JP2015207452A - マイクロ波加熱処理装置及びマイクロ波加熱処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 マイクロ波加熱処理装置1は、上壁11、底壁13及び側壁部12を有し、ウエハWを収容する処理容器2と、ウエハWを加熱処理するためのマイクロ波を生成して上壁11に形成された一つないし複数のマイクロ波導入ポート10から処理容器2に導入するマイクロ波導入装置3と、ウエハWに当接することによって処理容器2内で上壁11に対向する位置にウエハWを保持する保持部15と、を備えている。マイクロ波加熱処理装置1では、保持部15によって、底壁13の上面からウエハWの下面までの距離H1が、マイクロ波の波長λに対してH1<λ/2となり、上壁11の下面からウエハWの上面までの距離H2が、マイクロ波の波長λに対して3λ/4≦H2<λとなる第1の高さ位置にウエハWを保持して加熱処理を行う。
【選択図】図4
Description
前記被処理体を加熱処理するためのマイクロ波を生成して前記上壁に形成された一つないし複数のマイクロ波導入ポートから前記処理容器に導入するマイクロ波導入装置と、
前記被処理体に当接することによって、前記処理容器内で前記上壁に対向する位置に前記被処理体を保持する保持部と、
を備えている。本発明のマイクロ波加熱処理装置は、前記保持部によって、
前記底壁の上面から前記被処理体の下面までの距離H1が、前記マイクロ波の波長λに対してH1<λ/2となり、
前記上壁の下面から前記被処理体の上面までの距離H2が、前記マイクロ波の波長λに対して3λ/4≦H2<λとなる第1の高さ位置に前記被処理体を保持して加熱処理を行う。
前記加熱処理の途中で、前記保持部によって前記被処理体を保持する高さ位置を、前記第1の高さ位置とは異なる第2の高さ位置から、前記第1の高さ位置へ切替るように、前記高さ位置調節装置を制御する制御部と、
を備えていてもよい。
前記制御部は、前記温度計測部による前記被処理体の計測温度に基づき、前記第2の高さ位置から、前記第1の高さ位置への切り替えを行うものであってもよい。
前記制御部は、前記加熱処理において、前記シリコン基板の温度が400℃以上に到達した段階で、第2の高さ位置から、前記第1の高さ位置への切り替えを行うものであってもよい。
前記上壁の下面から前記被処理体の上面までの距離H2が、前記マイクロ波の波長λに対して3λ/4≦H2<λとなる第1の高さ位置に前記被処理体を保持して加熱処理を行うことを特徴とする。
前記加熱処理において、前記シリコン基板の温度が400℃以上に到達した段階で、第2の高さ位置から、前記第1の高さ位置への切り替えを行うものであってもよい。
処理容器2は、金属材料によって形成されている。処理容器2を形成する材料としては、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス等が用いられる。マイクロ波導入装置3は、処理容器2の上部に設けられ、処理容器2内に電磁波(マイクロ波)を導入するマイクロ波導入手段として機能する。マイクロ波導入装置3の構成については、後で詳しく説明する。
支持装置4は、図1及び図3に示すように、処理容器2の底壁13のほぼ中央を貫通して処理容器2の外部まで延びる管状のシャフト14と、シャフト14の上端に装着された保持部としてのホルダ15とを有している。ホルダ15は、シャフト14の上端に装着されたホルダ基部15aと、このホルダ基部15aからほぼ水平方向に放射状に設けられた複数(本実施の形態では3本)のアーム部15bと、各アーム部15bに着脱可能に装着された支持ピン16とを有している。複数の支持ピン16は、処理容器2内においてウエハWの下面に当接してウエハWを支持する。複数の支持ピン16は、その上端部がウエハWの周方向に並ぶように配置されている。各支持ピン16は、アーム部15bに着脱可能に装着されている。なお、アーム部15b、支持ピン16の数は、ウエハWを安定して支持できればよく、特に限定されない。ホルダ15は、誘電体材料によって形成されている。これらを形成する誘電体材料としては、例えば、石英、セラミックス等を用いることができる。
排気装置6は、例えば、ドライポンプ等の真空ポンプを有している。マイクロ波加熱処理装置1は、更に、排気口13aと排気装置6とを接続する排気管21と、排気管21の途中に設けられた圧力調整バルブ22と、を備えている。排気装置6の真空ポンプを作動させることにより、処理容器2の内部空間が減圧排気される。なお、マイクロ波加熱処理装置1は、大気圧での処理も可能であり、その場合は、真空ポンプは不要である。排気装置6としてドライポンプ等の真空ポンプを用いる替わりに、マイクロ波加熱処理装置1が設置される施設に設けられた排気設備を用いることも可能である。
マイクロ波加熱処理装置1は、更に、処理容器2内にガスを供給するガス供給機構5を備えている。ガス供給機構5は、図示しないガス供給源を備えたガス供給装置5aと、ガス供給装置5aに接続され、処理容器2内に処理ガスを導入する複数の配管23(2本のみ図示)と、を備えている。複数の配管23は、処理容器2の側壁部12に接続されている。
マイクロ波加熱処理装置1は、更に、ウエハWの表面温度を測定する複数の放射温度計26と、複数の放射温度計26に接続された温度計測部27とを備えている。なお、図1では、ウエハWの中央部の表面温度を測定する放射温度計26を除いて、複数の放射温度計26の図示を省略している。
本実施の形態のマイクロ波加熱処理装置1では、処理容器2内において、上壁11、4つの側壁部12及び底壁13で区画される空間がマイクロ波放射空間を形成している。このマイクロ波放射空間には、上壁11に設けられた複数のマイクロ波導入ポート10からマイクロ波が放射される。処理容器2の上壁11、4つの側壁部12及び底壁13は、いずれも金属材料によって形成されているため、マイクロ波を反射し、マイクロ波放射空間内に散乱させる。
次に、図1、図2及び図5を参照して、マイクロ波導入装置3の構成について説明する。図5は、マイクロ波導入装置3の高電圧電源部の概略の構成を示す説明図である。前述のように、マイクロ波導入装置3は、処理容器2の上部に設けられ、処理容器2内に電磁波(マイクロ波)を導入するマイクロ波導入手段として機能する。図1に示したように、マイクロ波導入装置3は、マイクロ波を処理容器2に導入する複数のマイクロ波ユニット30と、複数のマイクロ波ユニット30に接続された高電圧電源部40とを備えている。
本実施の形態では、複数のマイクロ波ユニット30の構成は全て同一である。各マイクロ波ユニット30は、ウエハWを処理するためのマイクロ波を生成するマグネトロン31と、マグネトロン31において生成されたマイクロ波を処理容器2に伝送する伝送路としての導波管32と、マイクロ波導入ポート10を塞ぐように上壁11に固定された透過窓33とを有している。マグネトロン31は、本発明におけるマイクロ波源に対応する。
高電圧電源部40は、マグネトロン31に対してマイクロ波を生成するための高電圧を供給する。図5に示したように、高電圧電源部40は、商用電源に接続されたAC−DC変換回路41と、AC−DC変換回路41に接続されたスイッチング回路42と、スイッチング回路42の動作を制御するスイッチングコントローラ43と、スイッチング回路42に接続された昇圧トランス44と、昇圧トランス44に接続された整流回路45とを有している。マグネトロン31は、整流回路45を介して昇圧トランス44に接続されている。
マイクロ波加熱処理装置1の各構成部は、それぞれ制御部8に接続されて、制御部8によって制御される。制御部8は、典型的にはコンピュータである。図6は、図1に示した制御部8のハードウェア構成の一例を示している。制御部8は、主制御部101と、キーボード、マウス等の入力装置102と、プリンタ等の出力装置103と、表示装置104と、記憶装置105と、外部インターフェース106と、これらを互いに接続するバス107とを備えている。主制御部101は、CPU(中央処理装置)111、RAM(ランダムアクセスメモリ)112およびROM(リードオンリメモリ)113を有している。記憶装置105は、情報を記憶できるものであれば、その形態は問わないが、例えばハードディスク装置または光ディスク装置である。また、記憶装置105は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体115に対して情報を記録し、また記録媒体115より情報を読み取るようになっている。記録媒体115は、情報を記憶できるものであれば、その形態は問わないが、例えばハードディスク、光ディスク、フラッシュメモリなどである。記録媒体115は、本実施の形態に係るプラズマエッチング方法のレシピを記録した記録媒体であってもよい。
次に、マイクロ波加熱処理装置1で行われるマイクロ波加熱処理方法の好ましい実施の形態について説明する。
まず、マイクロ波加熱処理装置1で行われる本発明の第1の実施の形態のマイクロ波加熱処理方法について説明する。本実施の形態では、例えば制御部8の入力装置102から、マイクロ波加熱処理装置1において加熱処理を行うように指令が入力される。次に、主制御部101は、この指令を受けて、記憶装置105またはコンピュータ読み取り可能な記録媒体115に保存されたレシピを読み出す。次に、レシピに基づく条件によって加熱処理が実行されるように、主制御部101からマイクロ波加熱処理装置1の各エンドデバイス(例えば、マイクロ波導入装置3、支持装置4、ガス供給装置5a、排気装置6等)に制御信号が送出される。
次に、マイクロ波加熱処理装置1で行われる本発明の第2の実施の形態のマイクロ波加熱処理方法について説明する。図7は、本実施の形態のマイクロ波加熱処理方法の手順の一例を示すフローチャートである。図7に示したように、本実施の形態のマイクロ波加熱処理方法は、ステップS11〜ステップS14を含んでいる。
まず、ステップS11では、支持装置4の昇降駆動部18によって、ウエハWを保持するホルダ15を上下に変位させて、ウエハWを所定の高さ位置に調整する。この高さ位置は、後述するステップS13における第1の高さ位置とは異なる高さ位置であればよい。本実施の形態のマイクロ波加熱処理方法では、底壁13の上面からウエハWの下面までの距離H1と、上壁11の下面からウエハWの上面までの距離H2が等しくなる中間位置(H1=H2)にウエハWを配置することができる。この高さ位置は、本発明における「第2の高さ位置」に相当する。第2の高さ位置では、例えば室温〜400℃未満の範囲内の温度域において、処理容器2内での電磁界分布において、電界強度が強い定在波の腹の位置にウエハWを配置できるため、ウエハWの誘電加熱効果を向上させることができる。
次に、ステップS12では、ウエハWを第2の高さ位置に保持した状態で、マイクロ波導入装置3によって処理容器2内にマイクロ波を導入する。そして、第2の高さ位置に保持したウエハWに対し、マイクロ波を照射することにより加熱処理を行う。具体的には、制御部8の制御の下で、高電圧電源部40からマグネトロン31に対して電圧を印加してマイクロ波を生成する。マグネトロン31において生成されたマイクロ波は、導波管32を伝搬し、さらに透過窓33を透過して、処理容器2内において回転するウエハWの上方の空間に導入される。本実施の形態では、複数のマグネトロン31において順次マイクロ波を生成し、各マイクロ波導入ポート10から交互にマイクロ波を処理容器2内に導入する。なお、複数のマグネトロン31において同時に複数のマイクロ波を生成させ、各マイクロ波導入ポート10から同時にマイクロ波を処理容器2内に導入するようにしてもよい。
ステップS13では、ウエハWに対するマイクロ波の照射を継続しながら、昇降駆動部18を駆動させることによってホルダ15を変位させ、ウエハWを第2の高さ位置から、第1の高さ位置に切り替える。第1の高さ位置では、距離H1をH1<λ/2とすることによって、例えば400℃以上の温度域において、ウエハWの下方空間S2における、処理容器2の高さ方向の定在波の発生を防ぐことができる。本実施の形態では、ウエハWの下方空間S2における高さ方向の定在波の発生を防ぐことによって、ウエハWの下方空間S2において、定在波の変動を極力回避できる。
次に、ステップS14では、マイクロ波の供給を停止する。例えば、主制御部101からマイクロ波加熱処理装置1の各エンドデバイスに加熱処理を終了させる制御信号を送出することによって、マイクロ波の生成が停止されると共に、ウエハWの回転が停止し、処理ガスの供給が停止されて、ウエハWに対する加熱処理が終了する。
次に、図8〜図11を参照しながら、本発明の作用について説明する。まず、図8は、一般的な濃度でドーパントをドープしたシリコン基板を加熱していく昇温過程でのキャリア密度の変化を示すグラフである。半導体は、通常、温度が上がると電気伝導性が増す。図8のグラフにおいて、室温から約127℃程度までは一定の導電率を有する出払い領域である。127℃を超えて昇温すると、キャリアの大幅な増加とともに電気伝導性が増して真性領域となる。従って、ウエハWを構成するシリコンは、400℃以上の温度域では導体としての性質を強めるものと考えられる。
Claims (8)
- 上壁、該上壁に平行な底壁及び側壁を有し、被処理体を収容する処理容器と、
前記被処理体を加熱処理するためのマイクロ波を生成して前記上壁に形成された一つないし複数のマイクロ波導入ポートから前記処理容器に導入するマイクロ波導入装置と、
前記被処理体に当接することによって、前記処理容器内で前記上壁に対向する位置に前記被処理体を保持する保持部と、
を備え、
前記保持部によって、
前記底壁の上面から前記被処理体の下面までの距離H1が、前記マイクロ波の波長λに対してH1<λ/2となり、
前記上壁の下面から前記被処理体の上面までの距離H2が、前記マイクロ波の波長λに対して3λ/4≦H2<λとなる第1の高さ位置に前記被処理体を保持して加熱処理を行うマイクロ波加熱処理装置。 - さらに、前記保持部が前記被処理体を保持する高さ位置を可変に調節する高さ位置調節装置と、
前記加熱処理の途中で、前記保持部によって前記被処理体を保持する高さ位置を、前記第1の高さ位置とは異なる第2の高さ位置から、前記第1の高さ位置へ切替るように、前記高さ位置調節装置を制御する制御部と、
を備えている請求項1に記載のマイクロ波加熱処理装置。 - さらに、前記保持部に保持された前記被処理体の温度を計測する温度計測部を備え、
前記制御部は、前記温度計測部による前記被処理体の計測温度に基づき、前記第2の高さ位置から、前記第1の高さ位置への切り替えを行う請求項2に記載のマイクロ波加熱処理装置。 - 前記被処理体がシリコン基板であり、
前記制御部は、前記加熱処理において、前記シリコン基板の温度が400℃以上に到達した段階で、前記第2の高さ位置から、前記第1の高さ位置への切り替えを行う請求項3に記載のマイクロ波加熱処理装置。 - 上壁、該上壁に平行な底壁及び側壁を有し、被処理体を収容する処理容器内に、前記上壁に形成された一つないし複数のマイクロ波導入ポートからマイクロ波を導入して前記被処理体の加熱処理を行うマイクロ波加熱処理方法であって、
前記底壁の上面から前記被処理体の下面までの距離H1が、前記マイクロ波の波長λに対してH1<λ/2となり、
前記上壁の下面から前記被処理体の上面までの距離H2が、前記マイクロ波の波長λに対して3λ/4≦H2<λとなる第1の高さ位置に前記被処理体を保持して加熱処理を行うことを特徴とするマイクロ波加熱処理方法。 - 前記加熱処理の途中で、前記被処理体を保持する高さ位置を、前記第1の高さ位置とは異なる第2の高さ位置から、前記第1の高さ位置へ切替る請求項5に記載のマイクロ波加熱処理方法。
- 前記被処理体の計測温度に基づき、前記第2の高さ位置から、前記第1の高さ位置への切り替えを行う請求項6に記載のマイクロ波加熱処理方法。
- 前記被処理体がシリコン基板であり、
前記加熱処理において、前記シリコン基板の温度が400℃以上に到達した段階で、前記第2の高さ位置から、前記第1の高さ位置への切り替えを行う請求項7に記載のマイクロ波加熱処理方法。
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