JP2015216341A - チップ電子部品及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、絶縁基板の上部及び下部に形成される内部コイル間の連結性を向上させるとともに最外層のビア電極のサイズ及びビアパッドのサイズを減少させることにより、ビアパッドの面積によるインダクタンスの損失を防止できるチップ電子部品及びその製造方法に関する。
【選択図】図1
Description
以下、本発明の一実施形態によるチップ電子部品について説明するにあたり、特に薄膜型インダクタについて説明するが、これに制限されるものではない。
図3から図8は本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造方法を順に示す図である。
20 絶縁基板
21 第1絶縁基板
22 第2絶縁基板
25 第1貫通孔
26 第2貫通孔
31 第1ビア電極
32 第2ビア電極
35 第1ビアパッド
36 第2ビアパッド
50 磁性体本体
60 フォトレジスト
80 外部電極
Claims (21)
- 絶縁基板を含む磁性体本体、前記絶縁基板の両面に形成され、前記絶縁基板を貫通するビア電極によって電気的に連結される内部コイル部、及び前記磁性体本体の一端面に形成され、前記内部コイル部と接続される外部電極を含むチップ電子部品において、
前記絶縁基板及び前記ビア電極は、
第1絶縁基板と、
前記第1絶縁基板を貫通して形成される第1ビア電極と、
前記第1ビア電極を覆うように前記第1絶縁基板の上面及び下面に形成される第1ビアパッドと、
前記第1絶縁基板の上面及び下面にそれぞれ積層される第2絶縁基板と、
前記第1ビアパッド上に形成され、前記第2絶縁基板を貫通して形成される第2ビア電極と、
前記第2ビア電極を覆うように前記第2絶縁基板の表面に形成される第2ビアパッドと、を含み、
前記第2ビアパッドは、前記第1ビアパッドより小さい面積を有するように形成される、チップ電子部品。 - 前記第2ビア電極の直径は、前記第1ビア電極の直径より小さく形成される、請求項1に記載のチップ電子部品。
- 前記第2絶縁基板の厚さは、前記第1絶縁基板の厚さより薄く形成される、請求項1に記載のチップ電子部品。
- 前記第1ビア電極の直径は、40μm〜80μmである、請求項1に記載のチップ電子部品。
- 前記第2ビア電極の直径は、10μm〜40μmである、請求項1に記載のチップ電子部品。
- 前記第1絶縁基板の厚さは、50μm〜70μmである、請求項1に記載のチップ電子部品。
- 前記第2絶縁基板の厚さは、10μm〜30μmである、請求項1に記載のチップ電子部品。
- 前記第2ビアパッドの長軸の長さは、40μm〜140μmである、請求項1に記載のチップ電子部品。
- 前記第2ビア電極の中心部は、前記第1ビア電極の中心部から50μm〜80μmの間隔を有するように形成される、請求項1に記載のチップ電子部品。
- 絶縁基板を含む磁性体本体と、
前記絶縁基板の両面に形成され、前記絶縁基板を貫通するビア電極によって電気的に連結される内部コイル部と、
前記磁性体本体の一端面に形成され、前記内部コイル部と接続される外部電極と、を含み、
前記ビア電極は、前記絶縁基板のコア層を貫通して形成される第1ビア電極、及び前記絶縁基板の上部及び下部を貫通して形成され、前記第1ビア電極より小さい直径を有する第2ビア電極を含む、チップ電子部品。 - 前記第1ビア電極を覆うように前記絶縁基板のコア層の上面及び下面に形成される第1ビアパッド、及び前記第2ビア電極を覆うように前記絶縁基板の上部及び下部の表面に形成される第2ビアパッドを含み、
前記第2ビアパッドは、前記第1ビアパッドより小さい面積を有するように形成される、請求項10に記載のチップ電子部品。 - 絶縁基板を貫通するビア電極を形成し、前記絶縁基板の両面に前記ビア電極によって電気的に連結される内部コイル部を形成し、前記内部コイル部が形成される絶縁基板の上部及び下部に磁性体層を積層して磁性体本体を形成するチップ電子部品の製造方法において、
前記絶縁基板を貫通するビア電極の形成は、
第1絶縁基板に第1貫通孔を形成し、前記第1貫通孔を充填するめっきを行って、第1ビア電極、及び前記第1ビア電極を覆う第1ビアパッドを形成する段階と、
前記第1絶縁基板の上面及び下面に第2絶縁基板をそれぞれ積層する段階と、
前記第2絶縁基板に第2貫通孔を形成し、前記第2貫通孔を充填するめっきを行って、第2ビア電極、及び前記第2ビア電極を覆う第2ビアパッドを形成する段階と、を含み、
前記第2ビアパッドは、前記第1ビアパッドより小さい面積を有するように形成する、チップ電子部品の製造方法。 - 前記第2絶縁基板の厚さは、前記第1絶縁基板の厚さより薄く形成する、請求項12に記載のチップ電子部品の製造方法。
- 前記第2貫通孔の直径は、前記第1貫通孔の直径より小さく形成する、請求項12に記載のチップ電子部品の製造方法。
- 前記第2ビア電極の直径は、前記第1ビア電極の直径より小さく形成する、請求項12に記載のチップ電子部品の製造方法。
- 前記第1絶縁基板の厚さは、50μm〜70μmである、請求項12に記載のチップ電子部品の製造方法。
- 前記第2絶縁基板の厚さは、10μm〜30μmである、請求項12に記載のチップ電子部品の製造方法。
- 前記第1ビア電極の直径は、40μm〜80μmである、請求項12に記載のチップ電子部品の製造方法。
- 前記第2ビア電極の直径は、10μm〜40μmである、請求項12に記載のチップ電子部品の製造方法。
- 前記第2ビアパッドの長軸の長さは、40μm〜140μmである、請求項12に記載のチップ電子部品の製造方法。
- 前記第2ビア電極の中心部は、前記第1ビア電極の中心部から50μm〜80μmの間隔を有するように形成する、請求項12に記載のチップ電子部品の製造方法。
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