JP2015504373A - Ｍｅｍｓセンサパッケージング及びその方法 - Google Patents
Ｍｅｍｓセンサパッケージング及びその方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015504373A JP2015504373A JP2014540951A JP2014540951A JP2015504373A JP 2015504373 A JP2015504373 A JP 2015504373A JP 2014540951 A JP2014540951 A JP 2014540951A JP 2014540951 A JP2014540951 A JP 2014540951A JP 2015504373 A JP2015504373 A JP 2015504373A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mems sensor
- wafer
- solder
- bonding
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 59
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 68
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 27
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910003126 Zr–Ni Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 4
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 40
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 230000008570 general process Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/0032—Packages or encapsulation
- B81B7/0035—Packages or encapsulation for maintaining a controlled atmosphere inside of the chamber containing the MEMS
- B81B7/0038—Packages or encapsulation for maintaining a controlled atmosphere inside of the chamber containing the MEMS using materials for controlling the level of pressure, contaminants or moisture inside of the package, e.g. getters
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/0032—Packages or encapsulation
- B81B7/007—Interconnections between the MEMS and external electrical signals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
- B81C1/00269—Bonding of solid lids or wafers to the substrate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
- B81C1/00277—Processes for packaging MEMS devices for maintaining a controlled atmosphere inside of the cavity containing the MEMS
- B81C1/00285—Processes for packaging MEMS devices for maintaining a controlled atmosphere inside of the cavity containing the MEMS using materials for controlling the level of pressure, contaminants or moisture inside of the package, e.g. getters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/0802—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0207—Bolometers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0228—Inertial sensors
- B81B2201/0235—Accelerometers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0228—Inertial sensors
- B81B2201/0242—Gyroscopes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
- B81B2207/09—Packages
- B81B2207/091—Arrangements for connecting external electrical signals to mechanical structures inside the package
- B81B2207/094—Feed-through, via
- B81B2207/096—Feed-through, via through the substrate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2203/00—Forming microstructural systems
- B81C2203/01—Packaging MEMS
- B81C2203/0118—Bonding a wafer on the substrate, i.e. where the cap consists of another wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
本発明によるＭＥＭＳセンサパッケージングは、ＲＯＩＣ回路が形成された第１ウェハと、上記第１ウェハと対応するように配置され、一面に凹部が形成されてＭＥＭＳセンサが設けられた第２ウェハと、上記第１ウェハと上記第２ウェハを接合して上記ＭＥＭＳセンサが密封されるように上記ＭＥＭＳセンサの周囲に沿って形成された接合半田と、上記第１ウェハのＲＯＩＣ回路と上記第２ウェハのＭＥＭＳセンサを電気的に連結するために形成されたパッド半田と、を含むことにその特徴がある。本発明によると、ＲＯＩＣ回路が形成されたウェハとＭＥＭＳセンサが形成されたウェハを接合してパッケージングするにあたり、ＲＯＩＣ回路とＭＥＭＳセンサを電気的に連結するためのパッド半田を内部に形成することで、パッケージのサイズを低減させ、安定的に電気的信号を供給することができる。
Description
本発明は、ＭＥＭＳセンサパッケージング及びその方法に関し、特に、ＲＯＩＣ回路が形成されたウェハとＭＥＭＳセンサが形成されたウェハを接合してパッケージングするにあたり、ＲＯＩＣ回路とＭＥＭＳセンサを電気的に連結するためのパッド半田を内部に形成することで、パッケージのサイズを低減させ、安定的に電気的信号を供給することができるＭＥＭＳセンサパッケージング及びその方法に関する。
ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ）とは、半導体加工技術を用いて、センサ、マイクロアクチュエータ、ジャイロスコープなどを加工する技術分野のことである。従って、半導体技術が有する精密加工性、製品間の均一性、優れた生産性などが適用されて性能を向上させ、価格を下げる技術として認められている。
ＭＥＭＳ素子、例えば、加速度センサ、角速度センサ及び共振型ジャイロスコープなどの素子は、保護のために、または感度を上げるためにパッケージングされる。ＭＥＭＳ素子の製造技術の急速な発展により、高密度化及び小型化が実現され、パッケージにも小型化が求められる。
よって、素子のあるウェハ状態でパッケージングするウェハスケールパッケージングが多く試みられている。
従来の一般的なウェハスケールパッケージングによるＭＥＭＳ素子パッケージは、ガラス系の蓋用基板とシリコン系の素子用基板とを陽極ボンディングして結合する構造であり、蓋用ガラス基板の厚さによりその厚さが厚くなるため、ガラス基板上に形成される大きなビアホールによりサイズを減らすには限界がある。このような大きいＭＥＭＳ素子パッケージは、装置の小型化を阻害する。
また、平面上にそれぞれの素子を単位素子の状態で配列してワイヤボンディング工程を用いる方法は、ＭＥＭＳ素子の密閉（ｈｅｒｍｅｔｉｃ）特性が求められる場合、それぞれの素子にキャップ（ｃａｐ）を使用して気密性を保持するため、全体的なパッケージの体積が大きく、工程が複雑であるという短所を有する。
本発明が解決しようとする技術的課題は、ＲＯＩＣ回路が形成されたウェハとＭＥＭＳセンサが形成されたウェハとを接合してパッケージングするにあたり、ＲＯＩＣ回路とＭＥＭＳセンサを電気的に連結するためのパッド半田を内部に形成することで、パッケージのサイズを低減させ、安定的に電気的信号を供給することができるＭＥＭＳセンサパッケージング及びその方法を提供することである。
本発明で解決しようとする技術的課題は、上述した技術的課題に限定されず、上述していない他の技術的課題は以下の記載から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者には明確に理解されるであろう。
上記技術的課題を解決するための本発明によるＭＥＭＳセンサパッケージングは、ＲＯＩＣ回路が形成された第１ウェハと、上記第１ウェハと対応するように配置され、一面に凹部が形成されてＭＥＭＳセンサが設けられた第２ウェハと、上記第１ウェハと上記第２ウェハを接合して上記ＭＥＭＳセンサが密封されるように上記ＭＥＭＳセンサの周囲に沿って形成された接合半田と、上記第１ウェハのＲＯＩＣ回路と上記第２ウェハのＭＥＭＳセンサを電気的に連結するために形成されたパッド半田と、を含むことにその特徴がある。
上記第１ウェハは、基板と、上記基板上に形成されたＲＯＩＣ回路の電極パッドと、上記電極パッドが露出するように形成された絶縁層と、上記電極パッドと電気的に連結されるように上記基板を貫通するビアホールに充填された金属充填材と、上記絶縁層上に形成されたゲッターと、を含むことにその特徴がある。
上記ゲッターは、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｈ、Ｃｅからなる金属群より選択される何れか一つ以上を含むか、Ｂａ−Ａｌ、Ｚｒ−Ａｌ、Ａｇ−Ｔｉ、Ｚｒ−Ｎｉからなる金属合金（ｍｅｔａｌ ａｌｌｏｙ）群から選択される何れか一つ以上を含むことにその特徴がある。
上記第２ウェハは、一面に凹部が形成されて空間が設けられた基板と、上記基板上に所定パターンで形成されたウェッティング層と、上記ウェッティング層と連結され、上記凹部が形成された位置に対応して所定間隔離間されて設けられたＭＥＭＳセンサと、を含むことにその特徴がある。
上記ウェッティング層は、上記ＭＥＭＳセンサの両側の電極と連結されるためのパッド状のパターンと上記ＭＥＭＳセンサの周囲に沿ったリング状のパターンに形成されることにその特徴がある。
上記ＭＥＭＳセンサはダイアフラム構造またはコーム構造に設けられることにその特徴がある。
上記ＭＥＭＳセンサは赤外線検知素子を含むことにその特徴がある。
上記赤外線検知素子は８〜１２μｍ波長の赤外線を選択的に透過させるフィルター部を含むことにその特徴がある。
上記赤外線検知素子はマイクロボロメーター（ｍｉｃｒｏ ｂｏｌｏｍｅｔｅｒ）を含むことにその特徴がある。
本発明によるＭＥＭＳセンサパッケージング方法は、ＲＯＩＣ回路が形成された第１ウェハの電極パッドが露出するように絶縁層の所定部分を除去する段階と、上記電極パッドが露出した所定部分にパッド半田、及びＭＥＭＳセンサと対応する周辺に沿ったリング状の接合半田を形成する段階と、上記パッド半田及び接合半田が形成された第１ウェハ上にゲッターを形成する段階と、上記ゲッターが形成された第１ウェハ上に上記ＭＥＭＳセンサが形成された第２ウェハを接合する段階と、を含むことにその特徴がある。
上記接合半田及び上記パッド半田は金属物質で形成されることにその特徴がある。
上記接合半田及び上記パッド半田は、物理的なスパッタ（ｓｐｕｔｔｅｒ）、熱蒸着工程または化学的なめっき工程方法の何れか一つを用いて形成することにその特徴がある。
上記接合方法は、ＴＣボンディングまたは共融点ボンディング方法などを用いて、上記第１ウェハと上記第２ウェハを接合することにその特徴がある。
上記ゲッターは、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｈ、Ｃｅからなる金属の群から選択される何れか一つ以上を含むか、Ｂａ−Ａｌ、Ｚｒ−Ａｌ、Ａｇ−Ｔｉ、Ｚｒ−Ｎｉからなる金属合金（ｍｅｔａｌ ａｌｌｏｙ）群から選択される何れか一つ以上を含む物質で形成されることにその特徴がある。
上記第２ウェハは、基板上においてウェッティング層が上記ＭＥＭＳセンサの両側の電極に連結されるためのパッド状のパターンと上記ＭＥＭＳセンサの周囲に沿ったリング状のパターンに形成され、上記接合半田は上記ウェッティング層のリング状のパターンと対応し、上記パッド半田は上記ウェッティング層のパッド状のパターンと対応して接合することにその特徴がある。
上記ＭＥＭＳセンサは、上記パッド半田を介して上記ＲＯＩＣ回路と電気的に連結されるように形成することにその特徴がある。
以下、添付の図面を参照し、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が本発明を容易に実施できる好ましい実施例を詳細に説明する。但し、本発明の好ましい実施例に対する動作原理を詳細に説明するにあたり、係る公知機能または構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不要に不明確にすると判断される場合には、その詳細な説明を省略する。
また、図面全体にわたって類似する機能及び作用をする部分に対しては、同一の図面符号を使用する。
なお、明細書全体において、ある部分が他の部分と「連結」されているとは、「直接的に連結」されている場合だけでなく、その中間に他の素子を介して「間接的に連結」されている場合も含む。また、ある構成要素を「含む」とは、特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
以下、本発明の一実施形態を添付の図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明のＭＥＭＳセンサパッケージングの構造を概略的に示したものであり、図２は本発明のＭＥＭＳセンサパッケージングの接合半田及びパッド半田が形成される構造を示した平面図である。図１及び図２に示されたように、本発明によるＭＥＭＳセンサパッケージングは、ＲＯＩＣ回路が形成された第１ウェハ１００と、上記第１ウェハ１００と対応するように配置され、一面に凹部２４０が形成されてＭＥＭＳセンサ２１０が設けられた第２ウェハ２００と、上記第１ウェハ１００と上記第２ウェハ２００を接合して、上記ＭＥＭＳセンサ２１０が密封されるように上記ＭＥＭＳセンサ２１０の周囲に沿って形成された接合半田１４０と、上記第１ウェハ１００のＲＯＩＣ回路と上記第２ウェハ２００のＭＥＭＳセンサを電気的に連結するために形成されたパッド半田１５０を含んで構成される。
上記第１ウェハ１００は、基板と、上記基板上に形成されたＲＯＩＣ回路の電極パッド１２０ａ、１２０ｂと、上記電極パッド１２０ａ、１２０ｂが露出するように形成された絶縁層１１０と、上記電極パッド１２０ａ、１２０ｂと電気的に連結されるように上記基板を貫通するビアホールに充填された金属充填材１３０ａ、１３０ｂと、上記絶縁層１１０上に形成されたゲッター１６０と、を含んで構成される。
上記基板は、上記ＭＥＭＳセンサ２１０を駆動するためのＲＯＩＣ（Ｒｅａｄｏｕｔ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）回路が形成されたもので、所定の電気的信号を外部に伝達するか、または伝達を受けるための電極パッド１２０ａ、１２０ｂが形成されている。
上記絶縁層１１０は、後工程での基板の損傷を防止したり、素子とのショートを防止するための保護層であって、ＳｉＯ２またはＳｉＮｘなどで形成される。
上記金属充填材１３０ａ、１３０ｂは、上記基板にビアホールを形成し、それぞれのビアホールを金属で充填して形成する。このとき、ビアホールの充填には、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｓｎ／Ｂｉ、Ｓｎ／Ｉｎ、Ａｕ／Ｓｎ及びＳｎ／Ａｇ／Ｃｕの何れか一つの金属を使用することができる。ここで、上記ビアホールに充填された金属充填材により、基板の外部から電気的信号の入力を受けたり、出力することができるようになる。
上記ゲッター１６０は、上記絶縁層１１０が形成された基板の所定領域に形成される。詳細には、ゲッター（ｇｅｔｔｅｒ）とは、真空装置の中に残っている気体を吸収したり、その気体と化合物を作る物質のことである。ここで、ゲッター（ｇｅｔｔｅｒ）を形成するための材料として、水分及び酸素などとの反応性が強く、融点が低く、容易に蒸発する金属を用い、これらの金属の吸着作用により、素子の内部に浸透した水分や気体を除去する。このような材料としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｈ、Ｃｅからなる金属群より選択される何れか一つ以上を含むか、Ｂａ−Ａｌ、Ｚｒ−Ａｌ、Ａｇ−Ｔｉ、Ｚｒ−Ｎｉからなる金属合金（ｍｅｔａｌ ａｌｌｏｙ）群から選択される何れか一つ以上を含んで使用することができる。
上記第２ウェハ２００は、一面に凹部２４０が形成されて空間が設けられた基板と、上記基板上に所定のパターンに形成されたウェッティング層２２０ａ、２２０ｂ、２３０ａ、２３０ｂと、上記ウェッティング層２２０ａ、２２０ｂ、２３０ａ、２３０ｂと連結され、上記凹部２４０が形成された位置に対応して所定間隔離間されて設けられたＭＥＭＳセンサ２１０と、を含む。
上記基板の一面には、ＭＥＭＳセンサ２１０を実装するために、凹部２４０が形成されている。ここで、ＭＥＭＳセンサ２１０は、上記凹部２４０の内部に実装されるのではなく、浮いている状態で実装されている。
上記ウェッティング層（ｗｅｔｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）２２０ａ、２２０ｂ、２３０ａ、２３０ｂは、スパッタリングまたはＭＯＣＶＤなどの工程により、導電性金属材料で所定のパターンに形成される。即ち、上記ウェッティング層２２０ａ、２２０ｂ、２３０ａ、２３０ｂは、上記ＭＥＭＳセンサ２１０の両側の電極と連結されるためのパッド状のパターン２２０ａ、２２０ｂと、上記ＭＥＭＳセンサ２１０の周囲に沿ったリング状のパターン２３０ａ、２３０ｂに形成される。
上記ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）センサ２１０は、上記ウェッティング層２２０ａ、２２０ｂ、２３０ａ、２３０ｂのパッドにそれぞれ連結されており、上記凹部２４０の空間上に浮くように設けられる。ここで、上記ＭＥＭＳセンサ２１０は、ダイヤフラム構造またはコーム構造などに多様に設けられてもよい。
また、上記ＭＥＭＳセンサは、赤外線検知素子等を含み、上記赤外線検知素子が適用される場合には、８〜１２μｍ波長の赤外線を選択的に透過させるフィルター部を含んで構成する。ここで、上記赤外線検知素子としては、マイクロボロメーター（ｍｉｃｒｏ ｂｏｌｏｍｅｔｅｒ）を含んでもよい。
上記接合半田１４０ａ、１４０ｂは、上記第１ウェハ１００と上記第２ウェハ２００を接合して密封させる接着部材が使用され、上記ＭＥＭＳセンサ２１０を外部から保護するためのもので、上記ＭＥＭＳセンサ２１０を取り囲むように形成される。
上記パッド半田１５０ａ、１５０ｂは上記ＭＥＭＳセンサ２１０と上記ＲＯＩＣ回路を電気的に連結させるため、より安定的に電気的信号を入出力することができるようになる。即ち、外部のワイヤボンディング工程なしに電気的信号を連結して、ＭＥＭＳセンサパッケージングの気密性を高めながら、体積を減らすことができ、工程の手続きを減らすことができる。
より詳細には、上記接合半田１４０ａ、１４０ｂと上記パッド半田１５０ａ、１５０ｂをなす半田層は、物理的なスパッタ（ｓｐｕｔｔｅｒ）、熱蒸着工程または化学的なめっき工程により形成されてもよい。必要に応じて、半田層は、バンプ下地金属（Ｕｎｄｅｒ Ｂｕｍｐ Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ：ＵＢＭ）、即ち、接合層（ａｄｈｅｓｉｏｎ ｌａｙｅｒ）及び半田層（ｓｏｌｄｅｒａｂｌｅ ｌａｙｅｒ）を蒸着した後、導電性接着物質を形成する方法で形成されてもよい。接合層として用いられる半田層は、インジウム（Ｉｎ）またはスズ（Ｓｎ）などの純金属、またはインジウム系、スズ系、ビスマス（Ｂｉ）系または鉛（Ｐｂ）系合金を含んでもよい。接着層として半田層を用いると、接着層は、低温では接合特性があって金属蓋をキャリア基板に接合することが可能で、高温では溶融特性があってキャリア基板を着脱することが可能である。
また、本発明によるＭＥＭＳセンサパッケージング方法について説明する。
図３〜図６は、本発明によるＭＥＭＳセンサパッケージング方法に対する工程順序図である。
まず、図３に示されたように、ＲＯＩＣ回路が形成された第１ウェハ１００の電極パッド１２０ａ、１２０ｂが露出するように絶縁層１１０の所定部分を除去する段階が行われる。
より詳細には、上記第１ウェハ１００は、基板と、上記基板上に形成されたＲＯＩＣ回路の電極パッド１２０ａ、１２０ｂと、上記電極パッド１２０ａ、１２０ｂ上に形成された絶縁層１１０と、上記電極パッド１２０ａ、１２０ｂと電気的に連結されるように上記基板を貫通するビアホールに充填された金属充填材１３０ａ、１３０ｂと、上記絶縁層１１０上に形成されたゲッター１６０と、を含み、上記絶縁層１１０は、後工程での基板の損傷を防止したり、素子とのショートを防止するための保護層であって、ＳｉＯ２またはＳｉＮｘなどで形成される。
このとき、上記電極パッド１２０ａ、１２０ｂが露出するように上記絶縁層１１０をエッチング工程により除去して上記電極パッド１２０ａ、１２０ｂ上にパット半田１５０を形成する。
一方、上記ＲＯＩＣが形成される第１ウェハ１００の工程としては、一般的な工程が適用されてもよく、詳細な説明を省略する。
図４に示されたように、上記電極パッド１２０ａ、１２０ｂが露出した所定部分にパッド半田１５０を、ＭＥＭＳセンサ２１０と対応する周辺に沿ってリング状の接合半田１４０を形成する段階を行う。
より詳細には、上記接合半田１４０ａ、１４０ｂと上記パッド半田１５０ａ、１５０ｂをなす半田層は、物理的なスパッタ（ｓｐｕｔｔｅｒ）、熱蒸着工程または化学的なめっき工程により形成されてもよい。必要に応じて、半田層は、バンプ下地金属（Ｕｎｄｅｒ Ｂｕｍｐ Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ：ＵＢＭ）、即ち、接合層（ａｄｈｅｓｉｏｎ ｌａｙｅｒ）及び半田層（ｓｏｌｄｅｒａｂｌｅ ｌａｙｅｒ）を蒸着した後、導電性接着物質を形成する方法で形成されてもよい。接合層として用いられる半田層は、インジウム（Ｉｎ）またはスズ（Ｓｎ）などの純金属、またはインジウム系、スズ系、ビスマス（Ｂｉ）系または鉛（Ｐｂ）系合金を含んでもよい。接着層として半田層を用いると、接着層は、低温では接合特性があって金属蓋をキャリア基板に接合することが可能で、高温では溶融特性があってキャリア基板を着脱することが可能である。
即ち、上記接合半田１４０ａ、１４０ｂは、上記第１ウェハ１００と上記第２ウェハ２００を接合して密封させる接着部材が使用され、上記ＭＥＭＳセンサ２１０を外部から保護するためのもので、上記ＭＥＭＳセンサ２１０を取り囲むように形成される。
上記パッド半田１５０ａ、１５０ｂは上記ＭＥＭＳセンサ２１０と上記ＲＯＩＣ回路を電気的に連結させるため、より安定的に電気的信号を入出力することができるようになる。即ち、外部のワイヤボンディング工程なしに電気的信号を連結して、ＭＥＭＳセンサパッケージングの気密性を高めながら、体積を減らすことができ、工程の手続きを減らすことができる。
図５に示されたように、上記パッド半田１５０ａ、１５０ｂ及び接合半田１４０ａ、１４０ｂが形成された第１ウェハ１００上にゲッター１６０を形成する段階を行う。
ここで、上記ゲッター（ｇｅｔｔｅｒ）１６０を形成するための材料としては水分及び酸素などとの反応性が強く、融点が低く、容易に蒸発する金属を用い、これらの金属の吸着作用により、素子の内部に浸透した水分や気体を除去する。このような材料としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｈ、Ｃｅからなる金属群より選択される何れか一つ以上を含むか、Ｂａ−Ａｌ、Ｚｒ−Ａｌ、Ａｇ−Ｔｉ、Ｚｒ−Ｎｉからなる金属合金（ｍｅｔａｌ ａｌｌｏｙ）群から選択される何れか一つ以上を含んで使用することができる。
図６に示されたように、上記ゲッター１６０が形成された第１ウェハ１００上に、上記ＭＥＭＳセンサ２１０が形成された第２ウェハ２００を接合する段階が行われる。
具体的には、上記接合方法は、ＴＣボンディングまたは共融点ボンディング方法などを用いて、上記第１ウェハ１００と上記第２ウェハ２００を接合する。
このとき、上記第１ウェハ１００上に形成された上記パッド半田１５０ａ、１５０ｂ及び接合半田１４０ａ、１４０ｂと、上記第２ウェハ２００上のウェッティング層２２０ａ、２２０ｂ、２３０ａ、２３０ｂを接合させる。即ち、上記ウェッティング層２２０ａ、２２０ｂ、２３０ａ、２３０ｂは、上記ＭＥＭＳセンサ２１０の両側の電極に連結されるためのパッド状のパターンと上記ＭＥＭＳセンサ２１０の周囲に沿ったリング状のパターンに形成され、上記接合半田１４０ａ、１４０ｂは上記ウェッティング層のリング状のパターン２３０ａ、２３０と対応し、上記パッド半田１５０ａ、１５０ｂは、上記ウェッティング層のパッド状のパターン２２０ａ、２２０ｂと対応して接合される。
従って、上記パッド半田１５０ａ、１５０ｂを介して、上記ＭＥＭＳセンサ２１０と上記ＲＯＩＣ回路を電気的に連結させることで、より安定的に電気的信号を入出力することができる。即ち、 外部のワイヤボンディング工程なしに電気的信号を連結して、ＭＥＭＳセンサパッケージングの気密性を高めながら、体積を減らすことができ、工程の手続きを減らすことができる。
以上で説明したように、本発明の詳細な説明では、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、本発明の範囲から外れない範囲内で様々な変形が可能であることはいうまでもない。従って、本発明の権利範囲は、説明した実施形態に限定されず、後述する特許請求の範囲だけでなく、これと均等なものにより定められるべきである。
本発明によると、ＲＯＩＣ回路が形成されたウェハとＭＥＭＳセンサが形成されたウェハを接合してパッケージングするにあたり、ＲＯＩＣ回路とＭＥＭＳセンサを電気的に連結するためのパッド半田を内部に形成することで、パッケージのサイズを低減させ、安定的に電気的信号を供給することができる。
上記技術的課題を解決するための本発明によるＭＥＭＳセンサパッケージングは、ＲＯＩＣ回路が形成された第１ウェハと、上記第１ウェハと対応するように配置され、一面に凹部が形成されてＭＥＭＳセンサが設けられた第２ウェハと、上記第１ウェハと上記第２ウェハを接合して上記ＭＥＭＳセンサが密封されるように上記ＭＥＭＳセンサの周囲に沿って形成された接合半田と、上記接合半田の内側に形成され、上記第１ウェハと前記第２ウェハを接合させて上記第１ウェハのＲＯＩＣ回路と上記第２ウェハのＭＥＭＳセンサを電気的に連結させる、上記接合半田と同一金属物質からなるパッド半田と、を含むことにその特徴がある。
Claims (16)
- ＲＯＩＣ回路が形成された第１ウェハと、
前記第１ウェハと対応するように配置され、一面に凹部が形成されてＭＥＭＳセンサが設けられた第２ウェハと、
前記第１ウェハと前記第２ウェハを接合して前記ＭＥＭＳセンサが密封されるように前記ＭＥＭＳセンサの周囲に沿って形成された接合半田と、
前記第１ウェハのＲＯＩＣ回路と前記第２ウェハのＭＥＭＳセンサを電気的に連結するために形成されたパッド半田と、を含む、ＭＥＭＳセンサパッケージング。 - 前記第１ウェハは、
基板と、
前記基板上に形成されたＲＯＩＣ回路の電極パッドと、
前記電極パッドが露出するように形成された絶縁層と、
前記電極パッドと電気的に連結されるように前記基板を貫通するビアホールに充填された金属充填材と、
前記絶縁層上に形成されたゲッターと、を含む、請求項１に記載のＭＥＭＳセンサパッケージング。 - 前記ゲッターは、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｈ、Ｃｅからなる金属群より選択される何れか一つ以上を含むか、Ｂａ−Ａｌ、Ｚｒ−Ａｌ、Ａｇ−Ｔｉ、Ｚｒ−Ｎｉからなる金属合金（ｍｅｔａｌ ａｌｌｏｙ）群から選択される何れか一つ以上を含むことを特徴とする、請求項２に記載のＭＥＭＳセンサパッケージング。
- 前記第２ウェハは、
一面に凹部が形成されて空間が設けられた基板と、
前記基板上に所定パターンで形成されたウェッティング層と、
前記ウェッティング層と連結され、前記凹部が形成された位置に対応して所定間隔離間されて設けられたＭＥＭＳセンサと、を含むことを特徴とする、請求項１に記載のＭＥＭＳセンサパッケージング。 - 前記ウェッティング層は、前記ＭＥＭＳセンサの両側の電極と連結されるためのパッド状のパターンと前記ＭＥＭＳセンサの周囲に沿ったリング状のパターンに形成されることを特徴とする、請求項４に記載のＭＥＭＳセンサパッケージング。
- 前記ＭＥＭＳセンサはダイアフラム構造またはコーム構造に設けられることを特徴とする、請求項４に記載のＭＥＭＳセンサパッケージング。
- 前記ＭＥＭＳセンサは赤外線検知素子を含むことを特徴とする、請求項４に記載のＭＥＭＳセンサパッケージング。
- 前記赤外線検知素子は８〜１２μｍ波長の赤外線を選択的に透過させるフィルター部を含むことを特徴とする、請求項７に記載のＭＥＭＳセンサパッケージング。
- 前記赤外線検知素子はマイクロボロメーター（ｍｉｃｒｏ ｂｏｌｏｍｅｔｅｒ）を含むことを特徴とする、請求項７に記載のＭＥＭＳセンサパッケージング。
- ＲＯＩＣ回路が形成された第１ウェハの電極パッドが露出するように絶縁層の所定部分を除去する段階と、
前記電極パッドが露出した所定部分にパッド半田、及びＭＥＭＳセンサと対応する周辺に沿ったリング状の接合半田を形成する段階と、
前記パッド半田及び接合半田が形成された第１ウェハ上にゲッターを形成する段階と、
前記ゲッターが形成された第１ウェハ上に前記ＭＥＭＳセンサが形成された第２ウェハを接合する段階と、を含む、ＭＥＭＳセンサパッケージング方法。 - 前記接合半田及び前記パッド半田は、金属物質で形成されることを特徴とする、請求項１１に記載のＭＥＭＳセンサパッケージング方法。
- 前記接合半田及び前記パッド半田は、物理的なスパッタ（ｓｐｕｔｔｅｒ）、熱蒸着工程または化学的なめっき工程方法の何れか一つを用いて形成することを特徴とする、請求項１１に記載のＭＥＭＳセンサパッケージング方法。
- 前記接合方法は、ＴＣボンディングまたは共融点ボンディング方法の何れか一つを用いて、前記第１ウェハと前記第２ウェハを接合することを特徴とする、請求項１０に記載のＭＥＭＳセンサパッケージング方法。
- 前記ゲッターは、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｈ、Ｃｅからなる金属の群から選択される何れか一つ以上を含むか、Ｂａ−Ａｌ、Ｚｒ−Ａｌ、Ａｇ−Ｔｉ、Ｚｒ−Ｎｉからなる金属合金（ｍｅｔａｌ ａｌｌｏｙ）群から選択される何れか一つ以上を含む物質で形成されることを特徴とする、請求項１０に記載のＭＥＭＳセンサパッケージング方法。
- 前記第２ウェハは、基板上においてウェッティング層が前記ＭＥＭＳセンサの両側の電極に連結されるためのパッド状のパターンと前記ＭＥＭＳセンサの周囲に沿ったリング状のパターンに形成され、前記接合半田は前記ウェッティング層のリング状のパターンと対応し、前記パッド半田は前記ウェッティング層のパッド状のパターンと対応して接合することを特徴とする、請求項１０に記載のＭＥＭＳセンサパッケージング方法。
- 前記ＭＥＭＳセンサは、前記パッド半田を介して前記ＲＯＩＣ回路と電気的に連結されるように形成することを特徴とする、請求項１０に記載のＭＥＭＳセンサパッケージング方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2011-0117153 | 2011-11-10 | ||
| KR1020110117153A KR101307436B1 (ko) | 2011-11-10 | 2011-11-10 | Ｍｅｍｓ 센서 패키징 및 그 방법 |
| PCT/KR2012/009447 WO2013070013A1 (ko) | 2011-11-10 | 2012-11-09 | Ｍｅｍｓ 센서 패키징 및 그 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015504373A true JP2015504373A (ja) | 2015-02-12 |
| JP5923617B2 JP5923617B2 (ja) | 2016-05-24 |
Family
ID=48290308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014540951A Active JP5923617B2 (ja) | 2011-11-10 | 2012-11-09 | Ｍｅｍｓセンサパッケージング方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9533875B2 (ja) |
| EP (1) | EP2778120B1 (ja) |
| JP (1) | JP5923617B2 (ja) |
| KR (1) | KR101307436B1 (ja) |
| CN (1) | CN103958393B (ja) |
| WO (1) | WO2013070013A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018536994A (ja) * | 2015-11-27 | 2018-12-13 | スナップトラック・インコーポレーテッド | 薄いはんだストップ層を備える電子部品及び製造方法 |
| JP7438936B2 (ja) | 2017-08-31 | 2024-02-27 | テクノロギアン トゥトキムスケスクス ヴェーテーテー オイ | 熱型検出器及び熱型検出器アレイ |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101529543B1 (ko) * | 2013-10-30 | 2015-06-17 | 한국과학기술원 | 멤즈 소자의 진공 패키징 방법 |
| CN107369722B (zh) * | 2017-06-27 | 2019-12-13 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种传感器封装结构及其制备方法 |
| US10483416B2 (en) * | 2017-10-24 | 2019-11-19 | Mukti Rana | Medium wave infrared (MWIR) and long wavelength infrared (LWIR) operating microbolometer with raised strut design |
| CN111886483B (zh) | 2018-03-07 | 2023-05-16 | Tdk株式会社 | 电磁波传感器 |
| KR102122037B1 (ko) * | 2019-08-22 | 2020-06-11 | 주식회사 아이디피 | Mems 소자의 패키징 방법 |
| CN112794278B (zh) * | 2020-12-30 | 2024-06-18 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 传感器封装结构、传感器封装结构制作方法和电子终端 |
| CN113916950A (zh) * | 2021-10-09 | 2022-01-11 | 大连理工大学 | 一种基于mems的电化学气体传感器及其制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003520447A (ja) * | 2000-01-17 | 2003-07-02 | エドヴァード・ケルヴェステン | 構成部品を接続する方法 |
| JP2006116694A (ja) * | 2004-09-23 | 2006-05-11 | Motorola Inc | ゲッターシールドを有する密閉マイクロデバイス |
| JP2008034515A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Toshiba Corp | 電子装置およびパッケージ |
| US20090029152A1 (en) * | 2007-07-25 | 2009-01-29 | Analog Devices, Inc. | Wafer Bonding Using Nanoparticle Material |
| JP2010032292A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Seiko Instruments Inc | 焦電型赤外線検出器 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1259231C (zh) | 2002-02-01 | 2006-06-14 | 北京大学 | 微机电系统器件的真空封装方法 |
| US6929974B2 (en) * | 2002-10-18 | 2005-08-16 | Motorola, Inc. | Feedthrough design and method for a hermetically sealed microdevice |
| US7045868B2 (en) * | 2003-07-31 | 2006-05-16 | Motorola, Inc. | Wafer-level sealed microdevice having trench isolation and methods for making the same |
| US7410816B2 (en) * | 2004-03-24 | 2008-08-12 | Makarand Gore | Method for forming a chamber in an electronic device and device formed thereby |
| US7419853B2 (en) | 2005-08-11 | 2008-09-02 | Hymite A/S | Method of fabrication for chip scale package for a micro component |
| KR100705007B1 (ko) * | 2005-11-30 | 2007-04-09 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 마이크로 센서 및 그 제조방법 |
| CN100594595C (zh) * | 2007-07-27 | 2010-03-17 | 李刚 | 微机电系统器件与集成电路的集成方法及集成芯片 |
| JP2009074979A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| US20090194829A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Shine Chung | MEMS Packaging Including Integrated Circuit Dies |
| US8207586B2 (en) | 2008-09-22 | 2012-06-26 | Alps Electric Co., Ltd. | Substrate bonded MEMS sensor |
| JP4793496B2 (ja) * | 2009-04-06 | 2011-10-12 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
| CN101533832A (zh) | 2009-04-14 | 2009-09-16 | 李刚 | 微机电系统器件与集成电路的集成芯片及集成方法 |
-
2011
- 2011-11-10 KR KR1020110117153A patent/KR101307436B1/ko active IP Right Grant
-
2012
- 2012-11-09 WO PCT/KR2012/009447 patent/WO2013070013A1/ko active Application Filing
- 2012-11-09 US US14/357,046 patent/US9533875B2/en active Active
- 2012-11-09 JP JP2014540951A patent/JP5923617B2/ja active Active
- 2012-11-09 EP EP12847351.9A patent/EP2778120B1/en active Active
- 2012-11-09 CN CN201280055218.6A patent/CN103958393B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003520447A (ja) * | 2000-01-17 | 2003-07-02 | エドヴァード・ケルヴェステン | 構成部品を接続する方法 |
| JP2006116694A (ja) * | 2004-09-23 | 2006-05-11 | Motorola Inc | ゲッターシールドを有する密閉マイクロデバイス |
| JP2008034515A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Toshiba Corp | 電子装置およびパッケージ |
| US20090029152A1 (en) * | 2007-07-25 | 2009-01-29 | Analog Devices, Inc. | Wafer Bonding Using Nanoparticle Material |
| JP2010032292A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Seiko Instruments Inc | 焦電型赤外線検出器 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018536994A (ja) * | 2015-11-27 | 2018-12-13 | スナップトラック・インコーポレーテッド | 薄いはんだストップ層を備える電子部品及び製造方法 |
| JP7438936B2 (ja) | 2017-08-31 | 2024-02-27 | テクノロギアン トゥトキムスケスクス ヴェーテーテー オイ | 熱型検出器及び熱型検出器アレイ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9533875B2 (en) | 2017-01-03 |
| KR20130051800A (ko) | 2013-05-21 |
| CN103958393A (zh) | 2014-07-30 |
| JP5923617B2 (ja) | 2016-05-24 |
| EP2778120A1 (en) | 2014-09-17 |
| EP2778120B1 (en) | 2016-12-28 |
| US20140306312A1 (en) | 2014-10-16 |
| CN103958393B (zh) | 2016-08-17 |
| KR101307436B1 (ko) | 2013-09-12 |
| EP2778120A4 (en) | 2015-01-21 |
| WO2013070013A1 (ko) | 2013-05-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5923617B2 (ja) | Ｍｅｍｓセンサパッケージング方法 | |
| TWI447867B (zh) | 微機電元件封裝方法 | |
| US9540228B2 (en) | MEMS-CMOS device that minimizes outgassing and methods of manufacture | |
| US20070114643A1 (en) | Mems flip-chip packaging | |
| JP2012225925A (ja) | 封止構造を有するセンサデバイス | |
| US8253505B2 (en) | Package and vibrating device using the same | |
| TW200830434A (en) | Electronic devices, CMOS image sensor device chip scale packages and fabrication methods thereof | |
| US20120319220A1 (en) | Method of bonding semiconductor substrate and mems device | |
| KR20110054710A (ko) | 소자 패키지 및 그 제조 방법 | |
| JP2007027279A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| US7524704B2 (en) | Method for encapsulating a component, especially an electric or electronic component, by means of an improved solder seam | |
| US9479138B2 (en) | Microelectromechanical systems device package and method for producing the microelectromechanical systems device package | |
| JP2008182014A (ja) | パッケージ基板及びその製造方法 | |
| CN105347289A (zh) | 适用于芯片级封装的密闭结构及其制造方法 | |
| JP2012033718A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2011104767A (ja) | ウェーハ・レベル・パッケージに関するシリコン・タブ・エッジ・マウント | |
| US9673367B2 (en) | Substrate for mounting chip and chip package | |
| JP2011117859A (ja) | 物理量検出装置 | |
| JP2012049335A (ja) | 封止型デバイス及びその製造方法 | |
| JP6763756B2 (ja) | パッケージ | |
| US11146234B2 (en) | Electrical device and method for manufacturing the same | |
| JP2011182306A (ja) | 圧電デバイスおよびその製造方法 | |
| WO2009145726A1 (en) | Micro electro mechanical device package and method of manufacturing a micro electro mechanical device package | |
| JP5328492B2 (ja) | 圧力センサモジュール及び圧力センサパッケージ、並びにこれらの製造方法 | |
| JP2010281613A (ja) | 圧力センサモジュール及び圧力センサパッケージ、並びにこれらの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150724 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150804 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151028 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160329 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160418 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5923617 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |