JP2015505820A - 光電子用途のためのヘテロレプティック銅錯体 - Google Patents

光電子用途のためのヘテロレプティック銅錯体 Download PDF

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Abstract

本発明は、式（式中、Ｘ＊＝Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ＯＣＮ、ＳＣＮ、アルキニルおよび／またはＮ３、Ｎ＊ｆｌＥ＝二座配位子（式中、Ｅ＝Ｒ２Ｅ形態（Ｒ＝アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシル、フェノキシル、またはアミド）のホスファニル／アルセニル／アンチモニル残基、Ｎ＊＝ピリジル、ピリダジニル、ピリミジル、ピラジニル、トリアジニル、テトラジニル、オキサゾリル、チアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリル、イソキサゾリル、イソチアゾリル、１，２，３−トリアゾリル、１，２，４−トリアゾリル、１，２，４−オキサジアゾリル、１，２，４−チアジアゾリル、テトラゾリル、１，２，３，４−オキサトリアゾリル、１，２，３，４−チアトリアゾリル、キノリル、イソキノリル、キノキサリル、キナゾリルから選択される、任意選択でさらに置換および／または縮合環化されている芳香族基の構成要素であるイミン官能基、「ｆｌ」＝同じく、この芳香族基の構成要素である、少なくとも一つの炭素原子であり、ただし、炭素原子は、イミン窒素原子にも、リン原子、ヒ素原子、またはアンチモン原子にも直接隣接している）の銅（Ｉ）錯体、ならびに光電子部品中でのその使用に関する。

Description

本発明は、特に光電子（オプトエレクトロニクス）部品において使用するための、一般式Ａのヘテロレプティック銅（Ｉ）錯体に関する。
現在のところ、画面技術および照明技術の分野における劇的な変化が際立つ。厚さが０．５ｍｍ未満の平面型ディスプレイまたは被照面（Ｌｅｕｃｈｔｆｌａｅｃｈｅ）を製作することが可能になるであろう。これらは、多数の、興味をそそる特性によって傑出している。つまり、例えば、エネルギー消費が極めてわずかである壁紙としての被照面が実現可能であろう。さらに、これまでは達成不可能であった色堅牢度、明度、および視角非依存性を有するカラー画面を低重量ならびに非常に低い電力消費で製造することができるであろう。画面は、剛性型または可撓性の、マイクロディスプレイ、または数ｍ２の面積をもつ大画面として、さらには透過型ディスプレイもしくは反射型ディスプレイとして形成することができるであろう。さらに、容易かつ経済的な製造方法、例えば、スクリーン印刷、インクジェット印刷、または真空昇華を使用することが可能であろう。その結果、従来の平面型画面と比べて、非常に低価格な製作が可能になる。この新規技術は、図３６で簡略化して図解されているＯＬＥＤ、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅｓ（有機発光ダイオード）の原理に基づく。
このような部品は、図３６に簡略化して図解されているように、主に有機層からなる。例えば、５Ｖ〜１０Ｖの電圧において、伝導性金属層、例えばアルミニウムカソードから負の電子が、薄い電子伝導層へと移動し、正のアノードの方向に移る。このアノードは、例えば、透明であるが導電性の、薄いインジウムスズ酸化物層からなり、この層から、陽性電荷担体、いわゆる正孔が、有機正孔伝導層へと移入する。この正孔は、電子と比べて反対方向に移動し、詳しくは負のカソードの方へと移動する。同じく有機材料からなる中間の層、エミッタ層には、付加的に特殊なエミッタ分子が存在し、そのエミッタ分子に接して、またはその近くで両方の電荷担体が再結合し、その際、エミッタ分子の、中性ではあるがエネルギー励起された状態を引き起こす。この励起状態は、次いで、そのエネルギーを、例えば、青色、緑色、または赤色の明るい発光として放出する。白色発光も実現可能である。エミッタ分子が正孔伝導層または電子伝導層中に存在するのであれば、場合によってはエミッタ層が省略されることも可能である。
新規ＯＬＥＤ部品は、照明設備として大面積に、さらにはディスプレイ用ピクセルとして極めて小さくも形成することができる。高効率のＯＬＥＤを構築するために決定的に重要なことは、使用される発光材料（エミッタ分子）である。この発光材料は、様々な方法で、詳しくは、純有機分子、または有機金属分子、ならびに錯体化合物を使用しながら実現することが可能である。ＯＬＥＤの光収率は、有機金属材料、いわゆる三重項エミッタを用いると、純有機材料の場合よりも本質的に高くなり得ることを示すことができる。この特性ゆえに、有機金属材料のさらなる開発には本質的な価値がある。ＯＬＥＤの機能は、すでに非常に多く記載されている［ｉ〜ｖｉ］。発光量子収率（一重項基底状態に向かう最低三重項状態を考慮に入れた遷移）の高い有機金属錯体を使用すると、特に高い効率のデバイスを達成することができる。この材料は、しばしば、三重項エミッタまたは燐光エミッタと呼ばれる。これは、かなり以前から知られている［ｉ〜ｖ］。三重項エミッタに関しては、すでに多数の保護権が申請ないしは付与された［ｖｉｉ〜ｘｉｘ］。
Ｃｕ２Ｘ２Ｌ４、Ｃｕ２Ｘ２Ｌ’２およびＣｕ２Ｘ２Ｌ２Ｌ’（Ｌ＝ホスファン配位子、アミン配位子、イミン配位子；Ｌ’＝二座性のホスファン配位子、イミン配位子、アミン配位子、下記参照）という形態の銅錯体が、従来技術からすでに公知である。これらの銅錯体は、紫外光で励起されると強度のルミネセンスを示す。このルミネセンスは、ＭＬＣＴ状態、ＣＣ（ｃｌｕｓｔｅｒ ｃｅｎｔｅｒｅｄ（クラスター中心性））状態、またはＸＬＣＴ（ｈａｌｏｇｅｎ−ｔｏ−ｌｉｇａｎｄ−ｃｈａｒｇｅ−ｔｒａｎｓｆｅｒ（ハロゲン−トゥ−配位子−電荷移動））状態、またはこれらの組み合わせから発し得る。類似のＣｕ（Ｉ）系に関するさらなる詳細は、文献から読み取ることができる［ｘｘ］。類似の［Ｃｕ２Ｘ２（ＰＰｈ３）２ｎａｐ］錯体（ｎａｐ＝１，８−ナフチリジン、Ｘ＝Ｂｒ、Ｉ）の場合、｛Ｃｕ２Ｘ２｝単位の分子軌道（Ｃｕ ｄ軌道およびハロゲンｐ軌道）とｎａｐ基のπ＊軌道との間の遷移が議論される［ｘｘｉ］。
三重項エミッタは、ディスプレイにおいて（ピクセルとして）および照明面において（例えば、発光壁紙として）光の発生に関して多大な潜在能力を有する。非常に多数の三重項エミッタ材料がすでに特許化されており、ファーストデバイスにおいて技術的に使用されてもいる。これまでの解決策は、詳細には以下の領域：
・ＯＬＥＤデバイスにおけるエミッタの長期安定性、
・熱安定性、
・水および酸素に対する化学的安定性、
・重要な発光色の利用可能性、
・製造技術上の再現性、
・高電流密度における高い効率の達成可能性、
・非常に高い輝度の達成可能性、
・エミッタ材料の高価格、
・エミッタ材料が毒性であること、および
・合成に手間がかかること
において不利点および問題を有する。
Ｃ．−Ｙ．Ｃｈｅｎ、Ｍ．Ｗａｎｇ、Ｊ．−Ｙ．Ｌｉ、Ｎ．Ｐｏｏｔｒａｋｕｌｃｈｏｔｅ、Ｌ．Ａｌｉｂａｂａｅｉ、Ｃ．−ｈ．Ｎｇｏｃ−ｌｅ、Ｊ．−Ｄ．Ｄｅｃｏｐｐｅｔ、Ｊ．−Ｈ．Ｔｓａｉ、Ｃ．Ｇｒａｅｔｚｅｌ、Ｃ．−Ｇ．Ｗｕ、Ｓ．Ｍ．Ｚａｋｅｅｒｕｄｄｉｎ、Ｍ．Ｇｒａｅｔｚｅｌ、ＡＣＳ Ｎａｎｏ ２００９年、第３号、３１０３ページ
これを背景にして、本発明の課題は、上記不利点の少なくともいくつかを克服することであった。
本発明の課題は、式Ａによる構造を含むか、または式Ａによる構造の、Ｃｕ２Ｘ２（Ｅ∩Ｎ＊）Ｌ２の形態のヘテロレプティック二核銅（Ｉ）錯体を提供することによって解決される。
式Ａ（以下ではＣｕ２Ｘ２（Ｅ∩Ｎ＊）Ｌ２とも呼ぶ）において、Ｅ∩Ｎ＊は、窒素原子とリン原子、ヒ素原子またはアンチモン原子のいずれか一つとを介してＣｕ２Ｘ２核に結合するキレート性Ｎ−複素環式配位子を意味し、Ｌは、互いに独立に、ホスファン配位子、アルサン配位子、またはアンチモン配位子を意味し、ただし、両方ともの配位子Ｌが、互いに結合されていてもよいため、二座配位子がもたらされるか、または一つの配位子Ｌないしは両方ともの配位子Ｌが、Ｅ∩Ｎ＊と結合されていてもよいため、三価または四価の配位子がもたらされることになる。少なくとも一つのＬは、Ｅ∩Ｎ＊と異なる。
錯体の構造を示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 化合物の発光スペクトルを示す図である。 有機発光ダイオードの原理の概略図である。
本発明による、式Ａの二核銅（Ｉ）錯体の特殊な実施形態が、式Ｉ、およびＩＩおよびＩＩＩの化合物により表され、以下で説明される。
式中、
Ｘ＊＝Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ＯＣＮ、ＳＣＮ、アルキニルおよび／またはＮ３（つまり互いに独立であるため、この錯体は、二つの同じ、または二つの異なる原子Ｘ＊を有し得る）、
Ｎ＊∩Ｅ＝互いに独立に、二座配位子（式中、Ｅ＝Ｒ２Ｅ形態（Ｒ＝アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシル、フェノキシル、アミド）のホスファニル／アルセニル／アンチモニル残基；Ｎ＊＝イミン官能基）。
「∩」は、一つの炭素原子である。特に、Ｅは、Ｐｈ２Ｐ基（Ｐｈ＝フェニル）であり、イミン官能基は、任意選択でさらに置換および／または縮合環化（ａｎｎｅｌｉｅｒｔ）されている芳香族基（例えば、ピリジル、ピリダジニル、ピリミジル、ピラジニル、トリアジニル、テトラジニル、オキサゾリル、チアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリル、イソキサゾリル、イソチアゾリル、１，２，３−トリアゾリル、１，２，４−トリアゾリル、１，２，４−オキサジアゾリル、１，２，４−チアジアゾリル、テトラゾリル、１，２，３，４−オキサトリアゾリル、１，２，３，４−チアトリアゾリル、キノリル、イソキノリル、キノキサリル、キナゾリル等々）の構成要素である。「∩」も同じく、この芳香族基の構成要素である。その炭素は、イミン窒素原子にも、Ｅ原子にも直接隣接している。
Ｄ＝互いに独立に、Ｐおよび／またはＡｓおよび／またはＳｂ。
Ｒ＝それぞれ互いに独立に、水素、ハロゲン； または酸素原子（−ＯＲ）、窒素原子（−ＮＲ２）もしくはケイ素原子（−ＳｉＲ３）を介して結合されている置換基； ならびにアルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基； ないしはハロゲンまたは重水素、アルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、および別の一般的に公知のドナー基もしくはアクセプター基、例えばアミン、カルボキシラートおよびそのエステル、およびＣＦ３基のような置換基で置換されたアルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、およびアルケニル基。残基Ｒは、任意選択で、縮合環化された環系をもたらすこともできる。
Ｎ＊∩Ｅおよび／またはＬは、任意選択で、特に、電荷担体輸送を改善する官能基、および／またはＯＬＥＤ部品製造のための慣用の有機溶媒中での、銅（Ｉ）錯体の可溶性を高める基で置換されていてもよい。慣用の有機溶媒は、アルコール、エーテル、アルカン、ならびにハロゲン化脂肪族炭化水素およびハロゲン化芳香族炭化水素、およびアルキル化芳香族炭化水素に加えて、特に、トルエン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、メシチレン、キシレン、テトラヒドロフラン、フェネトール、プロピオフェノンを含む。
本発明による銅（Ｉ）錯体は、好ましくは、二座配位子Ｎ＊∩Ｅと、二つの同じ一座配位子ＤＲ３もしくは二つの異なる一座配位子ＤＲ３とからなるか（ただし、一つの配位子ＤＲ３は、Ｎ＊∩Ｅと同じまたは異なっていてもよい）、または二座配位Ｒ２Ｄ−Ｂ−ＤＲ２とからなるため、異なる配位子の周辺部を介して様々な官能基（例えば、それぞれ一つの正孔輸送単位および電子輸送単位、以下では正孔伝導体ないしは電子伝導体と呼ぶ）を導入することができ、その結果、銅錯体への最適な電荷担体輸送、および直接銅錯体上で起こる明確な（ｗｏｈｌｄｅｆｉｎｉｅｒｔ）再結合が保証される。中心金属として銅を使用する際の重要な利点は、中でも、その他の場合、ＯＬＥＤエミッタにおいて通例の金属、例えば、Ｒｅ、Ｏｓ、ＩｒおよびＰｔと比べた場合、その低価格である。さらに、銅の低い毒性もまた、その使用に有利に働く。
光電子部品での、その使用に関して、本発明による銅（Ｉ）錯体は、達成可能な広範囲の発光色で傑出している。その上、発光量子収率が高く、特に５０％超である。Ｃｕ中心イオンを有するエミッタ錯体の場合、発光減衰時間が著しく短い。
その上、本発明による銅（Ｉ）錯体は、明らかな消光効果を伴うことなく比較的高いエミッタ濃度で使用可能である。すなわち、エミッタ層中では、５％〜１００％というエミッタ濃度を使用することができる。
好ましくは、配位子Ｎ＊∩Ｅが、以下の配位子である：
式中
Ｅ＊＝互いに独立に、Ｐ、ＡｓまたはＳｂ、
Ｘ＝互いに独立に、ＮＲ３、ＯまたはＳ、
Ｙ＝互いに独立に、ＣＲ３、ＣＲ４またはＮ、
Ｚ＝互いに独立に、ＣＲ４、ＣＲ５またはＮ、
Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ互いに独立に、水素、ハロゲンであるか、または酸素原子（−ＯＲ）、窒素原子（−ＮＲ２）、もしくはケイ素原子（−ＳｉＲ３）を介して結合されている置換基； ならびにアルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基； ないしはハロゲンまたは重水素、アルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、および別の一般的に公知のドナー基もしくはアクセプター基、例えばアミン、カルボキシラートおよびそのエステル、およびＣＦ３基のような置換基で置換されたアルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、およびアルケニル基であり得る。Ｒ３〜Ｒ６は、任意選択で、縮合環化された環系をもたらすこともできる。
好ましくは、配位子ＤＲ３（式Ｉを参照）が、以下の配位子である：
一座配位子、式中、
Ｄ＝互いに独立に、Ｐ、Ａｓおよび／またはＳｂ、
Ｒ３は、それぞれ互いに独立に、水素、ハロゲンであるか； または酸素原子（−ＯＲ）、窒素原子（−ＮＲ２）もしくはケイ素原子（−ＳｉＲ３）を介して結合されている置換基； ならびにアルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基； ないしはハロゲンまたは重水素、アルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、および別の一般的に公知のドナー基もしくはアクセプター基、例えばアミン、カルボキシラートおよびそのエステル、およびＣＦ３基のような置換基で置換されたアルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、およびアルケニル基であり得る。三つの個々の残基Ｒは、任意選択で、縮合環化された環系をもたらすこともできる。
好ましくは、配位子Ｒ２Ｄ−Ｂ−ＤＲ２（式ＩＩを参照）が、以下の配位子である：
二座配位子、式中、
Ｄ＝互いに独立に、Ｐ、Ａｓおよび／またはＳｂ、
Ｒ２は、それぞれ互いに独立に、水素、ハロゲンであるか； または酸素原子（−ＯＲ）、窒素原子（−ＮＲ２）もしくはケイ素原子（−ＳｉＲ３）を介して結合されている置換基； ならびにアルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基； ないしはハロゲンまたは重水素、アルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、および別の一般的に公知のドナー基もしくはアクセプター基、例えばアミン、カルボキシラートおよびそのエステル、およびＣＦ３基のような置換基で置換されたアルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、およびアルケニル基であり得て、Ｒ２は、架橋Ｂを介してもう一つの残基Ｄと結合されているため二座配位子を形成し、ただし、架橋Ｂは、直接結合であるか、または置換もしくは非置換のアルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、もしくはアリーレン基、もしくは二つとの組み合わせ、または−Ｏ−、−ＮＲ−または−ＳｉＲ２−であり、それぞれのＲは、互いに独立に、水素、ハロゲン； または酸素原子（−ＯＲ）、窒素原子（−ＮＲ２）もしくはケイ素原子（−ＳｉＲ３）を介して結合されている置換基； ならびにアルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基； ないしはハロゲンまたは重水素、アルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、および別の一般的に公知のドナー基もしくはアクセプター基、例えばアミン、カルボキシラートおよびそのエステル、およびＣＦ３基のような置換基で置換されたアルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、およびアルケニル基からなる群から選択される。二つの個々の残基Ｒは、縮合環化された環系をもたらすこともできる。
二座配位子Ｎ＊∩Ｅ同様に、二つの一座配位子ＤＲ３または二座配位子Ｒ２Ｄ−Ｂ−ＤＲ２も、適した部位において、少なくとも一つの官能基ＦＧで置換されていてもよい。したがって、ＣＦＧ−ＣＮ＊∩Ｅ直接結合が形成可能であって、ただし、ＣＮ＊∩ＥはＮ＊∩Ｅ配位子のＣ原子を表し、ＣＦＧは官能基のＣ原子を表す。結合する原子が窒素原子である場合、ＮＦＧ−ＣＮ＊∩Ｅ結合が生じ、ただし、ＮＦＧは窒素原子を意味する。他方では、官能基が、架橋を介してＮ＊∩Ｅ配位子に結合されてもよく、例えば、エーテル架橋、チオエーテル架橋、エステル架橋、アミド架橋、メチレン架橋、シラン架橋、エチレン架橋、エチン架橋が挙げられる。その結果、架橋として、例えば、以下の官能基、つまり、ＣＦＧ−Ｏ−ＣＮ＊∩Ｅ、ＣＦＧ−Ｓ−ＣＮ＊∩Ｅ、ＣＦＧ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−ＣＮ＊∩Ｅ、ＣＦＧ−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−ＣＮ＊∩Ｅ、ＣＦＧ−ＣＨ２−ＣＮ＊∩Ｅ、ＣＦＧ−ＳｉＲ’２−ＣＮ＊∩Ｅ、ＣＦＧ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＮ＊∩Ｅ、ＣＦＧ−Ｃ≡Ｃ−ＣＮ＊∩Ｅ、ＮＦＧ−ＣＨ２−ＣＮ＊∩Ｅが生じ得る。
直接または架橋によるかのいずれかで、官能基をＮ＊∩Ｅ配位子および／または配位子Ｌに結合するための方法は、当業者には公知である（鈴木カップリング、スティルカップリング、ヘックカップリング、薗頭カップリング、熊田カップリング、ウルマンカップリング、ブッフバルト・ハートヴィッヒカップリング、ならびにその変種；（チオ）エーテル化、エステル化、ｓｐ３炭素または芳香族化合物における求核置換および求電子置換等々）。例を挙げると、文献中に記載される配位子（４，４’−ビス（５−（ヘキシルチオ）−２，２’−ビチエン−５’−イル）−２，２’−ビピリジン）は、スティルカップリングを利用して電子伝導置換基をｂｐｙ配位子に結合する可能性を説明する（Ｃ．−Ｙ．Ｃｈｅｎ、Ｍ．Ｗａｎｇ、Ｊ．−Ｙ．Ｌｉ、Ｎ．Ｐｏｏｔｒａｋｕｌｃｈｏｔｅ、Ｌ．Ａｌｉｂａｂａｅｉ、Ｃ．−ｈ．Ｎｇｏｃ−ｌｅ、Ｊ．−Ｄ．Ｄｅｃｏｐｐｅｔ、Ｊ．−Ｈ．Ｔｓａｉ、Ｃ．Ｇｒａｅｔｚｅｌ、Ｃ．−Ｇ．Ｗｕ、Ｓ．Ｍ．Ｚａｋｅｅｒｕｄｄｉｎ、Ｍ．Ｇｒａｅｔｚｅｌ、ＡＣＳ Ｎａｎｏ ２００９年、第３号、３１０３ページ（非特許文献１））。
特別な一実施形態では、残基Ｒは、電子伝導置換基、正孔伝導置換基、または可溶性を高める置換基であってもよい。
本発明は、本発明による銅（Ｉ）錯体の製造方法にも関する。本発明によるこの方法は、Ｎ＊∩ＥおよびＬと銅（Ｉ）錯体との反応を実施するステップを有し、
ただし、
Ｘ＊＝Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ＯＣＮ、ＳＣＮ、アルキニルおよび／またはＮ３（互いに独立に）、
Ｎ＊∩Ｅ＝二座配位子
（式中、Ｅ＝Ｒ２Ｅ形態（Ｒ＝アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシル、フェノキシル、またはアミド）のホスファニル／アルセニル／アンチモニル残基、
Ｎ＊＝ピリジル、ピリダジニル、ピリミジル、ピラジニル、トリアジニル、テトラジニル、オキサゾリル、チアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリル、イソキサゾリル、イソチアゾリル、１，２，３−トリアゾリル、１，２，４−トリアゾリル、１，２，４−オキサジアゾリル、１，２，４−チアジアゾリル、テトラゾリル、１，２，３，４−オキサトリアゾリル、１，２，３，４−チアトリアゾリル、キノリル、イソキノリル、キノキサリル、キナゾリル等々から選択される、任意選択でさらに置換および／または縮合環化されている芳香族基の構成要素であるイミン官能基、
「∩」＝同じく、この芳香族基の構成要素である、少なくとも一つの炭素原子であり、ただし、炭素原子は、イミン窒素原子にも、リン原子、ヒ素原子、またはアンチモン原子にも直接隣接しており、および
Ｌは、
二つの一座配位子ＤＲ３（式中、
Ｄ＝Ｒ３Ｄ形態のホスファニル／アルセニル／アンチモニル残基であり、ただし、三つの残基Ｒは、それぞれ互いに独立に、水素、ハロゲン； または酸素原子（−ＯＲ）、窒素原子（−ＮＲ２）もしくはケイ素原子（−ＳｉＲ３）を介して結合されている置換基； ならびにアルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基； またはハロゲンもしくは重水素、アルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、および別のドナー基もしくはアクセプター基、例えばアミン、カルボキシラートおよびそのエステル、およびＣＦ３基のような置換基で置換されたアルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、およびアルケニル基であり、三つの個々の残基Ｒは、任意選択で、縮合環化された環系をもたらす）としてか、
あるいは一つの二座配位子Ｒ２Ｄ−Ｂ−ＤＲ２（式中、
Ｄ＝架橋Ｂを介してもう一つの残基Ｄと結合されているＲ２Ｄ形態のホスファニル／アルセニル／アンチモニル残基であり、ただし、架橋Ｂは、直接結合であるか、または置換もしくは非置換のアルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、もしくはアリーレン基、もしくは二つの組み合わせ、または−Ｏ−、−ＮＲ−または−ＳｉＲ２−であり、残基Ｒは、それぞれ互いに独立に、水素、ハロゲン； または酸素原子（−ＯＲ）、窒素原子（−ＮＲ２）もしくはケイ素原子（−ＳｉＲ３）を介して結合されている置換基； ならびにアルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基； またはハロゲンもしくは重水素、アルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、および別のドナー基もしくはアクセプター基、例えばアミン、カルボキシラートおよびそのエステル、およびＣＦ３基のような置換基で置換されたアルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、およびアルケニル基であり、二つの個々の残基Ｒは、任意選択で、縮合環化された環系をもたらす）としてか、
あるいは二つの異なる一座配位子ＤＲ３（ただし、一つの配位子ＤＲ３は、Ｎ＊∩Ｅと同じまたは異なっていてもよく、式中、
Ｄ＝Ｒ３Ｄ形態（Ｒ＝アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシル、フェノキシル、またはアミド）のホスファニル／アルセニル／アンチモニル残基、
Ｎ＊∩Ｅ＝二座配位子、
Ｅ＝Ｒ２Ｅ形態（Ｒ＝アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシル、フェノキシル、またはアミド）のホスファニル／アルセニル／アンチモニル残基、
Ｎ＊＝ピリジル、ピリダジニル、ピリミジル、ピラジニル、トリアジニル、テトラジニル、オキサゾリル、チアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリル、イソキサゾリル、イソチアゾリル、１，２，３−トリアゾリル、１，２，４−トリアゾリル、１，２，４−オキサジアゾリル、１，２，４−チアジアゾリル、テトラゾリル、１，２，３，４−オキサトリアゾリル、１，２，３，４−チアトリアゾリル、キノリル、イソキノリル、キノキサリル、キナゾリル等々から選択される、任意選択でさらに置換および／または縮合環化されている芳香族基の構成要素であるイミン官能基、
「∩」＝同じく、この芳香族基の構成要素である、少なくとも一つの炭素原子であり、ただし、炭素原子は、イミン窒素原子にも、リン原子、ヒ素原子、またはアンチモン原子にも直接隣接している）としてか、
のいずれか一つで形成される。
有機溶媒中での錯体の可溶性を高めるため、および／または電荷担体輸送を改善するために、配位子Ｎ＊∩Ｅおよび／またはＬに接して任意選択で存在する少なくとも一つの置換基を、さらに下記で記載する。
反応は、好ましくは、ジクロロメタン（ＤＣＭ）中で行われるが、別の有機溶媒、例えば、アセトニトリル、またはテトラヒドロフラン、またはジメチルスルホキシド、またはエタノールも使用可能である。溶解した生成物にジエチルエーテル、またはヘキサン、またはメチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、またはペンタン、またはメタノール、またはエタノール、または水を添加することにより、固体を獲得することができる。固体獲得は、沈殿、または内方向拡散（Ｅｉｎｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）、または超音波槽中で行ってもよい。
二座Ｐ∩Ｎ＊配位子（Ｐ∩Ｎ＊＝ホスファン配位子、定義は下記を参照）およびＬをＣｕ（Ｉ）Ｘ（Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）と、好ましくはジクロロメタン（ＤＣＭ）中で、好ましくは室温において反応させると、意外なことに、２：３−二核錯体Ｃｕ２Ｘ２（Ｅ∩Ｎ＊）Ｌ２が生じ、その錯体中ではＣｕ原子がホスファン配位子ならびに両方のハロゲン化物アニオンによって架橋される（反応式１）。
式Ａの構造は、Ｃｕ２Ｘ２Ｌ２Ｌ’ないしはＣｕ２Ｘ２Ｌ４の形態の公知の錯体と類似する。しかしながら、Ｃｕ２Ｘ２Ｌ２Ｌ’の場合とは異なり、この錯体は、Ｃｕ（Ｉ）Ｘを、二座Ｐ∩Ｎ＊配位子と、ならびに二つの一座配位子ＤＲ３、または一つの二座配位子Ｒ２Ｄ−Ｂ−ＤＲ２、または一つの一座配位子ＤＲ３および、二座配位子Ｐ∩Ｎ＊と同じもしくは異なっていてもよい一つの一座配位子Ｐ∩Ｎ＊のいずれかと反応させることにより、たった一つのステップで入手できる。この錯体は、Ｅｔ２Ｏを用いた沈殿により、黄色または赤色の微結晶粉末として単離され得る。単結晶は、反応溶液へとＥｔ２Ｏがゆっくりと内方向拡散することにより得ることができる。錯体が、粉末または結晶として存在すると直ちに、この錯体は、慣用の有機溶媒中において、部分的に難溶性から不溶性となる。特に、可溶性が低い場合、錯体を元素分析およびＸ線構造分析によってのみ同定した。
これは、上記の一般式Ａである。二座Ｅ∩Ｎ＊配位子、ならびに／あるいは、二つの一座配位子ＤＲ３か、または二座配位子Ｒ２Ｄ−Ｂ−ＤＲ２か、または一つの一座配位子ＤＲ３および二座配位子Ｐ∩Ｎ＊と同じもしくは異なっていてもよい一座配位子Ｐ∩Ｎ＊かのいずれか一方は、互いに独立に、少なくとも一つの置換基を含み得る。これらの置換基は、それぞれ互いに独立に、水素、ハロゲンであるか； または酸素原子（−ＯＲ）、窒素原子（−ＮＲ２）もしくはケイ素原子（−ＳｉＲ３）を介して結合されている置換基； ならびにアルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基； ないしはハロゲンもしくは重水素、アルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、および別の一般的に公知のドナー基もしくはアクセプター基、例えばアミン、カルボキシラートおよびそのエステル、およびＣＦ３基のような置換基で置換されたアルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、およびアルケニル基であり得る。これらの置換基は、縮合環化された環系をもたらすこともできる。
異なる官能基を導入するための置換基
優れた電荷担体輸送、および直接銅錯体上で起こる明確な再結合を保証することを目的に、様々な配位子を介して異なる官能基を導入するための、上記の置換基（例えば、正孔伝導体および／または電子伝導体）は、Ｅ∩Ｎ＊配位子および／またはＬ配位子に単結合または多重結合されていることが可能である。同一官能基または異種官能基が使用されてもよい。これらの官能基は、対称または非対称に存在していてもよい。
電子伝導体
電子伝導体材料は、もっぱら芳香族化合物のみであるため、慣用のカップリング反応を利用した置換が可能である。カップリング反応としては、例えば、鈴木カップリング、スティルカップリング、ヘックカップリング、薗頭カップリング、熊田カップリング、ウルマンカップリング、ブッフバルト・ハートヴィッヒカップリング、ならびにその変種を使用する。
その際、ハロゲン化物（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、特にＢｒで置換されたＥ∩Ｎ＊配位子および／またはＬ配位子を起点とし、これらを、対応する、適した脱離基で置換された電子伝導体材料と反応させる。対応するアリールボロン酸およびアリールボロン酸エステルを使用しながら行う鈴木カップリングの実施、ならびにアリール−Ｎ−結合を生成するためのブッフバルト・ハートヴィッヒカップリングが有利である。官能基に依存して、さらなる慣用の結合反応を使用することも可能であり、例えば、官能基ＦＧとＥ∩Ｎ＊配位子および／またはＬ配位子との間の架橋を介してである。ここで、−ＯＨ基が存在する場合には、例えばエステル化およびエーテル形成が考慮の対象になり、−ＮＨ２基の場合はイミン形成およびアミド形成が、−ＣＯＯＨ基の場合はエステル形成が考慮の対象になる。相応して、Ｅ∩Ｎ＊配位子および／またはＬ配位子の置換パターンを適合させる必要がある。官能基ＦＧを付加させるための適した方法は、当業者には公知である。
電子輸送性置換基としては、例えば、以下の基を使用することができる（＃で印をつけた部位で結合が起こる）：
置換基ＲおよびＲ’は、分岐状もしくはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）で置換されていてもよいアルキル残基［ＣＨ３−（ＣＨ２）ｎ−］（ｎ＝０〜２０）、またはアルキル基、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、シラン基（−ＳｉＲ’’’３）もしくはエーテル基−ＯＲ’’’（Ｒ’’’はＲと同義；ここで使用される置換基は、必ずしも式ＩまたはＩＩの置換基Ｒ、Ｒ’、Ｒ’’には対応しない）で置換されていてもよいアリール残基（特にフェニル）である。同じく、Ｒは、アルケニル基およびアルキニル基のような、これもまた同様にアルキル基、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、シラン基（−ＳｉＲ’’３）もしくはエーテル基−ＯＲ’’（Ｒ’’はＲと同義）で置換されていてもよい不飽和基であってもよい。
正孔伝導体
正孔伝導体に関しては、電子伝導体の場合と同じ記載が対応して当てはまる。ここでも、正孔伝導体の、Ｅ∩Ｎ＊配位子および／またはＬ配位子での結合は、最も簡単には、パラジウム触媒カップリング反応を介して実現され、さらなる結合が、架橋を介しても、同様に可能である。
正孔輸送性置換基としては、例えば、以下の基を使用することができる（＃で印をつけた部位で結合が起こる）：
上記の置換基Ｒ、Ｒ’’およびＲ’’’は、分岐状もしくはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）で置換されていてもよいアルキル残基［ＣＨ３−（ＣＨ２）ｎ−］（ｎ＝０〜２０）、またはアルキル基、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、シラン基（−ＳｉＲ’’’’３）もしくはエーテル基−ＯＲ’’’’（Ｒ’’’’はＲと同義；正孔輸送性置換基に関し上記で使用される置換基は、必ずしも式ＩまたはＩＩの置換基Ｒ、Ｒ’、Ｒ’’には対応しない）で置換されていてもよいアリール残基（特にフェニル）である。同じく、Ｒは、アルケニル基およびアルキニル基のような、これもまた同様にアルキル基、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、シラン基（−ＳｉＲ’’３）もしくはエーテル基−ＯＲ’’（Ｒ’’はＲと同義）で置換されていてもよい不飽和基であってもよい。
第二の反応物との交差架橋の達成を目的に、自己触媒エミッタ材料としての銅（Ｉ）錯体を使用する際には、第二の反応物の、対応する相補性官能単位との、銅（Ｉ）錯体により触媒される交差架橋、それゆえ固定化を可能にするような官能基をＥ∩Ｎ＊配位子および／またはＬ配位子の周辺部に付加してもよい。付加的に、この交差架橋は、金属錯体の幾何構造の安定化および固定をもたらし、それにより、配位子の移動、それゆえ励起された分子の構造変化が阻止され、無放射緩和経路（Ｒｅｌａｘａｔｉｏｎｓｐｆａｄｅ）による効率低下が有効に阻止される。
自己触媒交差架橋反応の模範例は、第一クリック基である末端または活性化アルキンと第二クリック基であるアジドとの間の、銅が触媒するクリック反応である。金属錯体エミッタは、少なくとも二つのアルキン単位を担持する必要があるため、構造Ｎ＊∩Ｅおよび／またはＬの少なくとも二つが、好ましくは、交差架橋を達成するための上記官能基の少なくともそれぞれ一つで置換されており、一方で、交差架橋に関し非活性の構造Ｎ＊∩Ｅおよび／またはＬは、任意選択で、有機溶媒中での錯体の可溶性を高めるため、および／または電荷担体輸送を改善するための、上記官能基の別の一つで置換されていてもよい。
その結果、異なる官能基が、様々な配位子の周辺部を介して導入可能であって（例えば、銅錯体への最適な電荷担体輸送および直接銅錯体上で起こる定義可能な再結合を達成するためのそれぞれ一つずつの正孔輸送単位および電子輸送単位、および／または有機溶媒中での錯体の可溶性を高めるための置換基、および／または交差架橋を達成するための官能基）、それにより銅（Ｉ）錯体の、非常に柔軟な適合および修飾が可能である。
可溶性
湿式化学プロセスを利用して光電子部品を製造する際には、可溶性を特異的に調整することが有利である。その結果、すでに塗布された層の分解ないしは溶解を回避することができる。特定の置換基を導入することにより、溶解特性に著しく影響を与えることができる。それにより、それぞれ目下の加工ステップの物質のみを溶解するもののその下に位置する層の物質は溶解しない直交溶媒を使用することが可能である。この目的のために、置換基Ｒ１〜Ｒ６は、可溶性の調整を可能にするように選択することができる。適した置換基の選択に関する以下の可能性が与えられている：
非極性媒体中での可溶性
非極性置換基Ｒ１〜Ｒ６は、非極性溶媒中での可溶性を高め、極性溶媒中での可溶性を低くする。非極性基は、例えば、アルキル基［ＣＨ３−（ＣＨ２）ｎ−］（ｎ＝１〜３０）、さらには、分岐または環状、例えばハロゲンで置換されたアルキル基でもある。その際、特に強調されるべきであるのは、部分フッ化または過フッ化されたアルキル基、ならびに過フッ化されたオリゴエーテルおよびポリエーテル、例えば、［−（ＣＦ２）２−Ｏ］ｎおよび（−ＣＦ２−Ｏ）ｎ−（ｎ＝２〜５００）である。さらなる非極性基は、エーテル−ＯＲ＊、チオエーテル−ＳＲ＊、様々に置換されたシランＲ＊ ３Ｓｉ−（Ｒ＊＝アルキルまたはアリール）、シロキサンＲ＊ ３Ｓｉ−Ｏ−、オリゴシロキサンＲ＊＊（−Ｒ２Ｓｉ−Ｏ）ｎ−（Ｒ＊＊＝Ｒ＊、ｎ＝２〜２０）、ポリシロキサンＲ＊＊（−Ｒ＊ ２Ｓｉ−Ｏ）ｎ−（ｎ＞２０）；オリゴ／ポリホスファゼンＲ＊＊（−Ｒ＊ ２Ｐ＝Ｎ−）ｎ−（ｎ＝１〜２００）である。
極性溶媒中での可溶性
極性置換基Ｒ１〜Ｒ６は、極性溶媒中での可溶性を高める。それらの置換基は以下である：
・アルコール基：−ＯＨ
・カルボン酸残基、ホスホン酸残基、スルホン酸残基、ならびにそれらの塩およびエステル（Ｒ＊＝Ｈ、アルキル、アリール、ハロゲン；カチオン：アルカリ金属、アンモニウム塩）：
−ＣＯＯＨ、−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、−Ｐ（Ｓ）（ＯＨ）２、−Ｓ（Ｏ）（ＯＨ）２、−ＣＯＯＲ＊、−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ＊）２、−Ｐ（Ｓ）（ＯＲ＊）２、−Ｓ（Ｏ）（ＯＲ＊）２、−ＣＯＮＨＲ＊、−Ｐ（Ｏ）（ＮＲ＊ ２）２、−Ｐ（Ｓ）（ＮＲ＊ ２）２、−Ｓ（Ｏ）（ＮＲ＊ ２）２
・スルホキシド：−Ｓ（Ｏ）Ｒ＊、−Ｓ（Ｏ）２Ｒ＊
・カルボニル基：−Ｃ（Ｏ）Ｒ＊
・アミン：−ＮＨ２、−ＮＲ＊ ２、−Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）２、
・ヒドロキシルアミン＝ＮＯＲ＊
・オリゴエステル、−Ｏ（ＣＨ２Ｏ−）ｎ、−Ｏ（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−）ｎ（ｎ＝２〜２００）
・正電荷置換基：例えば、アンモニウム塩−Ｎ＋Ｒ＊ ３Ｘ−、ホスホニウム塩−Ｐ＋Ｒ＊ ３Ｘ−
・負電荷置換基：例えば、ホウ酸塩−（ＢＲ＊ ３）−、アルミン酸塩−（ＡｌＲ＊ ３）−（アニオンとしては、アルカリ金属またはアンモニウムイオンが機能し得る）。
任意選択で、この調製方法は、少なくとも一つの配位子Ｎ＊∩Ｅおよび／またはＬが、有機溶媒中での可溶性を高めるための上記置換基の少なくとも一つで置換されるというステップを含んでもよく、ただし、この置換基は、本発明の一実施形態では、
− Ｃ１〜Ｃ３０の長さの長鎖、分岐状、または非分岐状、または環状のアルキル鎖、
− Ｃ１〜Ｃ３０の長さの長鎖、分岐状、または非分岐状、または環状のアルコキシ鎖、
− Ｃ１〜Ｃ３０の長さの分岐状、または非分岐状、または環状のペルフルオロアルキル鎖、
− 短鎖ポリエーテル
からなる群から選択されていてもよい。
任意選択で、この調製方法は、少なくとも一つの配位子Ｎ＊∩Ｅおよび／またはＬが、電荷担体輸送を改善するため、および直接、本発明による銅（Ｉ）錯体上で起こる電荷担体の再結合確率を高めるための上記官能基の少なくとも一つで置換されるというステップを含んでもよく、ただし、Ｎ＊∩Ｅに接する官能基は、配位子Ｌに接する官能基と同じまたは異なっていてもよいが、好ましくは異なり、本発明の一実施形態においては、この置換基が、電子伝導体および正孔伝導体からなる群から選択されていてもよい。
そのような合成方法によって製造可能な銅（Ｉ）錯体も本発明によるものである。
式Ａの銅（Ｉ）錯体は、本発明によると、発光性光電子部品のエミッタ層中のエミッタ材料として使用され得る。
式Ａの銅（Ｉ）錯体は、本発明によると、光電子部品の吸収層中の吸収材料としても使用され得る。
「光電子部品」という名称は、特に、
− 有機発光部品（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ（有機発光ダイオード）、ＯＬＥＤ）
− 発光電気化学セル（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ ｃｅｌｌｓ、ＬＥＣ、ＬＥＥＣ）、
− ＯＬＥＤセンサ、特に、外部に対して気密にシールされていないガスセンサおよび蒸気センサ、
− 有機太陽電池（ｏｒｇａｎｉｃ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌｓ、ＯＳＣ、ｏｒｇａｎｉｃ ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃｓ、ＯＰＶ）、
− 有機電界効果トランジスタ、および
− 有機レーザ
と理解される。
このような光電子部品におけるエミッタ層または吸収層中の銅（Ｉ）錯体の割合は、本発明の一実施形態においては１００％である。対案としての一実施形態においては、エミッタ層または吸収層中の銅（Ｉ）錯体の割合は、１％〜９９％である。
有利には、光学発光部品、特にＯＬＥＤ中でのエミッタとしての銅（Ｉ）錯体の濃度は、５％から８０％の間である。
本発明の対象は、本明細書で記載される銅（Ｉ）錯体を有する光電子部品でもある。その際、その光電子部品は、有機発光部品、有機ダイオード、有機太陽電池、有機トランジスタとして、有機発光ダイオード、発光電気化学セル、有機電界効果トランジスタとして、および有機レーザとして形成されていてもよい。
さらに、本発明は、ここで記載される種類の、本発明による銅（Ｉ）錯体が使用される、光電子部品の製造方法に関する。この方法では、特に、本発明による銅（Ｉ）錯体を、支持体上に塗布する。この塗布は、湿式化学により、コロイド懸濁液を利用して、または昇華を利用して行うことが可能であり、特に湿式化学により行われ得る。この方法は、以下のステップを有し得る：
第一の溶媒中に溶解された第一のエミッタ錯体の、一支持体上への塗布、および第二の溶媒中に溶解された第二のエミッタ錯体の、その支持体上への塗布；
ただし、第一のエミッタ錯体は第二の溶媒中では溶解せず、第二のエミッタ錯体は、第一の溶媒中では溶解せず、さらに、第一のエミッタ錯体および／または第二のエミッタ錯体は、本発明による銅（Ｉ）錯体である。この方法は、さらに、以下のステップ、つまり、第一の溶媒または第三の溶媒中に溶解された第三のエミッタ錯体の、その支持体上への塗布、を有してもよく、ただし、第三の銅（Ｉ）錯体は、本発明による銅（Ｉ）錯体である。その際、第一の溶媒と第二の溶媒は同じではない。
本発明は、電子部品の発光特性および／または吸収特性を変化させるための方法にも関する。その際、本発明による銅（Ｉ）錯体を、光電子部品へ、電子または正孔を伝導するためのマトリックス材料に導入する。
本発明は、紫外線または青色光を可視光、特に緑色光（４９０〜５７５ｎｍ）、黄色光（５７５〜５８５ｎｍ）、橙色光（５８５〜６５０ｎｍ）、または赤色光（６５０〜７５０ｎｍ）へと変換する（ダウンコンバージョン）ことを目的とした、本発明による銅（Ｉ）錯体の、特に、光電子部品中の使用にも関する。
好ましい一実施形態においては、光電子装置が、白色ＯＬＥＤであって、ただし、第一のエミッタ錯体は赤色エミッタであり、第二のエミッタ錯体は緑色エミッタであり、第三のエミッタ錯体は青色エミッタである。第一、第二、および／または第三のエミッタ錯体は、好ましくは、本発明による銅（Ｉ）錯体である。
非置換配位子Ｎ＊∩Ｅを有する本発明による銅（Ｉ）錯体は、いくつかの有機溶媒中では、部分的に難溶性であるため、これらの銅（Ｉ）錯体は、場合によっては、溶液から直接に加工することができない。それら自身が良好な配位子である溶媒（アセトニトリル、ピリジン）においては、ある程度の可溶性は与えられているが、これらの条件下では、錯体の構造変化、またはホスファン配位子、アルサン配位子もしくはアンチモン配位子の排除を除外することができない。したがって、基板上で蒸着する際にこれらの物質がＣｕ２Ｘ２（Ｅ∩Ｎ＊）（Ｌ）２として結晶化するかどうか、ないしはこれらの物質が基質中においてその形態で分子的に存在するかどうかが明らかではない。この理由から、これらの物質は、光電子部品における使用のために適したサイズで製造される、ないしはそのサイズに細砕される（＜２０ｎｍ〜３０ｎｍ、ナノ粒子）、または適した置換基を利用して可溶化されるべきである。
本発明による銅（Ｉ）錯体は、好ましくは溶液から加工されるが、なぜなら、その高い分子量が、昇華による、真空からの蒸着を困難にするからである。それゆえ、光活性層の製造は、好ましくは溶液から、スピンコーティングまたはスロットキャスティングプロセス（Ｓｃｈｌｉｔｚｇｉｅｓｓｖｅｒｆａｈｒｅｎ）により、または任意の印刷方法、例えばスクリーン印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷、またはインクジェット印刷により行う。
しかしながら、ここで記載される、非置換の銅（Ｉ）錯体（定義は下記、例を参照）は、慣用の有機溶媒中では、グローブボックス中でのＯＬＥＤ部品製造には使用が望ましくないジクロロメタンを除き難溶性である。コロイド懸濁液としての塗布が、多くの場合に合理的であるものの（下記を参照）、溶解形態のエミッタ材料の技術的加工は、たいていの場合、技術的により容易である。したがって、本発明のさらなる目的は、エミッタが可溶性であるように、エミッタを化学的に変化させることである。ＯＬＥＤ部品製造に適した溶媒は、アルコール、エーテル、アルカン、ならびにハロゲン化芳香族炭化水素およびハロゲン化脂肪族炭化水素、およびアルキル化芳香族炭化水素に加えて、特に、トルエン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、メシチレン、キシレン、テトラヒドロフラン、フェネトール、プロピオフェノンである。
有機溶媒中での本発明による銅（Ｉ）錯体の可溶性を改善するためには、構造Ｎ＊∩Ｅおよび／またはＬの少なくとも一つが、好ましくは、上記置換基の少なくとも一つで置換されている。この置換基は、
− Ｃ１〜Ｃ３０の長さ、好ましくはＣ３〜Ｃ２０の長さ、特に好ましくはＣ５〜Ｃ１５の長さの長鎖、分岐状、または非分岐状、または環状のアルキル鎖、
− Ｃ１〜Ｃ３０の長さ、好ましくはＣ３〜Ｃ２０の長さ、特に好ましくはＣ５〜Ｃ１５の長さの長鎖、分岐状、または非分岐状、または環状のアルコキシ鎖、
− Ｃ１〜Ｃ３０の長さ、好ましくはＣ３〜Ｃ２０の長さ、特に好ましくはＣ５〜Ｃ１５の長さの分岐状、または非分岐状、または環状のペルフルオロアルキル鎖、および
− 短鎖のポリエーテル、例えば、ｎ＜５００の（−ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ−）ｎの形態のポリマー、
からなる群から選択されていてもよい。この例は、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）であり、これは、３〜５０個の繰り返し単位の鎖長を有する、化学的に不活性、水溶性、および非毒性のポリマーとして使用可能である。
アルキル鎖、またはアルコキシル鎖、またはペルフルオロアルキル鎖は、本発明の好ましい一実施形態においては、極性基であり、例えば、アルコール、アルデヒド、アセタール、アミン、アミジン、カルボン酸、カルボン酸エステル、カルボン酸アミド、イミド、カルボン酸ハロゲン化物、カルボン酸無水物、エーテル、ハロゲン、ヒドロキサム酸、ヒドラジン、ヒドラゾン、ヒドロキシルアミン、ラクトン、ラクタム、ニトリル、イソシアニド、イソシアナート、イソチオシアナート、オキシム、ニトロソアリール、ニトロアルキル、ニトロアリール、フェノール、リン酸エステル、および／またはホスホン酸、チオール、チオールエーテル、チオールアルデヒド、チオケトン、チオアセタール、チオカルボン酸、チオエステル、ジチオ酸、ジチオ酸エステル、スルホキシド、スルホン、スルホン酸、スルホン酸エステル、スルフィン酸、スルフィン酸エステル、スルフェン酸、スルフェン酸エステル、チオスルフィン酸、チオスルフィン酸エステル、チオスルホン酸、チオスルホン酸エステル、スルホンアミド、チオスルホンアミド、スルフィンアミド、スルフェンアミド、硫酸塩、チオ硫酸塩、スルトン、スルタム、トリアルキルシリル基、およびトリアリールシリル基、ならびに可溶性のさらなる上昇をもたらすトリアルコキシシリル基で修飾されている。
可溶性の顕著な上昇は、少なくともＣ６単位（分岐状、または非分岐状、または環状）から達成される。
電荷担体輸送、および直接、本発明による銅（Ｉ）錯体上で起こる電荷担体の再結合確率を改善するためには、構造Ｎ＊∩Ｅおよび／またはＬの少なくとも一つが、好ましくは、電荷担体輸送を改善するための上記置換基の少なくとも一つで置換されており、ただし、配位子Ｎ＊∩Ｅに接する官能基は、配位子Ｌに接する官能基と同じまたは異なっていてもよいが、好ましくは異なる。この置換基は、電子伝導体および正孔伝導体からなる群から選択されていてもよい。
銅（Ｉ）錯体の構造Ｎ＊∩Ｅおよび／またはＬの置換基は、その構造のあらゆる部位に配置され得る。特に、銅イオンへの配位を形成するヘテロ原子に対するオルト位、メタ位、および／またはパラ位での置換基位置が可能である。メタ位および／またはパラ位での置換が好ましい。
本発明のもう一つの態様は、電子供与性置換基または電子吸引性置換基を利用した、または縮合Ｎ−ヘテロ芳香族化合物を利用した、銅（Ｉ）錯体の発光色の変化に関する。電子供与性および電子吸引性という用語は、当業者には公知である。
電子供与性置換基の例は、特に、−アルキル基、−フェニル基、−ＣＯ２（−）、−Ｏ（−）、−ＮＨ−アルキル基、−Ｎ−（アルキル基）２、−ＮＨ２−、−ＯＨ−、−Ｏ−アルキル基、−ＮＨ（ＣＯ）−アルキル基、−Ｏ（ＣＯ）−アルキル基、−Ｏ（ＣＯ）−アリール基、−Ｏ（ＣＯ）−フェニル基、−（ＣＨ）＝Ｃ−（アルキル基）２、−Ｓ−アルキル基である。
電子吸引性置換基の例は、特に、−ハロゲン、−（ＣＯ）Ｈ、−（ＣＯ）−アルキル基、−（ＣＯ）Ｏ−アルキル基、−（ＣＯ）ＯＨ、−（ＣＯ）ハロゲン化物、−ＣＦ３、−ＣＮ、−ＳＯ３Ｈ、−ＮＨ３（＋）、−Ｎ（アルキル基）３（＋）、−ＮＯ２である。
有利には、電子供与性置換基および電子吸引性置換基が、配位子の配位部位からできるだけ遠くに離れており、特に、メタ位またはパラ位に存在する。
その結果、ピリジン配位子の基本構造内での適した置換選択により、非常に幅広い発光色範囲を調整することができる。
ここで記載される銅（Ｉ）錯体の発光色の変化は、Ｎ、Ｏ、Ｓのようなさらなるヘテロ原子によっても、ならびに縮合Ｎ−、Ｏ−、およびＳ−ヘテロ芳香族化合物を利用しても起こり得る。
縮合Ｎ−ヘテロ芳香族化合物、例えば、イソキノリン、ベンゾチアゾール、キノキサリンの使用は、例えば、黄色〜濃赤色のスペクトル範囲への色シフトを可能にする。縮合Ｎ−ヘテロ芳香族化合物を含む銅（Ｉ）錯体の可溶性の上昇も同じく、上記の置換基、Ｃ１〜Ｃ３０の長さ、好ましくはＣ３〜Ｃ２０の長さ、特に好ましくはＣ５〜Ｃ１５の長さの長鎖（分岐状、または非分岐状、または環状）アルキル鎖、Ｃ１〜Ｃ３０の長さ、好ましくはＣ３〜Ｃ２０の長さ、特に好ましくはＣ５〜Ｃ１５の長さの長鎖（分岐状、または非分岐状、または環状）アルコキシ鎖、Ｃ１〜Ｃ３０の長さ、好ましくはＣ３〜Ｃ２０の長さ、特に好ましくはＣ５〜Ｃ１５の長さの長鎖（分岐状、または非分岐状、または環状）ペルフルオロアルキル鎖、および短鎖のポリエーテル（鎖長：３〜５０個の繰り返し単位）を用いた置換によって起こり得る。
好ましい一実施形態では、本発明による銅（Ｉ）錯体が、有機溶媒中での可溶性を高めるための少なくとも一つの置換基、ならびに／または少なくとも一つの電子供与性置換基および／もしくは少なくとも一つの電子吸引性置換基を有する。可溶性を改善する置換基が同時に電子供与性置換基または電子供与性置換基のいずれかであることも可能である。そのような置換基の一例は、窒素原子を介した電子供与性効果および長鎖アルキル基による可溶性上昇効果を有するジアルキル化アミンである。
これらの配位子を調製するための個々のブロックが基質中で互いに組み合わされるモジュール式合成戦略を利用して、鎖長の異なる、直鎖、および分岐状、および環状のアルキル鎖、アルコキシ鎖、またはペルフルオロアルキル鎖を、分子の様々な位置で導入することが可能である。配位子Ｎ＊∩Ｅおよび／またはＬの配位部位から遠く離れている置換が好ましい。
適した合成ブロックＡを起点に、類似反応において、異なる反応物Ｂ、ＣおよびＤが、類似の反応条件下において、化学的に種々の標的分子ＡＢ、ＡＣおよびＡＤへ結合される。これにより、例えば、長さの異なるアルキル鎖を、求核性置換反応の使用により、モジュール式に適したピリジン配位子へと付加することができる。
上記の、３０ｎｍ未満のナノ粒子を製造するためには、複数の技術が使用可能である［ｘｘｉｉ］。
ナノ粒子を合成するためのボトムアッププロセス：
・大過剰の適した沈殿剤（例えば、ペンタン、ジエチルエーテル）への、反応溶液の迅速な注入［ｘｘｉｉｉ］。
・場合によっては昇温下での、真空チャンバ中における反応溶液の微細噴霧化（噴霧乾燥）。その際、溶媒が蒸発し、錯体は微細分配された形態で後に残る。
・凍結乾燥法において、反応溶液の液滴を冷却剤（例えば、液体窒素）中で分散させると、材料が凍結する。続いて、その材料を固体状態で乾燥させる。
・反応溶液から直接行われる、基板上での錯体とマトリックス材料との共蒸着。
・超音波槽中での合成。
物質を細砕するためのトップダウンプロセス：
・高エネルギーボールミルによる細砕［ｘｘｉｖ］。
・高強度超音波による細砕。
必要とされる粒径の単離は、適したフィルタを用いたろ過によるか、または遠心分離によって達成され得る。
（例えば、エミッタ層中で使用されるマトリックス材料の）基質中におけるナノ粒子の均質な分配を達成するためには、マトリックス材料がその懸濁液中で溶解する、溶媒中の懸濁液を準備する。通例の方法（例えば、スピンコーティング、インクジェット印刷等々）により、この懸濁液を用いて、マトリックス材料およびナノ粒子を基板上に塗布することができる。ナノ粒子の凝結を防ぐためには、事情によっては、界面活性物質による、粒子の安定化が欠かせないかもしれない。もっとも、この界面活性物質は、錯体が溶解しないように選択されるべきである。均質な分配は、反応溶液から直接行われる、錯体とマトリックス材料との上記の共蒸着によっても達成され得る。
記載の物質は、固体としてさえも高い発光量子収率を有するため、反応溶液を起点に、直接に薄層（１００％エミッタ層）として基板上に記載の物質を蒸着させることもできる。
例
本明細書で示される例においては、一般式Ａの配位子Ｅ∩Ｎ＊は、配位子Ｐ∩Ｎ＊（Ｅ＝Ｐｈ２Ｐ）である。錯体１〜５１の性質（Ｉｄｅｎｔｉｔａｅｔ）および構造は、ＮＭＲ分光法、マススペクトロメトリー、元素分析、および／または結晶構造分析（図１Ａを参照）により明確に証明された。
Ｃｕ２Ｘ２（Ｐ∩Ｎ＊）Ｌ２形態の錯体の例
Ｉ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐｐｉｃ、Ｌ＝ＰＰｈ３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐｐｉｃ）（ＰＰｈ３）２（１）
化合物１は、黄色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５４．４５；Ｈ４．０４；Ｎ０．７９
計算値：Ｃ５４．８４；Ｈ３．９２；Ｎ１．１８
結晶構造を図１Ａに示す。
発光スペクトルを図１Ｂに示す。
ＩＩ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐｐｉｃ、Ｌ＝Ｐ（ｐ−Ｔｏｌ）３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐｐｉｃ）（Ｐ（ｐ−Ｔｏｌ）３）２（２）
化合物２は、黄色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５３．８８；Ｈ４．４４；Ｎ０．８６
計算値：Ｃ５４．２０；Ｈ４．４７；Ｎ１．０４
発光スペクトルを図２に示す。
ＩＩＩ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐｉｃ、Ｌ＝ＥｔＰＰｈ２：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐｉｃ）（ＥｔＰＰｈ２）２（３）
化合物３は、黄色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５０．７０；Ｈ４．２８；Ｎ１．２０
計算値：Ｃ５０．８４；Ｈ４．２７；Ｎ１．２９
発光スペクトルを図３に示す。
ＩＶ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐ（２−Ｍｅｐｙ）、Ｌ＝ＰＰｈ３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐ（２−Ｍｅｐｙ）（ＰＰｈ３）２（４）
化合物４は、黄色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ４８．０６；Ｈ３．６８；Ｎ０．９１
計算値（ｇｅｓ．）：Ｃ４７．６２；Ｈ３．６５；Ｎ０．９７
発光スペクトルを図４に示す。
Ｖ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐ（ｉＢｕｐｙ）、Ｌ＝ＰＰｈ３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐ（ｉＢｕｐｙ））（ＰＰｈ３）２（５）
化合物５は、黄色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５６．５５；Ｈ４．８０；Ｎ０．７５
（１／２分子のｎ−ヘキサンを含む）
計算値：Ｃ５６．８４；Ｈ４．６９；Ｎ１．１０
発光スペクトルを図５に示す。
ＶＩ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐ（ｃｙＰｅｎｔｐｙ）、Ｌ＝ＰＰｈ３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐ（ｃｙＰｅｎｔｐｙ））（ＰＰｈ３）２（６）
化合物６は、黄色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５７．１９；Ｈ５．０８；Ｎ０．６９
（１／４分子のｎ−ヘキサンを含む）
計算値：Ｃ５７．１１；Ｈ４．５５；Ｎ１．１０
発光スペクトルを図６に示す。
ＶＩＩ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐｉｑｎ、Ｌ＝ＰＰｈ３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐｉｑｎ）（ＰＰｈ３）２（７）
化合物７は、橙色結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５７．１５；Ｈ３．９２；Ｎ１．２９
（１／２分子のｎ−ヘキサンを含む）
計算値：Ｃ５７．１１；Ｈ４．２３；Ｎ１．１１
発光スペクトルを図７に示す。
ＶＩＩＩ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐ（オキサジアゾール）、Ｌ＝ＰＰｈ３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐ（オキサジアゾール））（ＰＰｈ３）２（８）
化合物８は、黄色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５４．４５；Ｈ４．０７；Ｎ１．９７
計算値：Ｃ５４．４３；Ｈ３．６７；Ｎ２．２７
発光スペクトルを図８に示す。
ＩＸ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐ（オキサジアゾール）、Ｌ＝Ｐ（ｐ−Ｔｏｌ）３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐ（オキサジアゾール））（Ｐ（ｐ−Ｔｏｌ）３）２（９）
化合物９は、黄色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５５．８０；Ｈ４．１６；Ｎ２．５４
計算値：Ｃ５６．４２；Ｈ４．３５；Ｎ２．１２
発光スペクトルを図９に示す。
Ｘ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐ（オキサジアゾール）、Ｌ＝ＥｔＰＰｈ２：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐ（オキサジアゾール））（ＥｔＰＰｈ２）２（１０）
化合物１０は、黄色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５０．０５；Ｈ３．８３；Ｎ２．７０
計算値：Ｃ４９．９２；Ｈ３．９５；Ｎ２．４１
発光スペクトルを図１０に示す。
ＸＩ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐ（オキサジアゾール）、Ｌ＝ＭｅＰＰｈ２：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐ（オキサジアゾール））（ＭｅＰＰｈ２）２（１１）
化合物１１は、黄色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５０．１８；Ｈ３．９８；Ｎ２．２５
計算値：Ｃ４９．７０；Ｈ３．７２；Ｎ２．５２
発光スペクトルを図１１に示す。
ＸＩＩ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐ（オキサジアゾール）、Ｌ＝ＰｈＰ（ＣＨ２ＣＨ２ＰＰｈ２）２：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐ（オキサジアゾール））（ＰｈＰ（ＣＨ２ＣＨ２ＰＰｈ２）２）２（１２）
化合物１２は、黄色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ４９．８４；Ｈ３．７６；Ｎ１．６７
（１分子のＤＣＭを含む）
計算値：Ｃ４９．６４；Ｈ３．７９；Ｎ２．１１
発光スペクトルを図１２に示す。
ＸＩＩＩ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２ＰＭｅ２Ｔｈｉａｚ、Ｌ＝ＰＰｈ３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２ＰＭｅ２Ｔｈｉａｚ）（ＰＰｈ３）２（１３）
化合物１３は、黄色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５２．５４；Ｈ４．０７；Ｎ１．８６；Ｓ２．１９
計算値：Ｃ５２．９２；Ｈ３．８５；Ｎ１．１６；Ｓ２．６７
発光スペクトルを図１３に示す。
ＸＩＶ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２ＰＴｈｉａｚ、Ｌ＝ＰＰｈ３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２ＰＴｈｉａｚ）（ＰＰｈ３）２（１４）
化合物１４は、黄色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５２．１４；Ｈ３．６５；Ｎ１．０１；Ｓ２．４３
計算値：Ｃ５２．１４；Ｈ３．６０；Ｎ１．１９；Ｓ２．７３
発光スペクトルを図１４に示す。
ＸＶ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐ（Ｐｈ２Ｔｒｉａｚ）、Ｌ＝ＰＰｈ３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐ（Ｐｈ２Ｔｒｉａｚ））（ＰＰｈ３）２（１５）
化合物１５は、白色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５５．８９；Ｈ３．７４；Ｎ２．７０
計算値：Ｃ５６．１３；Ｈ３．８２；Ｎ３．１５
発光スペクトルを図１５に示す。
ＸＶＩ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２ＰＴｏｌＴｒｉａｚ、Ｌ＝ＰＰｈ３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２ＰＴｏｌＴｒｉａｚ）（ＰＰｈ３）２（１６）
化合物１６は、白色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５４．２６；Ｈ４．０５；Ｎ３．３６
計算値：Ｃ５４．１４；Ｈ３．８５；Ｎ３．３１
発光スペクトルを図１６に示す。
ＸＶＩＩ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２ＰＰｒＴｒｉａｚ、Ｌ＝ＰＰｈ３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２ＰＰｒＴｒｉａｚ）（ＰＰｈ３）２（１７）
化合物１７は、白色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５２．７７；Ｈ４．０５；Ｎ３．１１
計算値：Ｃ５３．０１；Ｈ４．０３；Ｎ３．５０
発光スペクトルを図１７に示す。
ＸＶＩＩＩ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２ＰＰｅｎｔＴｒｉａｚ、Ｌ＝ＰＰｈ３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２ＰＰｅｎｔＴｒｉａｚ）（ＰＰｈ３）２（１８）
化合物１８は、白色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５３．５５；Ｈ４．３４；Ｎ３．６５
計算値：Ｃ５３．７６；Ｈ４．２７；Ｎ３．４２
発光スペクトルを図１８に示す。
ＸＩＸ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２ＰＥｔＨｅｘＴｒｉａｚ、Ｌ＝ＰＰｈ３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２ＰＥｔＨｅｘＴｒｉａｚ）（ＰＰｈ３）２（１９）
化合物１９は、白色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５３．７０；Ｈ４．３６；Ｎ２．６３
計算値：Ｃ５３．５０；Ｈ４．５３；Ｎ３．２０
発光スペクトルを図１９に示す。
ＸＸ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２ＰＢｎＴｒｉａｚ、Ｌ＝ＰＰｈ３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２ＰＢｎＴｒｉａｚ）（ＰＰｈ３）２（２０）
化合物２０は、白色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５４．６７；Ｈ３．７８；Ｎ３．２８
計算値：Ｃ５４．８２；Ｈ３．８７；Ｎ３．３６
発光スペクトルを図２０に示す。
ＸＸＩ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐ（Ｍｅイミド）、Ｌ＝ＰＰｈ３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐ（Ｍｅイミド））（ＰＰｈ３）２（２１）
化合物２１は、白色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５２．３８；Ｈ３．８４；Ｎ２．３３
（１／３分子のＤＣＭを含む）
計算値：Ｃ５２．３９；Ｈ３．９０；Ｎ２．２８
発光スペクトルを図２１に示す。
ＸＸＩＩ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２（ＭｅＴｏｌイミド）、Ｌ＝ＰＰｈ３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐ（ＭｅＴｏｌイミド））（ＰＰｈ３）２（２２）
化合物２２は、白色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５５．５８；Ｈ４．０５；Ｎ１．７４
（１／４分子のＤＣＭを含む）
計算値：Ｃ５５．４６；Ｈ４．０５；Ｎ２．１８
発光スペクトルを図２２に示す。
ＸＸＩＩＩ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐ（ｉＢｕベンズイミド）、Ｌ＝ＰＰｈ３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐ（ｉＢｕベンズイミド））（ＰＰｈ３）２（２３）
化合物２３は、白色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５６．２０；Ｈ４．５５；Ｎ１．６９
（１／４分子のＤＣＭを含む）
計算値：Ｃ５６．０２；Ｈ４．４１；Ｎ２．１３
発光スペクトルを図２３に示す。
ＸＸＩＶ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐ（Ｏｃｔベンズイミド）、Ｌ＝ＰＰｈ３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐ（Ｏｃｔベンズイミド））（ＰＰｈ３）２（２４）
化合物２４は、白色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５７．６０；Ｈ４．７９；Ｎ１．９３
計算値：Ｃ５７．９１；Ｈ４．８６；Ｎ２．０８
発光スペクトルを図２４に示す。
ＸＸＶ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐ（フェナンスロイミド）、Ｌ＝ＰＰｈ３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐ（フェナンスロイミド）（ＰＰｈ３）２（２５）
化合物２５は、白色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５７．６６；Ｈ３．８８；Ｎ１．９１
（１／８分子のＤＣＭを含む）
計算値：Ｃ５７．４５；Ｈ３．８６；Ｎ２．０９
ＸＸＶＩ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐ（Ｐｈ２Ｔｒｉａｚ）、Ｌ＝ＰＰｈ３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐ（Ｐｈ２Ｔｒｉａｚ））（ＰＰｈ３）２（２６）
化合物２６は、白色微結晶固体である。
特性化：
発光スペクトルを図２５に示す。
ＸＸＶＩＩ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐｐｉｃ、Ｌ＝Ｐ（ｐ−ＯＭｅＰｈ）３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐｐｉｃ）（Ｐ（ｐ−ＯＭｅＰｈ３）２（２７）
化合物２７は、黄色っぽい微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５１．８９；Ｈ４．３３；Ｎ０．６１
（１／２分子のＤＣＭを含む）
計算値：Ｃ５１．７０；Ｈ４．２３；Ｎ１．００
発光スペクトルを図２６に示す。
ＸＸＶＩＩＩ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐｐｉｃ、Ｌ＝Ｐ（２−フリル）３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐｐｉｃ（Ｐ（２−フリル）３）２（２８）
化合物２８は、白色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ４４．５６；Ｈ３．６０；Ｎ０．９１
計算値：Ｃ４４．９４；Ｈ３．０５；Ｎ１．２５
発光スペクトルを図２７に示す。
ＸＸＩＸ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐｐｉｃ、Ｌ＝Ｐ（ｎ−オクチル）３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐｐｉｃ（Ｐ（ｎ−オクチル）３）２（２９）
化合物２９は、黄色っぽい微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５６．７６；Ｈ８．８５；Ｎ０．６０
計算値：Ｃ５６．６４；Ｈ８．８５；Ｎ１．００
発光スペクトルを図２８に示す。
ＸＸＸ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐｐｉｃ、Ｌ＝Ｐ（ｃ−ヘキシル）３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐｐｉｃ（Ｐ（ｃ−ヘキシル）３）２（３０）
化合物３０は、黄色っぽい微結晶固体である。
特性化：
発光スペクトルを図２９に示す。
ＸＸＸＩ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐｐｉｃ、Ｌ＝Ｐ（ＯＥｔ）３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐｐｉｃ）（Ｐ（ＯＥｔ）３）２（３１）
化合物３１は、緑色っぽい微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ３５．７３；Ｈ４．７８；Ｎ１．０１
（１／３分子のＤＣＭを含む）
計算値：Ｃ３５．７６；Ｈ４．６２；Ｎ１．３７
発光スペクトルを図３０に示す。
ＸＸＸＩＩ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２ＰＰｙブチン、Ｌ＝Ｐ（ＯＥｔ）３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐｙブチン）（Ｐ（ＯＥｔ）３）２（３２）
化合物３２は、黄色っぽい微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ３７．２５；Ｈ４．９０；Ｎ０．９０
（１／２分子のＤＣＭを含む）
計算値：Ｃ３７．５７；Ｈ４．６１；Ｎ１．３０
発光スペクトルを図３１に示す。
ＸＸＸＩＩＩ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐｐｉｃ、Ｌ＝Ｐ（ＯｉＰｒ）３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐｐｉｃ（Ｐ（ＯｉＰｒ）３）２（３３）
化合物３３は、緑色っぽい微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ４０．５３；Ｈ５．４１；Ｎ１．０３
計算値：Ｃ４０．２３；Ｈ５．４４；Ｎ１．３０
発光スペクトルを図３２に示す。
ＸＸＸＩＶ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐｐｉｃ、Ｌ＝ＰＰｈ２ＯＥｔ：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐｐｉｃ）（ＰＰｈ２ＯＥｔ）２（３４）
化合物３４は、黄色っぽい微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５０．１０；Ｈ４．４１；Ｎ１．２３
（１／３分子のＤＣＭを含む）
計算値：Ｃ５０．４３；Ｈ４．２９；Ｎ１．００
発光スペクトルを図３３に示す。
ＸＸＸＶ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐｐｉｃ、Ｌ＝ＰＰｈＯＥｔ２：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐｐｉｃ（ＰＰｈＯＥｔ２）２（３５）
化合物３５は、わずかに緑色を帯びた微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ４３．１８；Ｈ４．１０；Ｎ１．５５
計算値：Ｃ４３．２８；Ｈ４．４０；Ｎ１．３３
発光スペクトルを図３４に示す。
ＸＸＸＶＩ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐｐｉｃ、Ｌ＝ＰＰｈ２Ｂｕ：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐｐｉｃ（ＰＰｈ２Ｂｕ）２（３６）
化合物３６は、わずかに緑色を帯びた微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５２．５５；Ｈ４．７０；Ｎ０．９７
計算値：Ｃ５２．５５；Ｈ４．７６；Ｎ１．２３
発光スペクトルを図３５に示す。
ＸＸＸＶＩＩ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐ（ＭｅＴｏｌイミド）、Ｌ＝ＤＰＥｐｈｏｓ：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐ（ＭｅＴｏｌイミド）（ＰＰＥｐｈｏｓ）（３７）
化合物３７は、白色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ４８．６２；Ｈ３．３８；Ｎ３．０１
（１分子のＤＣＭを含む）
計算値：Ｃ４８．５０；Ｈ３．４４；Ｎ３．２６
発光スペクトルを図３６に示す。
ＸＸＸＶＩＩＩ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐ（Ｔｏｌオキサジアゾール）、Ｌ＝ＤＰＥｐｈｏｓ：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐ（オキサジアゾール）（ＤＰＥｐｈｏｓ）（３８）
化合物３８は、白色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５１．００；Ｈ３．４６；Ｎ２．２２
計算値：Ｃ５０．８９；Ｈ３．４３；Ｎ２．３３
発光スペクトルを図３７に示す。
ＸＸＸＩＸ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐ（Ｐｈ２ＰＴｈｉａｚ）、Ｌ＝ＤＰＥｐｈｏｓ：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐ（Ｐｈ２ＰＴｈｉａｚ）（ＤＰＥｐｈｏｓ）（３９）
化合物３９は、白色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ４８．５７；Ｈ３．４３；Ｎ１．０３；Ｓ２．７４
計算値：Ｃ４８．８０；Ｈ３．４９；Ｎ１．２１；Ｓ２．７７
発光スペクトルを図３８に示す。
ＸＸＸＸ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐ（Ｔｏｌオキサジアゾール）、Ｌ＝４−エチニルＰｈＰＰｈ２：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐ（Ｔｏｌオキサジアゾール）（４−エチニルＰｈＰＰｈ２）２（４０）
化合物４０は、黄色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５５．４７；Ｈ３．７０；Ｎ２．０８
（１／４分子のＤＣＭを含む）
計算値：Ｃ５５．７７；Ｈ３．６３；Ｎ２．１２
発光スペクトルを図３９に示す。
ＸＸＸＸＩ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐ（Ｐｈ２ＰＴｈｉａｚ）、Ｌ＝４−エチニルＰｈＰＰｈ２：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐ（Ｐｈ２ＰＴｈｉａｚ）（４−エチニルＰｈＰＰｈ２）２（４１）
化合物４１は、黄色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５３．４０；Ｈ３．８４；Ｎ０．８４；Ｓ２．６０
（１／２分子のＤＣＭを含む）
計算値：Ｃ５３．４０；Ｈ３．６６；Ｎ１．０８；Ｓ２．４８
発光スペクトルを図４０に示す。
ＸＸＸＸＩＩ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐ（Ｐｈ２ＰＰｙｒｉｍ）、Ｌ＝ＰＰｈ３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐ（Ｐｈ２ＰＰｙｒｉｍ）（ＰＰｈ３）２（４２）
化合物４２は、橙色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５３．９２；Ｈ４．３１；Ｎ２．１１
（１／２分子のＭＴＢＥを含む）
計算値：Ｃ５３．９３；Ｈ４．０７；Ｎ２．３１
発光スペクトルを図４１に示す。
ＸＸＸＸＩＩＩ〜ＸＸＸＶ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐ（Ｐｈ２ＰＰｙｒ）、Ｌ＝ＰＰｈ３、Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ：Ｃｕ２Ｘ２（Ｐｈ２Ｐ（Ｐｈ２ＰＰｙｒ）（ＰＰｈ３）２（４３〜４５）
化合物４３〜４５は、黄色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
４３Ｘ＝Ｃｌ：
実測値：Ｃ６４．２２；Ｈ４．５１；Ｎ１．１６
計算値：Ｃ６４．５７；Ｈ４．５０；Ｎ１．４２
４４Ｘ＝Ｂｒ：
実測値：Ｃ５８．９１；Ｈ４．２８；Ｎ１．０３
計算値：Ｃ５８．８８；Ｈ４．２５；Ｎ１．２０
４５Ｘ＝Ｉ：
実測値：Ｃ５４．３９；Ｈ３．８５；Ｎ０．９３
計算値：Ｃ５４．４７；Ｈ３．７９；Ｎ１．２０
発光スペクトルを図４２〜４４に示す。
ＸＸＸＶＩ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐ（Ｐｈ２Ｐ（ｉＢｕｐｙ）、Ｌ＝ＰＰｈ３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐ（Ｐｈ２Ｐ（ｉＢｕｐｙ）２（ＰＰｈ３）（４６）
化合物４６は、黄色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５４．５５；Ｈ４．５２；Ｎ１．８９
（１／２分子のＤＣＭを含む）
計算値：Ｃ５４．８７；Ｈ４．５７；Ｎ２．１２
発光スペクトルを図４５に示す。
ＸＸＸＶＩＩ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐ（Ｐｈ２ＰＰｙｒａｚ）、Ｌ＝ＰＰｈ３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐ（Ｐｈ２ＰＰｙｒａｚ）（ＰＰｈ３）２（４７）
化合物４７は、橙色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５２．６３；Ｈ３．７２；Ｎ２．１５
（１／４分子のＤＣＭを含む）
計算値：Ｃ５２．６９；Ｈ３．６８；Ｎ２．３５
発光スペクトルを図４６に示す。
ＸＸＸＶＩＩＩ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐ（Ｐｈ２ＰアルコキシＰｙ）、Ｌ＝ＰＰｈ３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐ（Ｐｈ２ＰアルコキシＰｙ）（ＰＰｈ３）２（４８）
化合物４８は、黄色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５４．７５；Ｈ４．３４；Ｎ０．７４
計算値：Ｃ５５．１５；Ｈ４．３９；Ｎ１．０９
発光スペクトルを図４７に示す。
ＸＸＸＩＸ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐ（Ｐｈ２ＰアルコキシＰｙ）、Ｌ＝Ｐｈ２ＰＰアルコキシ：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐ（Ｐｈ２ＰアルコキシＰｙ）（Ｐｈ２ＰＰアルコキシ）２（４９）
化合物４９は、黄色固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ４８．１４；Ｈ４．８５；Ｎ０．８８
（１分子のＤＣＭを含む）
計算値：Ｃ４８．２９；Ｈ５．１０；Ｎ０．９１
発光スペクトルを図４８に示す。
Ｌ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐ（ＴｏｌＭｅベンズイミド）、Ｌ＝ＰＰｈ３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐ（ＴｏｌＭｅベンズイミド）（ＰＰｈ３）２（５０）
化合物５０は、白色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５７．９６；Ｈ４．３２；Ｎ１．８０
計算値：Ｃ５７．９７；Ｈ４．１８；Ｎ２．１１
発光スペクトルを図４９に示す。
ＬＩ．Ｐ∩Ｎ＊＝Ｐｈ２Ｐ（Ｔｏｌイミド）、Ｌ＝ＰＰｈ３：Ｃｕ２Ｉ２（Ｐｈ２Ｐ（Ｔｏｌイミド）（ＰＰｈ３）２（５１）
化合物５１は、白色微結晶固体である。
特性化：
元素分析：
実測値：Ｃ５５．１３；Ｈ４．０５；Ｎ１．８１
（１／４分子のＤＣＭを含む）
計算値：Ｃ５５．１３；Ｈ３．９３；Ｎ２．２１
発光スペクトルを図５０に示す。
参考文献

Claims (21)

  1. 次式式Ａの構造を含む銅（Ｉ）錯体。
    但し、式中、
    Ｘ＊＝Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ＯＣＮ、ＳＣＮ、アルキニルおよび／またはＮ３（互いに独立に）、
    Ｎ＊∩Ｅ＝互いに独立に、二座配位子、
    Ｅ＝Ｒ２Ｅ形態（Ｒ＝アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシル、フェノキシル、またはアミド）のホスファニル／アルセニル／アンチモニル残基、
    Ｎ＊＝好ましくは、ピリジル、ピリダジニル、ピリミジル、ピラジニル、トリアジニル、テトラジニル、オキサゾリル、チアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリル、イソキサゾリル、イソチアゾリル、１，２，３−トリアゾリル、１，２，４−トリアゾリル、１，２，４−オキサジアゾリル、１，２，４−チアジアゾリル、テトラゾリル、１，２，３，４−オキサトリアゾリル、１，２，３，４−チアトリアゾール、キノリル、イソキノリル、キノキサリル、キナゾリルから選択される、任意選択でさらに置換および／または縮合環化されている、芳香族基の構成要素であるイミン官能基、
    「∩」＝同じく、前記芳香族基の構成要素である、少なくとも一つの炭素原子であり、ただし、前記炭素原子は、イミン窒素原子にも、リン原子、ヒ素原子、またはアンチモン原子にも直接隣接しており、
    Ｌ＝一座配位子ＤＲ３
    （式中、Ｄ＝Ｒ３Ｄ形態のホスファニル／アルセニル／アンチモニル残基であり、ただし、三つの残基Ｒは、それぞれ互いに独立に、水素、ハロゲン； または酸素原子（−ＯＲ）、窒素原子（−ＮＲ２）、もしくはケイ素原子（−ＳｉＲ３）を介して結合されている置換基； ならびにアルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基； またはハロゲンもしくは重水素、アルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、および別のドナー基およびアクセプター基、例えばアミン、カルボキシラートおよびそのエステル、およびＣＦ３基のような置換基で置換されたアルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、およびアルケニル基であり、三つの個々の残基Ｒは、任意選択で、縮合環化された環系をもたらす）、あるいは
    二座配位子Ｒ２Ｄ−Ｂ−ＤＲ２
    （式中、Ｄ＝架橋Ｂを介してもう一つの残基Ｄと結合されている、Ｒ２Ｄ形態のホスファニル／アルセニル／アンチモニル残基であり、ただし、架橋Ｂは、直接結合であるか、または置換もしくは非置換のアルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、もしくはアリーレン基、もしくは二つの組み合わせ、または−Ｏ−、−ＮＲ−または−ＳｉＲ２−であり、残基Ｒは、それぞれ互いに独立に、水素、ハロゲン； または酸素原子（−ＯＲ）、窒素原子（−ＮＲ２）、もしくはケイ素原子（−ＳｉＲ３）を介して結合されている置換基； ならびにアルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基； またはハロゲンもしくは重水素、アルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、および別のドナー基もしくはアクセプター基、例えばアミン、カルボキシラートおよびそのエステル、およびＣＦ３基のような置換基で置換されたアルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、およびアルケニル基であり、二つの個々の残基Ｒは、任意選択で、縮合環化された環系をもたらす）、
    のいずれか、
    少なくとも一つのＬは、Ｅ∩Ｎ＊とは異なり、
    任意選択でＮ＊∩Ｅおよび／またはＬは、電荷担体輸送を改善するため、および／または有機溶媒中での銅（Ｉ）錯体の可溶性を高めるための、少なくとも一つの置換基を有する。
  2. Ｎ＊∩Ｅが、
    （式中、
    Ｅ＊＝互いに独立に、Ｐ、ＡｓまたはＳｂ、
    Ｘ＝互いに独立に、ＮＲ３、ＯまたはＳ、
    Ｙ＝互いに独立に、ＣＲ３、ＣＲ４またはＮ、
    Ｚ＝互いに独立に、ＣＲ４、ＣＲ５またはＮ、
    Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ互いに独立に、水素、ハロゲン； または酸素原子（−ＯＲ）、窒素原子（−ＮＲ２）もしくはケイ素原子（−ＳｉＲ３）を介して結合されている置換基； ならびにアルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基； またはハロゲンもしくは重水素、アルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、および別のドナー基もしくはアクセプター基、例えばアミン、カルボキシラートおよびそのエステル、およびＣＦ３基のような置換基で置換されたアルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、およびアルケニル基であり、Ｒ３〜Ｒ６は、任意選択で、縮合環化された環系をもたらす）
    であり、
    配位子Ｌが、
    二つの、任意選択で異なる一座配位子ＤＲ３（式中、
    Ｄ＝互いに独立に、Ｐ、Ａｓおよび／またはＳｂ、
    ＤＲ３中のＲは、それぞれ互いに、独立に水素、ハロゲン； または酸素原子（−ＯＲ）、窒素原子（−ＮＲ２）もしくはケイ素原子（−ＳｉＲ３）を介して結合されている置換基； ならびにアルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基； またはハロゲンもしくは重水素、アルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、および別のドナー基もしくはアクセプター基、例えばアミン、カルボキシラートおよびそのエステル、およびＣＦ３基のような置換基で置換されたアルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、およびアルケニル基であり、三つの個々の残基Ｒが、任意選択で、縮合環化された環系をもたらす）、
    あるいは、二座配位子Ｒ２Ｄ−Ｂ−ＤＲ２（式中、
    Ｄ＝互いに独立に、Ｐ、Ａｓおよび／またはＳｂ、
    Ｒ２Ｄ中のＲは、それぞれ互いに独立に、水素、ハロゲン； または酸素原子（−ＯＲ）、窒素原子（−ＮＲ２）もしくはケイ素原子（−ＳｉＲ３）を介して結合されている置換基； ならびにアルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基； またはハロゲンもしくは重水素、アルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、および別のドナー基もしくはアクセプター基、例えばアミン、カルボキシラートおよびそのエステル、およびＣＦ３基のような置換基で置換されたアルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、およびアルケニル基であり、架橋Ｂを介してもう一つの残基Ｄと結合されているため二座配位子を形成し、ただし、架橋Ｂは、直接結合であるか、または置換もしくは非置換のアルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、もしくはアリーレン基、もしくは二つの組み合わせ、または−Ｏ−、−ＮＲ−または−ＳｉＲ２−であり、二つの個々の残基Ｒは、任意選択で、縮合環化された環系をもたらし、Ｒ２Ｄ−Ｂ−ＤＲ２が、好ましくは
    から選択される）
    のいずれかを含むか、またはいずれかからなる、
    請求項１に記載の銅（Ｉ）錯体。
  3. 可溶性を高めるための置換基が、
    − Ｃ１〜Ｃ３０の長さの分岐状、または非分岐状、または環状の長鎖アルキル鎖、
    − Ｃ１〜Ｃ３０の長さの分岐状、または非分岐状、または環状の長鎖アルコキシ鎖、
    − Ｃ１〜Ｃ３０の長さの分岐状、または非分岐状、または環状の長鎖ペルフルオロアルキル鎖、および
    − ３〜５０個の繰り返し単位の鎖長の短鎖ポリエーテル
    からなる群から選択される、請求項１または２に記載の銅（Ｉ）錯体。
  4. 電荷担体輸送を改善するための置換基が、電子伝導体および正孔伝導体からなる群から選択される、請求項１または２に記載の銅（Ｉ）錯体。
  5. Ｎ＊∩ＥおよびＬとＣｕ（Ｉ）Ｘとの反応を実施するステップを含み、
    ただし、
    Ｘ＊＝Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ＯＣＮ、ＳＣＮ、アルキニルおよび／またはＮ３（互いに独立に）、
    Ｎ＊∩Ｅ＝二座配位子（式中、
    Ｅ＝Ｒ２Ｅ形態（Ｒ＝アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシル、フェノキシル、またはアミド）のホスファニル／アルセニル／アンチモニル残基、
    Ｎ＊＝好ましくは、ピリジル、ピリダジニル、ピリミジル、ピラジニル、トリアジニル、テトラジニル、オキサゾリル、チアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリル、イソキサゾリル、イソチアゾリル、１，２，３−トリアゾリル、１，２，４−トリアゾリル、１，２，４−オキサジアゾリル、１，２，４−チアジアゾリル、テトラゾリル、１，２，３，４−オキサトリアゾリル、１，２，３，４−チアトリアゾリル、キノリル、イソキノリル、キノキサリル、キナゾリルから選択される、任意選択でさらに置換および／または縮合環化されている芳香族基の構成要素であるイミン官能基、
    「∩」＝同じく、前記芳香族基の構成要素である、少なくとも一つの炭素原子であり、ただし、炭素原子は、イミン窒素原子にも、リン原子、ヒ素原子、またはアンチモン原子にも直接隣接しており、
    Ｌが、
    互いに独立に、二つの一座配位子ＤＲ３の形態（式中、
    Ｄ＝Ｒ３Ｄ形態のホスファニル／アルセニル／アンチモニル残基であり、ただし、三つの残基Ｒは、それぞれ互いに独立に、水素、ハロゲン； または酸素原子（−ＯＲ）、窒素原子（−ＮＲ２）、もしくはケイ素原子（−ＳｉＲ３）を介して結合されている置換基； ならびにアルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基； またはハロゲンもしくは重水素、アルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、および別のドナー基もしくはアクセプター基、例えばアミン、カルボキシラートおよびそのエステル、およびＣＦ３基のような置換基で置換されたアルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、およびアルケニル基であり、三つの個々の残基Ｒは、任意選択で、縮合環化された環系をもたらす）か、
    あるいは二座配位子Ｒ２Ｄ−Ｂ−ＤＲ２の形態（式中、
    Ｄ＝架橋Ｂを介してさらなる残基Ｄと結合されているＲ２Ｄ形態のホスファニル／アルセニル／アンチモニル残基であり、ただし、架橋Ｂは、直接結合であるか、または置換もしくは非置換のアルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、もしくはアリーレン基、もしくは二つの組み合わせ、または−Ｏ−、−ＮＲ−または−ＳｉＲ２−であり、残基Ｒは、それぞれ互いに独立に、水素、ハロゲン； または酸素原子（−ＯＲ）、窒素原子（−ＮＲ２）、もしくはケイ素原子（−ＳｉＲ３）を介して結合されている置換基； ならびにアルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基； またはハロゲンもしくは重水素、アルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、および別のドナー基もしくはアクセプター基、例えばアミン、カルボキシラートおよびそのエステル、およびＣＦ３基のような置換基で置換されたアルキル基（分岐状または環状でもよい）、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、およびアルケニル基であり、二つの残基Ｒは、任意選択で、縮合環化された環系をもたらす）かのいずれかである、請求項１〜４に記載の銅（Ｉ）錯体の製造方法。
  6. 反応がジクロロメタン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、および／またはエタノール中で行われる、請求項５に記載の方法。
  7. 固体形態の銅（Ｉ）錯体を獲得するために、ジエチルエーテル、ペンタン、ヘキサン、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、メタノール、エタノール、および／または水を添加するステップをさらに有する、請求項５または６に記載の方法。
  8. 少なくとも一つの配位子Ｎ＊∩Ｅおよび／または少なくとも一つの配位子Ｌを、
    − Ｃ１〜Ｃ３０の長さの長鎖、分岐状、または非分岐状、または環状のアルキル鎖、
    − Ｃ１〜Ｃ３０の長さの長鎖、分岐状、または非分岐状、または環状のアルコキシ鎖、
    − Ｃ１〜Ｃ３０の長さの分岐状、または非分岐状、または環状のペルフルオロアルキル鎖、
    − 短鎖ポリエーテル
    からなる群から選択され得る、可溶性を高めるための、少なくとも一つの置換基で置換するステップをさらに有する、請求項５〜７に記載の方法。
  9. 少なくとも一つの配位子Ｎ＊∩Ｅおよび／またはＬを、電子伝導体および正孔伝導体から選択される、電荷担体輸送を改善するための少なくとも一つの官能基で置換するステップをさらに有する、請求項５〜８に記載の方法。
  10. 光電子部品におけるエミッタまたは吸収体としての、請求項１〜４に記載の銅（Ｉ）錯体の使用。
  11. 光電子部品が、
    − 有機発光部品（ＯＬＥＤ）、
    − 発光電気化学セル、
    − ＯＬＥＤセンサ、特に、外部に対して気密にシールされていないガスセンサおよび蒸気センサ、
    − 有機太陽電池、
    − 有機電界効果トランジスタ、
    − 有機レーザ、および
    − ダウンコンバージョン要素
    からなる群から選択される、請求項１０に記載の使用。
  12. エミッタまたは吸収体を占める銅（Ｉ）錯体の割合が１００％であることを特徴とする、請求項１０または１１に記載の使用。
  13. エミッタまたは吸収体を占める銅（Ｉ）錯体の割合が１〜９９％であることを特徴とする、請求項１０または１１に記載の使用。
  14. 光学発光部品、特にＯＬＥＤ中でのエミッタとしての銅（Ｉ）錯体の濃度が、５％から８０％の間であることを特徴とする、請求項１０〜１３に記載の使用。
  15. 請求項１〜４に記載の銅（Ｉ）錯体を含む光電子部品。
  16. 有機発光部品、有機ダイオード、有機太陽電池、有機トランジスタ、有機発光ダイオード、発光電気化学セル、有機電界効果トランジスタ、および有機レーザからなる群から選択される部品として形成されている、請求項１５に記載の光電子部品。
  17. 請求項１〜４に記載の銅（Ｉ）錯体が使用される、光電子部品の製造方法。
  18. 請求項１〜４に記載の銅（Ｉ）錯体の、支持体上への施用を特徴とする、請求項１７に記載の方法。
  19. 前記施用が、湿式化学により、コロイド懸濁液を利用して、または昇華を利用して行われることを特徴とする、請求項１８に記載の方法。
  20. 光電子部品中において、電子または正孔を伝導するためのマトリックス材料へ、請求項１〜４に記載の銅（Ｉ）錯体を導入することを特徴とする、電子部品の発光特性および／または吸収特性を変化させるための方法。
  21. 紫外線または青色光を可視光、特に緑色光、黄色光、または赤色光へと変換する（ダウンコンバージョン）ための、特に光電子部品中での、請求項１〜４に記載の銅（Ｉ）錯体の使用。
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