JP2015513094A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 基板を加熱している間、基板（Ｗ）、特に半導体基板の温度を測定する装置であって、
   基板を加熱する少なくとも１つの第一放射源（８）と、
   基板（Ｗ）から放射された放射線と少なくとも１つの放射源（８）の放射線であって基板（Ｗ）で反射した放射線の第一の部分とが第一放射線検出器（２０）に入射するように、少なくとも１つの放射源（８）に面している基板（Ｗ）の第一表面領域に向いている第一放射線検出器（２０）と、
   基板（Ｗ）から放射された放射線と任意的な少なくとも１つの放射源（８）の放射線であって基板（Ｗ）で反射した放射線の第二の部分とが第二放射線検出器（２１）に入射するように、少なくとも１つの放射源（８）に面している基板（Ｗ）の第二表面領域に向いている第二放射線検出器（２１）とを備え、
   基板（Ｗ）で反射され、各放射線検出器に入射する第一放射源（８）の放射線の第一部分と第二部分は互いに異なっており、第一表面領域と第二表面領域は実質的に同一温度を有している基板領域であり、
   第一及び第二放射線検出器（２０，２１）により検出された放射線と、第一放射源（８）の駆動電力及び第一放射源（８）の放射線強度のうち少なくとも一つによって、直接的に基板（Ｗ）の温度を測定するように構成されている温度測定ユニットをさらに備えることを特徴とする基板の温度を測定する装置。
2. 第一放射源の放射線強度を測定するために、少なくとも１つの第一放射源（８）に向いている第三放射線検出器（２５）を備えたことを特徴とする請求項１記載の装置。
3. 第一表面領域及び第二表面領域は、基板の中心に対して共通円上に配置されていることを特徴とする請求項１及び２のいずれか１項に記載の装置。
4. 第一表面領域及び第二表面領域は、直接的に互いに隣接して配置されるか、又は少なくとも部分的に重なり合っていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の装置。
5. 少なくとも１つの放射源の放射線であって基板で反射される放射線の割合に影響を与える少なくとも１つの光学的な要素を備え、少なくとも１つの光学的要素は、好ましくは基板と少なくとも１つの放射線検出器との間に配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の装置。
6. 少なくとも１つの光学的要素は、開口及びフィルターの少なくとも１つであることを特徴とする請求項５に記載の装置。
7. 少なくとも１つの光学的要素は各放射線検出器に割り当てられ、基板で反射され、且つ、各放射線検出器に到達する少なくとも１つの放射源の放射線の割合に影響を与えるために、複数の光学的要素は、放射線検出器の視野のための異なった開口角を形成し、及び／又は基板から異なった距離で配置されていることを特徴とする請求項５又は６に記載の装置。
8. 少なくとも１つの放射源の放射線が基板に当たる前に、放射線検出器の測定波長の範囲内である少なくとも１つの放射源の放射線を除去するために、複数の第一放射源のうち少なくとも１つの放射源と基板との間に配置された少なくとも１つのフィルターを備えていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の装置。
9. 少なくとも１つの第一放射源はランプ、特にロッドランプであることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の装置。
10. 基板、特に半導体ウエハを熱的に処理する方法であって、
    少なくとも１つの第一放射源から放射された第一放射線によって基板を加熱し、第一放射源の放射線は基板の第一側に向き、且つ、それによって少なくとも部分的に反射され、
    基板の第一側の第一表面領域から来る第一放射線を検出し、検出された第一放射線は第一基板放射線部と第一反射放射線部からなり、第一基板放射線部は基板自身の温度によって基板から放射される放射線からなり、第一反射放射線部は基板で反射される第一放射源の放射線からなり、
    基板の第一側の第二表面領域から来る第二放射線を検出し、検出された第二放射線は少なくとも第二基板放射線部と第二反射放射線部からなり、第二基板放射線部は基板自身の温度によって基板から放射される放射線からなり、第二反射放射線部は基板で反射される少なくとも１つの第一放射源の放射線からなり、第一表面領域と第二表面領域は、実質的に基板の同一温度を備えている領域であり、第一反射放射線部と第二反射放射線部は異なっており、
    第一及び第二の検出された放射線と、少なくとも１つの第一放射源の駆動電力及び少なくとも１つの放射源の放射線強度の少なくとも１つとに基づいて基板の温度を測定することを特徴とする基板を熱的に処理する方法。
11. 第一放射線及び第二放射線は、異なった放射線検出器によって検出されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
12. 基板は、第一側に対して実質的に垂直に延びる軸線の周りに回転され、第一表面領域及び第二表面領域は、基板の中心点に対して回転する共通円上に実質的に位置することを特徴とする請求項１０または１１に記載の方法。
13. 第一表面領域及び第二表面領域は、互いに直接的に隣接しているか又は少なくとも部分的に重なっていることを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか１項に記載の方法。
14. 第一反射放射線部と第二反射放射線部の少なくとも一方は、基板と反射放射線を検出する放射線検出器との間に位置する少なくとも１つの光学的要素の影響を受けることを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれか１項に記載の方法。
15. 各検出された反射放射線部に影響を与えるために、少なくとも１つの放射源の放射線が基板に入射する前に、放射線検出器の測定波長の範囲内の放射線は、複数の第一放射源の少なくとも１つの放射源と基板との間の放射線経路においてフィルターをかけて除去されることを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれか１項に記載の方法。
16. 少なくとも１つの放射源から来る放射線強度は、少なくとも１つの第一放射源に向いている放射線検出器を用いて検出され、この検出結果は基板の温度を測定する際に使用されることを特徴とする請求項１０乃至１５のいずれか１項に記載の方法。