JP2014112667A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 第一のクラッド層と第二のクラッド層と、
   それらの間に設けられた、発光層とバリア層とを含む活性層とを有し、前記発光層から発光される光のスペクトルが中心波長λｃ、スペクトル半値幅Δλである光半導体素子であって、
   前記第一のクラッド層と前記第二のクラッド層の少なくともいずれか一方が、下記の式（１）で示されるλｓ以下の波長の光を吸収する光吸収部を有することを特徴とする光半導体素子。
   λｓ＜（λｃ−（Δλ／２）） 式（１）
2. 前記光吸収部が、量子井戸層を有することを特徴とする請求項１に記載の光半導体素子。
3. 前記光吸収部が、複数の光吸収層を有し、
   前記複数の光吸収層が、前記第一のクラッド層と前記第二のクラッド層のいずれか一方または双方に位置していることを特徴とする請求項２に記載の光半導体素子。
4. 前記第一のクラッド層と前記第二のクラッド層は、ドーピングされた構成を備え、
   前記ドーピングされたクラッド層に位置している前記光吸収部の周囲の層のドーピング濃度が、
   前記周囲の層に隣接する層のドーピング濃度と比較し、低いドーピング濃度とされていることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の光半導体素子。
5. 前記光吸収部が光吸収層を有し、
   前記バリア層、または前記光吸収層が位置しているクラッド層のいずれか一方または双方に、周囲と屈折率の異なる層を配置し、
   前記発光層からの光強度分布が、前記クラッド層における前記光吸収層が位置する場所で増加するように構成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の光半導体素子。
6. 前記光吸収部が光吸収層を有し、
   前記発光層が複数の半導体層を有し、
   前記第一のクラッド層と前記第二のクラッド層の少なくともいずれか一方がドーピングされており、
   前記第一および第二のクラッド層よりバンドギャップが小さく、かつ前記複数の半導体層のうち最も小さいバンドギャップを持つ層のバンドギャップより大きなバンドギャップを持つキャリア消費層が、
   前記発光層と前記光吸収層との間で、かつ前記ドーピングされたクラッド層内に設けられていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の光半導体素子。
7. 前記キャリア消費層と、前記ドーピングされたクラッド層よりバンドギャップが大きな障壁層が前記発光層と前記光吸収層との間で、かつ前記ドーピングされたクラッド層内に位置しており、
   前記活性層、前記キャリア消費層、前記障壁層の順で設けられていることを特徴とする請求項６に記載の光半導体素子。
8. 前記光吸収部が光吸収層を有し、
   前記発光層から発光される光のスペクトル中心波長が８３０〜８７０ｎｍであり、
   前記光吸収層により吸収される波長として、少なくとも７９０ｎｍ以下を含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の光半導体素子。
9. 請求項１から８のいずれか１項に記載の光半導体素子を有する光源部と、
   前記光源部からの光を検体に照射し、検体からの反射光を伝達させる検体測定部と、
   前記光源部からの光を参照ミラーに照射し、該参照ミラーからの反射光を伝達させる参照部と、
   前記検体測定部からの反射光と前記参照部からの反射光とを干渉させる干渉部と、
   前記干渉部からの干渉光を検出する光検出部と、
   前記光検出部で検出された光に基づいて、前記検体の断層像を得る画像処理部と、
   を有することを特徴とする光干渉断層撮像装置。