態様及び実施形態は、反射防止コーティングによって誘起されるウエハー反りを低減する方法を提供することに向けられる。特に、態様及び実施形態は、キャップウエハーにおけるウエハー反りを低減することに向けられる。
上述のように、マイクロボロメータを含め、MEMSデバイスはしばしば、当該デバイスに隔離環境を提供するよう、真空パッケージ内に配置される。例えば、キャップウエハーがROICデバイスウエハーに接合されて、センサデバイス(例えば、1つ以上のマイクロボロメータ)を包囲することで、センサデバイスを取り囲む保護され且つ封止された環境を提供し得る。キャップウエハーの製造は、反射防止(AR)コーティングでキャップウエハーの表面を覆うことを含み得る。特定の用途において、ARコーティングは、キャップウエハーの両面に含められ得る。更に後述するように、ARコーティングはウエハーの両面で異なる寸法にされることがあり、それがキャップウエハーに内部応力を誘起し得る。内部応力はキャップウエハーを屈曲あるいは湾曲させるが、これは処理上の複数の懸念につながる。従って、態様及び実施形態は、更に詳細に後述するように、ARコーティングを選択的に塗布することによって、キャップウエハーの反りを低減あるいは排除することに向けられる。センサ素子を有した、完全にパッケージングされたMEMSデバイスを図1に例示する。ここで使用されるとき、用語“微小電気機械システム”及び“MEMS”は、相互に交換可能に使用されるとともに、多様なMEMSデバイスのうちの何れのデバイスをも意味し得る。以下の説明において、用語“MEMSデバイス”は、電気機械デバイスを意味する総括的な用語として使用され、別段の具体的な断りのない限り、何らかの特定のスケールの電気機械デバイスを意味することを意図するものではない。少なくとも1つの実施形態において、MEMSデバイスは非冷却赤外線マイクロボロメータFPAである。
図1を参照するに、ROICウエハー120上に形成された画素アレイ110を含んだ例えばFPAなどのMEMSデバイスの一例が示されている。性能に関する目的で、デバイスは、信頼性ある気密封止及び一体化された赤外線(IR)窓(ウィンドウ)構造130を含む真空内にパッケージングされる必要があり得る。窓130は、赤外線放射に対して透過性であるキャップウエハー140の少なくとも一部を含み得る。MEMSベースのマイクロボロメータでは、このパッケージングはウエハーレベルで実行され得る。そのようなデバイスの製造プロセスの一例において、センサ素子の覆いとなるキャップウエハー140は半導体ウエハーから形成される。ROICウエハー120へのキャップウエハー140の固定は、ROICウエハー120上にセンサ素子(例えば、画素アレイ110)が形成された後に実行され得る。キャップがウエハーに固定された後に、個々のデバイスを作り出すよう、ダイシングプロセスが実行され得る。図1は、そのような個々のデバイスの一例を示している。
図1に示すように、キャップウエハー140は、反射防止(AR)コーティング150で被覆され得る。窓領域は、キャップウエハー140内にエッチングされた凹部(リセス)160から形成されるとともに、キャップウエハー140のうちのARコーティング150で覆われた領域と一致している。キャップウエハー140の凹部領域160は、画素アレイ110を覆うように位置付けられるとともに、包囲された封止環境を作り出すよう、例えばはんだボンド170を用いて、ROICウエハー120に接合されている。
ここで使用されるとき、用語“蓋ウエハー”及び“キャップウエハー”は、相互に交換可能に使用されるとともに、例えばMEMSデバイスなどの1つ以上のデバイスを有するデバイスウエハーとともに使用されるのに好適な、少なくとも1つの凹部を有するウエハーを意味する。ここで使用されるとき、用語“凹部”は、実際にはウエハーを貫いて延在していないウエハー材料内の孔(キャビティ)として記述されることが可能な構造を意味する。一部の例において、キャップウエハー140は、画素アレイ110を覆う凹部160内に気密封止された環境を形成するように、デバイスウエハー120に取り付けられる。凹部領域160は、光透過材料の1つ以上の層を含み得る。そのような一構成において、キャップウエハー140は、画素アレイ110の上方に光透過窓130を提供する。
光透過窓130は、電磁スペクトルの1つ以上の波長のエネルギーが当該窓を通過することを可能にする光透過材料から構築され、あるいはそれでコーティングされ得る。例えば、その材料は、可視スペクトル、IRスペクトル、又はこれら双方で光を透過する。可視スペクトル及びIRスペクトルの双方で光を透過する非シリコンベースの材料の例は、以下に限られないが、セレン化亜鉛、硫化亜鉛、サファイア材料などを含む。このような材料は、IRスペクトル放射及び可視スペクトル放射の双方を検出することが可能なマルチバンド集積FPAデバイスをパッケージングあるいは真空パッケージングするキャップウエハー材料として、開示のシステム及び方法の実施に際して使用され得る。
上述のように、キャップウエハー140の少なくとも一部は、ARコーティング150によってコーティングされ得る。ARコーティングは、当該コーティング内の干渉効果が、当該ARコーティングの頂面から反射された波を、下地の半導体表面から反射された波と位相不一致にさせる、ように選定された厚さを有する誘電体材料の薄層を含み得る。位相がずれたこれらの反射波は、互いに相殺的に干渉し、実質的にゼロのネット(正味)反射エネルギーをもたらす。ARコーティング150は、ここに開示される方法及びシステムに記載される反射防止機能を実行する目的に適した如何なる材料ともし得る。例えば、ARコーティングはゲルマニウム又はZnSを有し得る。特定の実施形態において、ARコーティング150は、IR透過材料とし得る。ARコーティング150の厚さは、具体的な用途で所望される波長及び帯域に依存し得る。例えば、ARコーティング150の厚さは、誘電体材料内での波長が、入射波の波長の1/4であるように選定され得る。用途に応じて、ARコーティング150の厚さは、数百オングストロームから数千オングストロームまでの範囲となり得る。特定の実施形態において、ARコーティングは、複数の別個の層として堆積されてもよく、各層を厚さにおいて数百オングストロームから数千オングストロームまでの範囲とし得る。
図2Aは、平面側210と、反対側のキャビティ側220とを有する未コーティングのキャップウエハー140の一例を示している。図2に示すように、キャビティ側220は、1つ以上の凹部160を含んでいる。多くの用途において、キャビティ側220の凹部160とキャップウエハー140の平面側210とを、AR材料からなる薄膜を含む1つ以上の薄膜でコーティングすることが望ましい。薄膜内の応力は、熱膨張の差(熱応力)、又は堆積された膜の微細構造(固有応力)から生じ得る。ここで使用されるとき、薄膜を参照して使用されるときの用語“内部応力”は、熱応力、固有応力、引張応力、及び圧縮応力のうちの何れかの応力をも意味し得る。熱応力は、膜の堆積が通常は室温より高くで行われるために発生し得る。堆積温度から室温へと冷却されると、基板と膜との熱膨張係数の差が熱応力を引き起こす。固有応力は、原子が基板上に堆積されるときに膜内に作り出される微細構造に起因する。引張応力は、ボイドを横切っての原子の引力相互作用による薄膜内の微小空洞(マイクロボイド)に起因する。膜がフィットするように“伸張”されているため、膜は、基板よりも、“小さく”なることを欲する。圧縮応力は、堆積中に膜に重イオン又はエネルギー粒子が突き当たるときに生じる。その衝撃は、ハンマーで膜を叩くようなものであり、いっそう密に原子を詰め込むことになる。膜がフィットするように“圧縮”されているため、膜は、基板よりも、“大きく”なることを欲する。
図2Bは、伝統的なコーティング方法を用いて例えばARコーティング150などの薄膜で、キャビティ側及び平面側をコーティングされたキャップウエハー140の一例を示している。図2Bに示すように、平面側は、連続したAR材料のコーティング150aを含んでおり、キャビティ側は、凹部160の中にのみ材料のコーティングを含んでいる。この構成は、ARコーティング内に内部応力が不均衡になることをもたらし、図2Bに示すように、この不均衡がウエハーを屈曲させる。
特定の例において、ARコーティング150の内部応力は、約60ミクロンから100ミクロン超までの反りを誘起し得る。反りは、複数の処理工程を妨げ得る。例えば、反りは、キャビティ側のARコーティングの不均一な研磨除去(研磨除去プロセスが使用される場合)を生じさせ、キャップウエハーとデバイスウエハーとの間の適切なアライメントを妨げ、ヒータチャック又はその他の関連構造との完全な熱接触を阻止し、また、ウエハーレベルでの接合プロセスを妨げ得る。
少なくとも1つの実施形態によれば、ARコーティングによって誘起されるウエハー反りの問題は、図2Cに示すように、キャップウエハーの平面側210に不連続なARコーティングを設けることによって解決され得る。図示した例において、平面側210のコーティング230は不連続、すなわち、分割(セグメント化)されている。キャップウエハー140のキャビティ側220では、凹部160内にコーティング240が配設されている。キャップウエハー140のキャビティ側220は、コーティングされていない分離領域270によって互いに分離された凹部領域160を含んでいる。平面側210でのコーティング230の分割は、コーティングの内部応力を軽減し、そしてひいては、ウエハー反りを低減あるいは排除する。不連続コーティング230は、例えば、コーティング材料の1つ以上の層によって画成される領域が、コーティング材料によって覆われない領域によって互いに分離された、パターンを形成し得る。一実施形態において、不連続なコーティング230のパターンは、キャップウエハーの双方の側のコーティングの部分が互いに覆い合うように、キャップウエハー140のキャビティ側220の凹部についてのパターンに対応する。図2Cはこれを例示している。上述のように、コーティング230及び240の少なくとも一方はARコーティングとし得る。図2Cは、キャップウエハー140の双方の側にコーティング230及び240を示しているが、理解されるべきことには、他の実施形態において、不連続なコーティング230は、キャビティ側220のコーティングなしに、キャップウエハーの平面側210に形成されてもよい。
少なくとも1つの実施形態において、キャップウエハー140のウエハー反りを低減する方法は、シャドーマスクを用いて不連続なコーティング230を堆積することを含む。図3を参照するに、少なくとも1つの実施形態において、この方法は、キャップウエハーの平面側の上にシャドーマスクを位置付けることを有する(ステップ310)。シャドーマスクは、少なくとも1つの開口を有することができ、該少なくとも1つの開口がキャップウエハー140のキャビティ側220の少なくとも1つの凹部領域の反対側に位置するようにアライメントされ得る。この方法は更に、シャドーマスクを介してキャップウエハー140の平面側210上に少なくとも一層のコーティング材料を堆積することを有し得る(ステップ320)。上述のように、特定の例において、コーティング材料はARコーティング材料である。シャドーマスクを介したこの堆積は、図2Cに示されるように、キャップウエハー140の平面側210に不連続なコーティング230を作り出す。不連続なコーティング230の結果として、キャップウエハーの平面側210は、露出領域260(コーティング材料によって覆われる)と、コーティング材料が堆積されないマスク領域250とを含む。上述のように、特定の実施形態において、平面側210の露出領域260は、キャビティ側220の凹部領域160に対応し、あるいは少なくとも部分的に凹部領域160と揃えられる。従って、平面側210のマスク領域250は、少なくとも部分的にキャビティ側220の分離領域270と揃えられ得る。
ここで使用されるとき、用語“シャドーマスク”は、1つ以上の基板の所望の特定領域への暴露を可能にする所定パターンの1つ以上の穴を有する平面材料を意味する。特定の実施形態において、シャドーマスクは、複数の穴又は開口部を有する薄い金属板とし得る。複数の穴は、如何なる形状又はサイズともし得る。例えば、穴は、各辺が約1cmの長さの正方形の形状とし得る。正方形の穴同士の間の間隔は、約1mmから約5mmとし得る。シャドーマスクを構築するのに使用される材料は、ここに開示される方法に記載されるマスク機能を実行する目的に適した如何なる材料ともし得る。例えば、シャドーマスクは、ステンレス鋼から、あるいは例えばコバール(ペンシルベニア州ワイオミッシングにあるカーペンターテクノロジー社の登録商標)などの、ステンレス鋼のファミリーのうちのその他の材料から構築され得る。特定の実施形態において、シャドーマスクは、格子状のワイヤから構築されてもよい。シャドーマスクは、約0.1mmから約1.0mmの厚さとし得る。シャドーマスクは、基板の表面に接して置かれ、あるいは、基板の表面から所定の距離に支持して位置付けられ得る。
少なくとも1つの実施形態によれば、シャドーマスクの開口は、キャップウエハー140の凹部領域160のかなり外側まで延在する寸法にされ得る。従って、不連続なコーティング230によって覆われることになるキャップウエハーの平面側210の露出領域260は、図2Cに示されるように、分離領域270と少なくとも部分的に重なり合う。斯くして、不連続なコーティング230に対応する露出領域260は、キャップウエハー140の平面側210の全域にわたって、コーティング230の“間隙”280に対応するマスク領域250によって互いに離隔された繰り返しパターンを形成する。一実施形態によれば、間隙280は、ウエハーのソーストリート(切断路)(ウエハーは、これに沿って、例えば図1に示したもののような個々のデバイスを生み出すように切断あるいは“ダイシング”され得る)に対応し得る。
図4を参照するに、個別の正方形によって表された複数のデバイス400を含むウエハー40の一例が示されている。複数のデバイス400は、ウエハー40の表面の全域にわたる繰り返しパターンを形成することができ、ソーストリート401によって互いに離隔され得る。ダイシングプロセスにおいて、ソーストリート401は、ウエハーが個々のデバイスへと切断される箇所を規定する。典型的に、ソーストリート401は、デバイス400を損傷することなくウエハー40の安全な切断を可能にするのに十分に幅にされる。ウエハー40が上述のキャップウエハー140である例において、個々のデバイスは凹部160に対応し得る。上述のように、ソーストリートは、少なくとも部分的に、キャップウエハーの不連続なコーティング230の間隙280及び分離領域270に対応し得る。
少なくとも1つの実施形態において、少なくとも1つの凹部領域に対応する不連続なコーティングは、コーティングによって誘起されるウエハー反りが、直径8インチのキャップウエハーで30ミクロン未満であるように、寸法決めされて構成される。更なる一実施形態によれば、ウエハー反りは20ミクロン未満とし得る。
再び図3を参照するに、特定の実施形態において、この方法は更に、やはり図2Cに示して上述したように、キャップウエハー140のキャビティ側220の凹部領域内に例えばARコーティングなどのコーティング材料を堆積するステップ330を有し得る。一部の例において、堆積ステップ330も、シャドーマスクを用いて遂行されることができ、このシャドーマスクは、凹部160に揃えられた開口を有し、キャビティ側220の上に位置付けられる。これは、この図のステップ325に例示されている。他の例において、堆積ステップ330は、シャドーマスクを用いずに行われてもよい。キャビティ側のコーティングされた表面が、その後、AR材料が凹部領域160内のみに存在するように研磨除去(ここでは、ポリッシュオフと称する)され得る。特定の実施形態において、キャップウエハー140の平面側210の不連続なコーティング230は、コーティングによって誘起されそうなウエハー反りが、キャビティ側220のコーティング240によって誘起されそうなウエハー反りによって反作用されるように、寸法決めされて構成される。結果として、誘起される全体の正味のウエハー反りが実質的にゼロになることもある。
この開示の恩恵を受けた当業者によって理解されるように、上述の方法は、最初にキャップウエハー140の平面側210が不連続なコーティング230でコーティングされることを示しているが、他の実施形態においては、平面側210に不連続なコーティング230が塗布される前にキャビティ側220にコーティング240が塗布され得る。これらに代えて、キャップウエハー140のキャビティ側220及び平面側210の双方が同時にコーティングされてもよい。
特定の態様において、この方法は更に、デバイスウエハーを用意することを有し得る(ステップ340)。様々な態様において、この方法は、少なくとも1つのMEMSデバイスが上に形成されるデバイスウエハーを用意することを有し得る。MEMSデバイスは、上述のように設けられ得る。キャップウエハーのキャビティ側が上記少なくとも1つのMEMSデバイスに面し、且つ凹部領域が上記少なくとも1つのMEMSデバイスの上に位置するように、キャップウエハーが、デバイスウエハーの上に位置付けられて、それとアライメントされ得る(ステップ350)。そして、キャップウエハーがデバイスウエハーに接合(ボンディング)されて、例えば図1に示した画素アレイ110などのデバイスを包囲する空洞(キャビティ)が実現され得る(ステップ360)。ボンディングは、ここに開示される方法の目的に適した、当業者によって認識される方法のうちの何れの方法によって実行されてもよい。
上述のように、図1は、例えばFPAなどのMEMSデバイスが、ROICウエハー120上に形成され、且つROICウエハーの表面に接合されるキャップウエハー140でカバーされるものを例示している。図1に示して上述したように、一実施形態において、キャップウエハー140のキャビティ側の凹部領域160、及びキャップウエハーの平面側のシャドーマスク処理ステップからの露出領域は、各々、ARコーティングを含んでいる。少なくとも1つの例において、キャップウエハーの平面側のARコーティングの寸法は、キャップウエハーのキャビティ側の凹部領域、及びROICウエハー上のMEMSデバイスの画素アレイの何れにも一致する。
図5を参照するに、一部の実施形態において、キャップウエハー140をデバイスウエハー120に接合することは、接合構造510を作り出す。特定の実施形態において、接合構造510はボンドラインとし得る。少なくとも1つの実施形態によれば、キャップウエハー140の平面側の不連続なコーティング230によって提供される間隙280を通して、接合構造510が検査され得る。様々な実施形態において、接合構造510は光学的に検査され得る。光学検査はデジタルカメラによって行われてもよい。少なくとも1つの実施形態において、この検査は、電荷結合デバイス(CCD)を用いて実行され得る。他の一実施形態において、検査は、近赤外(NIR)顕微鏡検査を用いて実行され得る。更なる実施形態において、接合構造510は、その場(インサイチュ)プロセスステップとして光学的に検査され得る。
少なくとも1つの実施形態の幾つかの態様を上述したが、理解されるように、当業者は様々な改変、変更及び改良に容易に想到し得るであろう。そのような改変、変更及び改良は、この開示の一部であって、本発明の範囲内にあることが意図される。理解されるように、ここに記載された方法及び装置の実施形態は適用において、以上の説明に記載され、あるいは添付の図面に示された、構造の細部及びコンポーネントの構成に限定されるものではない。これらの方法及び装置は、他の実施形態での実装が可能であり、様々なように実施あるいは実行されることができる。ここでは、限定の意図なく、単に例示の目的で、具体的な実装例を提示している。また、ここで使用されている表現及び用語は、説明のためのものであり、限定と見なされるべきではない。“含む”、“有する”、“持つ”、“含有する”、“伴う”、及びこれらの変形の、ここでの使用は、その後に列挙されるアイテム、それらに均等なもの、及び更なるアイテムを包含することを意図したものである。“又は”への言及は、“又は”を用いて記載される言い回しが、記載される用語群のうちの1つ、2つ以上、及び全て、の何れをも指し示し得るという両立的なものとして解釈され得る。従って、以上の説明及び図面は単なる例であり、本発明の範囲は、添付の請求項の適正解釈及びその均等範囲から決定されるべきである。