JP2015211982A - レーザ処理装置及び処理方法 - Google Patents

レーザ処理装置及び処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2015211982A
JP2015211982A JP2015052099A JP2015052099A JP2015211982A JP 2015211982 A JP2015211982 A JP 2015211982A JP 2015052099 A JP2015052099 A JP 2015052099A JP 2015052099 A JP2015052099 A JP 2015052099A JP 2015211982 A JP2015211982 A JP 2015211982A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
laser beam
laser
scanner
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015052099A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6423294B2 (ja
Inventor
ジュンレ キム
Joon Rae Kim
ジュンレ キム
クンヘン イ
Keun Haeng Lee
クンヘン イ
ヨンス チ
Young Su Jee
ヨンス チ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Charm Engineering Co Ltd
Original Assignee
Charm Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Charm Engineering Co Ltd filed Critical Charm Engineering Co Ltd
Publication of JP2015211982A publication Critical patent/JP2015211982A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6423294B2 publication Critical patent/JP6423294B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Abstract

【課題】 基板をモニタリングすることができ、レーザの波長を選択的に用いることができるレーザ処理装置及び処理方法を提供する。【解決手段】レーザ処理装置100は、レーザビームを発生させ、該レーザビームを分岐させるレーザ部110と、レーザビームの進行方向を調節する複数のスキャナを有し、レーザビームが通過する光路を提供するスキャナ部130と、レーザ部110とスキャナ部130との間に配設され、分岐されたレーザビームを選択的にスキャナに導く案内部120と、スキャナ部130を通過したレーザビームを基板に照射する照射部140と、基板を撮影する撮影部150とを備えている。【選択図】図1

Description

本発明は、レーザ処理装置及び処理方法に関し、さらに詳しくは、基板をモニタリングすることができ、レーザの波長を選択的に用いることができるレーザ処理装置及び処理方法に関する。
一般に、半導体ウェーハ又は液晶ディスプレイ(LCD)などのフラットパネルディスプレイには、回路などの様々なパターンが形成される。例えば、フラットパネルディスプレイは、アレイ基板、対向基板及び液晶層などにより構成される。なかでも、アレイ基板には、マトリックス状に配列される複数の画素電極と、該複数の画素電極の行に沿って配設される複数の走査線及び列に沿って配設される複数の信号線とが形成される。
一方、アレイ基板の製造過程において、電気信号線が重なり合うなどの欠陥が生じることがある。このような欠陥が生じると、基板に所望の画像を形成することができない。このため、重なり合った信号線を切断して重なり合わないようにしなければならない。この過程を「リペア」と称する。
従来のリペア装置を用いたリペア工程は、下記の通りである。まず、基板をステージ上に載置し、外部の検査装置により入力された欠陥領域の情報に基づいて基板の上にレーザビームを照射する。このようにして照射されたレーザビームは、欠陥領域の所定の部分を切断する。続いて、作業者が別途のイメージユニットを用いてリペアされた領域を確認する。
しかしながら、従来のリペア工程の場合は、作業者がリペア作業を行ってから初めて基板のリペアされた領域を確認することができる。すなわち、リペア装置が欠陥のない領域を誤ってリペアする場合には、これを即時で確認することができない。このため、たとえリペア工程が欠陥のない領域において行われたとしても、これに対する迅速な対応を取ることが困難である。一方、リペア工程において、基板又は該基板上のパターンの材料に応じて波長が異なるレーザビームを用いなければならない。従来のリペア装置は、波長が異なるレーザビームを選択的に用いることができない。このため、リペア工程が行える基板又は該基板上のパターンが限られてしまう虞がある。
大韓民国公開特許第2013−0034474号公報
本発明の目的は、レーザの波長を選択的に用いることができるレーザ処理装置及び処理方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、基板をリアルタイムでモニタリングすることができるレーザ処理装置及び処理方法を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、基板に対して精度良く作業を行うことができ、作業の効率を向上させることができるレーザ処理装置及び処理方法を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明は、基板を処理するレーザ処理装置であって、レーザビームを発生させ、該レーザビームを分岐させるレーザ部と、レーザビームの進行方向を調節する複数のスキャナを有し、該レーザビームが通過する光路を提供するスキャナ部と、レーザ部とスキャナ部との間に配設され、分岐されたレーザビームを選択的にスキャナに導く案内部と、スキャナ部を通過したレーザビームを基板に照射する照射部と、基板を撮影する撮影部とを備えるレーザ処理装置を提供する。
スキャナ部は、レーザビームのうちの少なくとも一部の波長のレーザビームの進行方向を調節する第1のスキャナと、該第1のスキャナにより進行方向が調節されるレーザビームとは波長が異なるレーザビームの進行方向を調節する第2のスキャナとを有していてもよい。
第1のスキャナ又は第2のスキャナのうちの少なくとも一方は、波長が異なる複数の波長のレーザビームの進行方向を調節してもよい。
案内部は、レーザビームが分岐される数に見合う分だけ配設され、レーザビームの光路を開閉する遮断器と、該遮断器と第1のスキャナとの間及び該遮断器と第2のスキャナとの間に配設され、遮断器を通過したレーザビームをスキャナに導くレーザミラーとを有していてもよい。
照射部は、レーザビームを基板にフォーカシングさせる対物レンズを有していてもよい。
撮影部は、基板を撮影するカメラと、基板に照明を当てる照明器と、カメラの焦点を補正する自動焦点器とを有していてもよい。
本発明のレーザ装置は、レーザ部を作動させ、基板又は該基板上のパターンの材料に応じて案内部の作動を制御し、該案内部を通過したレーザビームの波長に応じてスキャナ部において使用するスキャナを選択する制御部をさらに備えていてもよい。
制御部は、基板上のパターンの微細化度に応じてカメラの撮影倍率を調節してもよい。
カメラは、制御部による基板のレビューに際して基板に対する撮影倍率を5〜20倍だけ拡大し、基板の処理作業に際して基板に対する撮影倍率を20〜50倍だけ拡大してもよい。
また、上記の目的を達成するために、本発明は、基板をレーザで処理するレーザ処理方法であって、レーザビームを発生させる過程と、レーザビームの波長を選択する過程と、基板を撮影し、基板にレーザビームを照射して処理し、基板をモニタリングする過程と、基板の処理に不良が発生すれば、レーザ処理作業を中断する過程とを含むレーザ処理方法を提供する。
レーザビームの波長を選択する過程は、基板又は該基板上のパターンの材料に応じてレーザビームの波長を選択してもよい。
基板を撮影する過程は、基板上のパターンの微細化度に応じて撮影倍率を調節してもよい。
基板を撮影する過程は、基板に対する作業の種類に応じて撮影倍率を調節してもよい。
基板の処理に不良が発生すれば、レーザ処理作業を中断する過程は、基板の位置を調節して再処理する過程を含んでいてもよい。
基板上のパターンの材料が金属膜であれば、第1の波長レーザビームを選択し、有機膜又は酸化インジウム錫膜であれば、第1の波長レーザビームよりも波長が短い第2の波長レーザビームを選択してもよい。
基板を処理することは、基板の上に形成されたパターンの不良をリペアすることを含んでいてもよい。
本発明によれば、基板を撮影する撮影部を備えて作業者が基板と該基板が処理される過程をリアルタイムにて確認することができる。このため、基板処理に不良が発生しても、作業者がこれをリアルタイムにて確認して即座で対応することができるので、作業の効率が向上する。また、撮影部は、基板パターンの微細化度又は作業の種類に応じて撮影倍率を調節することができる。従って、細かい部分をリペアする場合に、撮影倍率を拡大することにより精度良く作業を行うことができる。
また、本発明の実施形態によれば、レーザビームの波長を選択的に用いることができる。このため、基板又は該基板上のパターンの材料に合わせてレーザビームの波長を選択することができるので、作業を安定的に行うことができる。また、多種多様な波長のレーザビームを選択的に用いるので、一つの装置において様々な基板及び該基板のパターンをリペアすることができる。この理由から、設備を簡素化することができる。
図1は本発明の一実施形態に係るレーザ処理装置を示す概略構成図である。 図2は本発明の一実施形態に係るレーザ処理装置を示す構成図である。 図3は本発明の一実施形態に係るレーザ処理装置における撮影部が基板処理作業に応じて撮影倍率を調節する様子を示す模式的な斜視図である。 図4は本発明の一実施形態に係るレーザ処理装置における撮影部が基板上のパターンの微細化度に応じて撮影倍率を調節する様子を示す模式的な斜視図である。 図5は本発明の一実施形態に係る基板に対するレーザ処理方法を示すフローチャートである。
以下、添付図面に基づいて、本発明に係る一実施形態を詳述する。しかしながら、本発明は、後述する実施形態に何ら限定されるものではなく、異なる種々の形態で実現される。単に、これらの実施形態は、本発明の開示を完全たるものにし、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者に発明の範囲を完全に知らせるために提供されるものである。発明を詳細に説明するために図面は誇張されており、図中、同一の符号は同一の構成要素を示す。
図1は本発明の一実施形態に係るレーザ処理装置を概念的に示し、図2は本発明の一実施形態に係るレーザ処理装置の構成を示し、図3は本発明の一実施形態に係る撮影部が基板処理作業に応じて撮影倍率を調節する様子を示し、図4は本発明の一実施形態に係る撮影部が基板上のパターンの微細化度に応じて撮影倍率を調節する様子を示し、図5は本発明の一実施形態に係る基板に対するレーザ処理方法のフローチャートを示す。
図1及び図2を参照すると、本発明の一実施形態に係るレーザ処理装置100は、基板10を処理するレーザ処理装置であって、レーザビームを発生させ、発生したレーザビームを分岐させるレーザ部110と、レーザビームの進行方向を調節する複数のスキャナを有し、該レーザビームが通過する光路を提供するスキャナ部130と、レーザ部110とスキャナ部130との間に配設され、分岐されたレーザビームを選択的にスキャナに導く案内部120と、スキャナ部130を通過したレーザビームを基板10に照射する照射部140と、基板10を撮影する撮影部150とを備えている。なお、レーザ処理装置100は、レーザ部110、案内部120、スキャナ部130、照射部140及び撮影部150を制御する制御部160を備えている。
このとき、レーザ処理装置100は、基板10の上に形成されたパターンの不良をリペアする装置であってもよい。例えば、基板10の良否を判断する基準は、基板10に含まれている不良セルの数であってもよい。不良セルは、輝点セルと暗点セルとに分けられ、許容される輝点セルの数は、暗点セルの数よりも厳しい。このため、輝点セルを暗点化させて基板の歩留まりを高めることができる。従って、異物による輝点セルを暗点化させて基板10をリペアする場合は、レーザをブラックマトリックスに照射して溶かし、溶かされたブラックマトリックス物質を異物側に導いて輝点セルを暗点化させることができる。しかしながら、本発明は、これに何ら限定されるものではなく、様々なレーザ処理作業に適用可能である。
基板10を処理する場合には、基板10はステージ1の上に載置される。レーザ処理装置100は、ガントリ(図示せず)により支持されて、移動しながらステージ1上の基板10を処理する。一方、ステージ1が移動可能である場合は、該ステージ1が、レーザ処理装置100の下側から基板10をレーザが照射される領域に移動させて基板処理工程が行われる。しかしながら、本発明は、これに何ら限定されるものではなく、様々な方法を用いて基板10又はレーザ処理装置100を移動させて基板10を処理してもよい。
レーザ部110は、一つのソースを用いて波長が異なる複数のレーザビームを同時に発振させる。レーザ部110は、レーザビームを発生させるレーザ発生器(図示せず)と、発生したレーザビームを分岐させて波長が異なる複数のレーザビームを発振させるレーザ発振器(図示せず)とを備える。例えば、本実施形態においては、赤外線(IR:Infrared Ray)レーザビーム(波長範囲が780nm以上)を、可視光レーザ(波長範囲が380〜780nm)と紫外線(UV:Ultraviolet)レーザビーム(波長範囲が380nm以下)とに分岐させて、3種類のレーザを同時に発振させる。このため、波長が異なる3つのレーザビームを選択的に用いることができる。しかしながら、本発明は、これに何ら限定されるものではなく、レーザ部110は様々なレーザ源を備えていてもよい。なお、分岐されるレーザビームの種類及び発振されるレーザビームの数がこれに何ら限定されるものではなく、種々に変更可能である。
案内部120は、レーザビームの光路を遮断する遮断器122を備える。また、案内部120は、減衰器121と、遮断器122を通過したレーザビームをスキャナ部130に反射させるレーザミラー123と、サイズ調節器124とを備えていてもよい。
遮断器122は、発振されるレーザビームの数に見合う分だけ又はレーザビームが分岐される数に見合う分だけ配設される。例えば、本実施形態において、遮断器122は、赤外線レーザビームの光路に配設される第1の遮断器122aと、可視光レーザビームの光路に配設される第2の遮断器122bと、紫外線レーザビームの光路に配設される第3の遮断器122cとを備える。遮断器122がレーザビームを通過させる際には、レーザビームがスキャナ部130に導かれて基板10の上に照射される。遮断器122がレーザビームの光路を遮断する際には、レーザビームがスキャナ部130に達しないため、該レーザビームは基板10に照射されない。
例えば、基板10上に形成されたパターンが金属膜である場合は、赤外線レーザビーム又は可視光レーザビームを用い、基板10上のパターンが有機膜である場合は、紫外線レーザビームを用いる。また、基板10上のパターンが酸化インジウムスズ(ITO:Indium Tin Oxide)膜である場合は、深紫外線(DUV:Deep Ultraviolet)レーザビーム(波長範囲が300nm以下)を選択して用いる。もし、基板10上のパターンが金属膜であるため、赤外線レーザビームを選択して用いる場合は、第1の遮断器122aによって赤外線レーザビームの光路を開放し、第2の遮断器122bと第3の遮断器122cとによって可視光レーザビームと紫外線レーザビームとの光路を閉鎖する。これにより、赤外線レーザビームのみがスキャナ部130に達して基板10の上に照射される。このように、基板10上のパターンの材料に応じてレーザビームを選択して基板10を処理することができる。しかしながら、配設される遮断器122の数は、これに何ら限定されるものではなく、種々に変更可能である。
減衰器121は、レーザビームの光路に配設されてレーザ部110から発振されるレーザビームの出力を調節する。減衰器121は、発振されるレーザビームの数に見合う分だけ又はレーザビームが分岐される数に見合う分だけ配設される。例えば、本実施形態において、減衰器121は、第1の遮断器122aとレーザ部110との間に配設される第1の減衰器121aと、第2の遮断器122bとレーザ部110との間に配設される第2の減衰器121bと、第3の遮断器122cとレーザ部110との間に配設される第3の減衰器121cとを備える。このため、レーザビームが各々の減衰器121を通過しながら出力が調節される。
レーザミラー123は、遮断器122とスキャナ部130との間に配設されて遮断器122を通過したレーザビームをスキャナ部130に導く役割を果たす。例えば、本実施形態において、レーザミラー123は、第1の遮断器122aと後述する第1のスキャナ131aとの間に配設される第1のレーザミラー123aと、第2の遮断器122bと後述する第2のスキャナ131bとの間に配設される第2のレーザミラー123bと、第3の遮断器122cと第2のスキャナ131bとの間又は第2のレーザミラー123bと第2のスキャナ131bとの間に配設される第3のレーザミラー123cとを備える。第1のレーザミラー123aは、赤外線レーザビームを第1のスキャナ131aに導くことができる。第2のレーザミラー123bと第3のレーザミラー123cとは、可視光レーザビームと紫外線レーザビームとを第2のスキャナ131bに導くことができる。このとき、第3のレーザミラー123cは、紫外線レーザビームは反射させながら、第2のレーザミラー123bにおいて反射されたレーザビームを透過させて第2のスキャナ131bに導くハーフミラーであってもよい。しかしながら、配設されるレーザミラー123の数、配設される位置及びミラーの種類はこれに何ら限定されるものではなく、レーザ処理装置100の構造に応じて種々に変更可能である。
サイズ調節器124は、レーザミラー123とスキャナ部130との間に配設される。このようなサイズ調節器124は、レーザミラー123において反射されたレーザビームのビームサイズを調節する役割を果たす。サイズ調節器124は、スキャナ131が配設される数に見合う分だけ配設される。例えば、本実施形態において、サイズ調節器124は、第1の遮断器122aと第1のスキャナ131aとの間に配設される第1のサイズ調節器124aと、第2の遮断器122bと第2のスキャナ131bとの間又は第3の遮断器122cと第2のスキャナ131bとの間に配設される第2のサイズ調節器124bとを備える。しかしながら、本発明は、これに何ら限定されるものではなく、案内部120の構成要素は、様々に配設されるか又は組み合わされて使用される。
スキャナ部130は、レーザビームの進行方向を調節する複数のスキャナ131と、該スキャナ131を通過したレーザビームを、後述する照射部140の対物レンズ141の認識範囲に納まるように導くリレーレンズ133とを備える。なお、スキャナ部130は、フォーカスレンズ132とスキャナミラー134とを備えていてもよい。
各スキャナ131は、レーザビームをそれぞれ所望の光路に導く。各スキャナ131は、レーザビームを反射させるミラーであってもよく、ミラーの角度を調節してレーザビームの進行方向を任意に変更してもよい。すなわち、スキャナ131は、レーザビームを様々な角度で反射させて基板10を処理する。
本実施形態において、スキャナ131は、複数のレーザビームのうちの少なくとも一部の波長のレーザビームの進行方向を調節する第1のスキャナ131aと、該第1のスキャナ131aにより進行方向が調節されるレーザビームとは波長が異なる他のレーザビームの進行方向を調節する第2のスキャナ131bとを備える。また、第1のスキャナ131a又は第2のスキャナ131bのうちの少なくとも一方は、波長が異なる複数の波長のレーザビームの進行方向を調節する。
例えば、第1のスキャナ131aには、赤外線レーザビームを反射させるコーティング層が形成され、第2のスキャナ131bには、可視光レーザビームと紫外線レーザビームとの両方を反射させるコーティング層が形成される。このため、赤外線レーザビームを用いる場合は、案内部120において赤外線レーザビームを第1のスキャナ131aに導き、可視光レーザビーム又は紫外線レーザビームを用いる場合は、案内部120において可視光レーザビーム又は紫外線レーザビームを第2のスキャナ131bに導くことができる。
スキャナ131に形成されるコーティング層は、反射可能なレーザビームの波長範囲が限定される。すなわち、赤外線レーザビームと紫外線レーザビームとは、その波長差が大きいため、一つのコーティング層において反射させることができない。これに対し、可視光レーザビームと紫外線レーザビームとは、その波長差が相対的に小さいため、一つのコーティング層において反射させることができる。このため、波長差が大きいレーザビームを選択的に用いる場合は、複数のスキャナ131を配設することにより、レーザビームの光路を調節することができる。また、一つのスキャナが、波長差が小さい複数のレーザビームを反射させることができるので、各々の波長によるレーザビームを反射させるスキャナを全て備える場合と比べて、配設されるスキャナの数を減らすことができ、設備を簡素化することができる。しかしながら、本発明は、これに何ら限定されるものではなく、使用するレーザビームの波長差に応じて配設されるスキャナ131の数は種々に変更可能である。
フォーカスレンズ132は、案内部120とスキャナ131との間に配設される。フォーカスレンズ132は、上下に移動自在に設けられ、上下に移動しながらレーザビームが基板の上にフォーカシングされるサイズを調節する。すなわち、フォーカスレンズ132は、レーザミラー123に反射されたレーザビームを加工に適した細いレーザビームに絞る役割を果たす。フォーカスレンズ132は、スキャナ131が配設される数に見合う分だけ配設される。例えば、本実施形態において、フォーカスレンズ132は、案内部120と第1のスキャナ131aとの間に配設される第1のフォーカスレンズ132aと、案内部120と第2のスキャナ131bとの間に配設される第2のフォーカスレンズ132bとを備える。
リレーレンズ133は、スキャナ131によって反射されたレーザビームが広がることなく、所望の方向に確実に進行できるように反射されたレーザビームを導く。すなわち、リレーレンズ133は、スキャナ131を通過したレーザビームを、後述する対物レンズ141の入射範囲に納める。従来、スキャナ131を介して反射されたレーザビームは直ちに対物レンズ141に入射した。これにより、スキャナ131と対物レンズ141との間の物理的な制約により、後述する撮影部150を配設可能な空間が形成できなかった。しかしながら、本実施形態においては、スキャナ131と対物レンズ141との間に空間が形成されるため、たとえ距離が長くなるとしても、リレーレンズ133がスキャナ131において反射されたレーザビームを対物レンズ141の認識範囲に納めることができる。このため、撮影部150を配設可能な空間を形成することができる。
また、リレーレンズ133は、スキャナ131が配設される数に見合う分だけ配設される。例えば、本実施形態において、リレーレンズ133は、第1のスキャナ131aと対物レンズ141との間に配設される第1のリレーレンズ133aと、第2のスキャナ131bと対物レンズ141との間に配設される第2のリレーレンズ133bとを備える。このため、各々のリレーレンズ133が、スキャナ131に反射されたレーザビームを対物レンズ141の入射範囲に導くことができる。
スキャナミラー134は、スキャナ部130内のレーザビームを反射する役割を果たす。例えば、本実施形態において、スキャナミラー134は、案内部120と第1のスキャナ131aとの間に配設される第1のスキャナミラー134aと、案内部120と第2のスキャナ131bとの間に配設される第2のスキャナミラー134bと、第2のスキャナ131bと第2のリレーレンズ133bとの間に配設される第3のスキャナミラー134cとを備える。第1のスキャナミラー134aは、案内部120を通過したレーザビームを第1のスキャナ131aに反射させる。第2のスキャナミラー134bは、案内部120を通過したレーザビームを第2のスキャナ131bに反射させる。第3のスキャナミラー134cは、第2のスキャナ131bにおいて反射されたレーザビームを第2のリレーレンズ133bに向かって反射させる。しかしながら、スキャナミラー134の配設数及び配設位置は、これに何ら限定されるものではなく、レーザ処理装置100の構造に応じて種々に変更可能である。なお、スキャナ部130の構成要素においても、これに何ら限定されるものではなく、種々に配設されるか又は組み合わされて用いられる。
照射部140は、レーザビームを基板10にフォーカシングさせる対物レンズ141を備える。対物レンズ141は、レーザビームが高いエネルギー密度を有するように圧縮する。このため、スキャナ部130を通過したレーザビームは、対物レンズ141により圧縮されて基板10にフォーカシングされながら、基板10に対する処理作業を行うことができる。しかしながら、本発明は、これに何ら限定されるものではなく、レーザビームを基板10に照射可能な種々のレンズが使用可能である。
撮影部150は、リレーレンズ133と対物レンズ141との間に配設される。撮影部150は、基板10を撮影するカメラ151と、該基板10に照明を当てる照明器153と、カメラ151の焦点を補正する自動焦点器154とを備える。なお、撮影部150は、カットフィルタ156、イメージ結像器152及び撮影ミラー155を備えていてもよい。
カメラ151として、電荷結合素子カメラ(CCD:Charge−Coupled Device Camera)が使用可能である。このようなカメラ151は、ステージ1上の基板10又は該基板10が処理される過程を撮影する。すなわち、照明器153が光を発生させると、照明光が基板10に導かれ、該基板10に反射された照明光がイメージ結像器152によってカメラ151に導かれて基板10を撮影する。また、カメラ151は、基板10に対する撮影倍率を調節する。このため、作業者が基板10をリアルタイムでモニタリングすることができ、基板処理作業中に問題が発生しても、これを即時で確認して対応を取ることができる。しかしながら、本発明は、これに何ら限定されるものではなく、種々のカメラを使用可能である。
自動焦点器154は、撮影部150における像の焦点が作業しようとする基板10の表面上に正確に位置するように、該撮影部150の像の焦点を補正する。すなわち、例えば基板10の表面が平らでない場合には、基板10の撮影領域を移動させると、移動前に撮影した領域の高さと移動後に撮影する領域の高さとが相違して、撮影部150の像の焦点が変わる虞がある。このため、自動焦点器154が撮影部150の像の焦点を補正するので、作業者が撮影部150を用いて基板10を容易にモニタリングすることができる。
カットフィルタ156は、カメラ151とイメージ結像器152との間に配設され、該カメラ151に入射するレーザの波長を選択的に遮断する役割を果たす。
撮影ミラー155は、カメラ151と対物レンズ141との間又は第1のリレーレンズ133aと対物レンズ141との間に配設される第1の撮影ミラー155aと、後述する第3の撮影ミラー155cと対物レンズ141との間又は第1の撮影ミラー155aと対物レンズ141との間に配設される第2の撮影ミラー155bと、後述する第4の撮影ミラー155dと第2の撮影ミラー155bとの間又は第2のリレーレンズ133bと第2の撮影ミラー155bとの間に配設される第3の撮影ミラー155cと、第3の撮影ミラー155cと照明器153との間又は第3の撮影ミラー155cと自動焦点器154との間に配設される第4の撮影ミラー155dとを備える。
第1の撮影ミラー155aは、照明器153の光により基板10によって反射された反射光をカメラ151に導き、一方、第1のリレーレンズ133aを通過したレーザビームは透過させて対物レンズ141に導く。第2の撮影ミラー155bは、第1の撮影ミラー155aを透過したレーザビームを対物レンズ141に透過させ、第3の撮影ミラー155cを透過したレーザビーム又は第3の撮影ミラー155cによって反射される照明光を対物レンズ141に反射させる。
第3の撮影ミラー155cは、第2のリレーレンズ133bを通過したレーザビームを第2の撮影ミラー155bに透過させ、第4の撮影ミラー155dによって反射される照明光を第2の撮影ミラー155bに反射させる。第4の撮影ミラー155dは、照明器153の照明光を第3の撮影ミラー155cに反射させ、基板10によって反射される反射光を自動焦点器154に透過させる。しかしながら、撮影ミラー155の配設数及び配設位置は、これに何ら限定されるものではなく、レーザ処理装置100の構造に応じて種々に変更可能である。なお、撮影部150の構成要素は、これに何ら限定されるものではなく、様々に配設されるか又は組み合わされて使用される。
制御部160は、レーザ部110を作動させ、基板10又は該基板10上のパターンの材料に応じて案内部120の動作を制御する。また、制御部160は、案内部120を通過したレーザビームの波長に応じて、スキャナ部130において使用するスキャナ131を選択する。
例えば、制御部160により、レーザ部110は、互いに波長が異なる赤外線レーザビーム、可視光レーザビーム及び紫外線レーザビームを同時に発振させる。基板10上のパターンの材料が酸化インジウムスズ(ITO)である場合は、レーザビームのうち紫外線レーザビームを選択する。すなわち、制御部150は、案内部120における、赤外線レーザビームの光路上の第1の遮断器122aと、可視光レーザビームの光路上の第2の遮断器122bとを作動させることにより、各レーザビームの光路を遮断する。一方、紫外線レーザビームの光路上の第3の遮断器122cは開放し、紫外線レーザビームを反射させる第2のスキャナ131bに導いて使用するスキャナ131を選択する。
カメラ151は、制御部160により作業の種類に応じて撮影倍率を調節する。例えば、基板10のレビューに際しては、基板10に対する撮影倍率を5〜20倍に自動的に拡大し、基板10の処理作業に際しては、基板10に対する撮影倍率を20〜50倍に自動的に拡大する。基板10をレビューすることは、基板10の上にレーザビームを照射することなく、基板10上の欠陥などを見出す作業であってもよく、基板10の処理作業は、基板10の上にレーザビームを照射してリペアなどの作業を行うことであってもよい。図3を参照すると、レビューの際に、基板10を撮影する領域A(図3(a))と、基板10の処理の際に、該基板10を撮影する領域B(図3(b))とが相違することがある。すなわち、レビューに際しては、基板10の低倍率でさらに多い領域を撮影するため、撮影倍率を大きくして狭い領域を撮影する場合と比べて、作業者が基板10上の欠陥のある領域を速やかに見出すことができる。一方、レーザビームRで基板10を処理する際には、基板10の狭い領域を、倍率をさらに大きくして撮影する。このため、作業が行われる過程を詳しく観察することができ、精度良く作業を行うことができる。しかしながら、本発明は、これに何ら限定されるものではなく、作業の種類は様々であり、作業の種類に応じて調節されるカメラ151の撮影倍率も種々に変更可能である。
制御部160は、基板10上のパターンの微細化度に応じて、該基板10を撮影するカメラ151の撮影倍率を自動的に調節する。例えば、図4を参照すると、基板10において、撮影するパターンの微細化度が低い(パターンが簡単な)領域Cと、撮影するパターンの微細化度が高い(パターンが複雑な)領域Dとのように、撮影領域の微細パターンの複雑さが相違することがある。すなわち、図4(a)に示すように、C領域には大きなパターンが形成されて、微細化が比較的に容易であり、一方、図4(b)に示すように、D領域には細かいパターンが形成されて微細化が比較的に困難である。パターンの微細化度が低度であれば、基板10の広い領域の倍率を小さくして基板10のさらに広い領域を撮影する(図4(a))。一方、パターンの微細化度が高度であれば、基板10の狭い領域の倍率をさらに大きくして狭い領域を撮影する(図4(b))。このため、基板10上のパターンの微細化度に応じて撮影倍率を自動的に調節することにより、精度良く作業を行うことができる。
また、制御部160は、基板10上のパターンの微細化度と作業内容とに応じて、カメラ151の撮影倍率を自動的に調節する。例えば、基板10上のパターンの微細化度が低い場合には、レビューに際して5〜10倍に撮影倍率を調節し、基板10の処理に際して20〜35倍に撮影倍率を調節する。また、基板10上のパターンの微細化度が高い場合には、レビューに際して10〜20倍に撮影倍率を調節し、基板10の処理に際して35〜50倍に撮影倍率を調節する。このため、基板10のパターンの状態とそれに対する作業内容とに応じて、撮影倍率を自動的に調節することにより、作業の進行速度が向上し、精度良く作業を行うことができる。しかしながら、基板10の撮影倍率は、これに何ら限定されるものではなく、種々に変更可能である。
以下、本発明の一実施形態に係るレーザ処理方法について説明する。
図5を参照すると、本発明の一実施形態に係るレーザ処理方法は、基板をレーザで処理するレーザ処理方法であって、レーザビームを発生させる過程(S100)と、発生したレーザビームの波長を選択する過程(S200)と、基板を撮影し、撮影された基板にレーザビームを照射して処理し、処理された基板をモニタリングする過程(S300)と、基板処理に不良が発生すれば、レーザ処理作業を中断する過程(S400)とを含む。このとき、基板を処理することは、基板の上に形成されたパターンの不良をリペアすることであってもよい。
上述した制御部160がレーザ部110を作動させると、該レーザ部110はレーザビームを発生させ、発生したレーザビームを分岐させて、互いに波長が異なるレーザビームを同時に発振させる。例えば、本実施形態においては、一つのソースにおいて、赤外線レーザビーム、可視光レーザビーム及び紫外線レーザビームを同時に発振させる。
次に、制御部160は、基板10又は該基板10上のパターンの材料に応じて使用するレーザビームを選択する。すなわち、基板10のパターンの材料が金属膜であれば、第1の波長レーザビームを選択し、有機膜又は酸化インジウムスズ(ITO)膜であれば、第1の波長レーザビームよりも波長が短い第2の波長レーザビームを選択する。例えば、基板10上のパターンの材料が金属膜であり、赤外線レーザビームを選択して用いる場合、制御部160は、遮断器122を制御して赤外線レーザビームの光路は開放し、可視光レーザビームと紫外線レーザビームとの光路は閉鎖する。第1の遮断器122aを通過した赤外線レーザビームは、第1のレーザミラー123aに反射されて第1のスキャナ131aに導かれる。このとき、制御部160は、減衰器121及びサイズ調節器124の作動を制御して、レーザビームの出力及びレーザビームのサイズをリペアなどの作業に適するように調節する。
一方、基板10パターンの材料が酸化インジウムスズ(ITO)膜であれば、赤外線レーザビームよりも波長が短い紫外線レーザビームを選択して用いる。この場合には、制御部160は、遮断器122を制御して紫外線レーザビームの光路は開放する一方、赤外線レーザビームと紫外線レーザビームとの光路は閉鎖する。このため、紫外線レーザビームが第2のスキャナ131bに導かれる。しかしながら、本発明は、これに何ら限定されるものではなく、基板10パターンの材料に応じて様々な波長のレーザビームが選択されて用いられる。
スキャナ131は、反射可能なレーザビームの種類が限定される。このため、様々なレーザビームを用いる場合には、これらを反射可能な複数のスキャナ131を備える必要がある。スキャナ131は、レーザビームの波長に応じて反射可能なスキャナ131a、131bに対応するレーザビームを導く。すなわち、レーザビームの波長に応じてスキャナ131a、131bを選択して用いる。スキャナ131は、レーザビームを所望の光路に導く。制御部160は、スキャナ131の角度を調節して該スキャナ131に反射されるレーザビームの進行方向を任意に変更する。すなわち、スキャナ131は、レーザビームを様々な角度で反射させて基板10の上に存在する欠陥をリペアするなど様々なレーザ処理作業を行うことができる。なお、制御部160は、フォーカスレンズ132の位置を調節してレーザビームを加工に適した細いレーザビームにする。
スキャナ131によって反射されたレーザビームは、リレーレンズ133を介して照射部140の対物レンズ141の入射範囲に納まるように導かれる。対物レンズ141は、レーザビームを圧縮し、圧縮されたレーザビームを基板10にフォーカシングさせて基板10に対する処理作業が行われる。
撮影部150は、基板10又は該基板10が処理される過程を撮影する。撮影部150は、レーザビームが発生するよりも前から基板10に対する撮影を始めてもよく、レーザビームが基板10に照射されるときから基板10に対する撮影を始めてもよく、また、基板10の処理後に撮影を始めてもよい。すなわち、基板10を撮影することとレーザ処理作業とは、順次に行ってもよく、順序を変えて行ってもよい。このため、作業者が希望するときに、基板10に対するモニタリングを始めてもよい。
制御部160は、基板10上のパターンの微細化度に応じてカメラ151の撮影倍率を調節する。例えば、基板10上のパターンの微細化度が高いパターン領域を撮影する際には、撮影倍率を自動的に拡大して精度良く作業を行うことができる。一方、基板10上のパターンの微細化度が低いセル領域を撮影する際には、撮影倍率としてパターン領域を拡大する場合よりも小さく設定することにより、さらに広い領域をモニタリングすることができる。
制御部160は、基板10に対する作業内容に応じて撮影倍率を調節する。例えば、基板10のレビューに際しては、基板10の広い領域を拡大して観察し、基板10の処理に際しては、基板10の狭い領域を拡大して観察する。このため、レビューに際しては基板10の欠陥を速やかに見出すことができ、一方、基板10の処理に際しては精度良く作業を行うことができる。
また、制御部160は、基板10上のパターンの微細化度と作業内容とに応じて、カメラ151の撮影倍率を自動的に調節する。例えば、基板10上のパターンの微細化度が低い場合には、レビューに際して5〜10倍に撮影倍率を調節する一方、基板10の処理に際して20〜35倍に撮影倍率を調節する。また、基板10上のパターンの微細化度が高い場合には、レビューに際して10〜20倍に撮影倍率を調節する一方、基板10の処理に際して35〜50倍に撮影倍率を調節する。このため、基板10のパターンの状態とそれに対する作業とに応じて撮影倍率を自動的に調節することにより、作業の進行速度が向上すると共に、精度良く作業を行うことができる。しかしながら、基板10に対する撮影倍率は、これに何ら限定されるものではなく、種々に変更可能である。
基板10の位置が誤っているか又はレーザ処理装置100に基板10パターンの欠陥に対する誤った座標情報が入力されれば、レーザビームが基板10上の欠陥がない領域に誤って照射されて、基板処理に不良が発生する虞がある。作業者は、撮影部150を介して基板10をモニタリングするため、これを即座で確認することができる。このため、作業者は、レーザ処理作業を中断することができる。その後、基板10の位置を正しい位置に調節して、欠陥がある部分にレーザビームを照射して基板10を再処理することができる。このため、基板10の処理に不良が発生すれば、これに速やかに対応することができるので不良率が減少し、作業の効率が向上する。
上述したように、本発明に係る一実施形態は、基板パターンの欠陥をリペアする過程を例示的に説明したが、本発明はこれに何ら限定されるものではなく、様々なレーザ処理過程に適用可能である。
このように、本発明の詳細な説明においては、具体的な実施形態に関して説明したが、本発明の範囲から逸脱しない限度内において種々に変形可能である。よって、本発明の範囲は、説明された実施形態に制限されて定められてはならず、後述する特許請求の範囲だけではなく、この請求範囲と均等なものにより定められるべきである。
100 レーザ処理装置
110 レーザ部
120 案内部
130 スキャナ部
140 照射部
150 撮影部
160 制御部

Claims (16)

  1. 基板を処理するレーザ処理装置であって、
    レーザビームを発生させ、前記レーザビームを分岐させるレーザ部と、
    前記レーザビームの進行方向を調節する複数のスキャナを有し、前記レーザビームが通過する光路を提供するスキャナ部と、
    前記レーザ部と前記スキャナ部との間に配設され、分岐されたレーザビームを選択的に前記スキャナに導く案内部と、
    前記スキャナ部を通過したレーザビームを前記基板に照射する照射部と、
    前記基板を撮影する撮影部と、
    を備えるレーザ処理装置。
  2. 前記スキャナ部は、
    前記レーザビームのうちの少なくとも一部の波長のレーザビームの進行方向を調節する第1のスキャナと、
    前記第1のスキャナにより進行方向が調節されるレーザビームとは波長が異なるレーザビームの進行方向を調節する第2のスキャナと、
    を有する請求項1に記載のレーザ処理装置。
  3. 前記第1のスキャナ又は前記第2のスキャナのうちの少なくとも一方は、波長が異なる複数の波長のレーザビームの進行方向を調節する請求項2に記載のレーザ処理装置。
  4. 前記案内部は、
    前記レーザビームが分岐される数に見合う分だけ配設され、前記レーザビームの光路を開閉する遮断器と、
    前記遮断器と前記第1のスキャナとの間及び前記遮断器と前記第2のスキャナとの間に配設され、前記遮断器を通過したレーザビームを前記スキャナに導くレーザミラーと、
    を有する請求項3に記載のレーザ処理装置。
  5. 前記照射部は、前記レーザビームを前記基板にフォーカシングさせる対物レンズを有する請求項1に記載のレーザ処理装置。
  6. 前記撮影部は、
    前記基板を撮影するカメラと、
    前記基板に照明を当てる照明器と、
    前記カメラの焦点を補正する自動焦点器と、
    を有する請求項1に記載のレーザ処理装置。
  7. 前記レーザ部を作動させ、前記基板又は前記基板上のパターンの材料に応じて前記案内部の作動を制御し、前記案内部を通過したレーザビームの波長に応じて前記スキャナ部において使用するスキャナを選択する制御部をさらに備える請求項1から請求項6のうちのいずれか一項に記載のレーザ処理装置。
  8. 前記制御部は、前記基板上のパターンの微細化度に応じて前記カメラの撮影倍率を調節する請求項6に記載のレーザ処理装置。
  9. 前記カメラは、前記制御部による前記基板のレビューに際して前記基板に対する撮影倍率を5〜20倍だけ拡大し、前記基板の処理作業に際して前記基板に対する撮影倍率を20〜50倍だけ拡大する請求項8に記載のレーザ処理装置。
  10. 基板をレーザで処理するレーザ処理方法であって、
    レーザビームを発生させる過程と、
    前記レーザビームの波長を選択する過程と、
    前記基板を撮影し、前記基板に前記レーザビームを照射して処理し、前記基板をモニタリングする過程と、
    前記基板の処理に不良が発生すれば、レーザ処理作業を中断する過程と、
    を含むレーザ処理方法。
  11. 前記レーザビームの波長を選択する過程は、
    前記基板又は基板上のパターンの材料に応じて前記レーザビームの波長を選択する請求項10に記載のレーザ処理方法。
  12. 前記基板を撮影する過程は、
    前記基板上のパターンの微細化度に応じて撮影倍率を調節する請求項10に記載のレーザ処理方法。
  13. 前記基板を撮影する過程は、
    前記基板に対する作業の種類に応じて撮影倍率を調節する請求項10に記載のレーザ処理方法。
  14. 前記基板の処理に不良が発生すれば、レーザ処理作業を中断する過程は、
    前記基板の位置を調節して再処理する過程を含む請求項10に記載のレーザ処理方法。
  15. 前記パターンの材料が金属膜であれば、第1の波長レーザビームを選択し、有機膜又は酸化インジウム錫膜であれば、前記第1の波長レーザビームよりも波長が短い第2の波長レーザビームを選択する請求項11に記載のレーザ処理方法。
  16. 前記基板を処理することは、
    前記基板の上に形成されたパターンの不良をリペアすることを含む請求項10から請求項15のうちのいずれか一項に記載のレーザ処理方法。
JP2015052099A 2014-04-30 2015-03-16 レーザ処理装置及び処理方法 Active JP6423294B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140052456A KR101560378B1 (ko) 2014-04-30 2014-04-30 레이저 처리장치 및 처리방법
KR10-2014-0052456 2014-04-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015211982A true JP2015211982A (ja) 2015-11-26
JP6423294B2 JP6423294B2 (ja) 2018-11-14

Family

ID=54399934

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015052099A Active JP6423294B2 (ja) 2014-04-30 2015-03-16 レーザ処理装置及び処理方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6423294B2 (ja)
KR (1) KR101560378B1 (ja)
CN (1) CN105014245B (ja)
TW (1) TWI553981B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110137784A (zh) * 2019-05-14 2019-08-16 北京兆维科技开发有限公司 激光光源部件及其组成的亮点缺陷修复设备
WO2021220874A1 (ja) * 2020-04-27 2021-11-04 パナソニックIpマネジメント株式会社 レーザ加工ヘッド及びレーザ加工装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101918727B1 (ko) * 2016-04-26 2019-02-08 에이피시스템 주식회사 레이저 처리 장치 및 레이저 처리 방법
KR102624389B1 (ko) * 2019-11-21 2024-01-15 참엔지니어링(주) 마이크로 led 디스플레이 리페어 장치 및 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002120081A (ja) * 2000-10-19 2002-04-23 Toshiba Corp レーザ加工方法および装置
JP2002217550A (ja) * 2001-01-16 2002-08-02 Toshiba Corp レーザ加工方法、レーザ加工装置および多層配線基板の製造方法
JP2009537324A (ja) * 2006-05-19 2009-10-29 エリコン・バルザース・コーティング・(ユーケ−)・リミテッド 移動する基板上の薄膜をパターニングするための方法およびツール
JP2013226588A (ja) * 2012-04-26 2013-11-07 Olympus Corp リペア装置及びリペア方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10237945A1 (de) * 2002-08-20 2004-03-11 Quintis Gmbh Laserbasierte Vorrichtung zur nichtmechanischen, dreidimensionalen Trepanation bei Hornhauttransplantationen
US7977602B2 (en) * 2007-03-21 2011-07-12 Photon Dynamics, Inc. Laser ablation using multiple wavelengths
CN101902616A (zh) * 2009-06-01 2010-12-01 金三立视频科技(深圳)有限公司 视频监控快速立体定位方法
US20110132885A1 (en) * 2009-12-07 2011-06-09 J.P. Sercel Associates, Inc. Laser machining and scribing systems and methods
DE112012002501B4 (de) * 2011-06-17 2015-06-03 The Yokohama Rubber Co., Ltd. Verfahren zum Herstellen einer Glasplatte mit einer Verglasungsdichtung und Herstellungsvorrichtung

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002120081A (ja) * 2000-10-19 2002-04-23 Toshiba Corp レーザ加工方法および装置
JP2002217550A (ja) * 2001-01-16 2002-08-02 Toshiba Corp レーザ加工方法、レーザ加工装置および多層配線基板の製造方法
JP2009537324A (ja) * 2006-05-19 2009-10-29 エリコン・バルザース・コーティング・(ユーケ−)・リミテッド 移動する基板上の薄膜をパターニングするための方法およびツール
JP2013226588A (ja) * 2012-04-26 2013-11-07 Olympus Corp リペア装置及びリペア方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110137784A (zh) * 2019-05-14 2019-08-16 北京兆维科技开发有限公司 激光光源部件及其组成的亮点缺陷修复设备
WO2021220874A1 (ja) * 2020-04-27 2021-11-04 パナソニックIpマネジメント株式会社 レーザ加工ヘッド及びレーザ加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP6423294B2 (ja) 2018-11-14
CN105014245A (zh) 2015-11-04
CN105014245B (zh) 2018-04-20
TWI553981B (zh) 2016-10-11
TW201541771A (zh) 2015-11-01
KR101560378B1 (ko) 2015-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN203265909U (zh) 修复装置
US20120103955A1 (en) Laser Optical System, Repair Apparatus And Method Using The Same
JP6423294B2 (ja) レーザ処理装置及び処理方法
US20080129950A1 (en) Repair method and apparatus therefor
TW201013817A (en) Laser repairing device and laser repairing method
JP2011025316A (ja) 欠陥修正装置
TWI567374B (zh) 缺陷觀察裝置及包含所述缺陷觀察裝置的雷射加工設備
JP2009056507A (ja) レーザ加工装置
KR101918203B1 (ko) 레이저 처리 장치 및 방법
KR20120092989A (ko) 레이저 마킹 시스템
KR20120049140A (ko) 레이저 가공 장치
JP7173641B2 (ja) 表示装置パネルに対するレーザーリペア及び検査方法とこれに適したリペア及び検査装置
JP2009053485A (ja) オートフォーカス装置、オートフォーカス方法および計測装置
JP2014529734A (ja) 検査・修復・検査システム
JP2009006339A (ja) レーザ加工装置、及び、レーザ加工方法
CN114531857A (zh) 检查装置及检查方法
TWI774885B (zh) 顯示面板的雷射修復及檢測方法和與其適宜的修復及檢測設備
JP2005021916A (ja) 欠陥修正機能付き顕微鏡装置
KR20110105339A (ko) 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
TWI484253B (zh) 修復方法及修復裝置
CN114074216A (zh) 激光加工装置和激光加工方法
CN114430706A (zh) 检查装置及检查方法
KR20240020346A (ko) 포토마스크 장치 및 이를 이용한 포토마스크 검사 방법
JP2009291805A (ja) レーザ加工装置
KR20090004475A (ko) 패턴 수정 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160405

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160617

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20161101

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170217

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20170227

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20170428

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180803

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20181018

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6423294

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250