JP2015169539A - Tmr磁気センサ、及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
基板の第1の面に絶縁膜を介して形成されたTMRセンサ素子と、
前記基板に電気的に接続され、前記基板の前記第1の面に形成された導電体と、
前記TMRセンサ素子と前記導電体の表面を包囲するパッシベーション膜と、
を有し、
前記導電体の少なくとも一部分は、前記パッシベーション膜に形成された開口部に接している、
ことを特徴とする。
前記導電体は、前記TMRセンサ素子を形成するTMR膜の成膜以前に作製される、
ことを特徴とする。
前記TMRセンサ素子を形成すべきTMR膜を形成する工程と、
前記TMR膜をエッチングにより所望の形状に加工して前記TMRセンサ素子を形成すると同時に、下部電極と前記導電体を形成する工程と、
前記パッシベーション膜に、前記導電体の少なくとも一部分に対応して前記開口部を形成する工程と、
を有することを特徴とする。
前記TMRセンサ素子を形成すべきTMR膜を形成する工程と、
前記TMR膜をエッチングにより所望の形状に加工して前記TMRセンサ素子を形成すると同時に、前記導電体に電気的に接続されたTMRダミー素子と、前記TMRセンサ素子と前記TMRダミー素子とを電気的に接続する接続部を形成する工程と、
前記接続部を切断して前記TMRセンサ素子と前記導電体を分離する工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1はこの発明の実施の形態1によるTMR磁気センサの断面図、図2はこの発明の実施の形態1によるTMR磁気センサの説明図であって、TMR磁気センサ100の上面図を模式的に示しており、図1の断面図と対応するものではない。図1及び図2に於いて、TMR磁気センサ100は、Si(シリコン)基板201と、Si基板201のTMRセンサ素子形成領域Xに対応した表面に形成されたSi酸化膜202と、Si酸化膜202の表面に形成された下部電極層3031と、Si基板201の表面に形成された導電体303と、導電たい303の一部に形成された開口部208と、層間絶縁膜205と、TMRセンサ素子304にオ―ミックコンタクトする一対の金属配線層306と、パッシベーション膜207とにより構成されている。
次に、この発明の実施の形態2によるTMR磁気センサ、及びその製造方法について説明する。図4Aから図4Eは、この発明の実施の形態2によるTMR磁気センサの製造方法に於ける、第1から第5の工程を示す説明図である。
Ion Etching)装置等のエッチング装置を用いて形成するとき、このエッチング装置に於けるオーバーエッチングにより下部電極層203の膜厚が減少したとしても、下部電極層203が電極としての機能を十分備える膜厚として残るようなエッチング時間を意味している。
図5は、この発明の実施の形態3によるTMR磁気センサの断面図である。図5に於いて、導電体303下部のSi基板201に、予めイオン注入装置等を用いて高濃度に不純物を注入して、低い電気抵抗率となるドーピング領域501を形成する。その後、前記実施の形態1と同様の工程を経て、Si基板201とTMRセンサ素子304とSi基板中のドーピング領域501とドーピング領域501の上の導電体303を備えたTMR磁気センサが完成する。
図示していないが、この発明の実施の形態4によるTMR磁気センサは、実施の形態2に於けるTMR磁気センサの金属膜401をドーピング領域501の上に形成するようにしたものである。その他の構成は、前述の実施の形体3のTMR磁気センサと同様である。
図6は、この発明の実施の形態5によるTMR磁気センサの断面図である。図6に於いて、Si基板201の裏面に、PVD(Physical Vapor Deposition)装置を用いて、例えばAu等の導電膜601を形成する。その後、前述の実施の形態1及び2と同様の工程により、Si基板201とTMRセンサ素子304と導電体303とSi基板裏面の導電膜601を備えたTMR磁気センサが完成する。
図7は、この発明の実施の形態6によるTMR磁気センサの断面図である。図7に示す実施の形態6によるTMR磁気センサは、実施の形態1によるTMR磁気センサに於ける図3Gの工程の後に、PVD(Physical Vapor Deposition)装置を用いて、例えばAlSiCu等の非磁性金属膜701を所望の膜厚まで堆積することで、非磁性金属膜701が導電体303を通じてSi基板201と同電位となる。尚、非磁性金属膜層701の材料については、電気的な抵抗値が低く、導電体303とオーミックコンタクトが得られる
材料であれば、特にAlSiCu膜に限定されるものではない。
図8Aは、この発明の実施の形態7によるTMR磁気センサの製造方法に於ける、第1の工程の説明図、図8Bは、この発明の実施の形態7によるTMR磁気センサの製造方法に於ける、第2の工程の説明図、図8Cは、この発明の実施の形態7によるTMR磁気センサの製造方法に於ける、第3の工程の説明図である。以下順を追って実施の形態7によるTMR磁気センサの製造方法を説明する。なお、図8Aから図8Cは、実施の形態1に於ける製造方法の工程を抜粋して上面図に置き換えた図である。以下に説明するこの実施の形態7は、その特有の構造と、それに起因する効果についてのみ記載し、その他は、実施の形態1と同様であるため詳細な説明は省略する。
(1)基板の第1の面に絶縁膜を介して形成されたTMRセンサ素子と、前記基板に電気的に接続され、前記基板の前記第1の面に形成された導電体と、前記TMRセンサ素子と前記導電体の表面を包囲するパッシベーション膜とを有し、前記導電体の少なくとも一部分は、前記パッシベーション膜に形成された開口部に接していることを特徴とするTMR磁気センサ。
この構成により、外部からの静電気が導電体を介して基板側に流れるため静電気による素子破壊を回避できる。又、導電体を特定の電位に固定する前から静電気対策が可能となる。
この構成により、導電体の抵抗値をTMRセンサ素子の抵抗値より下げることができるため、静電気対策を強化できる。又、前記TMRセンサ素子と前記導電膜の製造工程が共通化されるため、TMRセンサ素子の形成時から静電気対策が出来ることに加えて製造コストの増大を抑制することができる。
この構成により、基板側に静電気が流れやすくなるため、静電気対策を強化することができる。
この構成によれば、導電性ダイボンド材を用いることで、パッケージ側に静電気が流れやすくなるため、組み立て工程における静電気対策を強化することができる。
この構成により、簡単な構成で基板側に静電気が流れ、静電気対策を強化することができる。
この構成により、非磁性金属膜が導電体を通じて基板と同電位となるため、静電気対策を強化できる。
この製造方法により、TMR膜の成膜以前に基板と電気的に接続した導電体が形成されるため、ウエハプロセス初期段階からの静電気対策が可能となる。
この製造方法により、上記(2)に記載のTMR磁気センサと同様の効果が得られる。
前記TMR膜をエッチングにより所望の形状に加工して前記TMRセンサ素子を形成すると同時に、前記導電体に電気的に接続されたTMRダミー素子と、前記TMRセンサ素子と前記TMRダミー素子とを電気的に接続する接続部を形成する工程と、前記接続部を切断して前記TMRセンサ素子と前記導電体を分離する工程とを備えたことを特徴とするTMRセンサ素子の製造方法。
この構成により、ウエハプロセス時に発生した静電気が前記TMR素子部分に誘導されたとしても、静電気は前記接続部を介して前記導電体側へ流れるため、ウエハプロセス時の静電気対策効果を強化できる。後の工程で接続部を除去することでTMR素子と導電体を切り離すため、ウエハプロセス終了後は正常なTMR素子として機能する。
基板の第1の面に絶縁膜を介して形成されたTMRセンサ素子と、
前記基板に電気的に接続され、前記基板の前記第1の面に形成された導電体と、
前記TMRセンサ素子と前記導電体の表面を包囲するパッシベーション膜と、
を有し、
前記導電体の少なくとも一部分は、前記パッシベーション膜に形成された開口部に接しており、
前記TMRセンサ素子と前記パッシベーション膜は、非磁性金属膜で覆われ、
前記導電体は、前記開口部を介して前記非磁性金属膜と電気的に接続されている、
ことを特徴とする。
基板の第1の面に絶縁膜を介して形成されたTMRセンサ素子と、前記基板に電気的に接続され、前記基板の前記第1の面に形成された導電体と、前記TMRセンサ素子と前記導電体の表面を包囲するパッシベーション膜とを有し、前記導電体の少なくとも一部分は、前記パッシベーション膜に形成された開口部に接しており、前記絶縁膜と前記TMRセンサ素子との間に下部電極を備えているTMR磁気センサの製造方法であって、
前記TMRセンサ素子を形成すべきTMR膜を形成する工程と、
前記TMR膜をエッチングにより所望の形状に加工して前記TMRセンサ素子を形成すると同時に、前記下部電極と前記導電体を形成する工程と、
前記パッシベーション膜に、前記導電体の少なくとも一部分に対応して前記開口部を形成する工程と、
を有することを特徴とする。
下記(1)から(6)のうち、
(1)基板の第1の面に絶縁膜を介して形成されたTMRセンサ素子と、前記基板に電気的に接続され、前記基板の前記第1の面に形成された導電体と、前記TMRセンサ素子と前記導電体の表面を包囲するパッシベーション膜とを有し、前記導電体の少なくとも一部分は、前記パッシベーション膜に形成された開口部に接していることを特徴とするTMR磁気センサ、
(2)前記絶縁膜と前記TMRセンサ素子との間に下部電極を備えていることを特徴とする上記(1)に記載のTMR磁気センサ、
(3)前記基板は、前記導電体に接する部分にドーピング領域を備えていることを特徴とする上記(1)又は(2)に記載のTMR磁気センサ、
(4)前記基板は、前記第1の面に対して互いに表裏の関係をなす第2の面に形成された導電膜を備えていることを特徴とする上記(1)から(3)のうちの何れか一つに記載のTMR磁気センサ、
(5)前記導電体の一部分は、前記開口部を介して外部に露出していることを特徴とする上記の何れか一つに記載のTMR磁気センサ、
(6)前記TMRセンサ素子と前記パッシベーション膜は、非磁性金属膜で覆われ、前記導電体は、前記開口部を介して前記非磁性金属膜と電気的に接続されていることを特徴とする上記(1)から(5)のうちの何れか一項に記載のTMR磁気センサ、
何れか一つに記載のTMR磁気センサの製造方法であって、
前記TMRセンサ素子を形成すべきTMR膜を形成する工程と、
前記TMR膜をエッチングにより所望の形状に加工して前記TMRセンサ素子を形成すると同時に、前記導電体に電気的に接続されたTMRダミー素子と、前記TMRセンサ素子と前記TMRダミー素子とを電気的に接続する接続部を形成する工程と、
前記接続部を切断して前記TMRセンサ素子と前記導電体を分離する工程と、
を備えたことを特徴とする。
(1)基板の第1の面に絶縁膜を介して形成されたTMRセンサ素子と、
前記基板に電気的に接続され、前記基板の前記第1の面に形成された導電体と、
前記TMRセンサ素子と前記導電体の表面を包囲するパッシベーション膜と、
を有し、
前記導電体の少なくとも一部分は、前記パッシベーション膜に形成された開口部に接しており、
前記TMRセンサ素子と前記パッシベーション膜は、非磁性金属膜で覆われ、
前記導電体は、前記開口部を介して前記非磁性金属膜と電気的に接続されている、
ことを特徴とするTMR磁気センサ。
この構成により、外部からの静電気が導電体を介して基板側に流れるため静電気による素子破壊を回避できる。又、導電体を特定の電位に固定する前から静電気対策が可能となる。更に、非磁性金属膜が導電体を通じて基板と同電位となるため、静電気対策を強化できる。
前記TMRセンサ素子を形成すべきTMR膜を形成する工程と、
前記TMR膜をエッチングにより所望の形状に加工して前記TMRセンサ素子を形成すると同時に、前記下部電極と前記導電体を形成する工程と、
前記パッシベーション膜に、前記導電体の少なくとも一部分に対応して前記開口部を形成する工程と、
を有することを特徴とするTMR磁気センサの製造方法。
この製造方法により、上記(2)に記載のTMR磁気センサと同様の効果が得られる。
1)基板の第1の面に絶縁膜を介して形成されたTMRセンサ素子と、前記基板に電気的に接続され、前記基板の前記第1の面に形成された導電体と、前記TMRセンサ素子と前記導電体の表面を包囲するパッシベーション膜とを有し、前記導電体の少なくとも一部分は、前記パッシベーション膜に形成された開口部に接していることを特徴とするTMR磁気センサ、
2)前記絶縁膜と前記TMRセンサ素子との間に下部電極を備えていることを特徴とする上記(1)に記載のTMR磁気センサ、
3)前記基板は、前記導電体に接する部分にドーピング領域を備えていることを特徴とする上記(1)又は(2)に記載のTMR磁気センサ、
4)前記基板は、前記第1の面に対して互いに表裏の関係をなす第2の面に形成された導電膜を備えていることを特徴とする上記(1)から(3)のうちの何れか一つに記載のTMR磁気センサ、
5)前記導電体の一部分は、前記開口部を介して外部に露出していることを特徴とする上記の何れか一つに記載のTMR磁気センサ、
6)前記TMRセンサ素子と前記パッシベーション膜は、非磁性金属膜で覆われ、前記導電体は、前記開口部を介して前記非磁性金属膜と電気的に接続されていることを特徴とする上記1)から5)のうちの何れか一項に記載のTMR磁気センサ、
何れか一つに記載のTMR磁気センサの製造方法であって、
前記TMRセンサ素子を形成すべきTMR膜を形成する工程と、
前記TMR膜をエッチングにより所望の形状に加工して前記TMRセンサ素子を形成すると同時に、前記導電体に電気的に接続されたTMRダミー素子と、前記TMRセンサ素子と前記TMRダミー素子とを電気的に接続する接続部を形成する工程と、
前記接続部を切断して前記TMRセンサ素子と前記導電体を分離する工程と、
を備えたことを特徴とするTMRセンサ素子の製造方法。
この製造方法により、ウエハプロセス時に発生した静電気が前記TMR素子部分に誘導されたとしても、静電気は前記接続部を介して前記導電体側へ流れるため、ウエハプロセス時の静電気対策効果を強化できる。後の工程で接続部を除去することでTMR素子と導電体を切り離すため、ウエハプロセス終了後は正常なTMR素子として機能する。
Claims (9)
- 基板の第1の面に絶縁膜を介して形成されたTMRセンサ素子と、
前記基板に電気的に接続され、前記基板の前記第1の面に形成された導電体と、
前記TMRセンサ素子と前記導電体の表面を包囲するパッシベーション膜と、
を有し、
前記導電体の少なくとも一部分は、前記パッシベーション膜に形成された開口部に接している、
ことを特徴とするTMR磁気センサ。 - 前記絶縁膜と前記TMRセンサ素子との間に下部電極を備えている、
ことを特徴とする請求項1に記載のTMR磁気センサ。 - 前記基板は、前記導電体に接する部分にドーピング領域を備えている、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のTMR磁気センサ。 - 前記基板は、前記第1の面に対して互いに表裏の関係をなす第2の面に形成された導電膜を備えている、
ことを特徴とする請求項1から3のうちの何れか一項に記載のTMR磁気センサ。 - 前記導電体の一部分は、前記開口部を介して外部に露出している、
ことを特徴とする請求項1から4のうちの何れか一項に記載のTMR磁気センサ。 - 前記TMRセンサ素子と前記パッシベーション膜は、非磁性金属膜で覆われ、
前記導電体は、前記開口部を介して前記非磁性金属膜と電気的に接続されている、
ことを特徴とする請求項1から4のうちの何れか一項に記載のTMR磁気センサ。 - 請求項1から6のうちの何れか一項に記載のTMR磁気センサの製造方法であって、
前記導電体は、前記TMRセンサ素子を形成するTMR膜の成膜以前に作製される、
ことを特徴とするTMR磁気センサの製造方法。 - 請求項2に記載のTMR磁気センサの製造方法であって、
前記TMRセンサ素子を形成すべきTMR膜を形成する工程と、
前記TMR膜をエッチングにより所望の形状に加工して前記TMRセンサ素子を形成すると同時に、前記下部電極と前記導電体を形成する工程と、
前記パッシベーション膜に、前記導電体の少なくとも一部分に対応して前記開口部を形成する工程と、
を有することを特徴とするTMR磁気センサの製造方法。 - 請求項1から6のうちの何れか一項に記載のTMR磁気センサの製造方法であって、
前記TMRセンサ素子を形成すべきTMR膜を形成する工程と、
前記TMR膜をエッチングにより所望の形状に加工して前記TMRセンサ素子を形成すると同時に、前記導電体に電気的に接続されたTMRダミー素子と、前記TMRセンサ素子と前記TMRダミー素子とを電気的に接続する接続部を形成する工程と、
前記接続部を切断して前記TMRセンサ素子と前記導電体を分離する工程と、
を備えたことを特徴とするTMRセンサ素子の製造方法。
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