JP2015512156A - マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系を調節する方法 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 120
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 43
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims abstract description 38
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 21
- 238000000711 polarimetry Methods 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 4
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 claims description 3
- 239000011149 active material Substances 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 7
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000012417 linear regression Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
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Abstract
Description
本出願は、両方共に2012年3月14日出願のドイツ特許出願DE 10 2012 203 944.9及びUS 61/610,545の優先権を主張するものである。これらの出願の内容は、これにより引用によって組み込まれる。
411 偏光影響構成要素
Claims (15)
- マイクロリソグラフィ投影露光装置における光学系を調節する方法であって、
前記光学系は、
ミラー装置(120、200、400、500)によって反射される光の角度分布を変更するために互いに独立して調節することができる複数のミラー要素(120a、120b、120c、500a、500b,...)を有するミラー装置(120、200、400、500)と、
少なくとも1つの偏光影響構成要素(111、112、113、310、320、411、511)を有し、該偏光影響構成要素(111、112、113、310、320、411、511)と前記ミラー装置(120、200、400、500)の間の重なりの程度をこの偏光影響構成要素を変位させることによって可変に設定することが可能である偏光影響光学装置(110)と、
を含み、
前記方法は、
a)前記偏光影響構成要素(111、112、113、310、320、411、511)の与えられた実際の位置に対して、各IPS値が、前記ミラー装置(120、200、400、500)のそれぞれのミラー装置(120a、120b、120c、500a、500b,...)で反射される光線に対する予め決められた偏光状態の実現の程度を表すような前記投影露光装置の瞳平面内のIPS値の分布を確立する段階と、
b)段階a)で確立された前記分布に基づいて前記偏光影響構成要素(111、112、113、310、320、411、511)の位置を変更する段階と、
を含む、
ことを特徴とする方法。 - 予め決められた閾値を超える前記偏光影響構成要素(111、112、113、310、320、411、511)の縁部からの距離を有するミラー要素が、段階a)での前記決定に考慮されないままに留まることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記予め決められた閾値は、前記ミラー装置(120、200、400、500)の1つのミラー要素(120a、120b、120c、500a、500b,...)の少なくとも幅に、更に特に該ミラー装置(120、200、400、500)のミラー要素(120a、120b、120c、500a、500b,...)の該幅の値の少なくとも2倍に、更に特に該ミラー装置(120、200、400、500)のミラー要素(120a、120b、120c、500a、500b,...)の該幅の該値の3倍に対応することを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記偏光影響構成要素(111、112、113、310、320、411、511)との重なりの程度が100%又はゼロであるミラー要素が、段階a)での前記決定に考慮されないままに留まることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の方法。
- 考慮されないままに留まるこれらのミラー要素で反射された光が、前記瞳平面内の別個の領域の中に又はビームトラップに向けて偏向されることを特徴とする請求項2から請求項4のいずれか1項に記載の方法。
- 段階a)での前記決定は、前記投影露光装置のレチクル平面に配置された少なくとも1つの偏光測定計器を用いて実施されることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の方法。
- 段階a)での前記決定は、前記投影露光装置の前記レチクル平面に配置された偏光測定計器のアレイを用いて実施されることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 段階b)での前記偏光影響構成要素(111、112、113、310、320、411、511)の前記位置の前記変更は、前記ミラー装置(120、200、400、500)上に投影される該偏光影響構成要素(111、112、113、310、320、411、511)の縁部がミラー要素(120a、120b、120c、500a、500b,...)の2つの隣接する行又は列の間に配置されるようにもたらされることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の方法。
- 段階a)及びb)は、前記偏光影響構成要素(111、112、113、310、320、411、511)の意図された位置に近づけるために繰り返し実施されることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の方法。
- 前記偏光影響構成要素は、λ/2板であることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の方法。
- 前記偏光影響構成要素は、光学活性材料、特に、光伝播方向と平行な光結晶軸方位を有する結晶石英で作られることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の方法。
- マイクロリソグラフィ投影露光装置における光学系を調節する方法であって、
前記光学系は、
ミラー装置によって反射される光の角度分布を変更するために互いに独立して調節することができる複数のミラー要素(120a、120b、120c、500a、500b,...)を有するミラー装置(120、200、400、500)と、
少なくとも1つの偏光影響構成要素(111、112、113、310、320、411、511)を有し、該偏光影響構成要素(111、112、113、310、320、411、511)と前記ミラー装置(120、200、400、500)の間の重なりの程度をこの偏光影響構成要素を変位させることによって可変に設定することが可能である偏光影響光学装置(110)と、
を含み、
前記方法は、
a)前記偏光影響構成要素(511)の縁部(530)を前記光学系のビーム経路の中に配置する段階と、
b)前記ミラー装置(500)のミラー要素(500a、500b,...)上での反射の後に瞳平面上に入射する光に対してIPS測定を実施する段階と、
c)段階b)で実施された前記IPS測定に基づいて、望ましい偏光分布を生成させるのに要求される前記偏光影響構成要素(511)の位置変更を確立する段階と、
を含む、
ことを特徴とする方法。 - 予め決められた閾値を超える前記縁部(530)からの距離を有するミラー要素(500a、500b,...)が、段階b)で前記IPS測定を実施するときに考慮されないままに留まることを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 前記偏光影響構成要素との重なりの程度が100%又はゼロであるミラー要素500a、500b,...)が、段階b)で前記IPS測定を実施するときに考慮されないままに留まることを特徴とする請求項12又は請求項13に記載の方法。
- 考慮されないままに留まるこれらのミラー要素(500a、500b,...)で反射された光が、前記瞳平面内の別個の領域の中に又はビームトラップに向けて偏向されることを特徴とする請求項13又は請求項14に記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261610545P | 2012-03-14 | 2012-03-14 | |
DE102012203944.9 | 2012-03-14 | ||
DE102012203944A DE102012203944A1 (de) | 2012-03-14 | 2012-03-14 | Verfahren zur Justage eines optischen Systems einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
US61/610,545 | 2012-03-14 | ||
PCT/EP2013/054167 WO2013135500A1 (en) | 2012-03-14 | 2013-03-01 | Method for adjusting an optical system of a microlithographic projection exposure apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015512156A true JP2015512156A (ja) | 2015-04-23 |
JP5930350B2 JP5930350B2 (ja) | 2016-06-08 |
Family
ID=49154626
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014561359A Active JP5930350B2 (ja) | 2012-03-14 | 2013-03-01 | マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系を調節する方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9140994B2 (ja) |
JP (1) | JP5930350B2 (ja) |
DE (1) | DE102012203944A1 (ja) |
TW (1) | TWI591443B (ja) |
WO (1) | WO2013135500A1 (ja) |
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- 2012-03-14 DE DE102012203944A patent/DE102012203944A1/de not_active Withdrawn
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- 2013-03-01 WO PCT/EP2013/054167 patent/WO2013135500A1/en active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201400990A (zh) | 2014-01-01 |
DE102012203944A1 (de) | 2013-10-02 |
TWI591443B (zh) | 2017-07-11 |
WO2013135500A1 (en) | 2013-09-19 |
US9140994B2 (en) | 2015-09-22 |
US20140362362A1 (en) | 2014-12-11 |
JP5930350B2 (ja) | 2016-06-08 |
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Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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