JP2015197482A - 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の製造方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、感活性光線性又は感放射線性膜を備えたマスクブランクス、フォトマスク、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス - Google Patents
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の製造方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、感活性光線性又は感放射線性膜を備えたマスクブランクス、フォトマスク、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス Download PDFInfo
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Abstract
Description
[1] (A)樹脂、(B)酸発生剤、(C)有機酸、及び(D)溶剤を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の製造方法であって、下記工程(i)、(ii)及び(iii)から選ばれるいずれかの工程を含み、且つ、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の(C)有機酸の含有率が、該組成物中の全固形分を基準として5質量%より大きいことを特徴とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の製造方法。
(ii) (B)酸発生剤を含有し、且つ、(A)樹脂を実質的に含有しない溶液に、(C)有機酸を溶解させる工程、及び
(iii) (A)樹脂を含有し、且つ、(B)酸発生剤を実質的に含有しない溶液に、(C)有機酸を溶解させる工程。
[3] (C)有機酸が有機カルボン酸である、[1]又は[2]に記載の製造方法。
[4] (C)有機酸が芳香族有機カルボン酸である、[3]に記載の製造方法。
[6] (A)樹脂が、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位を含む樹脂である[1]〜[5]のいずれか1項に記載の製造方法。
[8] 上記有機アニオンが、芳香族スルホン酸アニオンである[7]に記載の製造方法。
[10] 上記塩基性化合物がアンモニウム塩である、[9]に記載の製造方法。
[11] 上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の固形分濃度が、10質量%以下である[1]〜[10]のいずれか1項に記載の製造方法。
[13] [12]に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物から製造された感活性光線性又は感放射線性膜。
[14] 膜厚が200nm以下である[13]に記載の感活性光線性又は感放射線性膜。
[16] [15]に記載のマスクブランクスが備える感活性光線性又は感放射線性膜を露光すること、露光した感活性光線性又は感放射線性膜を現像することを含む方法により製造されたフォトマスク。
[18] 露光が電子線又はEUV光による露光である[17]に記載のパターン形成方法。
[24] [23]に記載の電子デバイスの製造方法によって製造された電子デバイス。
また、本発明により、経時安定性に優れ、且つ、解像性にも優れる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いた感活性光線性又は感放射線性膜、感活性光線性又は感放射線性膜を備えたマスクブランクス、フォトマスク及びパターン形成方法、並びに、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供することが可能となった。
以下、本発明について詳細に説明する。
(i) (A)樹脂及び(B)酸発生剤を実質的に含有しない溶液に、(C)有機酸を溶解させる工程、
(ii) (B)酸発生剤を含有し、且つ、(A)樹脂を実質的に含有しない溶液に、(C)有機酸を溶解させる工程、及び
(iii) (A)樹脂を含有し、且つ、(B)酸発生剤を実質的に含有しない溶液に、(C)有機酸を溶解させる工程
から選ばれるいずれかの工程を含み、且つ、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の(C)有機酸の含有率が、該組成物中の全固形分に対し5質量%より大きいことを特徴とする製造方法である。
本発明の製造方法において添加される有機酸の量は、経時安定性の観点から多い方が好ましく、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物(以下、「本発明の組成物」ともいう)中における有機酸の含有率が、全固形分に対し5質量%超となるよう添加される。本発明の一形態において、本発明の組成物における有機酸の含有率は、組成物中の全固形分を基準として5質量%より多く15質量%未満あることがより好ましく、5質量%より多く10質量%未満であることが更に好ましい。
本発明の(A)樹脂は、酸の作用によって分解し極性が増大する基(以下、「酸分解性基」とも言う。)を有する繰り返し単位を含むことが好ましい。酸の作用によって分解し極性が増大する基を有する繰り返し単位としては、酸の作用により分解しアルカリ可溶性基を生じる基を有する繰り返し単位が好ましい(以下、この場合の樹脂(A)を、「酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂」、又は「酸分解性樹脂」と称することがある)。
nは、1〜4の整数を表し、1〜2が好ましく、1がより好ましい。
Mは、単結合又は2価の連結基を表す。
Qは、アルキル基、シクロアルキル基、環状脂肪族基、芳香環基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、シアノ基又はアルデヒド基を表す。なお、これら環状脂肪族基及び芳香環基は、ヘテロ原子を含んでいてもよい。
なお、Q、M、L1の少なくとも2つが互いに結合して、5員又は6員環を形成していてもよい。
Xa1は、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
Tは、単結合又は2価の連結基を表す。
Rx1〜Rx3は、各々独立に、直鎖若しくは分岐のアルキル基、又は、単環若しくは多環のシクロアルキル基が挙げられる。なお、Rx1〜Rx3の2つが互いに結合して、単環又は多環のシクロアルキル基を形成していてもよい。
B1は、単結合又は2価の連結基を表す。
Arは、芳香族環を表す。
m1は、1以上の整数を表す。
R11は、水素原子又はメチル基であることが好ましく、水素原子であることが現像性の理由から好ましい。
Arは、芳香族環を表す。
R3は、水素原子又はメチル基を表し、水素原子であることが現像性の理由から好ましい。
以下、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位の例を記載するが、これに限定されるものではない。
Xは非酸分解性の多環脂環炭化水素構造を有する基を表す。
Ar1は芳香族環を表す。
一般式(3)のAr1の芳香族環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環、フェナントレン環などの炭素数6〜18の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環、又は、例えば、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾピロール環、トリアジン環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、トリアゾール環、チアジアゾール環、チアゾール環等のヘテロ環を含む芳香環ヘテロ環を挙げることができる。中でも、ベンゼン環、ナフタレン環が解像性の観点で好ましく、ベンゼン環が最も好ましい。
一般式(4)で表される繰り返し単位を有する樹脂(A)を使用すると、樹脂(A)のTgが高くなり、非常に硬い感活性光線性又は感放射線性膜を形成するため、酸の拡散性やドライエッチング耐性をより確実に制御できる。
Yは単結合又は2価の連結基を表す。
X2は非酸分解性の多環脂環炭化水素基を表す。
一般式(4)におけるR13は水素原子又はメチル基を表すが、水素原子が特に好ましい。
一般式(4)において、Yは2価の連結基であることが好ましい。Yの2価連結基として好ましい基は、カルボニル基、チオカルボニル基、アルキレン基(好ましくは炭素数1〜10、より好ましくは炭素数1〜5)、スルホニル基、−COCH2−、−NH−又はこれらを組合せた2価の連結基(好ましくは総炭素数1〜20、より好ましくは総炭素数1〜10)であり、より好ましくはカルボニル基、−COCH2−、スルホニル基、−CONH−、−CSNH−であり、更に好ましくはカルボニル基、−COCH2−であり、特に好ましくはカルボニル基である。
一般式(4’)におけるR13は水素原子又はメチル基を表すが、水素原子が特に好ましい。
一般式(4’)におけるアダマンチルエステル基の置換位置はベンゼン環のポリマー主鎖との結合位置に対して、パラ位でもメタ位でもオルト位でもよいが、パラ位が好ましい。
一般式(3)で示される繰り返し単位の具体例としては、以下のものが挙げられる。
本発明の組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(以下、「酸発生剤」又は「化合物(B)」と略称する)を含有する。
酸発生剤の好ましい形態として、オニウム化合物を挙げることができる。そのようなオニウム化合物としては、例えば、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、ホスホニウム塩などを挙げることができる。
本発明における好ましいオニウム化合物として、下記一般式(7)で表されるスルホニウム化合物、若しくは一般式(8)で表されるヨードニウム化合物を挙げることができる。これら化合物は、そのカチオン部に少なくとも1つの電子求引性基を有することが、微細パターンにおける感度、解像力、パターン形状及びLER改善の観点から好ましい。その理由は完全には明らかではないが、以下のことが考えられる。(i)カチオンに電子吸引性基を有しない化合物と感光性成分との相互作用よりも、カチオンに電子吸引性基を有する化合物と感光性成分との相互作用の方が小さく、レジスト膜の現像液に対する溶解性を向上させる傾向となる。これにより、レジスト膜の底部との比較においては、化学増幅反応の反応率が低いレジスト膜の中央部や表層部においても、現像液に対する溶解速度が上昇し、レジスト膜の膜厚方向における現像液に対する溶解速度差が低減し、パターンの断面形状が良化される。上記のように、パターンの断面形状が良化することにより、解像力の向上、及びLERの低下にも貢献するものと考えられる。(ii)本発明における酸発生剤は、カチオンが電子吸引性の高い官能基を有することにより、特に電子線又は極紫外線を用いた露光において、酸発生剤分子内の電子移動が進行しやすくなり、その結果、感度向上の効果も与えると考えられる。
Ra1、Ra2、Ra3、Ra4及びRa5は、各々独立に、有機基を表す。
上記一般式(7)のRa1〜Ra3、並びに、上記一般式(8)のRa4及びRa5は、各々独立に有機基を表すが、好ましくはRa1〜Ra3の少なくとも1つ、並びに、Ra4及びRa5の少なくとも1つがそれぞれアリール基である。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。
酸発生剤におけるトリアリールスルホニウムカチオンのアリール基を構成するベンゼン環の各々が、それぞれ一個以上の電子求引性基に直接的に結合していることが特に好ましい。
Ra1及びRa2は各々独立に、置換基を表す。
n1及びn2は各々独立して0〜5の整数を表す。
n3は、1〜5の整数を表す。
Ra3は、フッ素原子又は1個以上のフッ素原子を有する基を表す。
Ra1及びRa2は互いに連結して環を形成していてもよい。
X−は、有機アニオンを表す。
以下、一般式(I)で表されるスルホニウム化合物を更に詳述する。
シクロアルキルオキシ基としては、例えば、シクロペンチルオキシ基及びシクロヘキシルオキシ基等の炭素数3〜20のものが挙げられる。
Arは、アリール基を表し、スルホン酸アニオン及び−(D−B)基以外の置換基を更に有していてもよい。
Xfは、各々独立に、フッ素原子、又は少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。
R1及びR2は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又は、アルキル基を表し、複数存在する場合のR1及びR2の各々は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
Lは、2価の連結基を表し、複数存在する場合のLは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
式(SA2)中、Xfは、フッ素原子であるか、又は、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基である。このアルキル基としては、炭素数が1〜10のものが好ましく、炭素数が1〜4のものがより好ましい。また、フッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。
本発明の組成物に使用される溶剤としては、例えば、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、2−ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME、別名1−メトキシ−2−プロパノール)、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA、別名1−メトキシ−2−アセトキシプロパン)、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、β−メトキシイソ酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸プロピル、メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、酢酸イソアミル、乳酸エチル、トルエン、キシレン、酢酸シクロヘキシル、ジアセトンアルコール、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネートなどが好ましい。これらの溶剤は単独若しくは組合せて用いられる。
<塩基性化合物>
本発明の組成物には、前記成分の他に、塩基性化合物を酸補足剤として含有することが好ましい。塩基性化合物を用いることにより、露光から後加熱までの経時による性能変化を小さくすることできる。このような塩基性化合物としては、有機塩基性化合物であることが好ましく、より具体的には、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシル基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド誘導体、イミド誘導体等が挙げられる。アミンオキサイド化合物(メチレンオキシ単位及び/又はエチレンオキシ単位を有するものが好ましく、例えば特開2008−102383に記載の化合物が挙げられる。)、アンモニウム塩(好ましくはヒドロキシド又はカルボキシレートである。より具体的にはテトラブチルアンモニウムヒドロキシドに代表されるテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドがLERの観点で好ましい。)も適宜用いられる。
本発明の組成物は、酸架橋性化合物(「架橋剤」ともいう)を含有してもよい。本発明の組成物をネガ型の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物として用いる場合、酸架橋性化合物として、ヒドロキシメチル基又はアルコキシメチル基を分子内に2個以上有する化合物(以下、適宜、酸架橋剤又は単に架橋剤と称する)を含有することが好ましい。
R2、R3及びZは、前述した一般式(M)において定義する通りである。
Lは、2価の連結基もしくは単結合を表す。
Yは、メチロール基を除く置換基を表す。
mは、0〜4の整数を表す。
nは、1〜5の整数を表す。
m+nは5以下である。
mが2以上である場合、複数のYは互いに同一であっても異なっていてもよい。
nが2以上である場合、複数のR2、R3及びZは互いに同一であっても異なっていてもよい。
また、Y、R2、R3及びZの2つ以上が互いに結合して環構造を形成していてもよい。
本発明の組成物は、更に、塗布性を向上させるため界面活性剤を含有してもよい。界面活性剤の例としては、特に限定されるものではないが、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルなどのノニオン系界面活性剤、メガファックF171、F176(大日本インキ化学工業製)やフロラードFC430(住友スリーエム製)やサーフィノールE1004(旭硝子製)、OMNOVA社製のPF656及びPF6320、等のフッ素系界面活性剤、ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)等のオルガノシロキサンポリマーが挙げられる。
本発明の組成物は、カルボン酸オニウム塩を含有してもよい。カルボン酸オニウム塩としては、カルボン酸スルホニウム塩、カルボン酸ヨードニウム塩、カルボン酸アンモニウム塩などを挙げることができる。特に、カルボン酸オニウム塩としては、カルボン酸ヨードニウム塩、カルボン酸スルホニウム塩が好ましい。更に、本発明においては、カルボン酸オニウム塩のカルボキシレート残基が芳香族基、炭素−炭素2重結合を含有しないことが好ましい。特に好ましいアニオン部としては、炭素数1〜30の直鎖、分岐、単環若しくは多環環状アルキルカルボン酸アニオンが好ましい。更に好ましくはこれらのアルキル基の一部又は全てがフッ素置換されたカルボン酸のアニオンが好ましい。またアルキル鎖中に酸素原子を含んでいても良い。これにより220nm以下の光に対する透明性が確保され、感度、解像力が向上し、疎密依存性、露光マージンが改良される。
本発明の化学増幅型レジスト組成物は、更に、酸の作用により分解して酸を発生する化合物を1種又は2種以上含んでいてもよい。上記酸の作用により分解して酸を発生する化合物が発生する酸は、スルホン酸、メチド酸又はイミド酸であることが好ましい。
現像方法としては、たとえば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法(パドル法)、基板表面に現像液を噴霧する方法(スプレー法)、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法(ダイナミックディスペンス法)などを適用することができる。
<合成例1:化合物(B−1)の合成>
下記化合物(A0)を、Synthesis,2004,10,1648−1654の記載に従って合成した。
更に、下記化合物(B0)を、Bulletin of the Chemical Society of Japan,Vol.66(1993),No.9 p.2590−2602の記載に従って合成した。
化合物(A0)10gをメタノール30mlに溶解し、化合物(B0)7.7gを加えて、室温下、1時間撹拌した。その後、酢酸エチルを100ml、蒸留水を100ml加え、有機層を抽出し、0.1N−NaOH水溶液100mlで洗浄後、0.1N−HCl水溶液100mlで洗浄し、蒸留水100mlで3回洗浄した。その後、有機溶媒を減圧留去し、析出した結晶を濾取し、真空ポンプで乾燥後、後掲に示す化合物(B−1)を12.2g得た。
化合物(B−1)の合成と同様にして、スルホニウムブロマイドとスルホン酸ナトリウムを塩交換することで後掲に示す化合物(B−2)を合成した。以下に化合物(B−2)の1H−NMRのケミカルシフトを示す。
以下に、化合物(B−1)、(B−2)及び(B−3)の構造とその発生酸のpKa値、並びに、これら化合物から発生するスルホン酸の体積を示す。ここで、pKa値は、ソフトウェアパッケージ:Advanced Chemistry Development (ACD/Labs) Software V8.14 for Solaris (1994-2007 ACD/Labs)を用いて上述の方法により計算した値であり、体積は、富士通株式会社製の「WinMOPAC」を用いて上述の方法により計算した値である。
[樹脂]
樹脂として、下記に示す樹脂(A−1)及び(A−2)を使用した。組成比(モル比)、重量平均分子量(Mw)、分散度(重量平均分子量(Mw)/数平均分子量(Mn))、及び、pKa値と共に示す。
ここで、重量平均分子量Mw(ポリスチレン換算)、数平均分子量Mn(ポリスチレン換算)及び分散度Mw/Mn(PDI)は、GPC(溶媒:THF)測定により算出した。また、組成比(モル比)は1H−NMR測定により算出した。また、pKa値は、樹脂を構成するモノマーユニットについて、ソフトウェアパッケージ:Advanced Chemistry Development (ACD/Labs) Software V8.14 for Solaris (1994-2007 ACD/Labs)を用いて上述の方法により計算した値である。
有機酸として、下記に示す芳香族有機カルボン酸を使用した。ここでpKa値は、ソフトウェアパッケージ:Advanced Chemistry Development (ACD/Labs) Software V8.14 for Solaris (1994-2007 ACD/Labs)を用いて上述の方法により計算した値である。
C−2:2−ナフトエ酸(pKa:4.20)
C−3:安息香酸(pKa:4.20)
〔塩基性化合物〕
F−1:テトラブチルアンモニウムヒドロキシド
F−2:トリ(n−オクチル)アミン
〔溶剤〕
S−1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(1−メトキシ−2−アセトキシプロパン)
S−2:プロピレングリコールモノメチルエーテル(1−メトキシ−2−プロパノール)
S−3:2−ヘプタノン
S−4:乳酸エチル
S−5:シクロヘキサノン
S−6:γ−ブチロラクトン
S−7:プロピレンカーボネート
(1)支持体の準備
酸化Cr蒸着した6インチウェハー(通常のフォトマスクブランクスに使用する遮蔽膜処理を施した物)を準備した。
後掲の表1に示す各成分を、後掲の添加法(a)〜(e)のいずれかの順序で溶剤に添加して固形分濃度2質量%の溶液を調製し、これを0.04μmのポアサイズを有するポリテトラフルオロエチレンフィルターで精密濾過してレジスト溶液を得た。
上記6インチウェハー上に東京エレクトロン製スピンコーターMark8を用いてレジスト溶液を塗布し、110℃、90秒間ホットプレート上で乾燥して、膜厚50nmのレジスト膜を得た。すなわち、レジスト塗布マスクブランクスを得た。
このレジスト膜に、電子線描画装置((株)エリオニクス社製;ELS−7500、加速電圧50KeV)を用いて、パターン照射を行った。照射後に、120℃、90秒ホットプレート上で加熱し、2.38質量%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液を用いて60秒間浸漬した後、30秒間、水でリンスして乾燥した。
得られたパターンを下記の方法で、経時安定性及び解像性について評価した。評価結果を表1に示す。
得られたパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−4300)を用いて観察した。線幅50nmの1:1ラインアンドスペースのレジストパターンを解像するときの露光量(電子線照射量)を感度とした。この値が小さいほど、感度が高い。
A:最小の線幅≦40nm
B:40nm<最小の線幅<50nm
C:50nm≦最小の線幅
〔経時安定性〕
調製直後のレジスト液を用いて形成した線幅100nmのラインアンドスペース(1:1)を解像した露光量を初期条件とした。密閉容器に保管したレジスト液を50℃環境下で10日保管した後に、そのレジストを用いて初期条件でラインアンドスペースを解像した。その時にライン線幅の100nmからのズレ量を下記基準に従い判定した。
(a)溶剤→塩基性化合物→有機酸→樹脂→酸発生剤
(b)溶剤→塩基性化合物→光酸発生剤→有機酸→樹脂
(c)溶剤→塩基性化合物→樹脂→有機酸→光酸発生剤
(d)溶剤→塩基性化合物→樹脂→光酸発生剤→有機酸
(e)溶剤→塩基性化合物→樹脂→光酸発生剤
*表中の「質量%」は、全固形分の合計質量に対する各成分の割合を意味する。
Claims (24)
- (A)樹脂、(B)酸発生剤、(C)有機酸、及び(D)溶剤を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の製造方法であって、下記工程(i)、(ii)及び(iii)から選ばれるいずれかの工程を含み、且つ、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の(C)有機酸の含有率が、該組成物中の全固形分を基準として5質量%より大きいことを特徴とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の製造方法。
(i) (A)樹脂及び(B)酸発生剤を実質的に含有しない溶液に、(C)有機酸を溶解させる工程、
(ii) (B)酸発生剤を含有し、且つ、(A)樹脂を実質的に含有しない溶液に、(C)有機酸を溶解させる工程、及び
(iii) (A)樹脂を含有し、且つ、(B)酸発生剤を実質的に含有しない溶液に、(C)有機酸を溶解させる工程。 - (C)有機酸のpKaは、(A)樹脂のpKaより低く、且つ、(B)酸発生剤から発生する酸のpKaより高い請求項1に記載の製造方法。
- (C)有機酸が、有機カルボン酸である請求項1又は2に記載の製造方法。
- (C)有機酸が、芳香族有機カルボン酸である請求項3に記載の製造方法。
- (A)樹脂が、酸の作用によって分解し極性が増大する基を有する繰り返し単位を含む樹脂である請求項1〜4のいずれか1項に記載の製造方法。
- (A)樹脂が、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位を含む樹脂である請求項1〜5のいずれか1項に記載の製造方法。
- (B)酸発生剤が、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンから選択されるカチオンと有機アニオンからなるイオン性化合物であり、前記カチオンは電子求引性基を少なくとも一つ有するカチオンである請求項1〜6のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記有機アニオンが、芳香族スルホン酸アニオンである請求項7に記載の製造方法。
- 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、更に、塩基性化合物を含有する請求項1〜8のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記塩基性化合物が、アンモニウム塩である請求項9に記載の製造方法。
- 前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の固形分濃度が、10質量%以下である請求項1〜10のいずれか1項に記載の製造方法。
- 請求項1〜11のいずれか1項に記載の製造方法によって製造された感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
- 請求項12に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物から製造された感活性光線性又は感放射線性膜。
- 膜厚が200nm以下である請求項13に記載の感活性光線性又は感放射線性膜。
- 請求項13又は14に記載の感活性光線性又は感放射線性膜を備えたマスクブランクス。
- 請求項15に記載のマスクブランクスが備える感活性光線性又は感放射線性膜を露光すること、露光した感活性光線性又は感放射線性膜を現像することを含む方法により製造されたフォトマスク。
- 請求項13又は14に記載の感活性光線性又は感放射線性膜を露光する工程、及び露光された前記膜を現像する工程を含むパターン形成方法。
- 露光が電子線又はEUV光による露光である請求項17に記載のパターン形成方法。
- (A)樹脂、(B)酸発生剤及び(C)有機酸を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、(C)有機酸の含有率が該感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の全固形分を基準として5質量%より大きいことを特徴とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
- (C)有機酸のpKaは、(A)樹脂のpKaより低く、且つ、(B)酸発生剤から発生する酸のpKaより高いことを特徴とする請求項19に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
- (A)樹脂がフェノール性水酸基を有する繰り返し単位を含む樹脂であり、(B)酸発生剤が、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンから選択されるカチオンと有機アニオンからなるイオン性化合物であって、前記カチオンは電子求引性基を少なくとも一つ有するイオン性化合物である請求項19又は20に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
- (B)酸発生剤が、活性光線又は放射線の照射により体積240Å3以上の酸を発生する化合物である請求項19〜21のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
- 請求項17又は18に記載のパターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法。
- 請求項23に記載の電子デバイスの製造方法によって製造された電子デバイス。
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