JP2015228405A - チップ形コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】実装時の半田付けの良否を容易に判別して耐振動性の低下を防止できるチップ形のコンデンサを提供する。【解決手段】複数のリード線１１、１２が導出されるコンデンサ本体１０と、コンデンサ本体１０に装着されるとともにリード線１１、１２の端子部１１ａ、１２ａを一面の基板実装面２０ａに配して回路基板３０上に載置される実装部２０とを備え、端子部１１ａ、１２ａが回路基板３０に半田付けされるチップ形コンデンサ１において、実装部２０が有機金属錯体化合物を含む樹脂により形成されるとともに基板実装面２０ａに対して傾斜した傾斜面２０ｄを基板実装面２０ａの周縁に有し、基板実装面２０ａ及び傾斜面２０ｄ上にレーザ照射して金属を露出させた領域にメッキを施して形成される補助端子部２１を設けた。【選択図】図１

Description

本発明は、基板に面実装されるチップ形コンデンサ及びその製造方法に関する。

従来のチップ形のコンデンサは特許文献１に開示される。このコンデンサは陽極及び陰極のリード線が導出されるコンデンサ本体と、コンデンサ本体に装着される座板とを備えている。座板は樹脂成形品により形成され、回路基板上に載置される基板実装面上に一対の溝部が凹設される。

溝部にはリード線が挿通される挿通孔が設けられ、リード線の先端を折曲した端子部が溝部内に配される。これにより、基板実装面の表面に端子部を配した面実装可能なチップ形のコンデンサが形成される。この時、溝部に配した端子部の先端は座板の周縁から突出する。また、溝部の両側方の基板実装面上には金属メッキにより形成された補助端子部が設けられる。

上記構成のコンデンサは端子部の半田付けによって回路基板に実装される。この時、補助端子部も回路基板に半田付けされる。このため、コンデンサが端子部及び補助端子部により広い面積で回路基板に固着され、コンデンサの耐振動性を向上することができる。従って、振動の大きい約５Ｇを越える強い耐振動性が求められる車載等の用途に適したコンデンサが得られる。

特開２０１２−１３８４１４号公報（第７頁−第１２頁、第６図） 特許第３８８１３３８号公報 特表２０００−５０３８１７号公報

上記従来のコンデンサは回路基板に実装した際に半田付けの良否を確認する検査が行われる。この検査はコンデンサを基板実装面の反対側からカメラ等により観察し、座板から突出した端子部の先端に沿って形成される半田フィレットの有無を判別して行われる。

しかしながら、上記の検査では補助端子部の半田付け状態を判別できないため、補助端子部の半田付けが正常に行われていない場合に回路基板上に実装したコンデンサの耐振動性が低くなる問題があった。

本発明は、実装時の半田付けの良否を容易に判別して耐振動性の低下を防止できるチップ形のコンデンサ及びその製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために本発明は、複数のリード線が導出されるコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体に装着されるとともに前記リード線の端子部を一面の基板実装面に配して回路基板上に載置される実装部とを備え、前記端子部が回路基板に半田付けされるチップ形コンデンサにおいて、前記実装部が有機金属錯体化合物を含む樹脂により形成されるとともに前記基板実装面に対して傾斜した傾斜面を前記基板実装面の周縁に有し、前記基板実装面及び前記傾斜面上にレーザ照射して金属を露出させた領域にメッキを施して形成される補助端子部を設けたことを特徴としている。

この構成によると、コンデンサ本体からリード線が導出され、実装部の基板実装面上に各リード線の端子部が配される。実装部は有機金属錯体化合物を含む樹脂により形成され、補助端子部は基板実装面上及び基板実装面の周縁の傾斜面上にレーザ照射して金属を露出させた領域にメッキを施して形成される。レーザ照射により有機金属錯体化合物が分解して金属が析出し、該金属が樹脂のスポンジ層に絡まって存在してメッキの下地となるためメッキの付着強度が向上する。チップ形コンデンサは端子部及び補助端子部を回路基板に半田付けして実装される。回路基板上に実装されたチップ型コンデンサは基板実装面の反対側から観察され、端子部の先端及び傾斜面に沿って形成される半田フィレットの有無により半田付けの良否が判別される。

また本発明は、上記構成のチップ形コンデンサにおいて、前記基板実装面の法線に対する前記傾斜面の傾斜角度を３゜〜８０゜に形成したことを特徴としている。

また本発明は、上記構成のチップ形コンデンサにおいて、前記基板実装面の法線に対する前記傾斜面の傾斜角度を１０゜〜６０゜に形成したことを特徴としている。

また本発明は、上記構成のチップ形コンデンサにおいて、陽極の前記リード線と陰極の前記リード線とが前記コンデンサ本体の同一の導出面から導出され、前記導出面と回路基板との間に配される座板により前記実装部を形成したことを特徴としている。この構成によると、コンデンサ本体の導出面から導出されるリード線が回路基板に対向する基板実装面上に導かれて端子部を形成する。

また本発明は、上記構成のチップ形コンデンサにおいて、前記座板が前記リード線を挿通する挿通孔と前記リード線の先端を折曲した前記端子部を収納する溝部とを有し、前記補助端子部が前記溝部内にも形成されることを特徴としている。この構成によると、リード線が挿通孔を貫通して先端に形成される端子部が溝部内に配される。溝部内に形成される補助端子部はチップ形コンデンサの実装時に端子部と半田付けされる。

また本発明は、上記構成のチップ形コンデンサにおいて、前記実装部が前記コンデンサ本体の周面に配され、前記コンデンサ本体上の前記リード線の導出面に対して前記基板実装面が直交することを特徴としている。この構成によると、コンデンサ本体の周面に実装部が配され、導出面から導出されるリード線が折曲により基板実装面上に導かれて端子部を形成する。実装部はコンデンサ本体を覆う筒状でもよく、コンデンサ本体の一周面に対向する板状でもよい。

また本発明は、上記構成のチップ形コンデンサにおいて、前記コンデンサ本体が電解コンデンサにより形成されることを特徴としている。

また本発明は、複数のリード線が導出されるコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体に装着されるとともに前記リード線の端子部を一面の基板実装面に配して回路基板上に載置される実装部とを備え、前記端子部が回路基板に半田付けされるチップ形コンデンサの製造方法において、前記基板実装面に対して傾斜した傾斜面を前記基板実装面の周縁に設けた前記実装部を有機金属錯体化合物が含まれた樹脂により形成する実装部形成工程と、レーザ照射により前記傾斜面及び前記基板実装面上に金属を露出させるレーザ照射工程と、前記レーザ照射工程で金属が露出した領域にメッキを施して回路基板に半田付けされる補助端子部を形成するメッキ工程とを備えたことを特徴としている。

この構成によると、実装部形成工程で有機金属錯体化合物を含む樹脂の射出成形等により傾斜面を有した実装部が形成される。次に、レーザ照射工程で傾斜面及び基板実装面の所定領域にレーザ照射して有機金属錯体化合物を分解し、金属を析出して露出させる。次に、メッキ工程でレーザ照射工程による金属の露出領域にメッキが施され、傾斜面及び基板実装面上に補助端子部が形成される。コンデンサ本体のリード線は基板実装面上に端子部を形成し、端子部及び補助端子部の半田付けによりチップ形コンデンサが回路基板に実装される。

本発明によると、実装部が有機金属錯体化合物を含む樹脂により形成され、補助端子部が基板実装面及び傾斜面上にレーザ照射して金属を露出させた領域にメッキを施して形成される。これにより、傾斜面上に容易に補助端子部を設けることができるとともに、チップ型コンデンサの実装時に端子部及び傾斜面に沿って半田フィレットが形成される。従って、半田フィレットの有無により実装時の半田付けの良否を容易に判別し、チップ形コンデンサの耐振動性の低下を防止することができる。

本発明の第１実施形態のコンデンサを示す正面図 本発明の第１実施形態のコンデンサの座板を示す底面図 本発明の第１実施形態のコンデンサの座板を示す正面図 本発明の第１実施形態のコンデンサの座板を示す側面断面図 本発明の第１実施形態のコンデンサの製造工程を示す工程図 本発明の第１実施形態のコンデンサの実装部形成工程を示す平面図 本発明の第１実施形態のコンデンサの実装時の状態を示す上面図 図７のＥ−Ｅ断面図 図７のＦ−Ｆ断面図 本発明の第２実施形態のコンデンサの座板を示す底面図 本発明の第２実施形態のコンデンサの座板を示す正面図 本発明の第３実施形態のコンデンサの座板を示す底面図 本発明の第３実施形態のコンデンサの座板を示す正面図 本発明の第４実施形態のコンデンサを示す斜視図 本発明の第４実施形態のコンデンサを示す底面図

以下に図面を参照して本発明の実施形態を説明する。図１は第１実施形態のチップ形のコンデンサの正面図を示している。コンデンサ１はコンデンサ本体１０及び座板２０を備えている。

コンデンサ本体１０は電解コンデンサから成り、有底筒状の金属ケース１４内にコンデンサ素子１３が収納される。金属ケース１４の開放端はゴム等の封口部材１５により封止される。コンデンサ素子１３は陽極箔及び陰極箔（いずれも不図示）を電解紙等のセパレータ（不図示）を介して巻回して形成される。陽極箔はアルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン等の弁作用金属から成り、表面に誘電体皮膜が形成される。

陰極箔はセパレータを介して陽極箔に対向し、アルミニウム等により形成される。また、陽極箔の誘電体皮膜の表面と陰極箔の表面との間のセパレータを含む空間には駆動用電解液の含浸や導電性ポリマー層の形成によって実質的な陰極が形成される。

陽極箔及び陰極箔にはそれぞれリード線１１、１２が取り付けられている。リード線１１、１２は封口部材１５を貫通し、封口部材１５の表面により形成される導出面１０ａから導出される。これにより、コンデンサ本体１０はリード線１１、１２が同一方向に延びた所謂リード線端子同一方向形（ＪＩＳＣ５１０１−１形状記号０４形）に形成される。

図２、図３、図４は座板２０の底面図、正面図及び側面断面図を示している。座板２０は樹脂成形品から成り、一面をコンデンサ本体１０の導出面１０ａに接して他面に基板実装面２０ａを形成する。座板２０の一面の四隅にはコンデンサ本体１０に被嵌される支柱部２４が一体に成形される。支柱部２４によって座板２０に対するコンデンサ本体１０の揺れを抑制し、コンデンサ１の耐振動性を向上することができる。

座板２０の基板実装面２０ａ上には対向する一対の溝部２０ｃが凹設される。溝部２０ｃの一端は座板２０の周面まで延びて開放される。溝部２０ｃ内にはそれぞれリード線１１、１２が挿通される挿通孔２０ｂが設けられる。

また、座板２０には基板実装面２０ａに対して傾斜した傾斜面２０ｄが基板実装面２０ａの周縁に設けられる。傾斜面２０ｄは座板２０の溝部２０ｃが開口した両端面に沿って形成される。基板実装面２０ａの法線に対する傾斜面２０ｄの傾斜角度θは３゜〜８０゜に形成される。

挿通孔２０ｂに挿通されたリード線１１、１２は先端を折曲して端子部１１ａ、１２ａが形成され、溝部２０ｃ内に端子部１１ａ、１２ａが収納される。この時、端子部１１ａ、１２ａの先端は座板２０の周面から突出する。これにより、コンデンサ１は基板実装面２０ａの表面に端子部１１ａ、１２ａを配して面実装化されたチップ形（ＪＩＳＣ５１０１−１形状記号３２形）に形成される。尚、端子部１１ａ、１２ａの先端を座板２０の周面と同一面内に配してもよい。

座板２０の傾斜面２０ｄ及び基板実装面２０ａ上には回路基板に半田付けされる金属から成る補助端子部２１が設けられる。補助端子部２１は後述するようにメッキ工程を含む製造工程により形成される。本実施形態では、補助端子部２１が一対の溝部２０ｃの両側方及び溝部２０ｃの底面上の６箇所にそれぞれ配置される。

コンデンサ１は端子部１１ａ、１２ａ及び補助端子部２１に半田が塗布され、２４０℃〜２６０℃の鉛フリーリフローを通して回路基板に実装される。座板２０はコンデンサ本体１０と回路基板との間に配されて回路基板上に載置される実装部を構成する。補助端子部２１によって半田付け面積が大きくなるためコンデンサ１の耐振動性を高く維持することができる。

図５は補助端子部２１を含む座板２０の製造工程を示している。実装部形成工程はレーザ光で活性化する有機金属錯体化合物を含む熱可塑性高分子材料から成る耐熱性樹脂によって座板２０を形成する。レーザ光で活性化する有機金属錯体化合物の一例として、Ferro GmbH社製の銅含有のSpinells PK 3095（特許文献２、特許文献３参照）等を用いることができる。

リフロー半田付け時の温度が２４０℃〜２６０℃であるため、座板２０はＡＳＴＭ規格 Ｄ６４８、荷重０．４５５ＭＰａで定義した熱変形温度が２００℃以上の耐熱性が要求される。このような耐熱性の樹脂として、芳香族ナイロン、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアミド、ポリイミド、液晶ポリマー （ＬＣＰ）等を用いることができる。

また、座板２０はＵＬ規格のＵＬ９４（２．０ｍｍ厚）で測定したときにＶ０またはＶ１相当の難燃性を有するとより望ましい。更に、支柱部２４は最小肉厚が例えば０．４ｍｍでコンデンサ本体１０を保持する必要があり、座板２０には耐衝撃性が必要である。このため、ＡＳＴＭ規格 Ｄ４８１２の３．２ｍｍ幅、ノッチ無しの条件のアイゾット試験による衝撃強度が５０Ｊ／ｍ以上の樹脂が望ましい。

具体的には、SABIC社製UX08325（ポリフタルアミド、熱変形温度：２６３℃、衝撃強度：３５１Ｊ／ｍ）、SABIC社製EXTC0015（芳香族ナイロン、熱変形温度：２６１℃）、RTP社製4099X117359D（ポリフタルアミド、熱変形温度：２７９℃）、RTP社製299X113399H（ポリアミド、熱変形温度：２４９℃）、RTP社製3499-3X113393C（ＬＣＰ、熱変形温度：２７４℃）、BASF社製ウルトラアミドT4381LDS（ポリアミド、熱変形温度：２６５℃）等の市販品を用いることができる。

そして、耐熱性樹脂に予め数重量％の有機金属錯体化合物を混練して樹脂ペレット（顆粒）を形成し、射出成形によって傾斜面２０ｄを有した座板２０が形成される。この時、図６に示すように１ショットの成形で大量の座板２０を形成することができる。このため、金属板の補助端子部２１を一体にインサート成形して座板２０を形成するよりも工数を削減することができる。

次に、レーザ照射工程では座板２０の基板実装面２０ａ及び傾斜面２０ｄ上の補助端子部２１を形成する領域にレーザが照射される。これにより、該領域の樹脂表面が活性化され、約１０μｍの深さでスポンジ状に生地荒れして粗面化されたスポンジ層が形成される。同時に当該領域の有機金属錯体化合物が分子破壊され、スポンジ層に銅等の金属が析出して露出する。析出した金属は樹脂のスポンジ層に絡まった形で存在し、後述するメッキのシーズとなる。

この時、傾斜面２０ｄの傾斜角度θ（図４参照）が３゜よりも小さいと、レーザ照射の効率が低下するため座板２０の製造工数が大きくなる。このため、傾斜角度θを３゜以上に形成することによって座板２０の製造工数を削減することができる。傾斜角度θを１０゜以上に形成すると製造工数を更に削減できるためより望ましい。

次に、メッキ工程では座板２０を化学還元メッキ液に浸漬する。化学還元メッキ液として例えば、硫酸銅等の銅塩と、塩化銅やホスフィン酸塩等の還元剤との溶液を用いることができる。これにより、レーザ照射工程で露出した金属をシーズとして銅等の金属メッキ層を形成し、座板２０の傾斜面２０ｄ及び基板実装面２０ａ上に補助端子部２１が形成される。メッキ工程を電気メッキ（電解メッキ）により行って補助端子部２１を形成してもよい。

尚、銅等の金属メッキ層の半田付け性の改善のため、置換メッキ法により錫無電解メッキ等による表面仕上げが行われる。この時、銅のメッキ厚は数μｍ、錫のメッキ厚は１μｍ以下でよい。これにより、基板実装面２０ａからの補助端子部２１の突出量Ｄ（図３参照）は数μｍとなり、補助端子部２１と基板実装面２０ａとの同一面性を容易に確保することができる。従って、クリーム半田の厚みが多少薄い場合でも半田付け不良を防止することができる。

メッキによって補助端子部２１を形成するので一度に大量の処理が可能で作業能率が高い。また、レーザが照射された領域にのみ選択的にメッキが施されるので、メッキ液を削減することができる。従って、座板２０及びコンデンサ１の製造工数を削減するとともに環境負荷も少なくすることができる。

図７は回路基板に実装したコンデンサ１の上面図を示している。また、図８、図９はそれぞれ図７のＥ−Ｅ断面図及びＦ−Ｆ断面図を示している。コンデンサ１はリフローを通して回路基板３０上に端子部１１ａ、１２ａ及び補助端子部２１を半田３１により半田付けして実装される。この時、正常に半田付けが行われると、端子部１１ａ、１２ａの先端に沿って半田フィレット３１ａが形成され、傾斜面２０ｄに沿って補助端子部２１の部分に半田フィレット３１ｂが形成される。

半田フィレット３１ａ、３１ｂは上方（基板実装面２０ａの反対側）から見てコンデンサ１の周囲から突出する。このため、実装後のコンデンサ１を上方からカメラ等により観察し、半田フィレット３１ａ、３１ｂの有無によって端子部１１ａ、１２ａ及び補助端子部２１の半田付けの良否を容易に判別できる。

傾斜面２０ｄの厚み方向の長さＬ（図４参照）は、半田フィレット３１ｂが上方から視認できる程度に座板２０から突出するように形成される。この時、傾斜面２０ｄの傾斜角度θが８０゜よりも大きいと、座板２０の周部において板厚が小さくなるため強度が低下する。このため、傾斜面２０ｄの傾斜角度θを８０゜以下に形成し、座板２０の強度を高く維持することができる。傾斜面２０ｄの傾斜角度θを６０゜以下に形成すると、座板２０の強度を更に高くできるためより望ましい。

また、コンデンサ１をリフローに通す際に半田がリード線１１、１２の端子部１１ａ、１２ａを伝って溝部２０ｃ内の補助端子部２１に付着する。これにより、溝部２０ｃ内の補助端子部２１とリード線１１、１２とが固着され、コンデンサ本体１０と座板２０との固着強度を向上することができる。

本実施形態によると、座板２０（実装部）が有機金属錯体化合物を含む樹脂により形成される。また、補助端子部２１が基板実装面２０ａ及び傾斜面２０ｄ上にレーザ照射して金属を露出させた領域にメッキを施して形成される。これにより、基板実装面２０ａに対して傾斜した傾斜面２０ｄ上に容易に補助端子部２１を設けることができる。また、コンデンサ１の実装時に端子部１１ａ、１２ａの先端及び傾斜面２０ｄに沿って半田フィレット３１ａ、３１ｂが形成される。従って、半田フィレット３１ａ、３１ｂの有無により実装時の半田付けの良否を容易に判別し、コンデンサ１の耐振動性の低下を防止することができる。

また、基板実装面２０ａ上の補助端子部２１と基板実装面２０ａとの同一面性を容易に確保することができ、半田付け不良を低減することができる。

また、基板実装面２０ａの法線に対する傾斜面２０ｄの傾斜角度θを３゜〜８０゜に形成したので、座板２０の製造工数を削減できるとともに強度を高く維持することができる。

また、基板実装面２０ａの法線に対する傾斜面２０ｄの傾斜角度θを１０゜〜６０゜に形成すると、座板２０の製造工数をより削減できるとともに強度をより高くできる。

また、陽極のリード線１１と陰極のリード線１２とがコンデンサ本体１０の同一の導出面１０ａから導出され、導出面１０ａと回路基板３０との間に配される座板２０に端子部１１ａ、１２ａ及び補助端子部２１が形成される。これにより、耐振動性の高いコンデンサ１を容易に実現することができる。

また、座板２０がリード線１１、１２を挿通する挿通孔２０ｂ及び端子部１１ａ、１２ａを収納する溝部２０ｃを有し、補助端子部２１が溝部２０ｃ内にも形成される。これにより、コンデンサ１の実装時に溝部２０ｃ内の補助端子部２１が端子部１１ａ、１２ａと半田付けされる。従って、コンデンサ本体１０と座板２０との固着強度を向上することができる。

次に、図１０、図１１は第２実施形態のコンデンサ１の座板２０を示す底面図及び正面図である。説明の便宜上、前述の図１〜図９に示す第１実施形態と同様の部分には同一の符号を付している。本実施形態は基板実装面２０ａ上、溝部２０ｃ内及び挿通孔２０ｃ内に補助端子部２１が連続して形成される。その他の部分は第１実施形態と同一である。

挿通孔２０ｂは回路基板３０（図８参照）側を広げる方向に周壁２０ｅを傾斜して形成され、溝部２０ｃは回路基板３０側を広げる方向に側壁２０ｆを傾斜して形成される。このため、レーザ照射工程で周壁２０ｅ及び側壁２０ｆに容易にレーザを照射することができる。これにより、メッキ工程で周壁２０ｅ及び側壁２０ｆ上に金属メッキ層が形成される。

従って、補助端子部２１を溝部２０ｃの両側部に加えて挿通孔２０ｂ及び溝部２０ｃ内に連続して形成することができる。尚、基板実装面２０ａの法線に対する周壁２０ｅ及び側壁２０ｆの傾斜角度を８０゜以下にすると確実にレーザを照射でき、６０゜以下にするとより望ましい。

上記構成のコンデンサ１をリフローに通す際に半田３１（図８参照）が周壁２０ｅ及び側壁２０ｆを伝って挿通孔２０ｂ及び溝部２０ｃ内の補助端子部２１に付着する。これにより、補助端子部２１と回路基板３０との半田付け面積を大きくすることができる。

この時、溝部２０ｃ及び基板実装面２０ａに連続する補助端子部２１は半田３１によって溝部２０ｃ内のリード線１１、１２にそれぞれ導通する。このため、陽極のリード線１１に導通する部分と陰極のリード線１２に導通する部分との距離Ｂ（図１０参照）が１ｍｍ以上離れて形成される。これにより、陽極のリード線１１と陰極のリード線１２との短絡を確実に防止することができる。

本実施形態によると、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、溝部２０ｃの側壁２０ｆが傾斜し、補助端子部２１を基板実装面２０ａ上及び溝部２０ｃ内に連続して形成することができる。これにより、補助端子部２１の半田付け面積が増加してコンデンサ１の耐振動性をより向上することができる。

加えて、挿通孔２０ｂの周壁２０ｆが傾斜し、補助端子部２１を基板実装面２０ａ上、溝部２０ｃ内及び挿通孔２０ｂ内に連続して形成することができる。これにより、補助端子部２１の半田付け面積をより増加させることができる。

次に、図１２、図１３は第３実施形態のコンデンサ１の座板２０を示す底面図及び正面図を示している。説明の便宜上、前述の図１〜図９に示す第１実施形態と同様の部分には同一の符号を付している。本実施形態は第１実施形態に対して溝部２０ｃ内の補助端子部２１を省いている。その他の部分は第１実施形態と同一である。

座板２０はレーザ照射工程で基板実装面２０ａ及び傾斜面２０ｄ上の溝部２０ｃの両側方にレーザが照射され、補助端子部２１が形成される。これにより、コンデンサ１の実装時に端子部１１ａ、１２ａの先端及び傾斜面２０ｄに沿って半田フィレット３１ａ、３１ｂ（図７参照）が形成される。

本実施形態によると、溝部２０ｃ内の補助端子部２１を省いたためコンデンサ本体１０と座板２０との固着強度は低下するが、傾斜面２０ｄを設けたので第１実施形態と同様に実装時の半田付け良否を容易に判別することができる。

次に、図１４、図１５は第４実施形態のコンデンサ１を示す斜視図及び底面図を示している。説明の便宜上、前述の図１〜図９に示す第１実施形態と同様の部分には同一の符号を付している。本実施形態のコンデンサ１は第１実施形態と同様のコンデンサ本体１０を備え、導出面１０ａに対して基板実装面２５ａが直交したＪＩＳＣ５１０１−１形状記号８８形に形成される。

コンデンサ本体１０の周面は導出面１０ａに対向する開口部２５ｂを有した筒状の外装カバー２５により覆われる。外装カバー２５の一周面から成る基板実装面２５ａ上の端部には溝部２５ｃが形成される。導出面１０ａから導出されるリード線１１、１２は外装カバー２５の周面に沿って折曲され、先端の端子部１１ａ、１２ａが溝部２５ｃ内に配される。従って、外装カバー２５はコンデンサ本体１０の周面と回路基板との間に配されて回路基板上に載置される実装部を構成する。

また、外装カバー２０の端子部１１ａ、１２ａと反対側の端部には基板実装面２５ａに対して傾斜した傾斜面２５ｄが基板実装面２５ａの周縁に設けられる。基板実装面２５ａ及び傾斜面２５ｄ上には第１実施形態と同様の補助端子部２１が形成される。実装部を構成する外装カバー２５は座板２０（図１参照）と同様に、有機金属錯体化合物を含む樹脂により形成される。また、補助端子部２１はレーザ照射工程とメッキ工程により形成される。

本実施形態によると、第１実施形態と同様に、基板実装面２５ａを有する外装カバー２５（実装部）が有機金属錯体化合物を含む樹脂により形成される。また、補助端子部２１が基板実装面２５ａ及び傾斜面２５ｄ上にレーザ照射して金属を露出させた領域にメッキを施して形成される。これにより、基板実装面２５ａに対して傾斜した傾斜面２５ｄ上に容易に補助端子部２１を設けることができる。また、コンデンサ１の実装時に端子部１１ａ、１２ａの折曲部分及び傾斜面２５ｄに沿って半田フィレット３１ａ、３１ｂが形成される。従って、半田フィレット３１ａ、３１ｂの有無により実装時の半田付けの良否を容易に判別し、コンデンサ１の耐振動性の低下を防止することができる。

尚、補助端子部２１の面積を大きくすると、コンデンサ１の剥離強度を大きくすることができる。また、溝部２５ｃ内にも補助端子部２１を設けてもよい。この時、上記と同様に、補助端子部２１の陽極のリード線１１に導通する部分と陰極のリード線１２に導通する部分との距離を１ｍｍ以上離すとより望ましい。

本実施形態において、コンデンサ本体１０を覆う筒状の外装カバー２５に基板実装面２５ａを設けて実装部を形成しているが、板状の実装部をコンデンサ本体１０の周面に配置して基板実装面２５ａを設けてもよい。

本発明によると、基板に面実装されるチップ形コンデンサに利用することができる。

１ コンデンサ
１０ コンデンサ本体
１０ａ 導出面
１１、１２ リード線
１１ａ、１２ａ 端子部
１３ コンデンサ素子
１４ 金属ケース
１５ 封口部材
２０ 座板
２０ａ、２５ａ 基板実装面
２０ｂ 挿通孔
２０ｃ、２５ｃ 溝部
２０ｄ、２５ｄ 傾斜面
２１ 補助端子部
２５ 外装カバー
３０ 回路基板
３１ 半田
３１ａ、３１ｂ 半田フィレット

Claims (8)

1. 複数のリード線が導出されるコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体に装着されるとともに前記リード線の端子部を一面の基板実装面に配して回路基板上に載置される実装部とを備え、前記端子部が回路基板に半田付けされるチップ形コンデンサにおいて、前記実装部が有機金属錯体化合物を含む樹脂により形成されるとともに前記基板実装面に対して傾斜した傾斜面を前記基板実装面の周縁に有し、前記基板実装面及び前記傾斜面上にレーザ照射して金属を露出させた領域にメッキを施して形成される補助端子部を設けたことを特徴とするチップ型コンデンサ。
2. 前記基板実装面の法線に対する前記傾斜面の傾斜角度を３゜〜８０゜に形成したことを特徴とする請求項１に記載のチップ形コンデンサ。
3. 前記基板実装面の法線に対する前記傾斜面の傾斜角度を１０゜〜６０゜に形成したことを特徴とする請求項１に記載のチップ形コンデンサ。
4. 陽極の前記リード線と陰極の前記リード線とが前記コンデンサ本体の同一の導出面から導出され、前記導出面と回路基板との間に配される座板により前記実装部を形成したことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載のチップ形コンデンサ。
5. 前記座板が前記リード線を挿通する挿通孔と前記リード線の先端を折曲した前記端子部を収納する溝部とを有し、前記補助端子部が前記溝部内にも形成されることを特徴とする請求項４に記載のチップ形コンデンサ。
6. 前記実装部が前記コンデンサ本体の周面に配され、前記コンデンサ本体上の前記リード線の導出面に対して前記基板実装面が直交することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載のチップ形コンデンサ。
7. 前記コンデンサ本体が電解コンデンサから成ることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載のチップ型コンデンサ。
8. 複数のリード線が導出されるコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体に装着されるとともに前記リード線の端子部を一面の基板実装面に配して回路基板上に載置される実装部とを備え、前記端子部が回路基板に半田付けされるチップ形コンデンサの製造方法において、前記基板実装面に対して傾斜した傾斜面を前記基板実装面の周縁に設けた前記実装部を有機金属錯体化合物が含まれた樹脂により形成する実装部形成工程と、レーザ照射により前記傾斜面及び前記基板実装面上に金属を露出させるレーザ照射工程と、前記レーザ照射工程で金属が露出した領域にメッキを施して回路基板に半田付けされる補助端子部を形成するメッキ工程とを備えたことを特徴とするチップ形コンデンサの製造方法。

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