JP2015215231A - 応力センサ - Google Patents

Abstract

【課題】検出対象体に発生する応力の的確な検出ができなくなるといった問題を抑制することが可能な応力センサを提供する。
【解決手段】応力センサ１１は、検出対象体に発生した応力ｆを伝達する第１及び第２の応力伝達部材２１，２２と、第１及び第２の応力伝達部材２１，２２を介して伝達された応力ｆが作用して歪むことにより透磁率が変化する磁歪材３と、磁束を発生させる磁石４と、磁歪材３を通る磁束を検出する検出素子５とを備え、磁歪材３は、応力ｆの方向に並んで配置された第１及び第２の応力伝達部材２１，２２の間に挟まれ、磁歪材３の透磁率の変化に伴って検出素子５で検出される磁束が変化する。
【選択図】図１

Description

本発明は、磁束の変化量に基づき検出対象体に発生した応力を検出する応力センサに関する。

従来、応力センサとして、磁歪の逆効果を利用して応力を検出する磁歪式応力センサが知られている（例えば、特許文献１参照。）。

特許文献１に記載の磁歪式応力センサは、応力が作用する検出対象部材の側面に接合される磁歪を有する磁性部材と、当該応力方向に対して着磁方向が略直交した永久磁石と、永久磁石に対向し、かつ永久磁石よりも検出対象部材側に配置された磁気センサと、磁気センサに対向する凸部を有するヨークとを備えている。磁性部材は、例えば電子ビームによる溶接や、ロー付け等によって検出対象部材の側面に接合されている。

この磁歪式応力センサでは、磁性部材、永久磁石、及びヨークで構成された磁気回路を通過する磁束をヨークの凸部に集めて、凸部に集まった磁束を磁気センサで検出する。検出対象部材に応力が発生すると検出対象部材に接合された磁性部材が歪んで磁性部材の透磁率が変化し、磁気回路を通過する磁束が変化する。この磁束の変化量に基づいて、検出対象部材に作用した応力を検出することができる。

特開２０１０−７８４８１号公報

特許文献１に記載の磁歪式応力センサでは、磁性部材が溶接やロー付け等によって検出対象部材の側面に接合されているため、検出対象部材に過大な応力が作用した際に検出対象部材から磁性部材が剥離し、応力を的確に検出することができなくなるおそれがあった。

そこで、本発明は、検出対象体に発生する応力の的確な検出ができなくなるといった問題を抑制することが可能な応力センサを提供することを目的とする。

本発明は、上記課題を解決することを目的として、検出対象体に発生した応力を伝達する一対の応力伝達部材と、前記一対の応力伝達部材を介して伝達された前記応力が作用して歪むことにより透磁率が変化する磁歪材と、磁束を発生させる磁石と、前記磁歪材を通る磁束を検出する検出素子と、を備え、前記磁歪材は、前記応力の方向に並んで配置された前記一対の応力伝達部材の間に挟まれ、前記磁歪材の透磁率の変化に伴って前記検出素子で検出される磁束が変化する応力センサを提供する。

本発明に係る応力センサによれば、検出対象体に発生する応力の的確な検出ができなくなるといった問題を抑制することが可能である。

本発明の第１の実施の形態に係る応力センサの構成例を示し、応力方向に切断した断面模式図である。 第１及び第２の応力伝達部材ならびに磁歪材の構成例を示す分解斜視図である。 応力方向から応力センサを見た状態を示し、応力センサ内に形成される磁路を説明する説明図である。 （ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係る応力センサにおいて、第１及び第２の応力伝達部材ならびに磁歪材の構成例を示す分解斜視図、（ｂ）は、応力方向に切断した応力センサの断面模式図である。 応力方向から応力センサを見た状態を示し、応力センサ内に形成される磁路を説明する説明図である。 本発明の第３の実施の形態に係る応力センサにおいて、第１及び第２の応力伝達部材ならびに磁歪材の構成例を示す分解斜視図である。 本発明の第４の実施の形態に係る応力センサにおいて、第１及び第２の応力伝達部材ならびに磁歪材の構成例を示す分解斜視図である。 本発明の第５の実施の形態に係る応力センサを応力方向に切断した断面を模式的に示し、応力センサ内に形成される磁路を説明する説明図である。

［第１の実施の形態］
本発明の第１の実施の形態に係る応力センサは、例えば自動車や電動補助自転車（アシスト電動自転車）等に搭載され、その構成部材の応力を検出するために使用される。他にも、例えば全自動洗濯機に搭載され、洗濯物の重量を検出する重量センサとしても使用することができる。

（応力センサ１１の構成）
この応力センサ１１の構成について、図１乃至図３を参照して説明する。

図１は、本発明の第１の実施の形態に係る応力センサ１１の構成例を示し、応力方向に切断した断面模式図である。図２は、第１及び第２の応力伝達部材２１，２２ならびに磁歪材３の構成例を示す分解斜視図である。図３は、応力方向から応力センサ１１を見た状態を示し、応力センサ１１内に形成される磁路Ｍ１を説明する説明図である。

応力センサ１１は、検出対象体に発生した応力ｆ（図１において矢印で示す）を伝達する第１及び第２の応力伝達部材２１，２２（一対の応力伝達部材）と、第１及び第２の応力伝達部材２１，２２を介して伝達された応力ｆが作用して歪むことにより透磁率が変化する磁歪材３と、磁束を発生させる磁石４と、磁歪材３を通る磁束を検出する検出素子５と、磁石４及び磁歪材３と共に磁気回路を構成するヨーク６とを備えている。

第１及び第２の応力伝達部材２１，２２は、応力ｆの方向に並んで配置され、磁歪材３は、第１及び第２の応力伝達部材２１，２２の間に挟まれている。つまり、応力ｆは、第１及び第２の応力伝達部材２１，２２ならびに磁歪材３をその並び方向に圧縮する方向の力である。

第１及び第２の応力伝達部材２１，２２は、例えば鉄（Ｆｅ）等の磁性体からなり、図２に示すように、円柱状に形成されている。なお、第１及び第２の応力伝達部材２１，２２は、円柱状以外の形状（例えば角柱状等）の磁性体を用いてもよく、用途に応じて適宜設定することが可能である。

磁歪材３の材質としては、例えば鉄（Ｆｅ）を含み、かつコバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、ガリウム（Ｇａ）よりなる群から選択された少なくとも１つの元素を含む磁性合金が用いることができる。磁歪材３は、飽和磁歪量が１０×１０^−６以上であることが望ましく、例えばＦｅＮｉ合金やＦｅＣｏ合金が用いられる。代表例として、ＦｅＮｉ合金はパーマロイが、ＦｅＣｏ合金はパーメンジュールが、それぞれ挙げられる。なお、ＦｅＮｉ合金の飽和磁歪量は約２０×１０^−６（Ｎｉ組成比が６０％前後の場合）であり、ＦｅＣｏ合金の飽和磁歪量は約７０×１０^−６であることから、飽和磁歪量の値が大きいＦｅＣｏ合金を用いることが望ましい。

図２に示すように、磁歪材３は、径方向の寸法が第１及び第２の応力伝達部材２１，２２と等しい円柱状に形成されている。なお、磁歪材３についても、第１及び第２の応力伝達部材２１，２２と同様に、円柱状以外の形状（例えば角柱状等）に形成されていてもよく、用途に応じて適宜設定することが可能である。また、磁歪材３の径方向の寸法についても、必ずしも第１及び第２の応力伝達部材２１，２２と同一である必要はない。

また、磁歪材３は、透磁率が第１及び第２の応力伝達部材２１，２２の透磁率よりも高い。例えば、第１及び第２の応力伝達部材２１，２２として鉄を、磁歪材３としてＦｅＮｉ合金のパーマロイを用いた場合には、鉄の比透磁率が約５０００であるのに対し、パーマロイの比透磁率は約１０００００となる。したがって、鉄（第１及び第２の応力伝達部材２１，２２）よりも約２０倍の比透磁率を有するパーマロイ（磁歪材３）の方が、磁石４で発生した磁束を通過させ易い。

磁石４及び検出素子５は、図１及び図３に示すように、磁歪材３の径方向外側に並んで配置されている。ヨーク６は、磁歪材３における第１及び第２の応力伝達部材２１，２２との対向面３１，３２（図１参照）の間に介在する側面３３の少なくとも一部を囲むように配置されている。磁石４及び検出素子５は、磁歪材３とヨーク６との間に配置された状態で、ヨーク６と共に図略のモールド樹脂によって一括してモールドされている。なお、対向面３１は、その全面が第１の応力伝達部材２１と接触しており、対向面３２は、その全面が第２の応力伝達部材２２と接触している。

ヨーク６は、図３に示すように、磁石４及び検出素子５の並び方向に対して平行に延びる平行部６０と、平行部６０の長手方向の両端から磁歪材３側に向かって平行部６０に対して垂直に延出する第１及び第２延出部６１，６２とを有している。

なお、平行部６０は、必ずしも磁石４及び検出素子５の並び方向に対して平行である必要はなく、また、第１及び第２延出部６１，６２は必ずしも平行部６０に対して垂直である必要ない。すなわち、ヨーク６は、磁歪材３の側面３３の少なくとも一部を囲んでいればよく、形状は用途に応じて適宜変更することが可能である。本実施の形態では、ヨーク６は、磁歪材３の側面３３を半分ほど囲んでいる。

磁石４は、検出素子５との並び方向にＮ極及びＳ極が並んでいる。より具体的には、磁石４は、Ｎ極が磁歪材３の側面３３側に配置され、Ｓ極がヨーク６の第１延出部６１側に配置されている。なお、これに限らず、磁石４は、Ｎ極及びＳ極のうちいずれか一方の磁極が磁歪材３の側面３３側に配置され、他方の磁極がヨーク６側に配置されていればよい。

また、本実施の形態では、磁石４は、磁歪材３とヨーク６の第１延出部６１との間に配置されていたが、これに限らず、磁歪材３と平行部６０との間に配置されていてもよいし、磁歪材３と第２延出部６２との間に配置されていてもよい。

（応力ｆの検出方法）
次に、検出対象体に発生した応力ｆの検出方法について、図３を参照して説明する。なお、図３において、磁路Ｍ１を破線で示している。

磁石４で発生した磁束は、磁路Ｍ１を形成する。この磁路Ｍ１は、図３に示すように、磁石４のＮ極→磁歪材３→ヨーク６の第２延出部６２→ヨーク６の平行部６０→ヨーク６の第１延出部６１→磁石４のＳ極となる。

磁路Ｍ１において、ヨーク６の第１延出部６１と磁石４のＳ極との間に検出素子５が配置されている。検出素子５は、例えばホール素子やＧＭＲ素子等の磁気素子である。この検出素子５によって、磁歪材３を通過する磁束が検出される。検出素子５で検出された磁束は、電気信号に変換されて図略の制御装置等に伝送される。

なお、図３では、検出素子５は、ヨーク６の第１延出部６１と磁石４のＳ極との間に配置されているが、磁路Ｍ１上に配置されていれば、検出素子５の配置位置に特に制限はない。

検出対象体に発生した応力ｆは、第１及び第２の応力伝達部材２１，２２を介して磁歪材３に伝達される（図１参照）。磁歪材３は、伝達された応力ｆによって歪み、透磁率が変化する。このとき、応力ｆが大きくなると、磁歪材３の透磁率は小さくなる。したがって、応力ｆが磁歪材３に作用していない状態から応力ｆが磁歪材３に作用している状態（磁歪材３が歪んだ状態）になると、検出素子５で検出される磁束が減少する。そこで、この磁束の変化量に基づいて応力ｆの大きさを求めることができる。

（第１の実施の形態の作用及び効果）
以上説明した第１の実施の形態によれば、以下のような作用及び効果が得られる。

（１）磁歪材３は、応力ｆの方向に並んで配置された第１及び第２の応力伝達部材２１，２２の間に挟まれているため、第１及び第２の応力伝達部材２１，２２を介すことによって検出対象体に発生した応力ｆを均一に磁歪材３に作用させることができると共に、応力ｆの作用によって磁歪材３が外れてしまうおそれを低減することができ、応力ｆの的確な検出ができなくなるといった問題を抑制することが可能である。

（２）磁歪材３は、透磁率が第１及び第２の応力伝達部材２１，２２の透磁率よりも高いため、磁石４で発生した磁束は主として磁歪材３を通過する。これにより、第１及び第２の応力伝達部材２１，２２への漏れ磁束を抑制することができる。

（３）ヨーク６と磁歪材３との間に配置された磁石４は、Ｎ極及びＳ極のうちいずれか一方の磁極が磁歪材３の側面３３に対向し、他方の磁極がヨーク６に対向し、かつヨーク６は、磁歪材３の側面３３の少なくとも一部を囲むように配置されているため、磁石４から発生した磁束は、磁歪材３を通過するように誘導され、磁歪材３以外を通過する磁束が減少する。これにより、検出素子５において感度よく磁束を検出することが可能となる。

（４）磁歪材３の対向面３１は、その全面が第１の応力伝達部材２１と接触しており、対向面２１は、その全面が第２の応力伝達部材２２と接触しているため、応力ｆの的確な検出ができなくなるといった問題をより抑制することが可能である。

［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について、図４及び図５を参照して説明する。

図４（ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係る応力センサ１２において、第１及び第２の応力伝達部材２３，２４ならびに磁歪材３０の構成例を示す分解斜視図、図４（ｂ）は、応力方向に切断した応力センサ１２の断面模式図である。図５は、第１の応力伝達部材２３の図示を省略して応力方向から応力センサ１２を見た状態を示し、応力センサ１２内に形成される磁路Ｍ２を説明する説明図である。なお、図５において、磁路Ｍ２を破線で示している。

図４（ａ）及び図４（ｂ）ならびに図５において、第１の実施の形態に係る応力センサ１１について説明したものと共通する構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。

本実施の形態に係る応力センサ１２は、第１及び第２の応力伝達部材２３，２４ならびに磁歪材３０の形状が、第１の実施の形態に係る第１及び第２の応力伝達部材２１，２２ならびに磁歪材３の形状と異なる。

磁歪材３０は、図４（ａ）に示すように、第１及び第２の応力伝達部材２３，２４の径方向に延びる軸状に形成されている。また、図５に示すように、磁歪材３０は、その長手方向が磁石４のＮ極及びＳ極の並び方向に沿うように配置されている。換言すれば、磁歪材３０の軸方向に磁束が通るように磁石４が配置されている。

図４（ａ）に示すように、第１及び第２の応力伝達部材２３，２４にはそれぞれ、磁歪材３０の一部が嵌合される凹部２３０，２４０が形成されている。なお、凹部は、必ずしも第１及び第２の応力伝達部材２３，２４の両部材に形成されている必要はなく、第１及び第２の応力伝達部材２３，２４のうち少なくとも一方の応力伝達部材に形成されていればよい。

図４（ｂ）に示すように、磁歪材３０が第１及び第２の応力伝達部材２３，２４に挟まれた状態において、第１及び第２の応力伝達部材２３，２４の間には、磁歪材３０の両側方に隙間２０が形成されている。磁歪材３０は、凹部２３０，２４０に圧入されて嵌合している。

第１の実施の形態と同様に、磁石４で発生した磁束は、磁路Ｍ２を形成する。この磁路Ｍ２は、図３に示すように、磁石４のＮ極→磁歪材３０→ヨーク６の第２延出部６２→ヨーク６の平行部６０→ヨーク６の第１延出部６１→磁石４のＳ極となる。このとき、磁束は磁歪材３０内をその軸方向に通過する。

図４（ｂ）に示すように、応力ｆは、第１の実施の形態と同様に、第１及び第２の応力伝達部材２３，２４ならびに磁歪材３０をその並び方向に圧縮する方向の力である。したがって、磁歪材３０は、軸方向（長手方向）に対して直交する方向に応力ｆが作用して歪む。磁歪材３０の歪みによる透磁率の変化を受けて検出素子５で検出される磁束が変化し、この磁束の変化量に基づいて応力ｆの大きさが求まる。

（第２の実施の形態の作用及び効果）
以上説明した第２の実施の形態によれば、第１の実施の形態の（１）〜（３）の作用及び効果と同様の作用及び効果の他に、以下の（４）及び（５）の作用及び効果が得られる。

（４）磁歪材３０が軸状であり、その軸方向に磁束が通るため、磁歪材３０の内部における磁束の広がりを抑制することができると共に、磁歪材３０の内部における平均磁路長を長くすることができる。これにより、検出素子５で検出される磁束の変化に磁歪材３０における透磁率の変化をより確実に反映することが可能となる。

（５）磁歪材３０は、第１及び第２の応力伝達部材２３，２４の凹部２３０，２４０に嵌合しているため、磁歪材３０が第１及び第２の応力伝達部材２３，２４に対してずれにくくなる。さらに、磁歪材３０は、第１及び第２の応力伝達部材２３，２４の凹部２３０，２４０に圧入されて嵌合しているため、磁歪材３０と第１及び第２の応力伝達部材２３，２４との嵌合がより確実となる。

［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態について、図６を参照して説明する。

図６は、本発明の第３の実施の形態に係る応力センサにおいて、第１及び第２の応力伝達部材２３，２４ならびに磁歪材３０１の構成例を示す分解斜視図である。

図６において、第２の実施の形態に係る応力センサ１２について説明したものと共通する構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。

本実施の形態に係る応力センサは、磁歪材３０１の形状が第２の実施の形態に係る応力センサ１２の磁歪材３０の形状と異なる。より具体的には、磁歪材３０１は、第１の応力伝達部材２３の凹部２３０に嵌合する第１凸部３０１ａと、第２応力伝達部材２４の凹部２４０に嵌合する第２凸部３０１ｂと、本体部３０１ｃとを一体に有している。本実施の形態では、第１及び第２凸部３０１ａ，３０１ｂは、凹部２３０，２４０に圧入されて嵌合している。

なお、磁歪材３０１の第１及び第２凸部３０１ａ，３０１ｂは、共に形成されている必要は必ずしもなく、第１及び第２の応力伝達部材２３，２４のうちいずれか一方の応力伝達部材に凹部が形成され、磁歪材３０１には、当該凹部に嵌合する凸部が１つ形成されていてもよい。

本実施の形態では、第２の実施の形態と異なり、磁歪材３０１が第１及び第２の応力伝達部材２３，２４に挟まれた状態において、第１及び第２の応力伝達部材２３，２４の間に本体部３０１ｃが介在するため、隙間は形成されていない。ただし、磁歪材３０１の第１及び第２凸部３０１ａ，３０１ｂが凹部２３０，２４０に一部だけ嵌合することによって、第１及び第２の応力伝達部材２３，２４と磁歪材３０１の本体部３０１ｃとの間に隙間が形成されていてもよい。

（第３の実施の形態の作用及び効果）
以上説明した第３の実施の形態によれば、第１の実施の形態の（１）〜（３）の作用及び効果と同様の作用及び効果が得られる。また、磁歪材３０１の第１及び第２凸部３０１ａ，３０１ｂが、第１及び第２の応力伝達部材２３，２４の凹部２３０，２４０に嵌合しているため、磁歪材３０１が第１及び第２の応力伝達部材２３，２４に対してずれにくくなる。さらに、磁歪材３０１は、第１及び第２の応力伝達部材２３，２４に圧入されて嵌合しているため、磁歪材３０１と第１及び第２の応力伝達部材２３，２４との嵌合がより確実となる。

［第４の実施の形態］
次に、本発明の第４の実施の形態について、図７を参照して説明する。

図７は、本発明の第４の実施の形態に係る応力センサにおいて、第１及び第２の応力伝達部材２５，２６ならびに磁歪材３０２の構成例を示す分解斜視図である。

本実施の形態に係る応力センサは、第１及び第２の応力伝達部材２５，２６ならびに磁歪材３０２の形状が、第３の実施の形態における第１及び第２の応力伝達部材２３，２４ならびに磁歪材３０１の形状と異なる。

第１及び第２の応力伝達部材２５，２６には、磁歪材３０２に対向する凸部２５０，２６０が形成されている。磁歪材３０２には、第１の応力伝達部材２５の凸部２５０が嵌合される第１凹部３０２ａ、及び第２の応力伝達部材２６の凸部２６０が嵌合される第２凹部３０２ｂが形成されている。

第１の応力伝達部材２５の凸部２５０は磁歪材３０２の第１凹部３０２ａに、第２の応力伝達部材２６の凸部２６０は磁歪材３０２の第２凹部３０２ｂに、それぞれ圧入されて嵌合している。

なお、磁歪材３０２の第１及び第２凹部３０２ａ，３０２ｂは、共に形成されている必要は必ずしもなく、第１及び第２の応力伝達部材２５，２６のうちいずれか一方の応力伝達部材に凸部が形成され、磁歪材３０２には、当該凸部が嵌合される凹部が１つ形成されていてもよい。

本実施の形態では、第３の実施の形態と同様に、磁歪材３０２が第１及び第２の応力伝達部材２５，２６に挟まれた状態において、第１及び第２の応力伝達部材２５，２６の間に磁歪材３０２の本体部３０２ｃが介在している。ただし、第１の応力伝達部材２５の凸部２５０及び第２の応力伝達部材２６の凸部２６０が磁歪材３０２の第１及び第２凹部３０２ａ，３０２ｂに一部だけ嵌合することによって、第１及び第２の応力伝達部材２５，２６と磁歪材３０２の本体部３０２ｃとの間に隙間が形成されていてもよい。

（第４の実施の形態の作用及び効果）
以上説明した第４の実施の形態によれば、第１の実施の形態の（１）〜（３）の作用及び効果と同様の作用及び効果が得られる。また、第１の応力伝達部材２５の凸部２５０が磁歪材３０２の第１凹部３０２ａに、第２の応力伝達部材２６の凸部２６０が磁歪材３０２の第２凹部３０２ｂに、それぞれ嵌合しているため、磁歪材３０２が第１及び第２の応力伝達部材２５，２６に対してずれにくくなる。さらに、第１の応力伝達部材２５の凸部２５０が磁歪材３０２の第１凹部３０２ａに、第２の応力伝達部材２６の凸部２６０が磁歪材３０２の第２凹部３０２ｂに、それぞれ圧入されて嵌合しているため、磁歪材３０２と第１及び第２の応力伝達部材２５，２６との嵌合がより確実となる。

［第５の実施の形態］
次に、第５の実施の形態について、図８を参照して説明する。

図８は、本発明の第５の実施の形態に係る応力センサ１５を応力方向に切断した断面を模式的に示し、応力センサ１５内に形成される磁路Ｍ３及び磁路Ｍ４を説明する説明図である。図８において、磁路Ｍ３及び磁路Ｍ４を破線で示している。

図８において、第１の実施の形態に係る応力センサ１１について説明したものと共通する構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。

本実施の形態に係る応力センサ１５は、２つの磁路（磁路Ｍ３及び磁路Ｍ４）が形成されるように、磁石４、検出素子５、及びヨーク（第１及び第２のヨーク６０１，６０２）が配置されている。

磁石４及び検出素子５は、磁歪材３の径方向外側に並んで配置されている。本実施の形態では、磁石４は、応力ｆの方向、すなわち第１及び第２の応力伝達部材２１，２２ならびに磁歪材３の並び方向にＮ極及びＳ極が並んでいる。

第１及び第２のヨーク６０１，６０２は、磁石４及び検出素子５を応力ｆの方向に挟むように配置されている。本実施の形態では、第１の実施の形態と異なり、第１及び第２のヨーク６０１，６０２は磁歪材３の側面３３を囲んでいない。

第１のヨーク６０１は、応力ｆに平行な方向に延在する第１の延在部６０１ａと、第１の延在部６０１ａの一端から第１の応力伝達部材２１側に向かって第１の延在部６０１ａに対して垂直に突出する第１の突出部６０１ｂとを一体に有している。

同様に、第２のヨーク６０２は、応力ｆに平行な方向に延在する第２の延在部６０２ａと、第２の延在部６０２ａの一端から第２の応力伝達部材２２側に向かって第２の延在部６０２ａに対して垂直に突出する第２の突出部６０２ｂとを一体に有している。

なお、第１及び第２の延在部６０１ａ，６０２ａは、必ずしも応力ｆの方向に平行な方向に延在している必要はなく、応力ｆの方向に対して傾斜していてもよい。また、第１及び第２の突出部６０１ｂ，６０２ｂは、必ずしも第１及び第２の延在部６０１ａ，６０２ａに対して垂直である必要はなく、第１及び第２の延在部６０１ａ，６０２ａに対して傾斜していてもよい。

検出素子５は、第１及び第２の延在部６０１ａ，６０２ａの間に、磁石４は、第１及び第２の突出部６０１ｂ，６０２ｂの間に、それぞれ配置されている。

磁石４で発生した磁束は、磁路Ｍ３及び磁路Ｍ４を形成する。磁路Ｍ３は、磁石４のＮ極→第１のヨーク６０１の第１の突出部６０１ｂ→第１の応力伝達部材２１→磁歪材３→第２の応力伝達部材２２→第２のヨーク６０２の第２の突出部６０２ｂ→磁石４のＳ極となる。

磁路Ｍ４は、磁石４のＮ極→第１のヨーク６０１の第１の突出部６０１ｂ→第１のヨーク６の第１の延在部６０１ａ→第２のヨーク６０２の第２の延在部６０２ａ→第２のヨーク６０２の第２の突出部６０２ｂ→磁石４のＳ極となる。検出素子５は、第１及び第２の延在部６０１ａ，６０２ａの間に配置されているため、磁路Ｍ４を形成する磁束を検出する。

第１及び第２の応力伝達部材２１，２２を介して磁歪材３に応力ｆが作用すると、歪みによって透磁率が変化する。これにより、磁路Ｍ３を形成する磁束が減少する。これに伴い、磁路Ｍ４を形成する磁束が増加し、検出素子５で検出される磁束が変化する。この磁束の変化量に基づいて応力ｆの大きさを求める。

（第５の実施の形態の作用及び効果）
以上説明した第５の実施の形態によれば、第１の実施の形態の（１）及び（２）の作用及び効果と同様の作用及び効果が得られる。また、第１及び第２のヨーク６０１，６０２が磁歪材３の側面３３を囲むことなく、応力ｆの方向、すなわち第１及び第２の応力伝達部材２１，２２ならびに磁歪材３の並び方向に配置されているため、磁歪材３の径方向に沿った寸法を小さくすることができ、応力センサ１５の小型化につながる。

（実施の形態のまとめ）
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。

［１］検出対象体に発生した応力（ｆ）を伝達する一対の応力伝達部材（第１及び第２の応力伝達部材２１，２２／２３，２４／２５，２６）と、第１及び第２の応力伝達部材（２１，２２／２３，２４／２５，２６）を介して伝達された応力（ｆ）が作用して歪むことにより透磁率が変化する磁歪材（３／３０／３０１／３０２）と、磁束を発生させる磁石（４）と、磁歪材（３／３０／３０１／３０２）を通る磁束を検出する検出素子（５）と、を備え、磁歪材（３／３０／３０１／３０２）は、応力（ｆ）の方向に並んで配置された第１及び第２の応力伝達部材（２１，２２／２３，２４／２５，２６）の間に挟まれ、磁歪材（３／３０／３０１／３０２）の透磁率の変化に伴って検出素子（５）で検出される磁束が変化する応力センサ（１１／１２／１５）。

［２］第１及び第２の応力伝達部材（２３，２４／２５，２６）のうち少なくとも一方の応力伝達部材には、磁歪材（３０／３０１／３０２）に対向する凹部（２３０，２４０）または凸部（２５０／２６０）が形成され、磁歪材（３０／３０１／３０２）は、その少なくとも一部が、凹部（２３０，２４０）または凸部（２５０／２６０）に嵌合している、［１］に記載の応力センサ（１２／１５）。

［３］磁歪材（３０／３０１／３０２）は、その少なくとも一部が、凹部（２３０，２４０）または凸部（２５０／２６０）と圧入嵌合している、［２］に記載の応力センサ（１２／１５）。

［４］磁歪材（３／３０／３０１／３０２）は、透磁率が第１及び第２の応力伝達部材（２１，２２／２３，２４／２５，２６）の透磁率よりも高い、［１］乃至［３］の何れか１項に記載の応力センサ（１１／１２／１５）。

［５］磁歪材（３０）は軸状であり、その軸方向に磁束が通るように磁石（４）が配置されている、［１］乃至［４］の何れか１項に記載の応力センサ（１２）。

［６］磁石（４）及び磁歪材（３／３０／３０１／３０２）と共に磁気回路を構成するヨーク（６／６０１，６０２）を備え、ヨーク（６／６０１，６０２）は、磁歪材（３／３０／３０１／３０２）における第１及び第２の応力伝達部材（２１，２２／２３，２４／２５，２６）との対向面（３１，３２）間に介在する側面（３３）の少なくとも一部を囲むように配置され、磁石（４）は、Ｎ極及びＳ極のうちいずれか一方の磁極が磁歪材（３／３０／３０１／３０２）の側面（３３）側に配置され、他方の磁極がヨーク（６／６０１，６０２）側に配置されている、［１］乃至［５］の何れか１項に記載の応力センサ（１１／１２／１５）。

以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。

３，３０，３０１，３０２…磁歪材
４…磁石
５…検出素子
６…ヨーク
１１，１２，１５…応力センサ
２０…隙間
２１，２３，２５…第１の応力伝達部材
２２，２４，２６…第２の応力伝達部材
３１，３２…対向面
３３…側面
２３０，２４０…凹部
２５０，２６０…凸部
６０１，６０２…第１及び第２のヨーク

Claims (6)

1. 検出対象体に発生した応力を伝達する一対の応力伝達部材と、
   前記一対の応力伝達部材を介して伝達された前記応力が作用して歪むことにより透磁率が変化する磁歪材と、
   磁束を発生させる磁石と、
   前記磁歪材を通る磁束を検出する検出素子と、を備え、
   前記磁歪材は、前記応力の方向に並んで配置された前記一対の応力伝達部材の間に挟まれ、
   前記磁歪材の透磁率の変化に伴って前記検出素子で検出される磁束が変化する
   応力センサ。
2. 前記一対の応力伝達部材のうち少なくとも一方の応力伝達部材には、前記磁歪材に対向する凹部または凸部が形成され、
   前記磁歪材は、その少なくとも一部が、前記凹部または前記凸部に嵌合している、
   請求項１に記載の応力センサ。
3. 前記磁歪材は、その少なくとも一部が、前記凹部または前記凸部と圧入嵌合している、
   請求項２に記載の応力センサ。
4. 前記磁歪材は、透磁率が前記一対の応力伝達部材の透磁率よりも高い、
   請求項１乃至３の何れか１項に記載の応力センサ。
5. 前記磁歪材は軸状であり、その軸方向に磁束が通るように前記磁石が配置されている、
   請求項１乃至４の何れか１項に記載の応力センサ。
6. 前記磁石及び前記磁歪材と共に磁気回路を構成するヨークを備え、
   前記ヨークは、前記磁歪材における前記一対の応力伝達部材との対向面間に介在する側面の少なくとも一部を囲むように配置され、
   前記磁石は、Ｎ極及びＳ極のうちいずれか一方の磁極が前記磁歪材の前記側面側に配置され、他方の磁極が前記ヨーク側に配置されている、
   請求項１乃至５の何れか１項に記載の応力センサ。

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