧユニット１で用いることができるゲッター構造を示す概略部分側断面図である。ガラス２内に規定されたゲッター凹部１４の底部又は底面壁、及び側壁は、蒸着されたＥＧによって活性化／フラッシュ前及び／又は後に露出した表面領域が増加するように（凹部１４内にガラス基板を研削及び／又はエッチングすることにより）粗面化１５する。その結果、ＥＧ３２の活性化／フラッシュ後の活性ゲッター表面が増加する。したがって、粗面１５を形成するために、図４ｃで凹部１４の底面及び側壁が粗面化されれば、ＥＧ３２からゲッター物質は、平坦な底部及び平たい側壁を有する簡単な円筒状のゲッター凹部（図３に図示）が設けられる場合に比べて、活性ゲッター表面が増加する。したがって、図４ｃのゲッター構造は、図３のゲッター構造に比べて活性化／フラッシュ後の体積及び／又は時間に従って、ＥＧによって好ましくない多くの気体を吸収することができる。図４ｃの凹部１４は、図３に示すように凹部を穿孔した後、図４ｃに示した、粗面１５が達成されるまで、砥石車による研削、サンドブラスト、及び／又は湿性ガラスエッチング液によるエッチングを用いて凹部の底面又は側壁ガラス表面を粗面化１５することにより形成されてもよい。図４ｃの凹部１４の粗面化した底面及び側壁表面１５は、実質上ガラス基板２の主要内表面２ａより実質上粗面化される。図４ｃのゲッター構造は、図４ａ及び／又は図４ｂのゲッター構造と組み合わせて用いてもよく、用いなくてもよい。また、ガラス基板３内の凹部１４'のうちのいずれか１つ（例えば、図５、図７〜図８、図１０〜図１１、図１３〜図１５参照）は、ＥＧゲッター活性化前にＥＧが凹部１４'内に存在しないことを除いて、本発明の特定の実施形態で図４ｃのように粗面１５に形成及び／又は設けられてもよい。
図４ｄは、上述した図４ａ及び図４ｃの実施形態の組合と類似し、本発明のまた他の例示的な実施形態における図３及び／又は図５〜図１５のユニット１で用いることができるゲッター構造を示す概略部分断面図である。ガラス２内に規定されたゲッター凹部１４の底部又は底面壁、及び傾斜した非垂直側壁は、活性化／フラッシュ前及び／又は後に蒸着されたＥＧによって露出した表面領域が増加するように（例えば、凹部１４内にガラス基板を研削及び／又はエッチングすることにより）粗面化１５する。その結果、図４ａ及び図４ｃに対して上記で説明した理由によって、ＥＧ３２の活性化／フラッシュ後の活性ゲッター表面が増加する。図４ｄ内に示した凹部１４は、図３に示した凹部を穿孔して形成することができ、図４ａに対して上述した丸み付け／面取り後に、図４ｄに示した粗面１５が達成されるまで、砥石車による研削、サンドブラスト、及び／又は湿性ガラスエッチング液によるエッチングによって凹部の底面及び側壁ガラス表面を粗面化１５して形成してもよい。図４ｄの凹部１４の粗面化した底面及び側壁表面１５は、実質上ガラス基板２の主要内表面２ａより実質上粗面化される。図４ｄのゲッター構造は、図４ａ〜図４ｃのうちのいずれか１つのゲッター構造と組み合わせて用いてもよく、用いなくてもよい。また、ガラス基板３内の凹部１４'のうちのいずれか１つ（例えば、図５、図７〜図８、図１０〜図１１、図１３〜図１５参照）は、ＥＧゲッター活性化前にＥＧがゲッター３２に対向する凹部１４'内に存在しないことを除いて、本発明の特定の実施形態で図４ｄのように粗面１５に形成及び／又は設けられてもよい。
図４ｅは、本発明のまた他の例示的な実施形態における図３及び／又は図５〜図１５のＶＩＧユニット１で用いることができるゲッター構造を示す概略部分側断面図である。ガラス２内に規定されたゲッター凹部１４の少なくとも底部又は底面壁は、活性化／フラッシュ前及び／又は後に蒸着されたＥＧによって露出した表面領域が増加するように粗面コーティング３６を蒸着することによって粗面化する。特に、活性化／フラッシュ前及び／又は後にゲッターの吸着能力を増加させるゲッター蒸着物３２内に気孔率を促進するために、粗面（例えば、結節状）及び／又は多孔性コーティング３６（例えば、ゾルゲル又は選択されたフリットの適用によって）を、ＥＧ蒸着物３２を受容するための領域内に事前蒸着する。その結果、ＥＧ３２の活性化／フラッシュ後の活性ゲッター表面が増加する。したがって、ＥＧ３２を支持する粗面コーティング３６によって少なくとも凹部１４の底部が粗面化されれば（図４ｅ図示）、ＥＧ３２からゲッター物質は、図３に示した平坦な底部を有する簡単な円筒状のゲッター凹部が設けられる場合に比べて、活性ゲッター表面が増加する。したがって、図４ｅのゲッター構造は、図３のゲッター構造に比べて活性化／フラッシュ後の体積及び／又は時間に従って、ＥＧによって好ましくない多くの気体が吸収される。図４ｅに示した凹部１４の下面（すなわち、コーティング３６の上面）は、ガラス基板２の主要内表面２ａより実質上粗面化される。図４ｅのゲッター構造は、図４ａ〜図４ｄのうちのいずれか１つのゲッター構造と組み合わせて用いてもよく、用いなくてもよい。また、ガラス基板３内の凹部１４'のうちのいずれか１つ（例えば、図５、図７〜図８、図１０〜図１１、図１３〜図１５参照）は、ＥＧゲッター活性化前にＥＧが凹部１４'内に存在せずに、本発明の特定の実施形態例において、このような粗面／多孔性コーティング３６が形成されてもよい。
図４ｆは、上述した図４ａ及び図４ｅの実施形態の組合であり、本発明のまた他の例示的な実施形態における図３及び／又は図５〜図１５のＶＩＧユニット１で用いることができるゲッター構造を示す概略部分側断面図である。ガラス２内に規定されたゲッター凹部１４の底部又は底面壁は、蒸着されたＥＧが活性化／フラッシュ前及び／又は後に露出された表面領域が増加するように粗面コーティング３６を事前蒸着することによって粗面化する。凹部の側壁は、活性化／フラッシュ内のＥＧによってさらに分散するように丸み付け／面取りされる。その結果、図４ａ及び図４ｅに対して上記で説明した理由によって、ＥＧ３２の活性化／フラッシュ後の活性ゲッター表面が増加する。図４ｆ内に示した凹部１４の下面（すなわち、コーティング３６の上面）は、ガラス基板２の主要内表面２ａより実質上粗面化される。また、ガラス基板３内の凹部１４'のうちのいずれか１つ（例えば、図５、図７〜図８、図１０〜図１１、図１３〜図１５参照）は、本発明の特定の実施形態でこのような粗面／多孔性コーティング３６が設けられてもよい。
図４ａ〜図４ｆ（及び図４ｊ〜図４ｋ）の実施形態において、ガラス基板２真上にＥＧ物質３２が蒸着されたことを示す。しかし、図４ａ〜図４ｆ及び／又は図４ｊ〜図４ｋのうちのいずれか１つを含むその他の例示的な実施形態で、ＥＧ３２は、蒸着及び／又は活性化前及び／又は後にゲッター物質の少なくとも一部を含む容器に設けられてもよい。例えば、図４ｇは、ＥＧ３２がゲッター容器（例えば、金属容器）３２内に設けられた実施形態を示す。図４ｈは、図４ｇの上面図であり、容器３８は、ゲッター物質がさらに露出した開放側部／端部４０を有するように上部から見た実質上Ｃ形状であることを示す。ゲッター容器の開放側部／端部４０は、活性化／フラッシュ中のゲッター物質の分散方向がＶＩＧユニット１の低圧キャビティ６内で具体的な方向に調節されるため、このような構造体はＶＩＧ適用に有利である。蒸発フラックスは、この形状の容器で拡張して、実質的なＣ断面は、フラッシュ／活性中に実質上放射状蒸発フラックスを生成する。例えば、前記から本、図４ｇ〜図４ｈのゲッター容器３８は、図３、図５〜図１５、及び／又は図４ａ〜図４ｆのうちのいずれか１つにおいて、ゲッター凹部１４及び／又は基板２上に位置してもよい。容器の開口側４０は、最も近い端部シール４と実質上平行に離隔した方向と同じ任意の好ましい方向に対面するように設計される。開口端部４０は、ゲッター凹部１４の側壁及び／又はキャビティ６の内側に隣接した表面上にＥＧから多くの活性ゲッター物質が密集するように、活性化／フラッシュ中に多くのゲッター物質が外側方向に分散するようにする。
図４ｉは、図４ｉの実施形態の容器３８が２つの開放側部４０を有することを除いて、上述した図４ｇ〜図４ｈの実施形態と同様である。これは、キャビティ６の内側に隣接した表面及び／又はゲッター凹部１４の側壁上にＥＧから多くの活性ゲッター物質が密集するように、活性化／フラッシュ中に追加の活性ゲッター物質が外側方向に分散するようにする。例示の容器、又は、任意のその他の形状の容器は、図５〜図１５の実施形態のうちのいずれか１つに用いてもよい。
図４ｊは、本発明のまた他の例示的な実施形態に係る図５〜図１５のＶＩＧユニット１及び／又は図３で用いることができるゲッター構造を示す概略部分側断面図である。ゲッター凹部１４は、ゲッター活性化／フラッシュ中に蒸発型ゲッター物質がさらに広く分散（矢印４４）するようにする段差構造体を有し、したがってＥＧ３２の活性化／フラッシュ後の活性ゲッター表面が増加するようにダブルドリルする（異なる大きさの第１及び第２ドリルシートを使用）。したがって、図４ｊの段差構造体１４は、ＥＧからのゲッター物質が活性化／フラッシュ中にさらに広く分散するようにして、その結果、図３内に示した円筒状のゲッター凹部が設けられる場合に比べて活性ゲッター表面が増加する。したがって、図４ｊのゲッター構造は、図３のゲッター構造に比べて、活性化／フラッシュ後の体積及び／又は時間に従って、ＥＧによって好ましくない多くの気体が吸収されるようにする。
図４ｋは、実質上側壁が平坦である代わりに丸みを帯びる／湾曲していることを除いて図４ａの実施形態と同一である。したがって、図４の実施形態を作成するのに、図４ａについて上記で説明した理由により有利と言える。また、ガラス基板３内に凹部１４'のうちのいずれか１つ（例えば、図５、図７〜図８、図１０〜図１１、図１３〜図１５参照）は、ＥＧゲッター活性化前にＥＧが凹部１４'内に存在しないことを除いて、本発明の特定の実施形態例の図４ｊ又は図４ｋで凹部１４と共に形成されてもよい。
図５〜図１１及び図１３〜図１５は、選択的に図３に示した基板２内でゲッター凹部１４と共に、活性化／フラッシュ後及び／又は中に基板２から基板３に対して基板３上でＥＧ物質の移動４４、及びＥＧ活性化／フラッシュ後に対向する側の基板上に活性ゲッター表面領域を増加させるために、従来のゲッター位置から低圧キャビティ６を横切るように、従来のゲッター３２の位置に対向するガラス基板３内／上にゲッター凹部１４'が 設けられる。基板２上のゲッター３２が活性化する場合、蒸発によって、従来のゲッター位置に近接するキャビティを横切る対向基板３上にゲッター物質が蒸着され、基板３の領域は、活性化／フラッシュ後に対向基板３上に追加のゲッター物質の表面領域が形成される凹部１４'を設ける。従来のゲッター３２の位置に対向して配置される基板３において、凹部１４'には粗面領域が設けられても、設けられなくてもよい。例えば、図７、図１０、及び図１３は、基板３内に凹部１４'の底部及び／又は側壁は、粗面化及び／又は粗面１５として設けられ、粗面１５は基板３の内部周面３ａより粗面化される。従来のゲッター３２の位置に対向して配置される基板３内の凹部１４'は、粗面及び／又は多孔性コーティング３６（場合により、粗化ガラス面１５以外に）が設けられてもよく、設けられなくてもよい。例えば、図８、図１１、及び図１４〜図１５は、基板３の凹部１４'底部及び／又は側壁に、基板３の内部周面３ａより粗面及び／又は多孔性コーティング３６が設けられてもよい。選択的に、図１０〜図１１、及び図１５に示すように、排気管８は、凹部１４'内に設けられてもよく、管８の内部は、ゲッター物質が活性化／フラッシュ中に蒸着されるときに、より大きい表面領域を設ける。本発明の特定の実施形態例では、図６、図９、及び図１２に示すような従来のゲッター位置に対向基板３内の凹部１４'は存在しなくてもよい。図６、図９、及び図１２は、活性化／フラッシュにより、活性化されたＥＧを蒸着するために増加した表面領域を設けるように、ガラスをコーティング３６及び／又は粗面化によって粗くすることができる。
また、本発明の特定の好ましい実施形態において（例えば、図３及び図７〜図１２参照）、ＥＧ３２は、初めから基板２内／上の凹部１４内に配置されているが、ＥＧ３２を初めから凹部内に配置する必要はない。例えば、図１３〜図１５の実施形態において、ＥＧ３２は、初めにガラス基板２の主要内表面２ａ上に配置されており、凹部内に配置されていない。このような実施形態において、凹部１４'及び／又は粗面化は、活性化／フラッシュによって、活性ＥＧ物質を蒸着するための追加の表面領域を設けるために、ＥＧの位置に対向するその他の基板３上に設けられる。
図４ａ〜図４ｋのゲッター構造体は、図５の実施形態（又は図７〜図１２の実施形態）において、ゲッター構造体／凹部１４に用いてもよい。同様に、図５〜図１５において、凹部（１４及び／又は１４'）は、特定の例では円筒状であっても円筒状でなくてもよいが、図４ａ〜図４ｆ、又は図４ｊ〜図４ｋのゲッター構造体のうちのいずれか１つ（活性化前に従来のゲッター物質部材）は、図５〜図１５の実施形態のうちのいずれか１つにおいて、対向基板３上のゲッター構造体／凹部１４'に対して用いてもよい。
図６は、図３に示したゲッター凹部１４以外に、ＥＧ活性化／フラッシュ後に対向基板上で、活性ゲッター表面領域を増加させるために、従来のゲッター位置から低圧キャビティ６を横切って、従来のゲッター３２の位置に対向基板３上に追加の粗面及び／又は多孔性コーティング３６が設けられる。基板２上のゲッター３２が活性化すると、ゲッター物質が蒸発され、従来のゲッター位置に近接するキャビティを横切ってコーティング３６を含む対向基板３上にゲッター物質が蒸着され、その領域に粗面及び／又は多孔性コーティング３６が設けられ、その結果、その位置に平滑な基板３の表面だけが存在する場合に比べて、活性化／フラッシュ後に対向基板３上に追加のゲッター物質の表面領域が形成される。図４ａ〜図４ｋのゲッター構造体のうちのいずれか１つは、図６の実施形態でゲッター構造体／凹部１４に対して用いてもよく、同様に図４ｅ〜図４ｆのゲッター構造体のうちのいずれか１つ（活性化の前に元のゲッター物質を除く）は、図６の実施形態の対向基板３上でコーティング領域３６に対して又は内に用いてもよい。
したがって、図４ａ〜図４ｋにおいて、ゲッター凹部１４及び／又はゲッター凹部内に、ゲッター容器３８は蒸発されたゲッター物質の表面領域を増加させるために形成され、蒸発されたゲッター物質は、ＥＧ形態物質を含むゲッターの活性化及び／又はフラッシュ後に、存在するゲッター物質（例えば、ゲッター凹部側壁、ゲッター凹部、ゲッター凹部に近接する１つ又は２つの基板の内部周面、及び／又は排気管の凹部、及び／又は１つ以上の管自体の中／上に存在）である。図５〜図１５において、対向基板３上のゲッター構造体（１４'、１５及び／又は３６）は、ゲッター活性化後蒸発されたゲッター物質の表面領域を増加させるために形成／設計される。
ＶＩＧユニットがＥＧ型ゲッター３２の活性化後の類似するものを示すために、図１６は、ゲッター３２の活性化／フラッシュ後の図７の実施形態のＶＩＧ窓ユニットを示す。図１６は、ＥＧゲッター３２を活性化／フラッシュ後にゲッター３２から蒸発させ、蒸着されたＥＧ物質（３２ｂ'）は、従来のゲッター凹部１４に近接する対向基板３、及び場合によって従来のゲッター凹部１４の粗面１５の側壁上に存在する。対向基板３上に追加の凹部１４'が 設けられる実施形態において、活性化後ＥＧ物質（３２ｂ'）は、凹部１４'の表面及び／又は従来のゲッター凹部１４に近接する基板３の主要内表面３ａ上に蒸着できることが分かる。活性化したＥＧ物質（３２ｂ'）は、従来のゲッター凹部１４に近接する基板２の主要内表面２ａの一部上に蒸着されてもよい。したがって、活性化前にＥＧゲッター３２は、凹部１４内の基板２上に位置する一方、（ｉ）少なくとも第１基板２内に規定された凹部１４に実質上対向する領域内に第２基板３及び／又は（ｉｉ）凹部１４の側壁上に位置できることが分かる。図１６（図７と比較して）は、活性化内のＥＧゲッター物質が蒸発して移動することを示しており、ＥＧゲッター物質が本発明のその他の実施形態に用いられる場合、蒸発した物質は、活性化／フラッシュ後に少なくとも対向基板３上に蒸着するように類似の方法で移動する。図１６を参照すると、図示されてはいないが、ゲッター容器３８内に既に配置されたＥＧから蒸発して蒸着されたゲッター物質（３２ｂ'）は、活性化後に容器３８の一部内及び／又は上で行われてもよい。
本発明の特定の実施形態例において、ガラス（基板の一側又は両側は、ガラス上に低放射率コーティングなどのコーティングを含んでもよい）を含む実質上平行な第１及び第２基板と、第１基板と第２基板との間に設けられたシール及び複数のスペーサと、第１基板と第２基板との間に位置して、大気圧未満の圧力で少なくともシールによって規定された空間と、基板のうちの１つに規定されたゲッター凹部内に及び／又は近辺に位置する蒸発型ゲッターのゲッター物質とを含み、前記ゲッター凹部は、平たい下面を有する円筒状の場合に比べてゲッター物質の表面領域が増加するように、ゲッター凹部が形成されて及び／又は設計される、真空断熱ガラス（ＶＩＧ）窓ユニットが提供される。
直前の段落のＶＩＧ窓ユニットにおいて、１つの基板内に規定されたゲッター凹部は、少なくとも部分的に垂直方向に対して傾斜させた少なくとも１つの側壁及び下面を含んでもよい。
前記２つの段落のいずれかに記載のＶＩＧ窓ユニットにおいて、１つの基板内に規定されたゲッター凹部は、粗面化した下面を含んでもよく、粗面化した下面は、ゲッター凹部が規定された基板の主要内表面より粗面化してもよい。
前記３つの段落のうちのいずれか１つのＶＩＧ窓ユニットにおいて、ゲッター凹部の粗面化した下面がエッチングできる。
前記４つの段落のうちのいずれか１つのＶＩＧ窓ユニットにおいて、１つの基板に規定されたゲッター凹部は、ゲッター凹部が規定された基板の主要内表面と接する丸み付けされた及び／又は面取りされた上部を有する少なくとも１つの側壁を有してもよい。
前記５つの段落のうちのいずれか１つのＶＩＧ窓ユニットにおいて、１つの基板に規定されたゲッター凹部は、粗面化した下面及び粗面化されていない少なくとも１つの側壁を有してもよい。
前記６つの段落のうちのいずれか１つのＶＩＧ窓ユニットにおいて、１つの基板に規定されたゲッター凹部は、下面、及び下面とゲッター凹部が規定された基板の主要内表面との間に位置する少なくとも１つの側壁を含んでもよく、側壁は、基板の主要内表面に比べて粗面化される。
前記７つの段落のうちのいずれか１つのＶＩＧ窓ユニットにおいて、１つの基板に規定されたゲッター凹部は、下面、及び下面とゲッター凹部が規定された基板の主要内表面との間に位置する少なくとも１つの側壁を含んでもよく、下面は、基板の主要内表面に比べて粗面化される。
前記８つの段落のうちのいずれか１つのＶＩＧ窓ユニットにおいて、ゲッター凹部の下面は、ゲッター物質の下にゲッター凹部の底面に設けられた粗面化した上面を有するコーティングによって粗面化してもよい。
前記９つの段落のうちのいずれか１つのＶＩＧ窓ユニットにおいて、凹部の側壁は、垂直方向に対して傾斜させてもよい。
前記１０個の段落のうちのいずれか１つのＶＩＧ窓ユニットにおいて、ゲッター物質の少なくとも一部は、容器側壁を有してゲッター凹部に設けられたゲッター容器内に位置してもよく、ゲッター容器は、上から見たときに、容器側壁が存在しない、又は容器側壁が小さく見える少なくとも１つの開放側部及び／又は端部を含む。特定の実施形態例において、ゲッター容器の開放側部及び／又は端部は、端部シールの最も近接した部分に向かって対向していない。
本発明の特定の実施形態例において、ガラスを含む実質上平行な第１基板及び第２基板と、第１基板と第２基板との間に設けられた複数のスペーサ及びシールと、第１基板と第２基板との間に設けられて大気圧未満の圧力で少なくともシールによって規定された空間と、第１基板内に規定されたゲッター凹部内に及び／又は近辺に位置する蒸発型ゲッターのゲッター物質とを含み、前記ゲッター凹部及び／又は前記ゲッター凹部内のゲッター容器は、蒸発されたゲッター物質の表面領域を増加させるように形成された、真空断熱ガラス（ＶＩＧ）窓ユニットが提供される。
直前の段落のＶＩＧ窓ユニットにおいて、ゲッター容器は、実質上垂直の容器側壁を含んでもよく、ゲッター凹部内に設けられてもよく、ゲッター容器は、実質上垂直の容器側壁を上から見たときに存在しない又は小さく見える少なくとも１つの開放側部及び／又は端部を含む。
前記２つの段落のいずれかに記載のＶＩＧ窓ユニットにおいて、ゲッター容器の開放側部及び／又は端部は、端部シールの最も近接した部分に向かって対向しなくてもよい。
前記３つの段落のいずれかに記載のＶＩＧ窓ユニットにおいて、ゲッター物質は、バリウムを含んでもよい。
前記４つの段落のいずれかに記載のＶＩＧ窓ユニットにおいて、ＶＩＧ窓ユニットは、可視透過率が少なくとも約５０％であってもよい。
前記５つの段落のいずれかに記載のＶＩＧ窓ユニットにおいて、第１基板内に規定されたゲッター凹部は、下面、及び下面と第１基板の主要内表面との間に位置する少なくとも１つの側壁を含んでもよく、ゲッター凹部の下面は、第１基板の主要内表面に比べて粗面化される。
本発明の特定の実施形態例において、ガラスの又はガラスを含む実質上平行な第１基板及び第２基板と、第１基板と第２基板との間に設けられたスペーサのアレイ及びシールと、第１基板と第２基板との間に位置して、大気圧未満の圧力で少なくともシールによって規定された空間と、既に配置されたゲッターを受容するための第１基板に規定されたゲッター凹部と、ゲッター活性化後に第２基板上に増加したゲッター物質の表面領域が設けられるように設計された、第１基板内にゲッター凹部に実質上対向して位置した、第２基板上のゲッター構造体を含む真空断熱ガラス（ＶＩＧ）窓ユニットが提供される。
直前の段落のＶＩＧ窓ユニットにおいて、第２基板上のゲッター構造体は、第２基板内に規定された凹部１４'を含んでもよい（図５、図７〜図８、図１０〜図１１、及び図１３〜図１５参照）。第２基板内に規定された凹部は、（ｉ）第２基板の主要内表面より粗面化した表面を含み、及び／又は（ｉｉ）少なくとも部分的に垂直方向に対して傾斜させた少なくとも１つの側壁及び下面を含んでもよい。排気管は、第２基板内に規定された凹部の真上及び／又は内に位置してもよい（図１０〜図１１、及び図１５参照）。
直前の前記２つの段落のいずれかに記載のＶＩＧ窓ユニットにおいて、第２基板上のゲッター構造体は、第１基板内に規定されたゲッター凹部１４に対向する位置内に第２基板上に粗面及び／又は多孔性コーティング３６を含んでもよい（図６、図８、図１１、図１４〜図１５参照）。コーティングは、第１基板内に規定されたゲッター凹部に対向する位置内に第２基板内に規定された凹部内に位置してもよい。
前記３つの段落のいずれかに記載のＶＩＧ窓ユニットにおいて、ゲッター物質は、バリウムを含んでもよい。
前記４つの段落のいずれかに記載のＶＩＧ窓ユニットにおいて、ＶＩＧ窓ユニットは、可視透過率が少なくとも約５０％であってもよい。
本発明の特定の実施形態例において、実質上平行な第１基板及び第２基板と、第１基板と第２基板との間に設けられた複数のスペーサ及びシールと、第１基板と第２基板との間に位置して、大気圧より小さい圧力で、少なくともシールによって規定された空間と、既に配置された蒸発型ゲッター（ＥＧ）を受容する第１基板内に規定された第１ゲッター凹部、第１基板内に第１ゲッター凹部の少なくとも一部が第２基板内に第２ゲッター凹部の少なくとも一部と重なるように第１ゲッター凹部に実質上対向する位置に第２基板内に規定された第２ゲッター凹部とを含み、ＥＧから蒸発して蒸着されたゲッター物質は、第１ゲッター凹部及び第２ゲッター凹部に位置する真空断熱ガラス（ＶＩＧ）窓ユニットが提供される。
直前の段落のＶＩＧ窓ユニットにおいて、第２基板内に規定された第２ゲッター凹部は、第２基板の主要内表面より粗面化した表面（例えば、エッチング、サンドブラスト、粗面／多孔性コーティングなど）を含んでもよい。
直前の前記２つの段落のいずれかに記載のＶＩＧ窓ユニットにおいて、第１凹部及び／又は第２凹部の側壁は、少なくとも部分的に垂直方向に対して傾斜させてもよい。
直前の前記３つの段落のいずれかに記載のＶＩＧ窓ユニットにおいて、排気管は、第２基板に規定された第２凹部の真上及び／又は内に位置してもよい。
直前の前記４つの段落のいずれかに記載のＶＩＧ窓ユニットにおいて、蒸発して蒸着されたゲッター物質は、バリウムであるか又はバリウムを含んでもよい。
直前の前記５つの段落のいずれかに記載のＶＩＧ窓ユニットにおいて、第１基板及び第２基板は、焼戻し処理されたガラスを含んでもよい。
直前の前記６つの段落のいずれかに記載のＶＩＧ窓ユニットにおいて、第１基板内に規定された第１凹部は、深さが約１．５ｍｍ〜２．５ｍｍであってもよい。
直前の前記７つの段落のいずれかに記載のＶＩＧ窓ユニットにおいて、第２凹部は、深さが約１．５ｍｍ〜２．５ｍｍであってもよい。
本明細書では、特定の実施形態について説明及び開示してきたが、本明細書に記載の実施態様は、限定ではなく例示を目的とするものであり、また、当業者は、本明細書に添付する特許請求の範囲の真の趣旨及び全範囲を逸脱することなく様々な変更が可能であると考えることができることが分かるであろう。
Claims (27)
- ガラスを含む、実質上平行な第１基板及び第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた複数のスペーサ及びシールと、
前記第１基板と前記第２基板との間に位置して、大気圧未満の圧力であり、少なくとも前記シールによって規定された空間と、
既に配置されたゲッターを受容するために前記第１基板内に規定されたゲッター凹部と、
ゲッター活性化後に前記第２基板上に設けられたゲッター物質の表面領域が増加するように設計され、前記第１基板内のゲッター凹部に実質上対向して配置された前記第２基板上のゲッター構造体と、を含み、
前記第２基板上の前記ゲッター構造体は、（ｉ）前記第２基板内に規定された少なくとも１つの側壁及び底部を有する凹部、（ｉｉ）前記空間に対面する前記第２基板の主要内表面より粗い前記第２基板の粗面領域、及び（ｉｉｉ）粗面コーティング及び／又は多孔性コーティング、のうちの１つ以上を含む、
真空断熱ガラス（ＶＩＧ）窓ユニット。 - 前記第２基板上の前記ゲッター構造体は、前記第２基板内に規定された凹部を含み、前記凹部は、底部と少なくとも１つの側壁とを有し、前記底部と前記第２基板の主要内表面との間に延びている、
請求項１に記載のＶＩＧ窓ユニット。 - 前記第２基板内に規定された前記凹部は、前記第２基板の主要内表面より粗い粗面を含む、
請求項２に記載のＶＩＧ窓ユニット。 - 前記第２基板内に規定された前記凹部の前記側壁は、少なくとも部分的に垂直方向に対して傾斜している、
請求項２又は３に記載のＶＩＧ窓ユニット。 - 排気管が、前記第２基板内に規定された前記凹部の真上及び／又は前記凹部の中に配置されている、
請求項２〜４のいずれか一項に記載のＶＩＧ窓ユニット。 - 前記第２基板上の前記ゲッター構造体は、前記第１基板内に規定された前記ゲッター凹部に対向する位置にある、前記第２基板上の粗面コーティング及び／又は多孔性コーティングを含む、
請求項１〜６のいずれか一項に記載のＶＩＧ窓ユニット。 - 前記第２基板上の前記ゲッター構造体は、前記第１基板内に規定された前記ゲッター凹部に対向する位置にある、前記第２基板内に規定された凹部内の粗面及び／又は多孔性コーティングを含む、
請求項１に記載のＶＩＧ窓ユニット。 - 前記ゲッター物質は、バリウムを含む、
請求項１〜７のいずれか一項に記載のＶＩＧ窓ユニット。 - 前記ＶＩＧ窓ユニットは、可視透過率が少なくとも約５０％である、
請求項１〜８のいずれか一項に記載のＶＩＧ窓ユニット。 - 前記ゲッターは、ＥＧゲッター物質を含む、
請求項１〜９のいずれか一項に記載のＶＩＧ窓ユニット。 - ガラスを含む、実質上平行な第１基板及び第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた複数のスペーサ及びシールと、
前記第１基板と前記第２基板との間に位置して、大気圧未満の圧力であり、少なくとも前記シールによって規定された空間と、
前記第１基板内に規定されたゲッター凹部の中及び／又は近辺に位置する蒸発型ゲッターのゲッター物質と、を含み、
前記ゲッター凹部は、ゲッター物質の表面領域を増加させるための、少なくとも１つの粗面を含む、
真空断熱ガラス（ＶＩＧ）窓ユニット。 - 前記ゲッター凹部は、底面と、少なくとも部分的に垂直方向に対して傾斜している少なくとも１つの側壁を含む、
請求項１１に記載のＶＩＧ窓ユニット。 - 前記ゲッター凹部の側壁は、前記ゲッター凹部を規定する前記第１基板の主要内表面より粗い、
請求項１１又は１２に記載のＶＩＧ窓ユニット。 - 前記ゲッター凹部の前記粗面がエッチングされている、
請求項１１〜１３のいずれか一項に記載のＶＩＧ窓ユニット。 - 前記ゲッター凹部は、前記ゲッター凹部を前記第１基板の主要内表面に接続する、丸み付けされた及び／又は面取りされた上部を有する少なくとも１つの側壁を含む、
請求項１１〜１４のいずれか一項に記載のＶＩＧ窓ユニット。 - 前記ゲッター物質の少なくとも一部は、容器側壁を含み、前記ゲッター凹部内に設けられるゲッター容器内に配置される、
請求項１１〜１５のいずれか一項に記載のＶＩＧ窓ユニット。 - 前記ゲッター容器は、上から見たときに、前記容器側壁が存在しない、又は前記容器側壁が小さく見える少なくとも１つの開放側部及び／又は開放端部を含む、
請求項１６に記載のＶＩＧ窓ユニット。 - 前記ゲッター凹部の前記粗面は、粗面コーティングによって粗面化され、前記粗面コーティングは、前記第１基板の主要内表面より粗い、
請求項１１〜１７のいずれか一項に記載のＶＩＧ窓ユニット。 - ガラスを含む、実質上平行な第１基板及び第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられたスペーサのアレイ及びシールと、
前記第１基板と前記第２基板との間に位置して、大気圧未満の圧力であり、少なくとも前記シールによって規定された空間と、
少なくとも１つの基板内に規定されたゲッター凹部の中及び／又は近辺に位置する蒸発型ゲッターのゲッター物質と、を含み、
前記ゲッター凹部は、（ｉ）前記ゲッター物質と前記基板との間に位置するように設けられた少なくとも１つの粗面コーティング、及び（ｉｉ）前記基板の主要内表面より粗い粗面側壁、のうちの１つ以上を含む、
真空断熱ガラス（ＶＩＧ）窓ユニット。 - 前記ゲッター物質は、バリウムを含む、
請求項１９に記載のＶＩＧ窓ユニット。 - 実質上平行な第１基板及び第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた複数のスペーサ及びシールと、
前記第１基板と前記第２基板との間に位置して、大気圧より小さい圧力であり、少なくとも前記シールによって規定された空間と、
既に配置された蒸発型ゲッター（ＥＧ）を受容するための、前記第１基板内に規定された第１ゲッター凹部と、
前記第１基板内の前記第１ゲッター凹部の少なくとも一部が前記第２基板内の第２ゲッター凹部の少なくとも一部と重なるように前記第１ゲッター凹部に実質上対向する位置で前記第２基板内に規定された第２ゲッター凹部と、を含み、
前記ＥＧから蒸発して蒸着されたゲッター物質は、前記第１ゲッター凹部及び前記第２ゲッター凹部に位置する、
真空断熱ガラス（ＶＩＧ）窓ユニット。 - 前記第２基板内に規定された前記第２ゲッター凹部は、前記第２基板の主要内表面より粗い粗面を含む、
請求項２１に記載のＶＩＧ窓ユニット。 - 前記第１ゲッター凹部及び／又は前記第２ゲッター凹部の側壁は、少なくとも部分的に垂直方向に対して傾斜している、
請求項２１又は２２に記載のＶＩＧ窓ユニット。 - 排気管が、前記第２基板内に規定された前記第２ゲッター凹部の真上及び／又は前記第２ゲッター凹部の中に位置する、
請求項２１〜２３のいずれか一項に記載のＶＩＧ窓ユニット。 - 蒸発して蒸着された前記ゲッター物質は、バリウムを含む、
請求項２１〜２４のいずれか一項に記載のＶＩＧ窓ユニット。 - 前記第１基板と前記第２基板は、焼戻し処理されたガラスを含む、
請求項２１〜２５のいずれか一項に記載の真空断熱ガラス（ＶＩＧ）窓ユニット。 - 前記第１ゲッター凹部と前記第２ゲッター凹部のうち少なくとも１つは、深さが約１．５ｍｍ〜２．５ｍｍである、
請求項２１〜２６のいずれか一項に記載の真空断熱ガラス（ＶＩＧ）窓ユニット。
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