JP2015195272A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置及び半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2015195272A
JP2015195272A JP2014072410A JP2014072410A JP2015195272A JP 2015195272 A JP2015195272 A JP 2015195272A JP 2014072410 A JP2014072410 A JP 2014072410A JP 2014072410 A JP2014072410 A JP 2014072410A JP 2015195272 A JP2015195272 A JP 2015195272A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
wiring
semiconductor device
groove
product
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014072410A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015195272A5 (ja
Inventor
朋治 藤井
Tomoharu Fujii
朋治 藤井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinko Electric Industries Co Ltd filed Critical Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority to JP2014072410A priority Critical patent/JP2015195272A/ja
Priority to US14/672,611 priority patent/US9977074B2/en
Priority to EP15162016.8A priority patent/EP2927702A1/en
Publication of JP2015195272A publication Critical patent/JP2015195272A/ja
Publication of JP2015195272A5 publication Critical patent/JP2015195272A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2801Testing of printed circuits, backplanes, motherboards, hybrid circuits or carriers for multichip packages [MCP]
    • G01R31/2818Testing of printed circuits, backplanes, motherboards, hybrid circuits or carriers for multichip packages [MCP] using test structures on, or modifications of, the card under test, made for the purpose of testing, e.g. additional components or connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0266Marks, test patterns or identification means
    • H05K1/0268Marks, test patterns or identification means for electrical inspection or testing
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0044Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
    • H05K3/0052Depaneling, i.e. dividing a panel into circuit boards; Working of the edges of circuit boards
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1517Multilayer substrate
    • H01L2924/15192Resurf arrangement of the internal vias
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09009Substrate related
    • H05K2201/09036Recesses or grooves in insulating substrate
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09009Substrate related
    • H05K2201/09127PCB or component having an integral separable or breakable part
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09818Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/0989Coating free areas, e.g. areas other than pads or lands free of solder resist
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09818Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09972Partitioned, e.g. portions of a PCB dedicated to different functions; Boundary lines therefore; Portions of a PCB being processed separately or differently
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/17Post-manufacturing processes
    • H05K2203/175Configurations of connections suitable for easy deletion, e.g. modifiable circuits or temporary conductors for electroplating; Processes for deleting connections

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

【課題】小型化及び薄型化することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置10は、製品領域A1と非製品領域A2とを有する基板21と、製品領域A1における基板21の上面に形成されたパッドP1と、非製品領域A2における基板21の上面に形成されたパッドP2と、パッドP1に実装された電子部品30と、パッドP2に実装された評価用部品40とを有する。半導体装置10は、パッドP1とパッドP2とを電気的に接続する内層配線24と、製品領域A1と非製品領域A2との境界領域における基板21に形成され、内層配線24の一部と平面視で重複するように形成された溝部20Xを有する。ここで、非製品領域A2は、溝部20Xと、基板21の辺の少なくとも一部とによって囲まれた領域である。
【選択図】図2

Description

本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関するものである。
近年、電子機器の小型化及び高機能化の要求に伴い、それに用いられるICやLSI等の半導体チップが高集積化され大容量化されてきている。そして、半導体チップを実装する半導体装置(パッケージ)についても、小型化、薄型化、高密度化が要求されている。そこで、このような要求に応えるべく、複数の半導体チップを1つの基板上に実装させたシステム・イン・パッケージ(System in Package:SiP)が実用化されている。
この種の半導体装置では、基板に実装された半導体チップにファームウェアを書き込むためのコネクタや、当該半導体装置の特性評価を行うためのコネクタが基板に搭載されている。
なお、上述した従来技術に関連する先行技術として、特許文献1が知られている。
特開2002−357643号公報
ところが、上述したコネクタは、基板に実装される半導体チップやチップ部品等の電子部品よりも高さが高い。このため、コネクタの存在に起因して、半導体装置が大型化及び高背化するという問題があった。
本発明の一観点によれば、製品領域と非製品領域とを有する基板と、前記製品領域に実装された複数の電子部品と、前記非製品領域に実装された評価用部品と、前記電子部品と前記評価用部品とを電気的に接続する配線と、前記製品領域と前記非製品領域との境界領域における前記基板に形成され、前記配線の一部と平面視で重複するように形成された溝部と、を有し、前記非製品領域は、前記溝部と、前記基板の辺の少なくとも一部とによって囲まれた領域である。
本発明の一観点によれば、小型化及び薄型化することができるという効果を奏する。
一実施形態の半導体装置を示す概略平面図。 一実施形態の半導体装置を示す概略断面図(図1における2−2断面図)。 (a),(b)は、切断後の半導体装置を示す概略断面図。 一実施形態の半導体装置の製造方法を示す概略平面図。 (a)〜(d)は、一実施形態の半導体装置の製造方法を示す概略断面図。 (a)〜(c)は、一実施形態の半導体装置の製造方法を示す概略断面図。 変形例の半導体装置を示す概略断面図。 変形例の半導体装置を示す概略断面図。 変形例の半導体装置を示す概略断面図。 (a)〜(c)は、変形例の溝部を示す概略断面図。 変形例の半導体装置を示す概略平面図。 変形例の半導体装置を示す概略平面図。 変形例の半導体装置を示す概略平面図。
以下、一実施形態を添付図面を参照して説明する。
なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを梨地模様に代えて示し、一部の部材のハッチングを省略している。
まず、半導体装置10の構造について説明する。
図1に示すように、半導体装置10は、配線基板20を有している。配線基板20の平面形状は、任意の形状とすることができる。例えば、配線基板20の平面形状は、略矩形状とすることができる。
配線基板20は、製品領域A1と非製品領域A2とを有している。製品領域A1における配線基板20の上面には、1つ又は複数(ここでは、10個)の電子部品30が実装されている。電子部品30は、例えば、配線基板20のパッドP1(図2参照)に接続されている。電子部品30は、電子部品31,32を有している。電子部品31は、例えば、半導体集積回路(LSI)である。電子部品32は、例えば、チップ部品である。チップ部品としては、例えば、チップ抵抗、チップキャパシタ、チップインダクタを用いることができる。なお、配線基板20に実装する電子部品30の個数や、電子部品31と電子部品32の割合は特に限定されず、様々に変更(増減)してもよい。
例えば、半導体装置10が無線通信モジュールである場合には、電子部品30として、RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit)、MCU(Micro Controller Unit)、水晶振動子、キャパシタ、無線通信等に用いられるアンテナ等が配線基板20に実装される。
非製品領域A2における配線基板20の上面には、1つ又は複数(ここでは、2つ)の評価用部品40が実装されている。評価用部品40は、例えば、配線基板20のパッドP2(図2参照)に接続されている。評価用部品40は、コネクタ41と評価用部品42とを有している。コネクタ41は、例えば、電子部品31にファームウェア等のプログラム(情報)を書き込む際に使用されるコネクタである。このコネクタ41には、例えば、ファームウェア等のプログラムを書き込むためのプログラム書込装置(図示略)が接続される。具体的には、コネクタ41には、プログラム書込装置と電気的に接続された相手側のコネクタ(図示略)が接続される。また、評価用部品42は、例えば、半導体装置10に対して電気的な特性評価(電気的検査)を行う際に使用される評価用コネクタや評価用パッド(図示の例では、評価用コネクタ)である。評価用部品42には、例えば、半導体検査装置(図示略)が接続される。具体的には、評価用部品42が評価用コネクタである場合には、例えば、半導体検査装置と電気的に接続された相手側のコネクタ(図示略)が評価用コネクタに接続される。また、評価用部品42が評価用パッドである場合には、例えば、半導体検査装置の検査用端子(図示略)が評価用パッドに接続される。ここで、コネクタ41や評価用コネクタは、例えば、電子部品30よりも高さが高い高背部品である。
なお、本明細書では、評価用部品40に、プログラム(ファームウェア)書き込み用のコネクタ41が含まれるものとする。
製品領域A1及び非製品領域A2の平面形状は、任意の形状とすることができる。例えば、製品領域A1の平面形状は略矩形状とすることができ、非製品領域A2の平面形状は略矩形状とすることができる。例えば、非製品領域A2は、その非製品領域A2と製品領域A1との境界線B1(破線参照)と、製品領域A1よりも外側(図1の例では、図中左側)に位置する配線基板20の辺とによって囲まれた領域である。ここで、境界線B1及びその周辺領域(以下、「境界領域」ともいう。)における配線基板20には、溝部20Xが形成されている。このため、非製品領域A2は、溝部20Xと、配線基板20の辺の一部とによって囲まれた領域である、ともいえる。このように、非製品領域A2の外形をなす複数の辺(ここでは、4辺)のうち少なくとも1辺(ここでは、3辺)が配線基板20の辺の一部によって構成され、残りの辺(ここでは、1辺)が溝部20Xによって構成されている。
図2に示すように、配線基板20は、基板21と、最上層の配線パターン22,23と、基板21の内部に形成された内層配線24と、ソルダレジスト層26,27とを有している。
配線パターン22,23は、基板21の上面に積層されている。配線パターン22は、製品領域A1に形成されている。配線パターン23は、非製品領域A2に形成されている。なお、配線パターン22,23の材料としては、例えば、銅(Cu)や銅合金を用いることができる。
ソルダレジスト層26は、配線パターン22,23の一部を被覆するように基板21の上面に積層されている。ソルダレジスト層26の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。ソルダレジスト層26には、配線パターン22の一部をパッドP1として露出させるための開口部26Xと、配線パターン23の一部をパッドP2として露出させるための開口部26Yとが形成されている。パッドP1は、電子部品30(電子部品31,32)と電気的に接続するための電子部品実装用のパッドとして機能する。パッドP2は、評価用部品40(コネクタ41及び評価用部品42)と電気的に接続するためのパッドとして機能する。評価用部品40が評価用パッドである場合には、パッドP2自体が評価用部品40として機能する。
なお、必要に応じて、開口部26X,26Yから露出する配線パターン22,23上に、表面処理層を形成するようにしてもよい。表面処理層の例としては、金(Au)層、ニッケル(Ni)層/Au層(Ni層とAu層をこの順番で積層した金属層)、Ni層/パラジウム(Pd)層/Au層(Ni層とPd層とAu層をこの順番で積層した金属層)などを挙げることができる。これらNi層、Au層、Pd層としては、例えば、無電解めっき法により形成された金属層(無電解めっき金属層)を用いることができる。また、Au層はAu又はAu合金からなる金属層、Ni層はNi又はNi合金からなる金属層、Pd層はPd又はPd合金からなる金属層である。また、開口部26X,26Yから露出する配線パターン22,23上に、OSP処理(Organic Solderability Preservative)などの酸化防止処理を施して表面処理層を形成するようにしてもよい。
ここで、半導体装置10では、パッドP1上に電子部品30が実装され、パッドP2上に評価用部品40が実装されている。これにより、電子部品30は配線パターン22と電気的に接続され、評価用部品40は配線パターン23と電気的に接続されている。なお、電子部品30及び評価用部品40の実装方法は特に限定されず、例えば、はんだ実装、ワイヤボンディング実装やフリップチップ実装等により電子部品30及び評価用部品40を配線基板20に実装することができる。図示の例では、例えば、パッドP1に電子部品31がフリップチップ実装され、パッドP2にコネクタ41がはんだ実装されている。
基板21としては、複数の配線パターン22,23(パッドP1,P2)が相互に電気的に接続された構造を有している。すなわち、基板21には、配線パターン22(パッドP1)と配線パターン23(パッドP2)とを電気的に接続する配線が形成されている。例えば、基板21の内部に、パッドP1とパッドP2とを電気的に接続する内層配線24が形成されている。例えば、複数の内層配線24が層間絶縁層(図示略)を介して積層され、各内層配線24と各絶縁層に形成されたビア25とによって、配線パターン22,23が相互に電気的に接続され、パッドP1,P2が相互に電気的に接続される。これにより、評価用部品40と電子部品30とは、配線パターン22と内層配線24と配線パターン23とを介して電気的に接続されている。
内層配線24は、製品領域A1と非製品領域A2とに跨がって形成された配線24Aを有している。すなわち、内層配線24は、製品領域A1と非製品領域A2との境界線B1を横切るように形成された配線24Aを有している。
なお、図2では、配線パターン22と配線パターン23とを電気的に接続する内層配線24のみを図示しているが、実際には、配線パターン23同士を電気的に接続する内層配線も基板21の内部に形成されている。また、基板21の下面に配線パターンが形成されている場合には、その最下層の配線パターンと最上層の配線パターン23とを電気的に接続する内層配線も基板21の内部に形成されている。
基板21としては、例えば、コア基板を有するコア付きビルドアップ基板やコア基板を有さないコアレス基板を用いることができる。
基板21の下面には、ソルダレジスト層27が積層されている。ソルダレジスト層27は、例えば、最下層の配線パターン(図示略)を被覆するように形成されている。ソルダレジスト層27の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。ソルダレジスト層27には、製品領域A1と非製品領域A2との境界領域に、当該ソルダレジスト層27を厚さ方向に貫通する開口部27Xが形成されている。開口部27Xは、例えば、境界領域における基板21の下面を露出するように形成されている。
以上説明した配線基板20には、製品領域A1と非製品領域A2との境界領域に溝部20Xが形成されている。溝部20Xは、ソルダレジスト層26の上面からソルダレジスト層26を厚さ方向に貫通し、基板21の厚さ方向の中途位置まで形成されている。すなわち、溝部20Xは、その底面が基板21の厚さ方向の中途に位置するように形成されている。溝部20Xは、内層配線24(具体的には、境界線B1を跨がって形成された配線24A)の一部と平面視で重なる位置に形成されている。また、溝部20Xは、ソルダレジスト層27の開口部27Xと平面視で重なる位置に形成されている。換言すると、ソルダレジスト層27の開口部27Xは、溝部20Xと平面視で重なる位置に形成されている。溝部20Xの深さは、例えば、基板21の上面から基板21全体の厚さの25%〜75%(好適には、50〜75%)程度までの深さであることが好ましい。但し、溝部20Xの深さは、内層配線24と干渉しない深さに設定されている。このような溝部20Xによって、境界領域における配線基板20は薄化されている。
溝部20Xの断面形状は、任意の形状とすることができる。本例の溝部20Xは、断面視略V字形状に形成されている。具体的には、溝部20Xは、下側(底面)から上側(ソルダレジスト層26側)に向かうに連れて幅(開口幅)が広くなるテーパ状に形成されている。このため、溝部20Xの内壁面は、例えば、基板21の上面に対して傾斜して形成されている。例えば、溝部20Xは、略三角柱状に形成されている。また、図1に示すように、溝部20Xの平面形状は、例えば、略帯状又は略長方形状に形成されている。本例の溝部20Xは、基板21の外形をなす4辺のうち2辺(図1の例では、右辺と左辺)と平行に形成され、残りの2辺(図1の例では、上辺と下辺)と平面視で直交する方向に形成されている。本例の溝部20Xは、その長手方向の一端が基板21の上辺の一部に位置するように形成され、長手方向の他端が基板21の下辺の一部に位置するように形成されている。
図3(a)には、図2に破線で示した境界線B1を切断位置として基板21及び内層配線24が切断された後の半導体装置10Aが示されている。切断後の半導体装置10A(配線基板20)では、切断面である一方の外側面20Aに内層配線24(具体的には、配線24A)の一部が露出されている。外側面20Aの一部には傾斜面20Bが形成されている。具体的には、外側面20Aには、外側面20Aの厚さ方向の中間部から半導体装置10(配線基板20)の内側に向けて上方に傾斜される傾斜面20Bが形成されている。すなわち、半導体装置10Aでは、切断前に溝部20Xの一方の内壁面であった部分が傾斜面20Bとして残っている。また、ソルダレジスト層27の一方の外側面は、外側面20Aから配線基板20の内側に後退して形成されている。このため、外側面20A付近の基板21の下面は、ソルダレジスト層27から露出されている。その一方で、外側面20Aと対向する外側面20Cでは、基板21の外側面と、ソルダレジスト層26,27の外側面とが略面一に形成されている。
なお、切断後の半導体装置10Aは、天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。
次に、半導体装置10の作用について説明する。
製品領域A1と非製品領域A2との境界領域に溝部20Xを形成し、その溝部20Xと基板21の辺の一部とによって囲まれた非製品領域A2に評価用部品40を搭載するようにした。これにより、境界領域では、溝部20Xによって配線基板20が薄化されるため、配線基板20の切断(つまり、非製品領域A2の除去)を容易に行うことができる。そして、非製品領域A2を除去することにより、高背部品である評価用部品40を半導体装置10Aから除去することができる。
また、溝部20Xを断面視略V字状に形成するようにした。これにより、切断後の半導体装置10Aの一方の外側面20Aに傾斜面20Bを形成することができる。この傾斜面20Bにより、配線基板20及び内層配線24を切断する際に内層配線24にダレが生じる場合であっても、そのダレが最上層の配線パターン22や電子部品30と短絡することが好適に抑制される。さらに、傾斜面20Bの位置を確認することにより、半導体装置10Aの上面と下面とを容易に判別することができる。例えば、図3(b)に示すように、配線基板20の下面にも電子部品30が実装された場合であっても、傾斜面20Bの位置を確認することにより、半導体装置10Aの上面と下面とを容易に判別することができる。
次に、半導体装置10の製造方法について説明する。なお、説明の便宜上、最終的に半導体装置10の各構成要素となる部分には、最終的な構成要素の符号を付して説明する。
図4及び図5(a)に示す工程では、まず、基板21を用意する。基板21は、図4に示すように、例えば、平面視略矩形状の平板である。この基板21としては、配線基板20及び半導体装置10が多数個取れる大判の基板が使用される。詳述すると、基板21には、半導体装置10に対応する構造体が形成される個別領域C1がマトリクス状(ここでは、9×3)に形成されている。なお、大判の基板21は、最終的に破線で示した切断線D1に沿ってダイシングブレード等によって切断され、個々の半導体装置10として切り出される。以下に示す図5及び図6においては、説明の便宜上、一つの個別領域C1の構造を示している。
また、各個別領域C1には、図5(a)に示した構造体、つまり基板21と、基板21の上面に形成された配線パターン22,23と、基板21の内部に形成された内層配線24とを有する構造体が形成されている。この構造体は、公知の製造方法(例えば、ビルドアップ工法等)により製造することが可能であるため、ここでは説明を省略する。このように、図4及び図5(a)に示した工程では、公知の製造方法により、各個別領域C1の基板21の内部に内層配線24が形成されるとともに、基板21の上面に内層配線24と接続される配線パターン22,23が形成される。なお、本工程における各個別領域C1には、製品領域A1と非製品領域A2とが画定されている。また、図5(a)では、製品領域A1と非製品領域A2との境界線B1を破線で示している。
次に、図5(b)に示す工程では、配線パターン22の一部をパッドP1として露出させるための開口部26Xと、配線パターン23の一部をパッドP2として露出させるための開口部26Yとを有するソルダレジスト層26を基板21の上面に積層する。また、製品領域A1と非製品領域A2との境界領域における基板21の下面を露出させるための開口部27Xを有するソルダレジスト層27を基板21の下面に積層する。これらソルダレジスト層26,27は、例えば、感光性のソルダレジストフィルムをラミネートし、又は液状のソルダレジストを塗布し、当該レジストを所要の形状にパターニングすることにより形成することができる。なお、必要に応じて、パッドP1上及びパッドP2上に表面処理層を形成するようにしてもよい。
続いて、図5(c)に示す工程では、境界線B1及びその周辺領域におけるソルダレジスト層26と基板21の一部とを、ソルダレジスト層26の上面から基板21の厚さ方向の中央部近傍まで研磨し、溝部20Xを形成する。本例の溝部20Xは断面視略V字状に形成される。この溝部20Xは、例えば、ダイサー、ルータ、レーザ加工、金型を用いたプレス加工により形成することができる。
次いで、図5(d)に示す工程では、パッドP1上に電子部品30(電子部品31,32)を実装し、パッドP2上に評価用部品40(コネクタ41及び評価用部品42)を実装する。以上説明した製造工程により、各個別領域C1に、半導体装置10に対応する構造体が製造される。これにより、半導体装置10が形成された個別領域C1を複数個有するシート状の半導体装置10Bが得られる。なお、以下に説明する製造工程を実施することなく、シート状の半導体装置10Bを、そのまま製品として出荷してもよい。
次に、図6(a)に示す工程では、コネクタ41にプログラム書込装置(情報書込装置)を接続し、そのプログラム書込装置を用いて電子部品31にファームウェア(情報)を書き込む。具体的には、プログラム書込装置及びコネクタ41を用いて、電子部品31の有するROM(Read Only Memory)にファームウェアを書き込む。
続いて、図6(b)に示す工程では、評価用部品42に半導体検査装置を接続し、その半導体検査装置を用いて、各個別領域C1に形成された半導体装置10に対する電気的な特性評価を行う。例えば、半導体検査装置及び評価用部品42を用いて、各個別領域C1に形成された半導体装置10に対して電気的検査を行うことにより、半導体装置10の動作確認を行う。
図6(a)に示したファームウェア書き込み工程と、図6(b)に示した特性評価工程との実施の順番は特に限定されない。例えば、図6(b)に示した特性評価工程を実施した後に、図6(a)に示したファームウェアの書き込み工程を実施する場合もある。
なお、9×3の個別領域C1を有するシート状の半導体装置10Bを、例えば、9×1の個別領域C1を有する帯状の半導体装置に分割した後に、図5(d)〜図6(b)に示した工程(つまり、実装工程、ファームウェア書き込み工程及び特性評価工程)を実施するようにしてもよい。
次に、図6(b)に示した構造体を、切断線D1に沿ってダイシングブレード等によって切断する、つまりシート状の半導体装置10Bを個別領域C1毎に切断する。これにより、図6(c)に示すように、図2に示した個々の半導体装置10が切り出され、複数の半導体装置10が得られる。なお、個々の半導体装置10に切り出した後に、図5(d)〜図6(b)に示した工程(つまり、実装工程、ファームウェア書き込み工程及び特性評価工程)を実施するようにしてもよい。
その後、図6(c)に破線で示した各半導体装置10における境界線B1を切断位置として基板21及び内層配線24を切断する。すなわち、配線基板20の製品領域A1と非製品領域A2とを溝部20Xを境に分離する。これにより、各半導体装置10から非製品領域A2が除去され、内層配線24の一部が半導体装置10の一方の外側面20Aから露出され、その外側面20Aに傾斜面20Bが形成される(図3(a)参照)。本工程では、例えば、半導体装置10の製品領域A1を固定した状態で、非製品領域A2に対して溝部20Xの形成された上面側から荷重を加えることによって、基板21を切断することができる。このとき、切断位置となる境界領域の配線基板20が溝部20Xにより薄化されているため、上述した方法により半導体装置10を容易に切断(分割)することができる。また、基板21の下面に積層されたソルダレジスト層27には、溝部20Xと平面視で重複する位置に開口部27Xが形成されている。このため、切断位置にはソルダレジスト層27が形成されておらず、製品領域A1に形成されたソルダレジスト層27と非製品領域A2に形成されたソルダレジスト層27とが開口部27Xによって分離されて形成されている。したがって、ダイサーやルータ等を使用せずに、非製品領域A2に対して荷重を加えて配線基板20を切断する場合であっても、製品領域A1に形成されたソルダレジスト層27が非製品領域A2に形成されたソルダレジスト層27と一緒に剥離されることを好適に抑制できる。
このように、電子部品31にファームウェア等のプログラムを書き込み、半導体装置10の特性評価が終了した後に、それらのプログラム書き込み及び特性評価に使用した評価用部品40が実装された非製品領域A2を除去する。
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
(1)製品領域A1と非製品領域A2との境界領域に溝部20Xを形成し、その溝部20Xと基板21の辺の一部とによって囲まれた非製品領域A2に評価用部品40を搭載するようにした。これにより、境界領域では、溝部20Xによって配線基板20が薄化されるため、配線基板20の切断を容易に行うことができる。そして、非製品領域A2を除去することにより、高背部品である評価用部品40を半導体装置10Aから除去することができるため、半導体装置10A全体を小型化及び薄型化することができる。
(2)ところで、電子部品30を配線基板20に実装した後(つまり、半導体装置10が完成した後)に、ダイサーやルータ等を用いた機械加工を行うと、加工屑が電子部品30に付着するという問題がある。
これに対し、本例では、電子部品30の実装前に予め溝部20Xを形成しておき、電子部品30の実装、ファームウェアの書き込みや特性評価を行った後に、溝部20Xが形成された部分を切断位置として配線基板20を切断するようにした。ここで、切断位置となる配線基板20が溝部20Xにより薄化されているため、例えば、半導体装置10の製品領域A1を固定した状態で、非製品領域A2に対して上面側から荷重を加えるという簡易な方法によって、配線基板20を容易に切断(分割)することができる。これにより、ダイサーやルータ等を用いた機械加工を行う必要がないため、加工屑が電子部品30に付着することを好適に抑制することができる。さらに、簡易な方法によって配線基板20を切断することができるため、設備投資額を抑制することができ、製造コストの増大を抑制することができる。
(3)評価用部品40が実装された非製品領域A2を最終的に除去するようにした。これにより、評価用部品40として部品サイズの大きいコネクタを使用した場合であっても、その評価用部品40に起因して、非製品領域A2を除去した後の半導体装置10Aが高背化及び大型化することはない。このため、評価用部品40として部品サイズの大きいコネクタを使用することができる。これにより、評価用部品40(コネクタ)に対して、プログラム書込装置や半導体検査装置に接続された相手側のコネクタを容易に接続することができる。
(4)溝部20Xを断面視略V字状に形成するようにした。これにより、切断後の半導体装置10Aの一方の外側面20Aに傾斜面20Bを形成することができる。この傾斜面20Bにより、配線基板20及び内層配線24を切断する際に内層配線24にダレが生じる場合であっても、そのダレが最上層の配線パターン22や電子部品30と短絡することが好適に抑制される。
(5)さらに、傾斜面20Bの位置を確認することにより、半導体装置10Aの上面と下面とを容易に判別することができる。
(6)配線基板20において、溝部20Xの形成された上面とは反対側の下面に形成されたソルダレジスト層27に、溝部20Xと平面視で重複する位置に開口部27Xを形成するようにした。これにより、ダイサーやルータ等を使用せずに、非製品領域A2に対して荷重を加えて配線基板20を切断する場合であっても、製品領域A1に形成されたソルダレジスト層27が非製品領域A2に形成されたソルダレジスト層27と一緒に剥離されることを好適に抑制できる。
(7)配線パターン22(パッドP1)と配線パターン23(パッドP2)とを、基板21の内部に形成された内層配線24及びビア25のみにより電気的に接続するようにした。このため、パッドP1,P2を相互に電気的に接続する配線が基板21から露出されない。したがって、例えば、溝部20Xと干渉しないようにその溝部20Xを迂回する配線24Aが他の金属層と短絡されることを好適に抑制することができる。
(他の実施形態)
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記実施形態では、パッドP1とパッドP2とを、基板21の内部に形成された内層配線24及びビア25のみによって電気的に接続するようにしたが、パッドP1,P2を相互に電気的に接続する配線はこれに限定されない。
例えば図7に示すように、パッドP1とパッドP2とを、内層配線24と、ビア25と、基板21の下面に形成された配線パターン28とによって電気的に接続するようにしてもよい。この場合の配線パターン28は、例えば、製品領域A1と非製品領域A2とに跨がって形成されている。すなわち、本例では、溝部20Xと干渉しないようにその溝部20Xを迂回する配線パターン28が、基板21から露出するように形成されている。換言すると、溝部20Xと平面視で重なる位置に形成された配線パターン28が、溝部20Xの形成された上面とは反対側の基板21の下面に形成されている。このため、図7に示すように、溝部20Xを上記実施形態よりも深く形成することができる。これにより、境界領域における配線基板20の薄化を好適に行うことができる。なお、この場合には、ソルダレジスト層27の開口部27Xは、境界領域に形成された配線パターン28の下面を露出するように形成されている。
・上記実施形態では、配線基板20の上面に溝部20Xを形成するようにした。これに限らず、図8及び図9に示すように、配線基板20の下面に溝部20Xを形成するようにしてもよい。この溝部20Xは、ソルダレジスト層27の下面からソルダレジスト層27を厚さ方向に貫通し、基板21の厚さ方向の中途位置まで形成されている。
このとき、図8に示すように、パッドP1とパッドP2とを、基板21の内部に形成された内層配線24及びビア25のみによって電気的に接続するようにしてもよい。この場合の溝部20Xは、内層配線24(具体的には、製品領域A1と非製品領域A2とに跨がって形成された配線24A)の一部と平面視で重複するように形成されている。また、ソルダレジスト層26には、溝部20Xと平面視で重複する位置に、当該ソルダレジスト層26を厚さ方向に貫通して基板21の上面を露出する開口部26Zが形成されている。このような構造を採用した場合であっても、上記実施形態の(1)〜(7)の効果と同様の効果を奏することができる。さらに、パッドP1とパッドP2とを電気的に接続する配線を短くすることができる。
また、図9に示すように、配線基板20の下面に溝部20Xを形成する場合において、パッドP1とパッドP2とを、基板21の上面に形成された配線パターン29のみによって電気的に接続するようにしてもよい。この場合の溝部20Xは、配線パターン29の一部と平面視で重複するように形成されている。また、ソルダレジスト層26には、溝部20Xと平面視で重複する位置に、当該ソルダレジスト層26を厚さ方向に貫通して配線パターン29の上面を露出する開口部26Zが形成されている。このような構造を採用した場合であっても、上記実施形態の(1)〜(6)の効果と同様の効果を奏することができる。また、溝部20Xを上記実施形態よりも深く形成することができる。さらに、パッドP1とパッドP2とを電気的に接続する配線を短くすることができる。
・上記実施形態及び上記各変形例における溝部20Xの断面形状は特に限定されない。
例えば、図10(a)に示すように、溝部20Xを断面視略台形状(例えば、溝部20Xの底面に対応する辺が対向する辺よりも短い台形状)に形成するようにしてもよいし、図10(b)に示すように、溝部20Xを断面視略U字状に形成するようにしてもよい。これらいずれの場合であっても、溝部20Xが、底面から開口端側に向かうに連れて幅(開口幅)が広くなるテーパ状に形成されている。このため、図10(a)及び図10(b)に示した溝部20Xの内壁面は、例えば、基板21の上面に対して傾斜して形成されている。したがって、溝部20Xを断面視略台形状や断面視略U字状に形成した場合であっても、上記実施形態の(1)〜(7)の効果と同様の効果を奏することができる。
また、図10(c)に示すように、溝部20Xを断面視略矩形状に形成するようにしてもよい。このような構造を採用した場合であっても、少なくとも、上記実施形態の(1)〜(3)、(6)の効果と同様の効果を奏することができる。
・上記実施形態における非製品領域A2の形成位置及び平面形状は特に限定されない。
例えば図11に示すように、非製品領域A2(二点鎖線で示した枠参照)を、配線基板20(基板21)の1つの角部に形成し、且つ平面視略三角形状に形成するようにしてもよい。この場合の溝部20Xは、平面視略矩形状の基板21の辺に対して斜めに形成されている。この場合の非製品領域A2も上記実施形態と同様に、溝部20Xと、基板21の辺の一部とによって囲まれた領域である。具体的には、本例の非製品領域A2は、基板21の1つの角部を含むように形成されている。このような構造を採用した場合であっても、上記実施形態の(1)〜(7)の効果と同様の効果を奏することができる。さらに、溝部20Xを切断位置として半導体装置10を切断して非製品領域A2を除去すると、切断後の半導体装置10A(一点鎖線で示した製品領域A1参照)の平面形状が左右非対称及び上下非対称の形状となるため、半導体装置10Aの向きを容易に判断することができる。
また、図12に示すように、製品領域A1(一点鎖線で示した枠参照)を囲むように非製品領域A2を形成し、その非製品領域A2を平面視略枠状に形成するようにしてもよい。この場合の溝部20Xは、平面視略格子状に形成されている。すなわち、本例では、配線基板20に複数の溝部20Xが形成されている。この場合の非製品領域A2は、製品領域A1を画定する溝部20X(ここでは、図中の一点鎖線で示した位置に形成された溝部20X)と、基板21の全ての辺とによって囲まれた領域である。このような構造を採用した場合であっても、上記実施形態の(1)〜(7)の効果と同様の効果を奏することができる。なお、この場合には、溝部20Xの一部を配線基板20の上面に形成し、残りの溝部20Xを配線基板20の下面に形成してもよい。
このように、非製品領域A2の外形をなす複数の辺のうち少なくとも1辺が配線基板20の辺の一部によって構成され、残りの辺が溝部20Xによって構成されてさえいれば、非製品領域A2の形成位置及び平面形状は特に限定されない。
・上記実施形態及び上記各変形例では、各半導体装置10に1つの非製品領域A2を設けるようにした。すなわち、1つの製品領域A1に対して1つの非製品領域A2を設けるようにした。これに限らず、例えば、1つの製品領域A1に対して複数の非製品領域A2を設けるようにしてもよい。なお、図12に示した半導体装置10において、溝部20Xによって区画された領域をそれぞれ非製品領域A2と考えると、配線基板20には8個の非製品領域A2が形成されている。
・図13に示すように、1つの非製品領域A2を複数(ここでは、2つ)の製品領域A1(半導体装置10)で共用するようにしてもよい。図13に示した例では、隣り合う製品領域A1で1つの非製品領域A2を共用している。この場合には、隣り合う製品領域A1のうち一方の製品領域A1(図中右側の製品領域A1)と非製品領域A2との間に溝部20Xが形成され、他方の製品領域A1(図中左側の製品領域A1)と非製品領域A2との間に溝部20Xが形成されている。そして、非製品領域A2には、一方の製品領域A1に対するファームウェア書き込み工程や特性評価工程の際に使用される評価用部品40が実装され、他方の製品領域A1に対するファームウェア書き込み工程や特性評価工程の際に使用される評価用部品40が実装されている。
・上記実施形態及び上記各変形例におけるソルダレジスト層26,27の開口部26Z,27Xの形成を省略してもよい。この場合であっても、少なくとも、上記実施形態の(1)〜(5)の効果と同様の効果を奏することができる。
・上記実施形態及び上記各変形例では、評価用部品40を配線基板20の上面に実装するようにした。これに限らず、例えば、評価用部品40を配線基板20の下面に実装するようにしてもよい。また、評価用部品40の一部を配線基板20の上面に実装し、残りの評価用部品40を配線基板20の下面に実装するようにしてもよい。
・図3(b)に示したように、配線基板20の下面にも電子部品30を実装するようにしてもよい。
・上記実施形態及び上記各変形例において、ダイサー、ルータ等を用いた機械加工により、半導体装置10を境界領域で切断して非製品領域A2を除去するようにしてもよい。
・上記実施形態では、多数個取りの製造方法に具体化したが、単数個取り(一個取り)の製造方法に具体化してもよい。
A1 製品領域
A2 非製品領域
B1 境界線
C1 個別領域(領域)
P1 パッド(第1パッド)
P2 パッド(第2パッド)
10 半導体装置
20 配線基板
20X 溝部
21 基板
22,23 配線パターン
24 内層配線(配線)
24A 配線
26 ソルダレジスト層(第1ソルダレジスト層)
27 ソルダレジスト層(第2ソルダレジスト層)
26Z,27X 開口部
28,29 配線パターン(配線)
30,31,32 電子部品
40,42 評価用部品
41 コネクタ(評価用部品)

Claims (10)

  1. 製品領域と非製品領域とを有する基板と、
    前記製品領域に実装された電子部品と、
    前記非製品領域に実装された評価用部品と、
    前記電子部品と前記評価用部品とを電気的に接続する配線と、
    前記製品領域と前記非製品領域との境界領域における前記基板に形成され、前記配線の一部と平面視で重複するように形成された溝部と、を有し、
    前記非製品領域は、前記溝部と、前記基板の辺の少なくとも一部とによって囲まれた領域であることを特徴とする半導体装置。
  2. 前記基板と、前記製品領域における前記基板の上面に形成され、前記電子部品と接続された第1パッドと、前記非製品領域における前記基板の上面に形成され、前記評価用部品と接続された第2パッドと、前記第1パッドと前記第2パッドとを電気的に接続する前記配線と、前記基板の上面に積層された第1ソルダレジスト層と、前記基板の下面に積層された第2ソルダレジスト層とを有する配線基板を有し、
    前記溝部は、前記第1ソルダレジスト層の上面又は前記第2ソルダレジスト層の下面から前記基板の厚さ方向の中途位置まで形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  3. 前記第1ソルダレジスト層及び前記第2ソルダレジスト層のうち前記溝部の形成されていないソルダレジスト層には、該ソルダレジスト層を厚さ方向に貫通する開口部が前記溝部と平面視で重複するように形成されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
  4. 前記配線は、前記基板の内部に形成された内層配線のみによって構成されていることを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体装置。
  5. 前記溝部は、前記第1ソルダレジスト層の上面から前記基板の厚さ方向の中途位置まで形成され、
    前記配線は、前記基板の下面に形成された配線パターンを含むことを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体装置。
  6. 前記溝部は、前記第2ソルダレジスト層の下面から前記基板の厚さ方向の中途位置まで形成され、
    前記配線は、前記基板の上面に形成された配線パターンのみによって構成されていることを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体装置。
  7. 前記溝部の内壁面が傾斜面であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体装置。
  8. 前記非製品領域は、前記基板の一つの角部を含むように形成され、且つ、平面視三角形状に形成されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導体装置。
  9. 請求項1〜8のいずれか一項に記載の半導体装置が形成された領域を複数個有し、
    前記非製品領域が隣り合う前記半導体装置で共用されていることを特徴とする半導体装置。
  10. 製品領域と非製品領域とを有する配線基板を準備する工程と、
    前記製品領域と前記非製品領域との境界領域における前記配線基板に溝部を形成する工程と、
    前記溝部を形成した後に、前記製品領域に電子部品を実装し、前記非製品領域に評価用部品を実装する工程と、
    前記評価用部品を介して、前記電子部品に情報を書き込む工程と、
    前記電子部品に情報を書き込んだ後に、前記配線基板の前記製品領域と前記非製品領域とを前記溝部を境に分離する工程と、
    を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP2014072410A 2014-03-31 2014-03-31 半導体装置及び半導体装置の製造方法 Pending JP2015195272A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014072410A JP2015195272A (ja) 2014-03-31 2014-03-31 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US14/672,611 US9977074B2 (en) 2014-03-31 2015-03-30 Semiconductor device, semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor device
EP15162016.8A EP2927702A1 (en) 2014-03-31 2015-03-31 Semiconductor device with removable wiring board portion for evaluation and corresponding method of manufacturing

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014072410A JP2015195272A (ja) 2014-03-31 2014-03-31 半導体装置及び半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015195272A true JP2015195272A (ja) 2015-11-05
JP2015195272A5 JP2015195272A5 (ja) 2017-01-26

Family

ID=53682428

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014072410A Pending JP2015195272A (ja) 2014-03-31 2014-03-31 半導体装置及び半導体装置の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9977074B2 (ja)
EP (1) EP2927702A1 (ja)
JP (1) JP2015195272A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107202948A (zh) * 2016-03-18 2017-09-26 景硕科技股份有限公司 高测试密度的电路测试板
KR20190030839A (ko) * 2017-09-15 2019-03-25 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치 및 전계 발광 표시 장치용 드라이버 ic 필름부
JP2020194801A (ja) * 2019-05-24 2020-12-03 新光電気工業株式会社 半導体装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015102866B4 (de) * 2015-02-27 2023-02-02 Tdk Electronics Ag Keramisches Bauelement, Bauelementanordnung und Verfahren zur Herstellung eines keramischen Bauelements
KR20170009652A (ko) * 2015-07-17 2017-01-25 삼성전자주식회사 배선 기판 및 이를 포함하는 메모리 시스템
JP6815880B2 (ja) * 2017-01-25 2021-01-20 株式会社ディスコ 半導体パッケージの製造方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6181177U (ja) * 1984-10-31 1986-05-29
JPS61107238U (ja) * 1984-12-17 1986-07-08
JPS63131160U (ja) * 1987-02-17 1988-08-26
JPH0197575U (ja) * 1987-12-22 1989-06-29
JPH07297507A (ja) * 1994-04-22 1995-11-10 Matsushita Electric Works Ltd プリント基板
JP2002164625A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Sony Corp プリント配線基板及びプリント配線基板の信頼性試験方法
JP2005072256A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Sharp Corp 基板、多層基板の製造方法および衛星放送受信装置
JP2005332975A (ja) * 2004-05-20 2005-12-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回路基板
JP2007134411A (ja) * 2005-11-08 2007-05-31 Fujifilm Corp 多面取り基板
JP2012059793A (ja) * 2010-09-07 2012-03-22 Ccs Inc Led配線基板及び光照射装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6181177A (ja) 1984-09-26 1986-04-24 Toshiba Corp 交直変換装置の電力制御装置
JPS63131160A (ja) 1986-11-20 1988-06-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 現像装置
JPH0197575A (ja) 1987-10-08 1989-04-17 Babcock Hitachi Kk スタッドボルト着脱移送装置
JP3544168B2 (ja) * 2000-04-25 2004-07-21 松下電器産業株式会社 電子装置及びその製造方法
TW561263B (en) 2001-03-10 2003-11-11 Samsung Electronics Co Ltd Parallel test board used in testing semiconductor memory devices
EP1722617B1 (en) * 2005-05-12 2007-11-21 Harman Becker Automotive Systems GmbH Electronic device
TWI312568B (en) 2006-10-17 2009-07-21 Advanced Semiconductor Eng Substrate board and manufacturing method of package structure
US8362793B2 (en) * 2006-11-07 2013-01-29 Apple Inc. Circuit boards including removable test point portions and configurable testing platforms
US7863918B2 (en) * 2007-11-13 2011-01-04 International Business Machines Corporation Disposable built-in self-test devices, systems and methods for testing three dimensional integrated circuits
JP2012009586A (ja) * 2010-06-24 2012-01-12 Shinko Electric Ind Co Ltd 配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法
US9640456B2 (en) * 2013-03-15 2017-05-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Support structure for integrated circuitry

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6181177U (ja) * 1984-10-31 1986-05-29
JPS61107238U (ja) * 1984-12-17 1986-07-08
JPS63131160U (ja) * 1987-02-17 1988-08-26
JPH0197575U (ja) * 1987-12-22 1989-06-29
JPH07297507A (ja) * 1994-04-22 1995-11-10 Matsushita Electric Works Ltd プリント基板
JP2002164625A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Sony Corp プリント配線基板及びプリント配線基板の信頼性試験方法
JP2005072256A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Sharp Corp 基板、多層基板の製造方法および衛星放送受信装置
JP2005332975A (ja) * 2004-05-20 2005-12-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回路基板
JP2007134411A (ja) * 2005-11-08 2007-05-31 Fujifilm Corp 多面取り基板
JP2012059793A (ja) * 2010-09-07 2012-03-22 Ccs Inc Led配線基板及び光照射装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107202948A (zh) * 2016-03-18 2017-09-26 景硕科技股份有限公司 高测试密度的电路测试板
CN107202948B (zh) * 2016-03-18 2019-09-24 景硕科技股份有限公司 高测试密度的电路测试板
KR20190030839A (ko) * 2017-09-15 2019-03-25 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치 및 전계 발광 표시 장치용 드라이버 ic 필름부
KR102328314B1 (ko) 2017-09-15 2021-11-17 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치 및 전계 발광 표시 장치용 드라이버 ic 필름부
JP2020194801A (ja) * 2019-05-24 2020-12-03 新光電気工業株式会社 半導体装置
JP7196014B2 (ja) 2019-05-24 2022-12-26 新光電気工業株式会社 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20150282325A1 (en) 2015-10-01
US9977074B2 (en) 2018-05-22
EP2927702A1 (en) 2015-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8785245B2 (en) Method of manufacturing stack type semiconductor package
JP4934053B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP5945564B2 (ja) パッケージキャリアおよびその製造方法
JP2015195272A (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2004095799A (ja) 半導体装置およびその製造方法
US9204546B2 (en) Circuit board and manufacturing method thereof
US20190164780A1 (en) Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package
KR20100041430A (ko) 적층 패키지 및 이의 제조 방법
KR101462770B1 (ko) 인쇄회로기판과 그의 제조방법 및 그 인쇄회로기판을 포함하는 반도체 패키지
US9167686B2 (en) 3D stacked package structure and method of manufacturing the same
US9236364B2 (en) Package carrier and manufacturing method thereof
JP2009141228A (ja) 配線用基板とそれを用いた積層用半導体装置および積層型半導体モジュール
US20170047230A1 (en) Fabrication method of packaging substrate
US20140239475A1 (en) Packaging substrate, semiconductor package and fabrication methods thereof
US20110084410A1 (en) Wiring Substrate for a Semiconductor Chip, and Semiconducotor Package Having the Wiring Substrate
JP4708915B2 (ja) 封止型プリント基板の製造方法
KR101574019B1 (ko) 인쇄회로기판의 제조 방법
TWI435667B (zh) 印刷電路板組件
US9905519B1 (en) Electronic structure process
KR20190093482A (ko) 반도체 패키지 및 제조 방법
CN103390598A (zh) 半导体封装件及其制法
JP2010238994A (ja) 半導体モジュールおよびその製造方法
KR20100088336A (ko) 더미패턴을 갖는 인쇄회로기판, 및 이를 포함하는 인쇄회로기판 패널 어레이
US10002839B2 (en) Electronic structure, and electronic structure array
KR101432488B1 (ko) 적층형 반도체 패키지 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161212

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20161212

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170817

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170912

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20180306