CN105142350A - 芯片式电容器及其制造方法 - Google Patents

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CN105142350A
CN105142350A CN201410301264.0A CN201410301264A CN105142350A CN 105142350 A CN105142350 A CN 105142350A CN 201410301264 A CN201410301264 A CN 201410301264A CN 105142350 A CN105142350 A CN 105142350A
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吉泽均
竹谷豊
寺司和生
滨野干治
池内一智
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Abstract

本发明提供能够容易地判断安装时的焊接是否良好来防止耐振动性降低的芯片式电容器及其制造方法。芯片式电容器(1)具有:电容器主体(10),导出多个引线(11、12),安装部(20),安装在电容器主体(10)上,引线(11、12)的端子部(11a、12a)配置在作为一个面的基板安装面(20a)上来载置于电路板(30),端子部(11a、12a)焊接在电路板(30)上,安装部(20)由包含有机金属络合物的树脂形成,在基板安装面(20a)的周缘具有相对于基板安装面(20a)倾斜的倾斜面(20d),在基板安装面及倾斜面上设置有通过对基板安装面及倾斜面上的照射激光使金属露出的区域进行镀敷形成的辅助端子部(21)。

Description

芯片式电容器及其制造方法
技术领域
本发明涉及安装在基板的表面上的芯片式电容器及其制造方法。
背景技术
在专利文献1中公开了以往的芯片式电容器。该电容器具有:电容器主体,其导出有阳极以及阴极的引线;座板,其安装在电容器主体上。座板由树脂成型品形成,在载置于电路板上的基板安装面上凹陷设置有一对槽部。
在槽部上设置有用于使引线穿过的插通孔,将引线的顶端弯折而成的端子部配置在槽部内。由此,形成将端子部配置在基板安装面的表面上的、能够进行面安装的芯片式电容器。此时,配置在槽部内的端子部的顶端从座板的周缘突出。另外,在槽部两侧的基板安装面上设置有通过金属镀敷形成的辅助端子部。
上述结构的电容器通过焊接端子部来安装在电路板上。此时,辅助端子部也焊接在电路板上。因此,电容器能够通过端子部以及辅助端子部以大的面积固定在电路板上,从而能够提高电容器的耐振动性。因此,可得到适用于要求大的耐振动性的车载等用途的电容器,在此所说的大的耐振动性指能够承受大的振动,即大约5G的振动。
专利文献1:日本特开2012-138414号公报(第7页-第12页、图6)
专利文献2:日本特许第3881338号公报
专利文献3:日本特表2000-503817号公报
·在上述以往的电容器中,在已将电容器安装在电路板时,进行确认焊接是否良好的检查。在进行该检查时,通过照相机等从与基板安装面一侧相反的一侧观察电容器,判断是否有沿着从座板突出的端子部的顶端形成的焊锡圆角(solderfillet)。
但是,在上述检查中,不能判断辅助端子部的焊接状态,因此存在如下问题,即,在辅助端子部未正常地焊接的情况下,降低安装在电路板上的电容器的耐振动性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够在安装时容易地判断焊接是否良好来防止耐振动性降低的芯片式电容器及其制造方法。
为了达到上述目的,本发明的芯片式电容器,具有:电容器主体,其导出有多个引线,安装部,其安装在所述电容器主体上,并且将所述引线的端子部配置在一侧的基板安装面上来载置在电路板上;所述端子部焊接在电路板上,该芯片式电容器的特征在于,所述安装部由包含有机金属络合物的树脂形成,并且在所述基板安装面的周缘具有相对于所述基板安装面倾斜的倾斜面,在所述基板安装面以及所述倾斜面上设置有辅助端子部,该辅助端子部是对所述基板安装面以及所述倾斜面上的照射激光来使金属露出的区域进行镀敷而形成的。
根据该结构,从电容器主体导出有引线,在安装部的基板安装面上配置有各引线的端子部。安装部由包含有机金属络合物的树脂形成,辅助端子部是对基板安装面以及基板安装面周缘的倾斜面上的照射激光来使金属露出的区域进行镀敷来形成的。通过照射激光使有机金属络合物分解来析出金属,该金属以处于在树脂的海绵层上的方式存在而成为镀敷的基底,因此提高镀敷的附着强度。芯片式电容器将端子部以及辅助端子部焊接在电路板上来进行安装。从与基板安装面一侧相反的一侧观察安装在电路板上的芯片式电容器,通过是否有沿着端子部的顶端以及倾斜面形成的焊锡圆角来判断焊接是否良好。
另外,在本发明的上述结构的芯片式电容器中,其特征在于,所述倾斜面相对于所述基板安装面的法线倾斜的倾斜角度形成为3°~80°。
另外,在本发明的上述结构的芯片式电容器中,其特征在于,所述倾斜面相对于所述基板安装面的法线倾斜的倾斜角度形成为10°~60°。
另外,在本发明的上述结构的芯片式电容器中,其特征在于,阳极的所述引线和阴极的所述引线从所述电容器主体的同一导出面导出,通过配置在所述导出面和电路板之间的座板来形成所述安装部。根据该结构,从电容器主体的导出面导出的引线被引导至与电路板相向的基板安装面上,来形成端子部。
另外,在本发明的上述结构的芯片式电容器中,其特征在于,所述座板具有:插通孔,其使所述引线穿过,槽部,其用于容置将所述引线的顶端弯折而成的所述端子部;所述辅助端子部也形成在所述槽部内。根据该结构,引线穿过插通孔来将形成在顶端的端子部配置在槽部内。在安装芯片式电容器时,形成在槽部内的辅助端子部与端子部进行焊接。
另外,在本发明的上述结构的芯片式电容器中,其特征在于,所述安装部配置在所述电容器主体的周面上,所述电容器主体上的所述引线的导出面与所述基板安装面相垂直。根据该结构,在电容器主体的周面上配置有安装部,从导出面导出的引线通过弯折而被引导至基板安装面上,并形成端子部。安装部可以呈覆盖电容器主体的筒状,也可以呈与电容器主体的一个周面相向的板状。
另外,在本发明的上述结构的芯片式电容器中,其特征在于,所述电容器主体由电解电容器形成。
另外,本发明的芯片式电容器的制造方法,该芯片式电容器具有:电容器主体,其导出有多个引线,安装部,其安装在所述电容器主体上,并且将所述引线的端子部配置在一侧的基板安装面上来载置在电路板上;所述端子部焊接在电路板上,该芯片式电容器的制造方法的特征在于,包括:安装部形成工序,通过包含有机金属络合物的树脂形成所述安装部,在所述安装部的所述基板安装面的周缘设置有相对于所述基板安装面倾斜的倾斜面;激光照射工序,通过照射激光,在所述倾斜面以及所述基板安装面上露出金属;镀敷工序,对在所述激光照射工序中露出金属的区域进行镀敷,从而形成用于焊接在电路板上的辅助端子部。
根据该结构,在安装部形成工序中,通过对包含有机金属络合物的树脂进行注射成型等来形成具有倾斜面的安装部。接着,在激光照射工序中,向倾斜面以及基板安装面的规定区域照射激光来使有机金属络合物分解,从而使金属析出并露出。接着,在镀敷工序中,对在激光照射工序中漏出金属的区域进行镀敷,从而在倾斜面以及基板安装面上形成辅助端子部。电容器主体的引线在基板安装面上形成端子部,通过焊接端子部以及辅助端子部来将芯片式电容器安装在电路板上。
根据本发明,安装部由包含有机金属络合物的树脂形成,辅助端子部是对基板安装面以及倾斜面上的照射激光来使金属露出的区域进行镀敷来形成的。由此,能够容易地在倾斜面上设置辅助端子部,并且在安装芯片式电容器时沿着端子部以及倾斜面形成焊锡圆角。因此,能够通过是否有焊锡圆角来判断安装时的焊接是否良好,从而能够防止芯片式电容器的耐振动性降低。
附图说明
图1是示出本发明第一实施方式的电容器的主视图。
图2是示出本发明第一实施方式的电容器座板的仰视图。
图3是示出本发明第一实施方式的电容器座板的主视图。
图4是示出本发明第一实施方式的电容器座板的侧向剖视图。
图5是示出本发明第一实施方式的电容器制造工序的工序图。
图6是示出本发明第一实施方式的电容器的安装部形成工序的俯视图。
图7是示出本发明第一实施方式的电容器进行安装时的状态的俯视图。
图8是沿着图7的E-E线剖切的剖视图。
图9是沿着图7的F-F线剖切的剖视图。
图10是示出本发明第二实施方式的电容器座板的仰视图。
图11是示出本发明第二实施方式的电容器座板的主视图。
图12是示出本发明第三实施方式的电容器座板的仰视图。
图13是示出本发明第三实施方式的电容器座板的主视图。
图14是示出本发明第四实施方式的电容器的立体图。
图15是示出本发明第四实施方式的电容器的仰视图。
附图标记说明
1:电容器
10:电容器主体
10a:导出面
11、12:引线
11a、12a:端子部
13:电容器元件
14:金属壳
15:封口构件
20:座板
20a、25a:基板安装面
20b:插通孔
20c、25c:槽部
20d、25d:倾斜面
21:辅助端子部
25:外装盖
30:电路板
31:焊锡
31a、31b:焊锡圆角
具体实施方式
下面,参照附图,对本发明的实施方式进行说明。图1示出第一实施方式的芯片式电容器的主视图。电容器1具有电容器主体10以及座板20。
电容器主体10由电解电容器形成,在有底筒状的金属壳14内容置有电容器元件13。金属壳14的开放端被橡胶等封口构件15封固。电容器元件13是隔着电解纸等隔离物(未图示)卷绕阳极箔以及阴极箔(均未图示)而成的。阳极箔由铝、钽、铌、钛等阀作用金属形成,表面形成有电介质覆膜。
阴极箔隔着隔离物与阳极箔相向,由铝等形成。另外,在阳极箔的电介质覆膜的表面和阴极箔的表面之间的包括隔离物的空间内,通过含浸驱动用电解液和形成导电性聚合物层来形成实际的阴极。
在阳极箔以及阴极箔上分别安装有引线11、12。引线11、12贯通封口构件15,从封口构件15的表面所形成的导出面10a导出。由此,电容器主体10形成为,引线11、12沿着同一方向延伸的所谓引线端子同一方向形(JISC(日本工业标准)5101-1形状记号04形)。
图2、图3、图4示出座板20的仰视图、主视图以及侧向剖视图。座板20由树脂成型品形成,一个面与电容器主体10的导出面10a相接触,在另一面上形成有基板安装面20a。在座板20的一个面的四个角一体成型有用于嵌入电容器主体10的支柱部24。通过支柱部24抑制电容器主体10相对于座板20的摆动,从而能够提高电容器1的耐振动性。
在座板20的基板安装面20a上凹陷设置有相向的一对槽部20c。槽部20c的一端延伸至座板20的周面并开放。在槽部20c内分别设置有使引线11、12穿过的插通孔20b。
另外,在座板20的基板安装面20a的周缘设置有相对于基板安装面20a倾斜的倾斜面20d。倾斜面20d沿着座板20的槽部20c开口的两端面形成。倾斜面20d相对于基板安装面20a的法线倾斜的倾斜角度θ为3°~80°。
将穿过插通孔20b的引线11、12的顶端弯折而形成端子部11a、12a,在槽部20c内容置端子部11a、12a。此时,端子部11a、12a的顶端从座板20的周面突出。由此,电容器1形成为,在基板安装面20a的表面上配置有端子部11a、12a而能够进行面安装的芯片式(JISC5101-1形状记号32形)。此外,也可以将端子部11a、12a的顶端配置在与座板20的周面相同的面内。
在座板20的倾斜面20d以及基板安装面20a上,设置有由要焊接在电路板上的金属形成的辅助端子部21。辅助端子部21是如后述那样通过包括镀敷工序的制造工序形成的。在本实施方式中,辅助端子部21分别配置在一对槽部20c的两侧方以及槽部20c的底面上的6处。
在电容器1的端子部11a、12a以及辅助端子部21上涂敷焊锡,并在240℃~260℃的无铅回流(lead-freereflow)中通过来将上述电容器1安装在电路板上。座板20配置在电容器主体10和电路板之间,从而构成用于载置在电路板上的安装部。通过辅助端子部21使焊接面积变大,因此能够将电容器1的耐振动性维持得高。
图5示出包括辅助端子部21的座板20的制造工序。在安装部形成工序中,通过耐热性树脂形成座板20,该耐热性树脂由包括用激光活化的有机金属络合物的热塑性高分子材料形成。作为用激光活化的有机金属络合物的一例,能够利用FerroGmbH公司制作的含有铜的SpinellsPK3095(参照专利文献2、专利文献3)等。
由于进行回流焊时的温度为240℃~260℃,因此要求座板20具有如下耐热性,即,在ASTM规格D648、负载0.455MPa下定义的热变形温度为200℃以上。作为这样的耐热性树脂,能够利用芳香族尼龙、聚邻苯二甲酰胺(PPA)、聚苯硫醚(PPS)、聚酰胺、聚酰亚胺、液晶聚合物(LCP)等。
另外,就座板20而言,优选在以UL规格的UL94(厚度为2.0mm)测定时,具有相当于V0或者V1的难燃性。而且,支柱部24需要在最小壁厚例如为0.4mm的条件下保持电容器主体10,座板20需要具有耐冲击性。因此,优选利用如下树脂,即,在ASTM规格D4812的3.2mm宽、无槽口的条件下进行艾式试验(Izodtest)时,冲击强度为50J/m以上。
具体地说,能够利用SABIC公司制造的UX08325(聚邻苯二甲酰胺、热变形温度:263℃、冲击强度:351J/m)、SABIC公司制造的EXTC0015(芳香族尼龙、热变形温度:26l℃)、RTP公司制造的4099X117359D(聚邻苯二甲酰胺、热变形温度:279℃)、RTP公司制造的299X113399H(聚酰胺、热变形温度:249℃)、RTP公司制造的3499-3X113393C(LCP、热变形温度:274℃)、BASF公司制造的超酰胺T4381LDS(聚酰胺、热变形温度:265℃)等市场上销售产品。
并且,预先在耐热性树脂中混合重量%为几的有机金属络合物来形成树脂颗粒(pellet),通过注射成型形成具有倾斜面20d的座板20。此时,如图6所示那样,能够在一次注射成型中形成大量的座板20。因此,与一体嵌入成型金属板的辅助端子部21来形成座板20的情况相比,能够减少工时。
接着,在激光照射工序中,向座板20的基板安装面20a以及倾斜面20d上的要形成辅助端子部21的区域照射激光。由此,活化该区域的树脂表面,在大约10μm的深度形成质地呈海绵状且表面变得粗糙的海绵层。同时,该区域的有机金属络合物的分子被破坏,在海绵层上析出并露出铜等金属。析出的金属以处于树脂的海绵层上的形式存在,从而成为后述镀敷的基底。
此时,若倾斜面20d的倾斜角度θ(参照图4)小于3°,则使激光照射的效率降低,因此使座板20的制造工时变多。因此,通过使倾斜角度为3°以上,能够减少座板20的制造工时。若使倾斜角度为10°以上,则能够进一步减少制造工时,因此更优选。
接着,在镀敷工序中,将座板20浸渍于化学还原镀敷液中。作为化学还原镀敷液,例如能够利用硫酸铜等铜盐和氯化亚铜、次磷酸盐等还原剂的溶液。由此,将在激光照射工序中露出的金属作为基底来形成铜等金属镀敷层,从而在座板20的倾斜面20d以及基板安装面20a上形成辅助端子部21。也可以通过电镀(电解镀敷)进行镀敷工序来形成辅助端子部21。
此外,为了改进铜等金属镀敷层的焊接性,通过置换镀敷法,利用无锡电解镀等来进行表面加工。此时,可以使铜的镀敷厚度为几μm,使锡的镀敷厚度为1μm以下。由此,使辅助端子部21从基板安装面20a突出的突出量D(参照图3)成为几μm,从而能够容易地确保辅助端子部21和基板安装面20a处于同一面。因此,即使在焊剂的厚度稍薄的情况下,也能够防止焊接不良。
通过镀敷形成辅助端子部21,因此能够一次进行大量处理,从而使作业效率变高。另外,仅对被照射激光的区选择性地进行镀敷,因此能够减少镀敷液。因此,能够减少座板20以及电容器1的制造工时,并且能够使环境负荷变小。
图7示出安装在电路板上的电容器1的俯视图。另外,图8、图9分别示出沿着图7的E-E以及F-F线剖切的剖视图。以如下方式安装电容器1,即,在回流中通过,通过焊锡31将端子部11a、12a以及辅助端子部21焊接在电路板30上。此时,若正常地进行焊接,则沿着端子部11a、12a的顶端形成焊锡圆角31a,沿着倾斜面20d的辅助端子部21的部分形成焊锡圆角31b。
在从上方(与基板安装面20a一侧相反的一侧)观察时,焊锡圆角31a、31b从电容器1的周围突出。因此,能够通过照相机等从上方观察安装后的电容器1,根据是否有焊锡圆角31a、31b来容易地判断端子部11a、12a以及辅助端子部21的焊接是否良好。
倾斜面20d的厚度方向的长度L(参照图4)形成为,焊锡圆角31b从座板20突出能够从上方观察的程度。此时,若倾斜面20d的倾斜角度θ大于80°,则座板20的周部的板厚变小而使强度降低。因此,使倾斜面20d的倾斜角度θ为80°以下,从而能够将座板20的强度维持得高。若使倾斜面20d的倾斜角度θ为60°以下,则能够使座板20的强度更高,因此更优选。
另外,当电容器1在回流中通过时,焊锡沿着引线11、12的端子部11a、12a附着于槽部20c内的辅助端子部21。由此,固定槽部20c内的辅助端子部21和引线11、12,从而能够提高电容器主体10和座板20的固定强度。
根据本实施方式,座板20(安装部)由包含有机金属络合物的树脂形成。另外,在对基板安装面20a以及倾斜面20d上的照射激光使金属露出的区域进行镀敷,来形成辅助端子部21。由此,从而能够容易地在相对于基板安装面20a倾斜的倾斜面20d上设置辅助端子部21。另外,在安装电容器1时,沿着端子部11a、12a的顶端以及倾斜面20d形成焊锡圆角31a、31b。因此,根据是否有焊锡圆角31a、31b来容易地判断安装时的焊接是否良好,从而能够防止电容器1的耐振动性降低。
另外,能够容易地确保使基板安装面20a上的辅助端子部21和基板安装面20a处于同一面,从而能够降低焊接不良。
另外,使倾斜面20d相对于基板安装面20a的法线倾斜的倾斜角度为3°~80°,因此能够减少座板20的制造工时,并且能够将强度维持得高。
另外,当使倾斜面20d相对于基板安装面20a的法线倾斜的倾斜角度为10°~60°,能够进一步减少座板20的制造工时,并且能够使强度更高。
另外,阳极的引线11和阴极的引线12从电容器主体10的同一导出面10a导出,在配置在导出面10a和电路板30之间的座板20上形成端子部11a、12a以及辅助端子部21。由此,能够容易地实现耐振动性高的电容器1。
另外,座板20具有用于使引线11、12穿过的插通孔20b以及用于容置端子部11a、12a的槽部20c,辅助端子部21也形成在槽部20c内。由此,在安装电容器1时,槽部20c内的辅助端子部21与端子部11a、12a进行焊接。因此,能够提高电容器主体10和座板20之间的固定强度。
接着,图10、图11是示出第二实施方式的电容器1的座板20的仰视图以及主视图。为了便于说明,对于与上述图1至图9所示的第一实施方式相同的部分标注相同的附图标记。在本实施方式中,在基板安装面20a上、槽部20c内以及插通孔20b内连续地形成有辅助端子部21。其它部分与第一实施方式相同。
插通孔20b是向使插通孔20b的靠电路板30(参照图8)一侧扩大的方向使周壁20e倾斜而形成的,槽部20c是向使槽部20c的靠电路板30一侧扩大的方向使侧壁20f倾斜而形成的。因此,能够在激光照射工序中容易地向周壁20e以及侧壁20f照射激光。由此,在镀敷工序中在周壁20e以及侧壁20f上形成金属镀敷层。
因此,除了槽部20c的两侧部之外,还在插通孔20b以及槽部20c内连续地形成辅助端子部21。此外,若使周壁20e以及侧壁20f相对于基板安装面20a的法线倾斜的倾斜角度为80°以下,则能够可靠地照射激光,更优选为60°以下。
在使上述结构的电容器1在回流中通过时,焊锡31(参照图8)沿着周壁20e以及侧壁20f附着于插通孔20b以及槽部20c内的辅助端子部21。由此,能够使辅助端子部21和电路板30之间的焊接面积变大。
此时,在槽部20c以及基板安装面20a连续的辅助端子部21通过焊锡31分别与槽部20c内的引线11、12导通。因此,与阳极的引线11导通的部分和与阴极的引线12导通的部分的距离B(参照图10)为1mm以上。由此,能够可靠地防止阳极的引线11和阴极的引线12短路。
根据本实施方式,能够得到与第一实施方式同样的效果。另外,能够使槽部20c的侧壁20f倾斜,来在基板安装面20a上以及槽部20c内连续地形成辅助端子部21。由此,能够增加辅助端子部21的焊接面积来进一步提高电容器1的耐振动性。
而且,能够使插通孔20b的周壁20e倾斜,来在基板安装面20a上、槽部20c内以及插通孔20b内连续地形成辅助端子部21。由此,能够使辅助端子部21的焊接面积进一步增加。
接着,图12、图13示出第三实施方式的电容器1的座板20的仰视图以及主视图。为了便于说明,对于与上述图1至图9所示的第一实施方式相同的部分标注相同的附图标记。本实施方式与第一实施方式相比,省略了槽部20c内的辅助端子部21。其它部分与第一实施方式相同。
就座板20而言,在激光照射工序中,向基板安装面20a以及倾斜面20d上的槽部20c的两侧方照射激光,从而形成辅助端子部21。由此,在安装电容器1时,沿着端子部11a、12a的顶端以及倾斜面20d形成焊锡圆角31a、31b(参照图7)。
根据本实施方式,由于省略了槽部20c内的辅助端子部21,因此使电容器主体10和座板20之间的固定强度降低,但是由于设置了倾斜面20d,因此能够与第一实施方式同样地判断安装时的焊接是否良好。
接着,图14、图15示出第四实施方式的电容器1的立体图以及仰视图。为了便于说明,对于与上述图1至图9所示的第一实施方式相同的部分标注相同的附图标记。本实施方式的电容器1具有与第一实施方式相同的电容器主体10,形成为导出面10a与基板安装面25a相垂直的JISC5101-1形状记号88形。
通过筒状外装盖25覆盖电容器主体10的周面,上述筒状外装盖25具有与导出面10a相向的开口部25b。在由外装盖25的一个周面形成的基板安装面25a上的端部形成有槽部25c。从导出面10a导出的引线11、12沿着外装盖25的周面弯折,来将顶端的端子部11a、12a配置在槽部25c内。因此,外装盖25配置在电容器主体10的周面和电路板之间,构成载置在电路板上的安装部。
另外,在外装盖20的与端子部11a、12a一侧相反的一侧的端部,在基板安装面25a的周缘设置有相对于基板安装面25a倾斜的倾斜面25d。在基板安装面25a以及倾斜面25d上形成与第一实施方式相同的辅助端子部21。构成安装部的外装盖25与座板20(参照图1)同样地,由包含有机金属络合物的树脂形成。另外,辅助端子部21是通过激光照射工序和镀敷工序来形成的。
根据本实施方式,与第一实施方式同样地,具有基板安装面25a的外装盖25(安装部)由包含有机金属络合物的树脂形成。另外,在基板安装面25a以及倾斜面25d上的照射激光来使金属露出的区域进行镀敷,从而形成辅助端子部21。由此,能够容易地在相对于基板安装面25a倾斜的倾斜面25d上设置辅助端子部21。另外,在安装电容器1时,沿着端子部11a、12a的弯折部分以及倾斜面25d形成焊锡圆角31a、31b。因此,根据是否有焊锡圆角31a、31b来容易地判断安装时的焊接是否良好,从而能够防止电容器1的耐振动性降低。
此外,若使辅助端子部21的面积变大,则能够使电容器l的剥离强度变大。另外,也可以在槽部25c内设置辅助端子部21。此时,与上述同样地,优选,使辅助端子部21的与阳极的引线11导通的部分和与阴极的引线12导通的部分的距离为1mm以上。
在本实施方式中,在覆盖电容器主体10的筒状外装盖25上设置基板安装面25a来形成安装部,但是也可以将板状安装部配置在电容器主体10的周面上来设置基板安装面25a。
根据本发明,能够应用于在基板的表面进行安装的芯片式电容器中。

Claims (8)

1.一种芯片式电容器,
具有:
电容器主体,其导出有多个引线,
安装部,其安装在所述电容器主体上,并且将所述引线的端子部配置在一侧的基板安装面上来载置在电路板上;
所述端子部焊接在电路板上,
该芯片式电容器的特征在于,
所述安装部由包含有机金属络合物的树脂形成,并且在所述基板安装面的周缘具有相对于所述基板安装面倾斜的倾斜面,
在所述基板安装面以及所述倾斜面上设置有辅助端子部,该辅助端子部是对所述基板安装面以及所述倾斜面上的通过照射激光来使金属露出的区域进行镀敷而形成的。
2.根据权利要求1所述的芯片式电容器,其特征在于,所述倾斜面相对于所述基板安装面的法线倾斜的倾斜角度形成为3°~80°。
3.根据权利要求1所述的芯片式电容器,其特征在于,所述倾斜面相对于所述基板安装面的法线倾斜的倾斜角度形成为10°~60°。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的芯片式电容器,其特征在于,阳极的所述引线和阴极的所述引线从所述电容器主体的同一导出面导出,通过配置在所述导出面和电路板之间的座板形成所述安装部。
5.根据权利要求4所述的芯片式电容器,其特征在于,
所述座板具有:
插通孔,其使所述引线穿过,
槽部,其用于容置将所述引线的顶端弯折而成的所述端子部;
所述辅助端子部还形成在所述槽部内。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的芯片式电容器,其特征在于,所述安装部配置在所述电容器主体的周面上,所述电容器主体上的所述引线的导出面与所述基板安装面相垂直。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的芯片式电容器,其特征在于,所述电容器主体由电解电容器形成。
8.一种芯片式电容器的制造方法,
该芯片式电容器具有:
电容器主体,其导出有多个引线,
安装部,其安装在所述电容器主体上,并且将所述引线的端子部配置在一侧的基板安装面上来载置在电路板上;
所述端子部焊接在电路板上,
该芯片式电容器的制造方法的特征在于,
包括:
安装部形成工序,通过包含有机金属络合物的树脂形成所述安装部,在所述安装部的所述基板安装面的周缘设置有相对于所述基板安装面倾斜的倾斜面;
激光照射工序,通过照射激光,在所述倾斜面以及所述基板安装面上露出金属;
镀敷工序,对在所述激光照射工序中露出金属的区域进行镀敷,从而形成用于焊接在电路板上的辅助端子部。
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