JP2015199000A - 塗布装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】処理液の温度を調整し、品質の高い膜を成膜することが可能な塗布装置を提供する。【解決手段】タンク44と、タンク44から処理液52をスピンステージ41上の被処理基板51に供給する配管43と、配管43に備えられた温度計46と、を有し、配管43のタンク44側には、処理液52の温度を調整する温度コントローラー47と、温度コントローラ47を制御する制御部48を有し、処理液52を所望の温度に加温しながら被処理基板51上に供給し、スピンステージ41を回転させ処理条件をコントロールする。【選択図】図5
Description
本発明は、被処理基板に膜材料を塗布する塗布装置に関する。
上記塗布装置として、例えば、半導体ウエハや被処理基板などの上に機能液を塗布して、この機能液を減圧下で乾燥させて機能膜を形成する塗布装置が知られている。
例えば、特許文献1には、塗布液を吐出する吐出ヘッドにヒーターを設け塗布液を加温し、塗布液の粘度を下げて塗布量を一定に制御する装置が開示されている。
また、特許文献2には、ダイコータの口金に加熱機構を設け塗料を加熱して固形物をなくし、ムラの少ない塗工膜を形成する装置が開示されている。
しかしながら、上記特許文献1及び特許文献2には、スピン方式で塗布膜を形成する塗布装置については開示がなく、例えば、スピン方式を用いて、配向膜のような材料の粘度や膜厚などのコントロールが可能であり、歩留りを向上させることが可能な塗布装置が求められている。
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
[適用例1]本適用例に係る塗布装置は、タンクと、前記タンクから処理液をステージ上の基板に供給する配管と、前記配管に備えられた温度計と、を有し、前記タンクは、前記処理液の温度を調整する温度調整機構を有することを特徴とする。
本適用例によれば、配管に備えられた温度計によって処理液の温度を管理し、温度調整機構によって処理液の温度を調整(加温)するので、基板に温度が管理された処理液を供給することが可能となる。よって、処理液を塗布する条件をコントロールしやすくする(条件のパラメーターを増やす)ことが可能となり、処理液から処理膜を高品質に製造することができる。
[適用例2]本適用例に係る塗布装置は、筐体と、前記筐体の中に配置された、タンクと、前記タンクから処理液をステージ上の基板に供給する配管と、を備え、前記ステージ及び前記筐体に、それぞれ温度調整機構が設けられていることを特徴とする。
本適用例によれば、温度調整機構によってステージ及び筐体の温度を調整(加温)するので、基板に温度が管理された処理液を供給することが可能となる。よって、処理液を塗布する条件をコントロールしやすくする(条件のパラメーターを増やす)ことが可能となり、処理液から処理膜を高品質に製造することができる。
[適用例3]上記適用例に係る塗布装置において、前記筐体の中に温度計が配置されていることが好ましい。
本適用例によれば、温度計によって筐体の中の温度を管理し、温度調整機構によって筐体内などの温度を調整するので、基板に温度が管理された処理液を供給することが可能となる。よって、処理液の塗布条件をコントロールしやすくすることが可能となり、処理液から処理膜を高品質に製造することができる。
[適用例4]上記適用例に係る塗布装置において、前記ステージを囲むように配置された容器を備え、前記ステージは、回転することが好ましい。
本適用例によれば、容器で囲まれた中においてステージが回転するので、配管からステージ上に供給された処理液を、基板の全体に亘って塗布することができる。また、ステージ上から溢れた処理液を容器にて回収することができる。
[適用例5]上記適用例に係る塗布装置において、前記処理液は、配向膜を形成する材料であることが好ましい。
本適用例によれば、配向膜を形成するための処理液の温度を調整するので、配向膜の製造方法を拡大することが可能となり、配向膜の特性を生かした処理条件をコントロールしやすくすることができる。よって、配向膜の品質を高めることが可能となり、光学特性を向上させることができる。加えて、歩留りを向上させることができる。
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
本実施形態では、塗布装置を用いて形成された膜を、薄膜トランジスター(TFT:Thin Film Transistor)を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置に適用した場合を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置(液晶プロジェクター)の光変調素子(液晶ライトバルブ)として好適に用いることができるものである。
(第1実施形態)
<塗布装置を用いて形成された膜を備える液晶装置の構成>
図1は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図2は、図1に示す液晶装置のH−H’線に沿う模式断面図である。図3は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図1〜図3を参照しながら説明する。
<塗布装置を用いて形成された膜を備える液晶装置の構成>
図1は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図2は、図1に示す液晶装置のH−H’線に沿う模式断面図である。図3は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図1〜図3を参照しながら説明する。
図1及び図2に示すように、本実施形態の液晶装置100は、対向するように配置された素子基板10(第1基板)および対向基板20(第2基板)と、これら一対の基板10,20によって挟持された液晶層15とを有する。素子基板10を構成する基板としての第1基材10a、および対向基板20を構成する第2基材20aは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。
素子基板10は対向基板20よりも大きく、両基板10,20は、対向基板20の外周に沿って配置されたシール材14を介して接合されている。平面視で環状に設けられたシール材14の内側で、素子基板10は対向基板20の間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層15を構成している。シール材14は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材14には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー(図示省略)が混入されている。
シール材14の内縁より内側には、複数の画素Pが配列した表示領域Eが設けられている。表示領域Eは、表示に寄与する複数の画素Pに加えて、複数の画素Pを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図1及び図2では図示を省略したが、表示領域Eにおいて複数の画素Pをそれぞれ平面的に区分する遮光膜(ブラックマトリックス:BM)が対向基板20に設けられている。
素子基板10の1辺部に沿ったシール材14と該1辺部との間に、データ線駆動回路22が設けられている。また、該1辺部に対向する他の1辺部に沿ったシール材14と表示領域Eとの間に、検査回路25が設けられている。さらに、該1辺部と直交し互いに対向する他の2辺部に沿ったシール材14と表示領域Eとの間に走査線駆動回路24が設けられている。該1辺部と対向する他の1辺部に沿ったシール材14と検査回路25との間には、2つの走査線駆動回路24を繋ぐ複数の配線29が設けられている。
対向基板20における環状に配置されたシール材14と表示領域Eとの間には、遮光部材としての遮光膜18(見切り部)が設けられている。遮光膜18は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜18の内側が複数の画素Pを有する表示領域Eとなっている。なお、図1では図示を省略したが、表示領域Eにおいても複数の画素Pを平面的に区分する遮光膜が設けられている。
これらデータ線駆動回路22、走査線駆動回路24に繋がる配線は、該1辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子35に接続されている。以降、該1辺部に沿った方向をX方向とし、該1辺部と直交し互いに対向する他の2辺部に沿った方向をY方向として説明する。
図2に示すように、第1基材10aの液晶層15側の表面には、画素Pごとに設けられた透光性の画素電極27およびスイッチング素子である薄膜トランジスター(TFT:Thin Film Transistor、以降、「TFT30」と呼称する)と、信号配線と、これらを覆う配向膜28とが形成されている。
また、TFT30における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板10は、少なくとも画素電極27、TFT30、配向膜28を含むものである。
対向基板20の液晶層15側の表面には、遮光膜18と、これを覆うように成膜された絶縁膜33と、絶縁膜33を覆うように設けられた対向電極31と、対向電極31を覆う配向膜32とが設けられている。本発明における対向基板20は、少なくとも絶縁膜33、対向電極31、配向膜32を含むものである。
遮光膜18は、図1に示すように、表示領域Eを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路24、検査回路25と重なる位置に設けられている(図示簡略)。これにより対向基板20側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Eに入射しないように遮蔽して、表示領域Eの表示における高いコントラストを確保している。
絶縁膜33は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜18を覆うように設けられている。このような絶縁膜33の形成方法としては、例えばプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
対向電極31は、例えばITOなどの透明導電膜からなり、絶縁膜33を覆うと共に、図1に示すように対向基板20の四隅に設けられた上下導通部26により素子基板10側の配線に電気的に接続している。
画素電極27を覆う配向膜28、および対向電極31を覆う配向膜32は、液晶装置100の光学設計に基づいて選定される。例えば、気相成長法を用いてSiOx(酸化シリコン)などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
このような液晶装置100は透過型であって、電圧が印加されない時の画素Pの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Pの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
図3に示すように、液晶装置100は、少なくとも表示領域Eにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線3aおよび複数のデータ線6aと、共通電位配線としての容量線3bとを有する。走査線3aが延在する方向がX方向であり、データ線6aが延在する方向がY方向である。
走査線3aとデータ線6aならびに容量線3bと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極27と、TFT30と、容量素子16とが設けられ、これらが画素Pの画素回路を構成している。
走査線3aはTFT30のゲートに電気的に接続され、データ線6aはTFT30のデータ線側ソースドレイン領域(ソース領域)に電気的に接続されている。画素電極27は、TFT30の画素電極側ソースドレイン領域(ドレイン領域)に電気的に接続されている。
データ線6aは、データ線駆動回路22(図1参照)に接続されており、データ線駆動回路22から供給される画像信号D1,D2,…,Dnを画素Pに供給する。走査線3aは、走査線駆動回路24(図1参照)に接続されており、走査線駆動回路24から供給される走査信号SC1,SC2,…,SCmを各画素Pに供給する。
データ線駆動回路22からデータ線6aに供給される画像信号D1〜Dnは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線6a同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路24は、走査線3aに対して、走査信号SC1〜SCmを所定のタイミングで供給する。
液晶装置100は、スイッチング素子であるTFT30が走査信号SC1〜SCmの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線6aから供給される画像信号D1〜Dnが所定のタイミングで画素電極27に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極27を介して液晶層15に書き込まれた所定レベルの画像信号D1〜Dnは、画素電極27と液晶層15を介して対向配置された対向電極31との間で一定期間保持される。
保持された画像信号D1〜Dnがリークするのを防止するため、画素電極27と対向電極31との間に形成される液晶容量と並列に容量素子16が接続されている。容量素子16は、TFT30の画素電極側ソースドレイン領域と容量線3bとの間に設けられている。
<液晶装置を構成する画素の構成>
図4は、液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置のうち画素の構造を、図4を参照しながら説明する。なお、図4は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
図4は、液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置のうち画素の構造を、図4を参照しながら説明する。なお、図4は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
図4に示すように、液晶装置100は、素子基板10と、これに対向配置される対向基板20とを備えている。素子基板10を構成する第1基材10aは、上記したように、例えば、石英基板等によって構成されている。
図4に示すように、第1基材10a上には、例えば、Al(アルミニウム)、Ti(チタン)、Cr(クロム)、W(タングステン)等の材料を含む下側遮光膜3cが形成されている。下側遮光膜3cは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素Pの開口領域を規定している。なお、下側遮光膜3cは、導電性を有し、走査線3aの一部として機能するようにしてもよい。第1基材10a及び下側遮光膜3c上には、シリコン酸化膜等からなる下地絶縁層11aが形成されている。
下地絶縁層11a上には、TFT30及び走査線3a等が形成されている。TFT30は、例えば、LDD(Lightly Doped Drain)構造を有しており、ポリシリコン(高純度の多結晶シリコン)等からなる半導体層30aと、半導体層30a上に形成されたゲート絶縁層11gと、ゲート絶縁層11g上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極30gとを有する。走査線3aは、ゲート電極30gとしても機能する。
半導体層30aは、例えば、リン(P)イオン等のN型の不純物イオンが注入されることにより、N型のTFT30として形成されている。具体的には、半導体層30aは、チャネル領域30cと、データ線側LDD領域30s1と、データ線側ソースドレイン領域30sと、画素電極側LDD領域30d1と、画素電極側ソースドレイン領域30dとを備えている。
チャネル領域30cには、ボロン(B)イオン等のP型の不純物イオンがドープされている。その他の領域(30s1,30s,30d1,30d)には、リン(P)イオン等のN型の不純物イオンがドープされている。このように、TFT30は、N型のTFTとして形成されている。
ゲート電極30g及びゲート絶縁層11g上には、シリコン酸化膜等からなる第1層間絶縁層11bが形成されている。第1層間絶縁層11b上には、容量素子16が設けられている。具体的には、TFT30の画素電極側ソースドレイン領域30d及び画素電極27に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第1容量電極16aと、固定電位側容量電極としての容量線3b(第2容量電極16b)の一部とが、誘電体膜16cを介して対向配置されることにより、容量素子16が形成されている。
誘電体膜16cは、例えば、シリコン窒化膜である。第2容量電極16b(容量線3b)は、例えば、Ti(チタン)、Cr(クロム)、W(タングステン)、Ta(タンタル)、Mo(モリブデン)等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Al(アルミニウム)膜から形成することも可能である。
第1容量電極16aは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子16の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第1容量電極16aは、容量線3bと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第1容量電極16aは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールCNT1,CNT3,CNT4を介して、画素電極27とTFT30の画素電極側ソースドレイン領域30d(ドレイン領域)とを中継接続する機能を有する。
容量素子16上には、第2層間絶縁層11cを介してデータ線6aが形成されている。データ線6aは、ゲート絶縁層11g、第1層間絶縁層11b、誘電体膜16c、及び第2層間絶縁層11cに開孔されたコンタクトホールCNT2を介して、半導体層30aのデータ線側ソースドレイン領域30s(ソース領域)に電気的に接続されている。
データ線6aの上層には、第3層間絶縁層11dを介して画素電極27が形成されている。第3層間絶縁層11dは、例えば、シリコンの酸化物や窒化物からなり、TFT30が設けられた領域を覆うことによって生じる表面の凸部を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理(Chemical Mechanical Polishing:CMP処理)やスピンコート処理などが挙げられる。第3層間絶縁層11dには、コンタクトホールCNT4が形成されている。
画素電極27は、コンタクトホールCNT4,CNT3を介して第1容量電極16aに接続されることにより、半導体層30aの画素電極側ソースドレイン領域30d(ドレイン領域)に電気的に接続されている。なお、画素電極27は、例えば、ITO膜等の透明導電性膜から形成されている。
画素電極27及び隣り合う画素電極27間の第3層間絶縁層11d上には、酸化シリコン(SiO2)などの無機材料を斜方蒸着した配向膜28が設けられている。配向膜28上には、シール材14(図1及び図2参照)により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層15が設けられている。
一方、第2基材20a上(液晶層15側)には、例えば、PSG膜(リンをドーピングしたシリコン酸化膜)などからなる絶縁膜33が設けられている。絶縁膜33上には、その全面に渡って対向電極31が設けられている。対向電極31上には、酸化シリコン(SiO2)などの無機材料を斜方蒸着した配向膜32が設けられている。対向電極31は、上述の画素電極27と同様に、例えばITO膜等の透明導電性膜からなる。
液晶層15は、画素電極27と対向電極31との間で電界が生じていない状態で配向膜28,32によって所定の配向状態をとる。シール材14は、素子基板10及び対向基板20を貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、素子基板10と対向基板20の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。
<塗布装置の構成>
図5は、塗布装置の構成を示す概略斜視図である。以下、塗布装置の構成を、図5を参照しながら説明する。なお、塗布装置を用いて形成する膜として、例えば、上記液晶装置の配向膜を例に説明する。
図5は、塗布装置の構成を示す概略斜視図である。以下、塗布装置の構成を、図5を参照しながら説明する。なお、塗布装置を用いて形成する膜として、例えば、上記液晶装置の配向膜を例に説明する。
図5に示すように、塗布装置40は、基板としての被処理基板51を載置するためのスピンステージ41(ステージ)と、スピンステージ41の周囲に配置された容器としてのスピンカップ42と、スピンステージ41上に処理液52(例えば、配向膜材料)を供給するための配管43と、処理液52を溜めるタンク44と、を備えている。
配管43の材質は、例えば、ステンレスである。配管43のノズル45側には、処理液52の温度を測定するための温度計46が配置されている。また、配管43のタンク44側には、処理液52の温度を調温(調整)するための温度調整機構としての温度コントローラー47が配置されている。なお、塗布装置40には、温度計46によって測定した処理液52の温度を基に、所望の温度にするべく温度コントローラー47を制御するための制御部48が設けられている。
また、制御部48と温度計46とは、ケーブル53を介して電気的に接続されている。これにより、処理液52の温度を常に制御部48にフィードバックすることが可能となっている。
上記のように塗布装置40を構成することにより、配管43に設けられた温度計46によって処理液52の温度を管理し、温度コントローラー47によって処理液52の温度を調温するので、スピンステージ41上の被処理基板51に所定の温度に維持された処理液52を供給することが可能となる。よって、処理液52の塗布条件をコントロールしやすくすることが可能となり、処理液52から処理膜としての配向膜28,32を高品質に製造することができる。
また、スピンステージ41は、被処理基板51を載置すると共に、被処理基板51を吸着して回転することが可能に設けられている。これにより、被処理基板51上に供給された処理液52を、被処理基板51の全体に亘って広げることができる。
スピンカップ42は、スピンステージ41上から溢れた処理液52を貯めたり、回収したりするために用いられる。また、処理液52のミストが外部に出ないようにしている。処理液52は、例えば、ポリイミドである。
このように、処理液52を所望の温度に加温しながら被処理基板51上に供給し、スピンステージ41を回転させることにより、配向膜28,32が硬化する前の状態で配向状態をコントロールすることが可能となり、高品質な配向膜28,32を形成することができる。また、これまで得られなかった膜厚領域に適用させることが可能となり、所望の配向膜28,32を得るために、処理条件をコントロールすることができる。
<液晶装置(配向膜)の製造方法>
図6は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。以下、液晶装置(配向膜)の製造方法を、図6を参照しながら説明する。
図6は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。以下、液晶装置(配向膜)の製造方法を、図6を参照しながら説明する。
最初に、素子基板10側の製造方法を説明する。まず、ステップS11では、石英基板などからなる第1基材10a上にTFT30を形成する。具体的には、まず、第1基材10a上に、アルミニウムなどからなる下側遮光膜3c(図4参照)を成膜する。その後、周知の成膜技術を用いて、シリコン酸化膜などからなる下地絶縁層11aを成膜する。
次に、下地絶縁層11a上に、TFT30を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いて、TFT30を形成する。以降、これらが形成された層を回路層と称して簡略化して説明する。
ステップS12では、画素電極27を形成する。具体的には、TFT30などを含む回路層(図示せず)の上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いて、ITOなどからなる画素電極27を形成する。
ステップS13では、画素電極27を覆うように配向膜28を形成する。配向膜28の製造方法としては、上記した塗布装置40を用いて形成する。
具体的には、図5に示すように、配向膜28を形成するための材料を所定の溶媒に溶解させた配向膜材料(処理液52)をタンク44に入れる。処理液52は、例えば、ポリイミドである。配向膜材料は、固形分のポリイミドをγ―ブチルラクトン、ブチルセルソルブ及びN−メチルピロリドン等の溶剤に溶解させたものである。
そして温度コントローラー47によって処理液52を加温する。処理液52の温度は、例えば、50℃程度になるように加温する。その後、配管43を介して、回転するスピンステージ41上に載置された被処理基板51に、加温された処理液52を供給することにより、処理液52が被処理基板51の全体に濡れ広がる。
次に、図示しない乾燥装置において、被処理基板51に塗布された処理液52(配向膜材料)を乾燥させる。乾燥させる温度は、例えば、60℃〜100℃程度である。
次に、図示しない焼成装置において、処理液52を焼成する。焼成させる温度は、例えば、180℃〜250℃程度である。以上により、素子基板10側が完成する。
このように、配管43に設けられた温度計46の値を基に処理液52の温度を管理し、温度コントローラー47によって処理液52の温度を調温するので、被処理基板51に温度が管理された処理液52を供給することが可能となる。よって、処理液52の塗布条件をコントロールしやすくすることが可能となり、処理液52から処理膜(配向膜28)を高品質に製造することができる。
加えて、処理液52を加温することができるので、処理液52の種類や、処理液52の組成などを可変することが可能となり、均一な膜厚の配向膜28を形成することができる。
次に、対向基板20側の製造方法を説明する。まず、ステップS21では、ガラス基板等の透光性材料からなる第2基材20a上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、対向電極31を形成する。
ステップS22では、対向電極31上に配向膜32を形成する。具体的には、配向膜28と同様に、塗布装置40を用いて形成する。
以上により、対向基板20側が完成する。次に、素子基板10と対向基板20とを貼り合わせる方法を説明する。
ステップS31では、素子基板10上にシール材14を塗布する。具体的には、例えば、素子基板10とディスペンサー(吐出装置でも可能)との相対的な位置関係を変化させて、素子基板10における表示領域Eの周縁部に(表示領域Eを囲むように)シール材14を塗布する。
シール材14としては、例えば、紫外線硬化型エポキシ樹脂が挙げられる。なお、紫外線などの光硬化型樹脂に限定されず、熱硬化型樹脂などを用いるようにしてもよい。また、シール材14には、例えば、素子基板10と対向基板20との間隔(ギャップ或いはセルギャップ)を所定値とするためのスペーサー等のギャップ材が含まれている。
ステップS32では、シール材14で囲まれた中に液晶を滴下する。詳しくは、シール材14で囲まれた領域に液晶を滴下する(ODF(One Drop Fill)方式)。滴下する方法としては、例えば、インクジェットヘッドなどを用いることができる。また、液晶は、シール材14によって囲まれた領域(表示領域E)の中央部に滴下することが望ましい。
ステップS33では、素子基板10と対向基板20とを貼り合わせる。具体的には、素子基板10に塗布されたシール材14を介して素子基板10と対向基板20とを貼り合わせる。より具体的には、互いの基板10,20の平面的な縦方向や横方向の位置精度を確保しながら行う。以上により、液晶装置100が完成する。
<電子機器の構成>
次に、上記液晶装置を備えた投射型表示装置について、図7を参照しながら説明する。図7は、投射型表示装置の構成を示す概略図である。
次に、上記液晶装置を備えた投射型表示装置について、図7を参照しながら説明する。図7は、投射型表示装置の構成を示す概略図である。
図7に示すように、本実施形態の投射型表示装置1000は、システム光軸Lに沿って配置された偏光照明装置1100と、光分離素子としての2つのダイクロイックミラー1104,1105と、3つの反射ミラー1106,1107,1108と、5つのリレーレンズ1201,1202,1203,1204,1205と、3つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ1210,1220,1230と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム1206と、投射レンズ1207とを備えている。
偏光照明装置1100は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット1101と、インテグレーターレンズ1102と、偏光変換素子1103とから概略構成されている。
ダイクロイックミラー1104は、偏光照明装置1100から射出された偏光光束のうち、赤色光(R)を反射させ、緑色光(G)と青色光(B)とを透過させる。もう1つのダイクロイックミラー1105は、ダイクロイックミラー1104を透過した緑色光(G)を反射させ、青色光(B)を透過させる。
ダイクロイックミラー1104で反射した赤色光(R)は、反射ミラー1106で反射した後にリレーレンズ1205を経由して液晶ライトバルブ1210に入射する。ダイクロイックミラー1105で反射した緑色光(G)は、リレーレンズ1204を経由して液晶ライトバルブ1220に入射する。ダイクロイックミラー1105を透過した青色光(B)は、3つのリレーレンズ1201,1202,1203と2つの反射ミラー1107,1108とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ1230に入射する。
液晶ライトバルブ1210,1220,1230は、クロスダイクロイックプリズム1206の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ1210,1220,1230に入射した色光は、映像情報(映像信号)に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム1206に向けて射出される。
このプリズムは、4つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ1207によってスクリーン1300上に投射され、画像が拡大されて表示される。
液晶ライトバルブ1210は、上述した液晶装置100が適用されたものである。液晶装置100は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ1220,1230も同様である。
このような投射型表示装置1000には、液晶ライトバルブ1210,1220,1230を用いているので、高い信頼性を得ることができる。
なお、液晶装置100が搭載される電子機器としては、投射型表示装置1000の他、ヘッドアップディスプレイ(HUD)、ヘッドマウントディスプレイ(HMD)、スマートフォン、EVF(Electrical View Finder)、モバイルミニプロジェクター、電子ブック、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。
以上詳述したように、第1実施形態の塗布装置40によれば、以下に示す効果が得られる。
(1)第1実施形態の塗布装置40によれば、配管43に設けられた温度計46によって処理液52の温度を管理し、温度コントローラー47によって処理液52の温度を調温(加温)するので、被処理基板51に温度が管理された処理液52を供給することが可能となる。よって、処理液52の塗布条件をコントロールしやすくする(塗布条件のパラメーターを増やす)ことが可能となり、処理液52から処理膜(配向膜28,32)を高品質に製造することができる。また、処理液52を加温するので、配向膜28,32の製造方法を拡大することが可能となり、配向膜28,32の特性を生かした処理条件(粘度や膜厚など)をコントロールしやすくすることができる。よって、配向膜28,32の品質を高めることが可能となり、光学特性を向上させることができる。加えて、歩留りを向上させることができる。
(第2実施形態)
<塗布装置の構成>
図8は、第2実施形態の塗布装置の構成を示す概略斜視図である。以下、塗布装置の構成について、図8を参照しながら説明する。
<塗布装置の構成>
図8は、第2実施形態の塗布装置の構成を示す概略斜視図である。以下、塗布装置の構成について、図8を参照しながら説明する。
第2実施形態の塗布装置140は、上述の第1実施形態の塗布装置40に加えて、更に筐体61を含み、筐体61の中にスピンステージ41や配管43などが配置されている部分、及び温度コントローラー62,63などが配置されている部分が異なり、その他の部分については概ね同様である。このため第2実施形態では、第1実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
図8に示すように、塗布装置140は、スピンステージ41、スピンカップ42、配管43、タンク44などを収容する筐体61を含んで構成されている。
第2実施形態の塗布装置140は、スピンステージ41と、スピンステージ41の温度を調温する温度コントローラー62とが、ケーブル65を介して備えられている。また、スピンステージ41には、スピンステージ41の温度を測定する温度計64が備えられている。温度計64は、ケーブル67を介して温度コントローラーに設けられた制御部66と接続されている。制御部66は、温度計64の値を基に温度コントローラー62を制御する。
また、筐体61内の雰囲気の温度を調温するための温度コントローラー63が備えられていることが好ましい。そして、筐体61内の雰囲気の温度を測定する温度計の温度を基に温度コントローラー63を制御することが好ましい。また、ここで測定した値を基に、スピンステージ41の温度コントローラー62を制御するようにしてもよい。
以上詳述したように、第2実施形態の塗布装置140によれば、以下に示す効果が得られる。
(2)第2実施形態の塗布装置140によれば、筐体61の中に被処理基板51、スピンステージ41、タンク44、及び配管43などを配置するので、被処理基板51や処理液52などの温度を安定して維持させることが可能となる。また、温度コントローラー62,63によって、スピンステージ41や筐体61内の温度を調温するので、被処理基板51に温度が管理された処理液52を供給することが可能となる。よって、処理液52の塗布条件をコントロールしやすくすることが可能となり、処理液52から処理膜(配向膜28,32)を高品質に製造することができる。加えて、処理液52が加温されるので、処理液52の種類や、処理液52の組成、筐体61内の環境(温度、湿度、及び気圧)を可変することが可能となり、均一な膜厚の配向膜28,32を形成することができる。
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
(変形例1)
上記したように、第1実施形態の塗布装置40は、配管43に温度コントローラー47が備えられているだけに限定されず、例えば、スピンステージ41に温度コントローラー62が備えられていてもよい。また、第2実施形態の塗布装置140は、スピンステージ41や筐体61に温度コントローラー62,63が備えられていることに限定されず、例えば、配管43に温度コントローラー47が備えられていてもよい。これによれば、それぞれの温度変化が少ないので、例えば、配向膜28,32がムラになることを抑えることができる。
上記したように、第1実施形態の塗布装置40は、配管43に温度コントローラー47が備えられているだけに限定されず、例えば、スピンステージ41に温度コントローラー62が備えられていてもよい。また、第2実施形態の塗布装置140は、スピンステージ41や筐体61に温度コントローラー62,63が備えられていることに限定されず、例えば、配管43に温度コントローラー47が備えられていてもよい。これによれば、それぞれの温度変化が少ないので、例えば、配向膜28,32がムラになることを抑えることができる。
(変形例2)
上記したように、第2実施形態の塗布装置140は、スピンステージ41や筐体61に温度計が備えられていることに限定されず、例えば、配管43に温度計が備えられていてもよい。
上記したように、第2実施形態の塗布装置140は、スピンステージ41や筐体61に温度計が備えられていることに限定されず、例えば、配管43に温度計が備えられていてもよい。
(変形例3)
上記したように、第1実施形態のタンク44と温度コントローラー47とは、配管43を介して離れて配置されていることに限定されず、タンク44と温度コントローラー47とが一体となって配置されていてもよい。
上記したように、第1実施形態のタンク44と温度コントローラー47とは、配管43を介して離れて配置されていることに限定されず、タンク44と温度コントローラー47とが一体となって配置されていてもよい。
(変形例4)
上記したように、塗布装置40,140は、液晶装置100の配向膜28,32を形成する場合に用いることに限定されず、例えば、レジスト、カラーフィルター、オーバーコート、有機EL、半導体素子等の形成工程において用いるようにしてもよい。つまり、膜厚をある程度コントロールする膜に有効であり、ポリイミドなどの材料の形成に限定されない。
上記したように、塗布装置40,140は、液晶装置100の配向膜28,32を形成する場合に用いることに限定されず、例えば、レジスト、カラーフィルター、オーバーコート、有機EL、半導体素子等の形成工程において用いるようにしてもよい。つまり、膜厚をある程度コントロールする膜に有効であり、ポリイミドなどの材料の形成に限定されない。
CNT1〜CNT4…コンタクトホール、3a…走査線、3b…容量線、3c…下側遮光膜、6a…データ線、10…素子基板、10a…第1基材、11a…下地絶縁層、11b…第1層間絶縁層、11c…第2層間絶縁層、11d…第3層間絶縁層、11g…ゲート絶縁層、14…シール材、15…液晶層、16…容量素子、16a…第1容量電極、16b…第2容量電極、16c…誘電体膜、18…遮光膜、20…対向基板、20a…第2基材、22…データ線駆動回路、24…走査線駆動回路、25…検査回路、26…上下導通部、27…画素電極、28,32…配向膜、29…配線、30…TFT、30a…半導体層、30c…チャネル領域、30d…画素電極側ソースドレイン領域、30d1…画素電極側LDD領域、30g…ゲート電極、30s…データ線側ソースドレイン領域、30s1…データ線側LDD領域、31…対向電極、33…絶縁膜、35…外部接続用端子、40,140…塗布装置、41…ステージとしてのスピンステージ、42…スピンカップ、43…配管、44…タンク、45…ノズル、46,64…温度計、47,62,63…温度調整機構としての温度コントローラー、48,66…制御部、51…基板としての被処理基板、52…処理液、53,65,67…ケーブル、61…筐体、100…液晶装置、1000…投射型表示装置、1100…偏光照明装置、1101…ランプユニット、1102…インテグレーターレンズ、1103…偏光変換素子、1104,1105…ダイクロイックミラー、1106,1107,1108…反射ミラー、1201,1202,1203,1204,1205…リレーレンズ、1206…クロスダイクロイックプリズム、1207…投射レンズ、1210,1220,1230…液晶ライトバルブ、1300…スクリーン。
Claims (5)
- タンクと、
前記タンクから処理液をステージ上の基板に供給する配管と、
前記配管に備えられた温度計と、
を有し、
前記タンクは、前記処理液の温度を調整する温度調整機構を有することを特徴とする塗布装置。 - 筐体と、
前記筐体の中に配置された、タンクと、前記タンクから処理液をステージ上の基板に供給する配管と、
を備え、
前記ステージ及び前記筐体に、それぞれ温度調整機構が設けられていることを特徴とする塗布装置。 - 請求項2に記載の塗布装置であって、
前記筐体の中に温度計が配置されていることを特徴とする塗布装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の塗布装置であって、
前記ステージを囲むように配置された容器を備え、
前記ステージは、回転することを特徴とする塗布装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の塗布装置であって、
前記処理液は、配向膜を形成する材料であることを特徴とする塗布装置。
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JP2014077582A JP2015199000A (ja) | 2014-04-04 | 2014-04-04 | 塗布装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210021574A (ko) | 2018-06-26 | 2021-02-26 | 니폰 가가쿠 고교 가부시키가이샤 | 부열팽창재, 그의 제조 방법 및 복합 재료 |
-
2014
- 2014-04-04 JP JP2014077582A patent/JP2015199000A/ja active Pending
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KR20210021574A (ko) | 2018-06-26 | 2021-02-26 | 니폰 가가쿠 고교 가부시키가이샤 | 부열팽창재, 그의 제조 방법 및 복합 재료 |
US11384024B2 (en) | 2018-06-26 | 2022-07-12 | Nippon Chemical Industrial Co., Ltd. | Negative thermal expansion material, manufacturing method and composite material thereof |
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