JP2015513672A - センサおよびセンサの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 22
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 13
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 83
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 12
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 238000003306 harvesting Methods 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000015847 Hesperis matronalis Nutrition 0.000 description 1
- 240000004533 Hesperis matronalis Species 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/096—Magnetoresistive devices anisotropic magnetoresistance sensors
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/0052—Manufacturing aspects; Manufacturing of single devices, i.e. of semiconductor magnetic sensor chips
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Abstract
Description
基板と、
複数の短絡バーと、
基板および複数の短絡バーにわたって形成され、短絡バーと当接し、電気的に接触している、少なくとも1つの磁気抵抗素子と、
を備える、磁気抵抗センサが提供される。
基板と、
回路素子を相互接続するための複数の伝導トラックを形成するようにパターニングされる、金属層と、
薄膜素子と、
金属層と薄膜素子との間の絶縁層と、
を備える、集積回路が提供され、
薄膜素子と伝導トラックのうちの選択されたものとの間の接続は、薄膜素子を他の回路コンポーネントに接続するために、絶縁層を通って延在する金属インターコネクタを介して行われ、薄膜素子は、金属インターコネクタにわたって位置付けられる。
Claims (32)
- 磁気抵抗センサであって、
基板と、
複数の短絡バーと、
前記基板および前記複数の短絡バーにわたって形成される、少なくとも1つの磁気抵抗素子であって、前記短絡バーと当接し、電気的に接触している、前記少なくとも1つの磁気抵抗素子と、
を備える、磁気抵抗センサ。 - 前記短絡バーは、前記少なくとも1つの磁気抵抗素子の磁化容易軸に対して角度がある、請求項1に記載のセンサ。
- 前記複数の短絡バーは、前記基板にわたって形成される、絶縁層に差し込まれる、請求項1に記載のセンサ。
- 前記磁気抵抗素子より上に形成される、絶縁層をさらに備える、請求項1に記載のセンサ。
- 前記短絡バーは、タングステンを含む、請求項1に記載のセンサ。
- 前記磁気抵抗層は、パーマロイを含む、請求項1に記載のセンサ。
- 前記少なくとも1つの磁気抵抗素子と少なくとも1つの他の回路素子とを相互接続するように構成される、接続層中の複数の伝導トラックをさらに備え、前記接続層は、前記基板と前記少なくとも1つの磁気抵抗素子との間に配置され、前記短絡バーが前記伝導トラックと直接、電気的に接触することを防止するために、前記短絡バーに隣接して配置される、絶縁体をさらに備える、請求項1に記載のセンサ。
- 前記少なくとも1つの磁気抵抗センサを、前記伝導トラックのうちの選択されたものに接続するためのビアをさらに備え、前記ビアは、タングステンを含み、前記絶縁体を通って延在する、請求項7に記載のセンサ。
- 請求項1に記載のセンサを備える、半導体集積回路。
- センサの製造方法であって、第1の加工施設において、基板上に前記センサの1つ以上のコンポーネントを形成することと、第2の加工施設において、前記基板上に、または前記1つ以上のコンポーネントにわたって、センサ素子を蒸着することと、を含む、方法。
- 前記第1の加工施設において、第1の誘電体層または前記基板の表面に差し込まれる、複数の短絡バーを形成することと、
第2の半導体加工施設において、
前記複数の短絡バーおよび前記第1の誘電体層または前記基板にわたって、センサ素子を蒸着することと、
を含む、請求項10に記載の方法。 - 前記第1の加工施設において、前記センサ素子と前記基板上に形成される電子回路との間で、または外部接点に、電気的に接触するために、第1および第2の導体を形成することをさらに含む、請求項10に記載の方法。
- 前記センサは、第1の誘電体層と第2の誘電体層とを備え、前記方法は、
前記第2の誘電体層を蒸着することと、
前記第2の誘電体層にわたって、第1の導電層を蒸着することと、
前記第1および第2の導体を形成するために、前記第1の導電層をエッチングすることと、
前記第1の誘電体層を蒸着し、前記センサ素子と接触するための前記第1および第2の導体の選択された部分を曝露するために、前記第1の誘電体層をエッチングすることと、
をさらに含む、
請求項10に記載の方法。 - フリップコイル導電層を蒸着することと、
フリップコイルを形成するために、前記フリップコイル導電層の少なくとも一部を除去することと、
前記フリップコイルにわたって、前記第2の誘電体層を蒸着することと、
をさらに含む、請求項10に記載の方法。 - 前記基板は、シリコンを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記第1の誘電体層および前記第2の誘電体層のうちの少なくとも1つは、二酸化ケイ素または窒化ケイ素を含む、請求項13に記載の方法。
- 前記センサ素子は、パーマロイを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記複数の短絡バーは、タングステンを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記短絡バーを形成することは、前記基板または前記第1の誘電体層のうちの少なくとも1つに、複数の陥凹を形成することと、前記陥凹中にタングステンを蒸着することと、を含む、請求項11に記載の方法。
- 前記基板または前記第1の誘電体層の表面上からタングステンを除去するために、化学機械研磨(CMP)およびエッチバックプロセスのうちの少なくとも1つを実施することをさらに含む、請求項19に記載の方法。
- 前記第1の加工施設において、前記半導体ウエハ上に少なくとも1つの集積回路を加工することをさらに含む、請求項10に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの集積回路のうちの1つ以上は、前記センサ層によって形成される感知素子からの信号を処理するように配設される、請求項21に記載の方法。
- 集積回路であって、
基板と、
回路素子を相互接続するための複数の伝導トラックを形成するためにパターニングされる、金属層と、
薄膜素子と、
前記金属層と前記薄膜素子との間の絶縁層と、
を備え、前記薄膜素子と前記伝導トラックのうちの選択されたものとの間の接続は、前記薄膜素子を他の回路コンポーネントに接続するために、前記絶縁層を通って延在する金属インターコネクタによって行われ、前記薄膜素子は、前記金属インターコネクタにわたって位置付けられる、
集積回路。 - 前記薄膜素子は、磁気抵抗特性を有する、請求項23に記載の集積回路。
- 前記薄膜素子と直接電気接触およびタッチ接触して形成される、短絡バーをさらに備える、請求項24に記載の集積回路。
- 前記短絡バーは、前記短絡バーが前記金属層中の前記複数の導体と物理的に接触しないように、前記絶縁層および前記薄膜素子によって包囲される、請求項25に記載の集積回路。
- 前記薄膜素子は、薄膜抵抗器である、請求項23に記載の集積回路。
- 前記薄膜素子は、少なくとも2つの材料が熱電対を形成するように、異なるゼーベック係数を有する前記少なくとも2つの材料から形成される、請求項23に記載の集積回路。
- 前記少なくとも2つの材料のうちの少なくとも1つは、テルル化ビスマスを含む、請求項28に記載の集積回路。
- 前記熱電対は、バッファ、増幅器、または信号処理回路のうちの少なくとも1つに接続される、請求項28に記載の集積回路。
- 薄膜センサ層を有するセンサの製造方法であって、第1の加工施設において、前記センサ層を除いて、基板上に前記センサの1つ以上のコンポーネントを形成することを含む、方法。
- センサの製造方法であって、第2の加工施設において、基板上で、センサ層を除く前記センサの1つ以上のコンポーネントからなるセンサを受容することと、前記第2の加工施設において、前記1つ以上のコンポーネントにわたってセンサ層を蒸着することと、を含む、方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/420,389 US9817087B2 (en) | 2012-03-14 | 2012-03-14 | Sensor with magnetroesitive and/or thin film element abutting shorting bars and a method of manufacture thereof |
US13/420,389 | 2012-03-14 | ||
PCT/US2013/027642 WO2013138058A1 (en) | 2012-03-14 | 2013-02-25 | A sensor and a method of manufacture of a sensor |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017001605A Division JP2017102123A (ja) | 2012-03-14 | 2017-01-10 | センサおよびセンサの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015513672A true JP2015513672A (ja) | 2015-05-14 |
JP6076379B2 JP6076379B2 (ja) | 2017-02-08 |
Family
ID=49157033
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014558926A Active JP6076379B2 (ja) | 2012-03-14 | 2013-02-25 | センサおよびセンサの製造方法 |
JP2017001605A Pending JP2017102123A (ja) | 2012-03-14 | 2017-01-10 | センサおよびセンサの製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017001605A Pending JP2017102123A (ja) | 2012-03-14 | 2017-01-10 | センサおよびセンサの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9817087B2 (ja) |
EP (1) | EP2825896B1 (ja) |
JP (2) | JP6076379B2 (ja) |
TW (1) | TWI593095B (ja) |
WO (1) | WO2013138058A1 (ja) |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9817078B2 (en) | 2012-05-10 | 2017-11-14 | Allegro Microsystems Llc | Methods and apparatus for magnetic sensor having integrated coil |
US9104922B2 (en) * | 2012-06-15 | 2015-08-11 | Honeywell International Inc. | Anisotropic magneto-resistance (AMR) gradiometer/magnetometer to read a magnetic track |
JP6052732B2 (ja) * | 2012-11-22 | 2016-12-27 | 公立大学法人大阪市立大学 | 磁気抵抗効果素子 |
US9244134B2 (en) * | 2013-01-15 | 2016-01-26 | Infineon Technologies Ag | XMR-sensor and method for manufacturing the XMR-sensor |
US10725100B2 (en) | 2013-03-15 | 2020-07-28 | Allegro Microsystems, Llc | Methods and apparatus for magnetic sensor having an externally accessible coil |
US9134385B2 (en) * | 2013-05-09 | 2015-09-15 | Honeywell International Inc. | Magnetic-field sensing device |
US10495699B2 (en) | 2013-07-19 | 2019-12-03 | Allegro Microsystems, Llc | Methods and apparatus for magnetic sensor having an integrated coil or magnet to detect a non-ferromagnetic target |
US8885302B1 (en) * | 2013-10-01 | 2014-11-11 | Allegro Microsystems, Llc | Anisotropic magnetoresistive (AMR) sensors and techniques for fabricating same |
US9013838B1 (en) | 2013-10-01 | 2015-04-21 | Allegro Microsystems, Llc | Anisotropic magnetoresistive (AMR) sensors and techniques for fabricating same |
TWI573301B (zh) * | 2014-05-22 | 2017-03-01 | 宇能電科技股份有限公司 | 異向性磁阻元件及其製造方法 |
US9823092B2 (en) | 2014-10-31 | 2017-11-21 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor providing a movement detector |
KR20160122885A (ko) * | 2015-04-14 | 2016-10-25 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자장치 |
US10145906B2 (en) | 2015-12-17 | 2018-12-04 | Analog Devices Global | Devices, systems and methods including magnetic structures |
US10276787B2 (en) | 2016-02-11 | 2019-04-30 | Texas Instruments Incorporated | Integrated anisotropic magnetoresistive device |
US10012518B2 (en) | 2016-06-08 | 2018-07-03 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor for sensing a proximity of an object |
US20180180687A1 (en) * | 2016-12-23 | 2018-06-28 | Caterpillar Inc. | Adjustable coil for magnetic particle inspection |
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TW201338149A (zh) | 2013-09-16 |
EP2825896B1 (en) | 2022-08-31 |
TWI593095B (zh) | 2017-07-21 |
WO2013138058A1 (en) | 2013-09-19 |
JP2017102123A (ja) | 2017-06-08 |
US9817087B2 (en) | 2017-11-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150812 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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