JP2015503772A - マイクロリソグラフィのためのマスク及び走査投影露光方法 - Google Patents
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Abstract
Description
M マスク
PA1 第1のパターン区域
PAT1 第1のパターン
SUB 基板
Claims (15)
- マイクロリソグラフィのためのマスクであって、
基板(SUB)と、
マスク走査方向に第1の長さ(L1)にわたって延びる第1のパターン(PAT1)及び該マスク走査方向に対して垂直な方向の第1の幅(W1)を含み、前記基板上にある第1のパターン区域(PA1)と、
前記マスク走査方向に第2の長さ(L2)にわたって延びる第2のパターン(PAT2)及び該マスク走査方向に対して垂直な前記方向の前記第1の幅と同一の第2の幅(W2)を含み、前記基板上で該マスク走査方向に前記第1のパターン区域に隣接する第2のパターン区域(PA2)と、
を含み、
前記第2の長さ(L2)は、前記第1の長さ(L1)よりも小さく、前記第2のパターンは、前記第1のパターンの対応部分に同一であり、該対応部分は、該第2のパターンに対して前記マスク走査方向に該第1の長さ(L1)だけオフセットされ、かつ該第2の長さ(L2)と同一の長さ(CPL)を有する、
ことを特徴とするマスク。 - L1/L2が、前記第1の長さ(L1)と前記第2の長さ(L2)の間の長さ比であり、
66mm≦L1≦132mm及び16mm≦L2≦32mmの条件が成り立ち、
好ましくは、前記長さ比は、132/16から132/32の範囲にある、
ことを特徴とする請求項1に記載のマスク。 - 前記マスク走査方向に第3の長さ(L3)にわたって延びる第3のパターン(PAT3)及び該マスク走査方向に対して垂直な前記方向に前記第1の幅と同一の第3の幅を含み、前記基板上で前記第2のパターン区域と反対に該マスク走査方向に前記第1のパターン区域に隣接する第3のパターン区域(PA3)、
を更に含み、
前記第3の長さ(L3)は、前記第1の長さ(L1)よりも小さく、前記第3のパターンは、前記第1のパターンの対応部分に同一であり、該対応部分は、該第3のパターンに対して前記マスク走査方向に該第1の長さ(L1)だけオフセットされ、かつ該第3の長さ(L3)と同一の長さ(CPL3)を有する、
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のマスク。 - 前記第2の長さ(L2)は、前記第3の長さ(L3)に対応することを特徴とする請求項3に記載のマスク。
- 反射マスクであることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のマスク。
- 透過マスクであることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のマスク。
- 投影対物系の像平面の領域に配置された感放射線基板を該投影対物系の物体平面の領域に配置されたマスクのパターンの少なくとも1つの像を用いて露光する走査投影露光方法であって、
前記パターン(PAT)が置かれた前記平面(OS)にスリット形断面を有する照明ビームを発生させる段階であって、定められた時点での照明スリット(ILS)の有効長さ及び幅寸法が、光源(S)と前記マスクの間の照明系(ILL)に設けられたレチクルマスキングデバイス(RMD)によって制御される前記照明ビームを発生させる段階と、
前記投影対物系の前記物体平面内で前記照明ビームに対して前記マスクを移動し、かつ同時にそれぞれの走査方向に該投影対物系の前記像平面内で投影ビームに対して前記基板を移動することにより、走査作動において該基板上の露光区域を漸進的に露光する段階と、
を含み、
前記基板は、第1の露光区域(EA1)と前記走査方向に該第1の露光区域に隣接する第2の露光区域(EA2)とを含み、
前記第1の露光区域(EA1)全体と該第1の露光区域に隣接する前記第2の露光区域(EA2)の第1の部分(P1)とが、第1の走査方向の1回の単一の連続的な第1の走査作動において露光され、
前記第1の走査作動は、前記第2の露光区域(EA2)全体が完全に露光される前に、該第2の露光区域が単に部分的に露光されるように停止される、
ことを特徴とする方法。 - 放射線線量が、前記第1の部分(P1)に受光される放射線線量が第1の放射線線量プロフィールに従って前記第1の露光区域(EA1)に隣接する側から該第1の露光区域と反対の前記第2の露光区域の第2の部分(P2)に向けて連続的に減少するように、前記第1の走査作動中に制御されることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記レチクルマスキングデバイス(RMD)は、照明スリット全長で完全に開いたままに留まり、該レチクルマスキングデバイス上への光束が、更に別の放射線が前記第1の部分(P1)上に入射しないように、前記第1の走査作動の終了時に停止されることを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の方法。
- 前記光束は、光源を消灯することにより、又は該光源と前記レチクルマスキングデバイスの間に配置されたシャッターを閉じることにより停止されることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記第2の露光区域(EA2)は、第2の走査方向の第2の走査作動において更に露光され、露光線量が、該第2の露光区域(EA2)が該第2の走査作動が完了した後に均一な露光線量が該第2の露光区域に受光されるように前記第1の走査作動において受光された前記放射線線量に対して相補的な第2の放射線線量を受光するように、該第2の走査作動中に制御されることを特徴とする請求項7から請求項10のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第2の走査方向は、前記第1の走査方向と反対であり、又は
前記第2の走査方向は、前記第1の走査方向と同じである、
ことを特徴とする請求項11に記載の方法。 - 前記第2の露光区域(EA2)上の前記第2の走査作動は、少なくとも1回の第3の走査作動が前記基板上で実行された後に実行されることを特徴とする請求項7から請求項12のいずれか1項に記載の方法。
- 前記基板は、前記第1の走査作動が完了した後に前記露光区域の幅に対応する長さだけ前記第1の走査方向と垂直にステップ作動において移動されることを特徴とする請求項7から請求項13のいずれか1項に記載の方法。
- 投影対物系の像平面の領域に配置された感放射線基板を該投影対物系の物体平面の領域に配置されたマスクのパターンの少なくとも1つの像を用いて露光するように構成された走査投影露光系であって、
作動波長λ付近の波長帯域からの放射線を放出する放射線源(S)と、
前記放射線源からの前記放射線を受光し、かつ照明放射線を成形して前記マスクの前記パターン上に向けられる照明ビームを形成し、定められた時点で該マスク上に入射する照明放射線の照明スリット(ILS)の有効長さ及び幅寸法を定めるように構成されたレチクルマスキングデバイス(RMD)を含む照明系(ILL)と、
前記パターンの像を前記基板上に投影する投影対物系(PO)と、
を含み、
請求項1の方法に従って前記基板を露光するように構成される、
ことを特徴とする走査投影露光系。
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