JP2015513090A - 微小機械測定素子および微小機械測定素子の製造方法 - Google Patents

微小機械測定素子および微小機械測定素子の製造方法 Download PDF

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Abstract

本発明は、検知素子(21)および担体(3)を備える微小機械測定素子(1)を提供する。この検知素子(21)は、少なくとも1つの第1のはんだ接続部(41)と少なくとも1つの第2のはんだ接続部(42)とによって、担体(3)と接続されおり、ここでこの検知素子(21)は、当該第1のはんだ接続部(41)を介して電気的に接続されている。さらに検知素子(21)、担体(3)、および第2のはんだ接続部(42)は、第1の小室(51)を形成し、当該第1の小室は、第1の開口部(61)を備える。さらに本発明は微小機械測定素子(1)の製造方法を提供する。【選択図】 図1

Description

本発明は微小機械測定素子に関する。
さらに本発明は微小機械測定素子の製造方法に関する。
少なくとも企業内部では、たとえば圧力センサとして、たとえば絶対圧センサ、または相対圧センサおよび差圧センサ等の微小機械測定素子(mikromechanische Messelemente)が開発されていることが知られている。これらの圧力センサは検知素子を含み、たとえば接着剤またははんだ接続等の接合媒体を用いて、チップ収容部(Chipaufnahme)に取り付けられている。この検知素子は、たとえば圧電抵抗を備えてよく、この圧電抵抗の出力信号は、ボンディングワイヤを用いて、この圧力センサの外部コンタクトに引き出される。アプリケーションに応じて、この圧力センサは、媒体導入が行われるハウジングカバーを備えてよい。公知の圧力センサでは、この媒体導入は、たとえば検知素子の取り付けによって、またたとえばボンディングワイヤを用いた、この圧力センサの電気的接続によって、別々のプロセス工程で行われる。
本発明のいくつかの実施形態での解決すべき課題は、容易に製造可能な微小機械測定素子のいくつかの実施形態を提供することである。さらに本発明の少なくともいくつかの実施形態での解決すべき課題は、微小機械測定素子を製造する方法を提供することである。これらの課題は独立請求項に記載の物および方法によって解決される。有利な変形実施例が、従属請求項に示されている。
少なくとも1つの実施形態による微小機械測定素子は、検知素子と担体とを備える。この担体は、たとえばセラミック材料から成り、またはセラミック板として実装されてよい。さらにこの担体は、回路基板として、たとえばFR4回路基板として実装することができる。検知素子は、好ましくはシリコンを含み、またはシリコンから成っている。たとえばこの検知素子は、シリコンチップとして実装されていてよい。好ましくはこの検知素子は、少なくとも1つの第1のはんだ接続部と少なくとも1つの第2のはんだ接続部を用いて上記の担体と接続されている。たとえばこの検知素子は、上記の少なくとも1つの第1のはんだ接続部と上記の少なくとも1つの第2のはんだ接続部を用いて直接上記の担体と接続されていてよい。この検知素子は、好ましくはこの第1のはんだ接続部を介して電気的に接続される。
1つの変形実施例によれば、この検知素子,担体および上記のはんだ接続部は、第1の小室を形成する。好ましくはこの第1の小室は、第1の開口部を備える。さらにこの第1の小室は、上記の検知素子,担体,第2のはんだ接続部,および他の部品によって形成されることができる。これらの他の部品は、たとえばエラストマー体および/またはメタライジング部であってよく、これらは検知素子と第2のはんだ接続部との間および/またはこの第2のはんだ接続部と担体との間に配設されていてよい。
1つの変形実施例によれば、上記の第1の小室の第1の開口部は、第1の媒体をこの第1の小室に導入可能なように形成されている。好ましくはこの検知素子は下面と上面とを有するメンブレンを備える。この検知素子は、たとえばシリコンウェハから製造されたメンブレンを有するシリコンチップであってよく、ここでこのメンブレンは、薄くなった領域、たとえばシリコンチップが薄くエッチングされた領域を形成する。のメンブレンの上面は、以下で測定媒体または伝達媒体と呼称され得る第1の媒体に、上記の第1の開口部によって接触可能である。この測定媒体は、この検知素子ののメンブレンに印加される圧力を伝達し、これによって圧力測定を可能とする。たとえばこの検知素子は、圧電抵抗パターン、導電部、およびコンタクト面を備える圧電抵抗素子として実装される。圧力に依存したメンブレンおよびこれに埋め込まれた、たとえばホイートストンブリッジに接続された圧電抵抗パターンの変型により、この圧電抵抗パターンの抵抗変化の結果、このホイートストンブリッジの出力電圧が変化され、この変化によって印加された圧力または圧力変化が測定される。代替として、この検知素子は、容量素子または圧電素子として実装されてよい。
ここに記載する微小機械測定素子の製造では、電気的および流体的接続端子を1つのプロセスステップで同時に実現することができ有利である。さらにこの流体的接続端子は、電気的接続端子から分離されることを保証することができる。
1つの変形実施例によれば、この検知素子は基板上に配設される。この基板は、ガラスおよび/またはシリコンを備えてよく、またはこれらの材料の1つから成っていてよい。
1つの変型実施例によれば、この微小機械測定素子は、直接担体に接続されているキャップを備える。好ましくはこのキャップは、少なくとも部分的に、この基板と、この基板上に取り付けられた検知素子とを包囲している。たとえば、このキャップおよびこのキャップと接続された基板は、上記の検知素子および基板を包んでいる。このキャップは好ましくはシリコン,セラミック材料またはプラスチック材料を備え、あるいはこれらの材料1つから成っている。
1つの好ましい変形実施例によれば、この担体はFR4回路基板として実装され、キャップはプラスチックで実装される。
もう1つの変型実施例によれば、この担体には上記の第1の開口部が形成されている。たとえばこの担体は、上記の第1の小室の第1の開口部を形成し、上記の第1の媒体が上記のメンブレンの上面へ到達することを可能とする。
もう1つの変型実施例によれば、上記の第2のはんだ接続部は、この第2のはんだ接続部によって、上記の第1の小室は気密にシーリングされ、この際たとえば上記の第1の開口部はこの小室の唯一の開口部を形成する。
もう1つの変型実施例によれば、上記の検知素子は、上記の第2のはんだ接続部によって電気的に接続されない。たとえばこの検知素子は、上記の第1のはんだ接続部によって電気的に接続され、ここで上記の第2のはんだ接続部は、たとえば上記の媒体導入および/または上記の第1の小室のシーリングにおいて機能してよい。
もう1つの変型実施例によれば、上記の第2のはんだ接続部は、閉じた曲線として実装される。たとえばこの第2のはんだ接続部は、環状または環状とは異なる閉じた曲線形状を備える。
もう1つの変型実施例によれば、上記の第2のはんだ接続部は、環状に実装される。好ましくはこの環状の第2のはんだ接続部によって、上記の第1の小室は気密にシーリングされ、この際この第1の開口部は、この小室の唯一の開口部を形成する。
もう1つの変型実施例によれば、上記の検知素子と上記の第1のはんだ接続部との間、および上記の検知素子と上記の第2のはんだ接続部との間には、それぞれエラストマー体が配設されている。このエラストマー体は、たとえばインクジェット技術,シルクスクリーン印刷またはラミネートフィルムを用いて取り付けられてよく、たとえばリソグラフィーまたはレーザーアブレーションによるパターニングを用いて取り付けられてよい。これらのはんだ接続部と検知素子との間に配設されたエラストマー体によって、担体と検知素子との間の機械的隔離を保証することができ、たとえばパッケージングに起因するような外乱の影響を確実に極小とすることができる。
もう1つの変型実施例によれば、これらのエラストマー体と第1のはんだ接続部との間には、メタライジング部が配設される。好ましくはこのメタライジング部は蛇行形状または螺旋形状に形成されている。これによって機械的および/または熱機械的に生じた張力に対し必要な可撓性を得ることができ、有利である。好ましくはこのメタライジング部は、はんだ可能である。たとえばこのメタライジング部は、スパッタリングによるシード層とこれに続く電解析出(galvanische Abscheidung)によって、上記のエラストマー体上に生成されてよい。
もう1つの変型実施例によれば、上記の第1の小室は、少なくとも部分的に保護層が設けられる。これによって第1および/または第2の媒体として湿潤性および/または腐食性の媒体を使用することができ、有利である。
もう1つの変型実施例によれば、この保護層はパリレン(Parylen、登録商標)を備える。有利には、この第1および/または第2の媒体に暴露される、微小機械測定素子のすべての領域または部分はパリレンによってコーティングされる。
もう1つの変型実施例によれば、上記の検知素子は、その担体に向いていない面が直接基板と接続している。好ましくは、第2の小室が、少なくとも部分的にこの検知素子および基板によって形成されている。好ましくはこの第2の小室は、上記の担体および検知素子を貫通して延在する第2の開口部を備える。たとえば、この第2の小室は、上記の検知素子,基板,担体,およびさらなる第2のはんだ接続部によって形成されていてよい。このさらなる第2のはんだ接続部は、たとえば閉じた曲線として、たとえば環状に実装されていてよく、またたとえば上記の第2の小室を密封してよく、ここでこの第2の開口部は、この第2の小室の唯一の開口部を形成する。
もう1つの変型実施例によれば、上記のメンブレンの下面は、この第2の開口部によって第2の媒体に対し到達可能となっている。これによって、この第2の媒体を用いて基準圧力のメンブレンへの伝達を達成することができる。
もう1つの変型実施例によれば、本発明の微小機械測定素子は圧力センサとして実装される。この圧力センサは、たとえば絶対圧センサ,相対圧センサ,または差圧センサとして実装されてよい。
もう1つの変型実施例によれば、本発明の微小機械測定素子はガスセンサとして実装される。このガスセンサは、ガス状物質の検出に有利に適しており、この際このガスセンサの周囲の大気における化学的情報が、電気的に利用できる信号に変換される。
もう1つの変型実施例によれば、本発明の微小機械測定素子は、加速度センサとして実装される。この加速度センサは、たとえば微小化したセンサとして,たとえば圧電センサまたはいわゆるMEMS(Micro-Electro-Mechanical System)として実装されていてよい。
さらに本発明は微小機械測定素子の製造方法を提供する。この製造方法で製造可能な、あるいは製造された微小機械測定素子は、上述の実施形態の1つ以上の特徴を備えてよい。上記および以下に記載する実施形態は、この微小機械測定素子に対し、またこの微小機械測定素子の製造方法に対し同様に有効である。
1つの実施形態によれば、検知素子が準備される。さらに、少なくとも1つの開口部を備えた担体が準備される。好ましくはこの担体は、上記の検知素子の接続に用いられる少なくとも1つの貫通接続部を備える。続いてこの検知素子は、上記の担体と接続される。好ましくはこの検知素子は、1つ以上のはんだ接続部を用いてこの担体と接続され、ここでこれらのはんだ接続部の少なくとも1つは、上記の貫通接続部によってこの検知素子を電気的に導通するように接続する。これらの1つ以上のはんだ接続部は、たとえばはんだペーストを用いて印刷されてよい。代替として、これらの1つ以上のはんだ接続部は、スパッタリングまたは電解析出を用いて取り付けられてよい。検知素子(複数)を上記の担体と結合することにより、これらの検知素子の電気的接続および検知素子への媒体導入を1つのプロセスステップで実現することができる。
1つの変型実施例によれば、用いたこれらの検知素子の担体との結合は、フリップチップはんだ接合を用いて行われる。
これらの製造プロセスは、ウェハーレベルでもまたこれに続くパッケージングプロセスステップにおいてもバッチプロセスを利用して行われ、こうして安価に実現できるので有利である。さらにこの製造技術は、ハウジング全体の微小化の観点で大きな可能性を提供し、幅広い多様な製品への基礎技術として適用可能である。
以下に、微小機械測定素子および微小機械測定素子の製造方法の実施形態例を、図1〜4を参照して説明する。
これらの実施形態例および図では、同等もしくは同等の機能の部分はそれぞれ同じ参照番号が付けられている。表示された素子およびそれらの互いの大きさの関係は、基本的に寸法通りとはなっていない。むしろたとえば層、部品および領域などの個々の要素をより見易くするため、および/またはより理解し易くするために誇張した厚さまたは大きさの寸法で示してある。
第1の実施形態例による、微小機械測定素子の断面概略図である。 もう1つの実施形態例による、微小機械測定素子の断面概略図である。 もう1つの第1の実施形態例による、微小機械測定素子の断面概略図である。 もう1つの実施形態例による、微小機械測定素子の製造方法の概略図である。
図1は、微小機械測定素子1を断面概略図で示している。この微小機械測定素子1は、前面側に媒体導入部を有する絶対圧センサとして実装されている。
この微小機械測定素子1は、検知素子21および担体3を備える。図示された実施形態例においては、この担体3は、セラミックプレートである。代替としてこの担体3は、FR4回路基板として実装されてよい。上記の検知素子21は、圧電抵抗性MEMS圧力センサチップとして実装され、下面211および上面212を有するメンブレン210を備える。
さらにこの検知素子21は、ガラスから成る基板22に直接接続されている。代替としてこの基板22はシリコンを備えてよく、あるいはシリコンから成っていてよい。この検知素子21は、この基板22に向いていない面で、第1のはんだ接続部41と第2のはんだ接続部42とによって、担体3と接続されている。この担体3に取り付けられた、この測定素子1の外側の電気的接続部として機能する外部コンタクト12は、貫通接続部11によって、上記の第1のはんだ接続部41と電気的に導通して接続されている。このようにこの第1のはんだ接続部は、検知素子21の電気的コンタクト部として機能する。代替としてこの微小機械測定素子1は、1つ以上のさらなる第1のはんだ接続部41を備え、これらのはんだ接続部は、上記の検知素子21を担体3におけるさらなる貫通接続部11に電気的に導通して接続している。
上記の検知素子、担体および第2のはんだ接続部42は、閉じた曲線として実装され、第1の小室51を形成する。とりわけこの第2のはんだ接続部42は、環状に実装されている。この第1の小室51は、担体3に形成されて第1の媒体の導入部として機能する第1の開口部61を備える。この第1の小室51は、上記の第2のはんだ接続部42によって耐圧密封されている。
これらのはんだ接続部41,42と上記の検知素子との間にはそれぞれ、エラストマー体8が配設され、このエラストマー体は、担体と検知素子との間の機械的隔離部として機能する。さらに上記の環状の第2のはんだ接続部42とこのエラストマー体との間、およびこの第2のはんだ接続部42と上記の担体3との間には、それぞれメタライジング部92が配設されている。上記の第1のはんだ接続部41とこのエラストマー体8との間にも同様にメタライジング部91が配設されており、このメタライジング部は蛇行形状(maanderformig)に形成されている。代替として、このメタライジング部91は、螺旋形状に実装されていてよい。この蛇行形状あるいは螺旋形状に実装されたメタライジング部91は、機械的張力の作用を有利に補償する。
測定される圧力は、上記の第1の媒体によってメンブレン210に伝達され、この際これより生じるメンブレン210の変型が、圧電抵抗として実装されて埋め込まれた抵抗パターン13によって取得される。この結果生じる電気的信号は、高濃度ドーピングされた導電部14,アルミニウムコンタクトパッド10,上記のエラストマー体に堆積されたメタライジング部91,上記の第1のはんだ接続部41,および外部コンタクト12への貫通接続部11を介して伝送される。この抵抗パターン13および導電部14は、圧力測定のための圧電抵抗性測定ブリッジを形成する。さらに、この測定ブリッジをさらなる機能層によって形成することが可能である。
上記の第1の小室51には、パリレンからなる保護層が少なくとも部分的に設けられている。この保護層のコーティングによって、多くの媒体に対する高い耐腐食性が保証される。たとえばこれによって湿性および腐食性の媒体を用いることができる。
さらにこの微小機械測定素子1は、シリコンから成るキャップ7を備え、このキャップは上記の担体3に直接接続されている。代替として、このキャップはプラスチック材料またはセラミック材料から成っていてよい。さらにこの微小機械測定素子1は、キャップ7無しに実装することも可能である。
図2は、もう1つの実施形態例による微小機械測定素子の断面を示す。
図1に示す実施形態例と異なり、このキャップ7および基板22は、上記のメンブレン210の下面211に向いた面にそれぞれ開口部を備える。これらのキャップ7および基板22の開口部を介して、このメンブレン210の下面211に第2の媒体を導入することができる。このようにして図2に示す微小機械測定素子1は、前面および背面を備え、これにより相対圧センサまたは差圧センサとして利用することができる。相対圧が周囲圧に対応する場合は、このキャップ7は無くともよい。
図3には、もう1つの実施形態例による微小機械測定素子1の断面が示されている。この微小機械測定素子1は、一方の面である、前面側に媒体導入部を有する相対圧センサまたは差圧センサとして実装されている。
図1に示す実施形態例と異なり、担体3は、第2の媒体の導入部として機能する第2の開口部62を備える。この第2の開口部62は、この担体3および検知素子21の開裂部を通って延伸する。この第2の開口部はレーザードリル加工,DRIEエッチングまたはKOHエッチングを用いて形成することができる。これにより検知素子21および基板22は、第2の小室52を形成し、第2の媒体は、この第2の開口部62を介してメンブレン210の下面211に到達することができる。このようにして図3に示す実施形態例においては、第1の媒体がメンブレン210の上面212に導入され、これに対しチップ面への基準圧が第2の媒体を用いてこのメンブレン210の下面211に導かれる。
図4には、図1〜3に示す実施形態例による微小機械測定素子1の製造方法が概略的に示されている。したがって、微小機械測定素子の特徴に関する以下の記述は、単に例として図1〜3に記載された参照番号の要素に基づくものである。
第1の方法ステップ101においては、検知素子21が準備される。この検知素子は、たとえば基板22上に取り付けられてよい。第2の方法ステップ102においては、少なくとも1つの開口部61および少なくとも1つの貫通接続部11を備える担体3が準備される。第3の方法ステップ102においては、この検知素子21が、はんだ接続部41,42を用いて担体3に接続される。ここでこの検知素子21の担体3との接続は、単一のプロセスステップで実現され、このプロセスステップでは、検知素子21の電気的接続部およびこの検知素子21への媒体導入部が実現される。以上により前面側の電気的接続部および流体的接続部が1つの同時のプロセスステップで行われるので有利である。 本発明は、これらの実施形態例を参照した記載によって、これらに限定されず、あらゆる新たな特徴およびこれらの特徴のあらゆる組み合わせを包含するものである。とりわけこれは特許請求の範囲の特徴のあらゆる組み合わせを包含する。この特徴またはこれらの特徴の組み合わせが特許請求の範囲に顕わに記載されていなくとも、これを包含するものである。
1 : 測定素子
21 : 検知素子
210 : メンブレン
211 : メンブレンの下面
212 : メンブレンの上面
22 : 基板
3 : 担体
41 : 第1のはんだ接続部
42 : 第2のはんだ接続部
51 : 第1の小室
52 : 第2の小室
61 : 第1の開口部
62 : 第2の開口部
7 : キャップ
8 : エラストマ体
91,92 : メタライジング部
10 : コンタクトパッド
11 : 貫通接続部
12 : 外部コンタクト
13 : 抵抗パターン
14 : 導電部
101,102,103 : 方法ステップ

Claims (15)

  1. 検知素子(21)と担体(3)とを備えた微小機械測定素子(1)であって、
    前記検知素子(21)は、少なくとも1つの第1のはんだ接続部(41)と少なくとも1つの第2のはんだ接続部(42)とを用いて上記の担体(3)と接続されており、
    前記検知素子(21)は、前記第1のはんだ接続部(41)を介して電気的に接続されており、
    前記検知素子(21)、前記担体(3)、および前記第2のはんだ接続部(42)は、第1の小室(51)を形成し、前記第1の小室(51)は、第1の開口部(61)を備える、
    ことを特徴とする微小機械測定素子。
  2. 前記検知素子(21)は下面(211)と上面(212)とを有するメンブレン(210)を備え、
    前記メンブレン(210)の上面(212)は、前記第1の開口部(61)によって第1の媒体が到達可能となっている、
    ことを特徴とする、請求項1に記載の微小機械測定素子。
  3. 前記第1の開口部(61)は、前記担体(3)に形成されることを特徴とする、請求項1または2に記載の微小機械測定素子。
  4. 前記第2のはんだ接続部(42)は、環状に形成されることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の微小機械測定素子。
  5. 前記検知素子(21)と前記第1および第2のはんだ接続部(41,42)との間には、それぞれエラストマ体(8)が配設されていることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の微小機械測定素子。
  6. 前記エラストマ体(8)と前記第1のはんだ接続部(41)との間に、蛇行形状または螺旋形状に形成されたメタライジング部(91)が配設されていることを特徴とする、請求項5に記載の微小機械測定素子。
  7. 前記第1の小室(51)は、少なくとも部分的に保護層が設けられていることを特徴とする、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の微小機械測定素子。
  8. 前記保護層は、パリレンから成ることを特徴とする、請求項7に記載の微小機械測定素子。
  9. 前記検知素子(21)は、前記担体(3)に向いていない面が直接基板(22)と接続されており、
    第2の小室(52)が、少なくとも部分的に前記検知素子(21)および前記基板(22)によって形成されており、
    前記第2の小室(52)は、前記担体(3)および前記検知素子(21)を貫通して延在する第2の開口部(62)を備える、
    ことを特徴とする、請求項1乃至8のいずれか1項に記載の微小機械測定素子。
  10. 前記メンブレン(210)の下面(212)は、前記第2の開口部(61)によって第2の媒体が到達可能となっている、ことを特徴とする、請求項9に記載の微小機械測定素子。
  11. 前記微小機械測定素子(1)は、圧力センサとして実装されていることを特徴とする、請求項1乃至10のいずれか1項に記載の微小機械測定素子。
  12. 前記微小機械測定素子(1)は、ガスセンサとして実装されていることを特徴とする、請求項1乃至11のいずれか1項に記載の微小機械測定素子。
  13. 前記微小機械測定素子(1)は、加速度センサとして実装されていることを特徴とする、請求項1乃至12のいずれか1項に記載の微小機械測定素子。
  14. 微小機械測定素子(1)の製造方法であって、
    検知素子(21)を準備するステップと、
    媒体を導入するための少なくとも1つの第1の開口部(61)と、少なくとも前記検知素子(21)の電気的接続部のための貫通接続部とを備える、担体(3)を準備するステップと、
    前記検知素子(21)を前記担体(3)と接続するステップであって、前記検知素子(21)の前記担体(3)との接続によって、前記検知素子(21)の前記電気的接続部および前記検知素子(21)への媒体導入部が1つのプロセスステップで生成されるステップと、
    を備えることを特徴とする方法。
  15. 前記検知素子(21)の前記担体(3)との接続は、フリップチップはんだ接続によって行われる、ことを特徴とする請求項12に記載の方法。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015100757B3 (de) 2015-01-20 2016-06-16 Epcos Ag Modul mit spannungsfrei befestigtem MEMS-Bauelement
KR101868833B1 (ko) * 2016-09-13 2018-06-20 (주)포인트엔지니어링 마이크로 센서 패키지
DE102017103896A1 (de) 2017-02-24 2018-08-30 Endress+Hauser SE+Co. KG Differenzdruckmesseinrichtung
DE102017205978B4 (de) * 2017-04-07 2021-11-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Mikrofluidisches System zur Kultivierung von oder der Analyse an lebenden Zellen oder Biomolekülen sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung
EP4177217A1 (en) * 2021-11-05 2023-05-10 TE Connectivity Solutions GmbH Fabrication method of mems transducer element

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62180738U (ja) * 1986-05-06 1987-11-17
JPS6365332A (ja) * 1986-09-05 1988-03-23 Omron Tateisi Electronics Co 圧力検出素子
JPH01503326A (ja) * 1986-07-28 1989-11-09 ローズマウント インコ 媒体分離形差圧センサ
JPH051962A (ja) * 1991-06-25 1993-01-08 Toyota Autom Loom Works Ltd 半導体圧力センサ
JPH0888457A (ja) * 1994-09-20 1996-04-02 Olympus Optical Co Ltd 配線板の製造方法及び半導体装置
JPH09126927A (ja) * 1995-09-05 1997-05-16 Motorola Inc 垂直一体化センサ構造および方法
JPH09126920A (ja) * 1995-10-26 1997-05-16 Matsushita Electric Works Ltd 半導体圧力センサ
JPH09260533A (ja) * 1996-03-19 1997-10-03 Hitachi Ltd 半導体装置及びその実装構造
JP2007248212A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Fujikura Ltd 圧力センサパッケージ及び電子部品
JP2007309914A (ja) * 2006-04-20 2007-11-29 Denso Corp 物理量センサの製造方法

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0326920A (ja) 1989-06-26 1991-02-05 Tokico Ltd 質量流量計
JPH0326927A (ja) 1989-06-26 1991-02-05 Ngk Spark Plug Co Ltd センサ構造およびセンサの製造方法
JPH0460533A (ja) 1990-06-29 1992-02-26 Sharp Corp 液晶プロジェクターの冷却制御機構
US5969591A (en) * 1991-03-28 1999-10-19 The Foxboro Company Single-sided differential pressure sensor
JP3364503B2 (ja) 1992-11-30 2003-01-08 株式会社リコー カラー画像形成装置
JP2716336B2 (ja) * 1993-03-10 1998-02-18 日本電気株式会社 集積回路装置
US5329423A (en) * 1993-04-13 1994-07-12 Scholz Kenneth D Compressive bump-and-socket interconnection scheme for integrated circuits
US5468995A (en) * 1994-07-05 1995-11-21 Motorola, Inc. Semiconductor device having compliant columnar electrical connections
US5611884A (en) * 1995-12-11 1997-03-18 Dow Corning Corporation Flip chip silicone pressure sensitive conductive adhesive
US6107180A (en) * 1998-01-30 2000-08-22 Motorola, Inc. Method for forming interconnect bumps on a semiconductor die
US6642136B1 (en) * 2001-09-17 2003-11-04 Megic Corporation Method of making a low fabrication cost, high performance, high reliability chip scale package
DE19826426C2 (de) 1998-06-16 2003-08-21 Elbau Elektronik Bauelemente G Miniaturisiertes elektronisches System und Verfahren zu seiner Herstellung
US6229190B1 (en) * 1998-12-18 2001-05-08 Maxim Integrated Products, Inc. Compensated semiconductor pressure sensor
JP2000340692A (ja) * 1999-05-26 2000-12-08 Hitachi Cable Ltd 配線基板、半導体装置、電子装置及び半導体装置の製造方法
US6686664B2 (en) * 2001-04-30 2004-02-03 International Business Machines Corporation Structure to accommodate increase in volume expansion during solder reflow
DE10205127A1 (de) * 2002-02-07 2003-08-28 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit Sensor- bzw. Aktoroberfläche und Verfahren zu seiner Herstellung
US20050189622A1 (en) * 2004-03-01 2005-09-01 Tessera, Inc. Packaged acoustic and electromagnetic transducer chips
DE102004022176B4 (de) * 2004-05-05 2009-07-23 Atmel Germany Gmbh Verfahren zur Herstellung von passiven Bauelementen auf einem Substrat
US7321140B2 (en) * 2005-03-11 2008-01-22 Applied Materials, Inc. Magnetron sputtered metallization of a nickel silicon alloy, especially useful as solder bump barrier
EP1719993A1 (en) * 2005-05-06 2006-11-08 STMicroelectronics S.r.l. Integrated differential pressure sensor and manufacturing process thereof
US7635077B2 (en) * 2005-09-27 2009-12-22 Honeywell International Inc. Method of flip chip mounting pressure sensor dies to substrates and pressure sensors formed thereby
US7667473B1 (en) * 2005-09-28 2010-02-23 Xilinx, Inc Flip-chip package having thermal expansion posts
DE102005053876B4 (de) * 2005-11-09 2010-02-04 Aktiv-Sensor Gmbh Drucksensor-Bauteil
TWI336770B (en) * 2007-11-05 2011-02-01 Ind Tech Res Inst Sensor
US7644625B2 (en) * 2007-12-14 2010-01-12 Honeywell International Inc. Differential pressure sense die based on silicon piezoresistive technology
US8193596B2 (en) * 2008-09-03 2012-06-05 Solid State System Co., Ltd. Micro-electro-mechanical systems (MEMS) package
DE102009007837A1 (de) * 2009-02-06 2010-08-19 Epcos Ag Sensormodul und Verfahren zum Herstellen von Sensormodulen
US8215176B2 (en) 2009-05-27 2012-07-10 Continental Automotive Systems, Inc. Pressure sensor for harsh media sensing and flexible packaging
DE102010012042A1 (de) * 2010-03-19 2011-09-22 Epcos Ag Bauelement mit einem Chip in einem Hohlraum und einer spannungsreduzierten Befestigung
DE102012107668A1 (de) * 2012-08-21 2014-03-20 Epcos Ag Bauelementanordnung
DE102014106220B4 (de) * 2014-05-05 2020-06-18 Tdk Corporation Sensorbauelement mit zwei Sensorfunktionen
DE102014106503B4 (de) * 2014-05-08 2016-03-03 Epcos Ag Verfahren zur Herstellung eines Mikrofons
DE102014008839B4 (de) * 2014-06-20 2021-09-30 Kunststoff-Zentrum In Leipzig Gemeinnützige Gmbh Dehnungskompensierendes Verbindungselement für ein Mikroelektroniksystem

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62180738U (ja) * 1986-05-06 1987-11-17
JPH01503326A (ja) * 1986-07-28 1989-11-09 ローズマウント インコ 媒体分離形差圧センサ
JPS6365332A (ja) * 1986-09-05 1988-03-23 Omron Tateisi Electronics Co 圧力検出素子
JPH051962A (ja) * 1991-06-25 1993-01-08 Toyota Autom Loom Works Ltd 半導体圧力センサ
JPH0888457A (ja) * 1994-09-20 1996-04-02 Olympus Optical Co Ltd 配線板の製造方法及び半導体装置
JPH09126927A (ja) * 1995-09-05 1997-05-16 Motorola Inc 垂直一体化センサ構造および方法
JPH09126920A (ja) * 1995-10-26 1997-05-16 Matsushita Electric Works Ltd 半導体圧力センサ
JPH09260533A (ja) * 1996-03-19 1997-10-03 Hitachi Ltd 半導体装置及びその実装構造
JP2007248212A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Fujikura Ltd 圧力センサパッケージ及び電子部品
JP2007309914A (ja) * 2006-04-20 2007-11-29 Denso Corp 物理量センサの製造方法

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