JP2015201618A5 - - Google Patents
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Description
続いて、プラズマ処理装置１は、Ｎ含有物が付着した静電チャック２０によって被処理体を吸着する吸着工程を行う（ステップＳ２０４）。
Claims (12)
- 処理容器の内部に設けられた静電チャックに被処理体が載置されていない状態で、Ｃ及びＦを含む反応生成物が付着した前記静電チャックにＳｉ含有物又はＮ含有物を付着させる付着工程と、
前記処理容器の内部に前記被処理体が搬入された場合に、前記Ｓｉ含有物又は前記Ｎ含有物が付着した前記静電チャックによって前記被処理体を吸着する吸着工程と、
前記被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理工程と、
前記Ｓｉ含有物又は前記Ｎ含有物が付着した前記静電チャックからプラズマ処理された前記被処理体を離間させる離間工程と
を含むことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 前記付着工程は、前記静電チャックに被処理体が載置されていない状態で、Ａｒ、Ｈｅ、Ｏ２及びＮ２の少なくともいずれか一つを含む処理ガスのプラズマを生成し、該プラズマ中のイオンによりＳｉを含む部材をスパッタすることによって、前記Ｃ及びＦを含む反応生成物が付着した前記静電チャックに前記Ｓｉ含有物を付着させる
ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方法。 - 前記付着工程は、前記静電チャックに被処理体が載置されていない状態で、Ｎ２を含む処理ガスのプラズマを生成することによって、前記Ｃ及びＦを含む反応生成物が付着した前記静電チャックに前記Ｎ含有物を付着させる
ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方法。 - 前記静電チャックから離間された前記被処理体が前記処理容器の外部に搬出された後に、前記静電チャックに前記被処理体が載置されていない状態で、Ｏ２含有ガスのプラズマにより前記処理容器の内部に残存する、Ｃ及びＦを含む付着物を除去するクリーニング工程をさらに含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載のプラズマ処理方法。
- 前記付着工程は、前記クリーニング工程によって前記Ｃ及びＦを含む付着物が除去されてからプラズマ処理されていない前記被処理体が前記処理容器の内部に搬入されるまでの期間に、前記Ｃ及びＦを含む反応生成物が付着した前記静電チャックに前記Ｓｉ含有物又は前記Ｎ含有物を付着させる
ことを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理方法。 - 前記プラズマ処理方法は、
プラズマ処理されていない前記被処理体が前記処理容器の内部に搬入される度に、前記吸着工程、前記プラズマ処理工程、前記離間工程及び前記クリーニング工程を実行する
ことを特徴とする請求項４又は５に記載のプラズマ処理方法。 - 前記吸着工程、前記プラズマ処理工程、前記離間工程及び前記クリーニング工程の各々が所定の回数実行された場合に、前記付着工程を再び実行する一連の処理を繰り返す
ことを特徴とする請求項６に記載のプラズマ処理方法。 - 前記付着工程の処理時間は、所定時間以上であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載のプラズマ処理方法。
- 前記付着工程の処理時間は、５秒以上６０秒以下であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載のプラズマ処理方法。
- 前記Ｎ２を含む処理ガスのプラズマの生成に用いられる高周波電力は、４００Ｗ以上２０００Ｗ以下であることを特徴とする請求項３に記載のプラズマ処理方法。
- 前記付着工程が実行される場合に、前記処理容器の内部の圧力は、６．６７Ｐａ以上１０７Ｐａ以下の範囲に維持されることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一つに記載のプラズマ処理方法。
- 被処理体をプラズマ処理するための処理容器と、
前記処理容器の内部に配置され、前記被処理体を吸着するための静電チャックと、
前記処理容器の内部を減圧するための排気部と、
前記処理容器の内部に処理ガスを供給するためのガス供給部と、
前記静電チャックに被処理体が載置されていない状態で、Ｃ及びＦを含む反応生成物が付着した前記静電チャックにＳｉ含有物又はＮ含有物を付着させる付着工程と、前記処理容器の内部に前記被処理体が搬入された場合に、前記Ｓｉ含有物又は前記Ｎ含有物が付着した前記静電チャックによって前記被処理体を吸着する吸着工程と、前記被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理工程と、前記Ｓｉ含有物又は前記Ｎ含有物が付着した前記静電チャックからプラズマ処理された前記被処理体を離間させる離間工程とを実行する制御部と
を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
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