JP2015191740A - イオン注入装置、最終エネルギーフィルター、及びイオン注入方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】最終エネルギーフィルター400は、入口側アインツェルレンズ304と、中間電極部401と、出口側アインツェルレンズ308と、を備える。最終エネルギーフィルター400は、入口側アインツェルレンズ304、中間電極部401、及び出口側アインツェルレンズ308にそれぞれ個別に電圧を印加するよう構成されているFEF電源部414を備える。FEF電源部414は、上流補助電極部402と偏向電極部306との間の第1領域におけるイオンビームのエネルギー範囲と、偏向電極部306と下流補助電極部404との間の第2領域におけるイオンビームのエネルギー範囲と、が同程度となるように、上流補助電極部402、偏向電極部306、及び下流補助電極部404にそれぞれ電圧を印加する。
【選択図】図16
Description
イオン注入装置100は、スポット状のイオンビームB2の1次元ビームスキャンSBと基板Wの1次元メカニカルスキャンSMを併用するハイブリッドスキャン方式によるイオン注入を実施可能とするよう構成されている。物体保持部107の側方においてビーム照射域105に重なるようにビーム計測器130(例えばファラデーカップ)が設けられ、その計測結果が制御部116に与えられてもよい。
イオンを生成しイオンビームとして引き出すイオン源と、
被処理物に前記イオンを注入するための注入処理室と、
前記イオン源から前記注入処理室へと前記イオンビームを輸送するためのビームラインを提供するビームライン装置と、を備え、
前記ビームライン装置は、前記注入処理室において前記被処理物の幅を超えるビーム照射域を有する前記イオンビームを供給し、
前記注入処理室は、前記ビーム照射域に対して前記被処理物を機械式に走査する機械式走査装置を備え、
前記ビームライン装置は、注入条件に応じて複数の注入設定構成のうちいずれかのもとで動作し、前記複数の注入設定構成は、前記被処理物への高ドーズ注入のための低エネルギー/高電流ビームの輸送に適する第1注入設定構成と、前記被処理物への低ドーズ注入のための高エネルギー/低電流ビームの輸送に適する第2注入設定構成と、を含み、
前記ビームライン装置は、前記第1注入設定構成と前記第2注入設定構成とにおいて、前記ビームラインにおける基準となるビーム中心軌道が前記イオン源から前記注入処理室まで同一となるよう構成されている。
イオンを生成しイオンビームとして引き出すイオン源と、
被処理物に前記イオンを注入するための注入処理室と、
前記イオン源から前記注入処理室へと前記イオンビームを輸送するためのビームラインを提供するビームライン装置と、を備えるイオン注入装置であって、
前記イオン注入装置は、前記被処理物のメカニカルスキャンと協働して前記イオンビームを前記被処理物に照射するよう構成されており、
前記ビームライン装置は、注入条件に応じて複数の注入設定構成のうちいずれかのもとで動作し、前記複数の注入設定構成は、前記被処理物への高ドーズ注入のための低エネルギー/高電流ビームの輸送に適する第1注入設定構成と、前記被処理物への低ドーズ注入のための高エネルギー/低電流ビームの輸送に適する第2注入設定構成と、を含み、
前記ビームライン装置は、前記第1注入設定構成と前記第2注入設定構成とにおいて、前記ビームラインにおける基準となるビーム中心軌道が前記イオン源から前記注入処理室まで同一となるよう構成されている。
被処理物への高ドーズ注入のための低エネルギー/高電流ビームの輸送に適する第1注入設定構成と、前記被処理物への低ドーズ注入のための高エネルギー/低電流ビームの輸送に適する第2注入設定構成と、を含む複数の注入設定構成のうち所与のイオン注入条件に適するいずれかの注入設定構成をビームライン装置に関して選択することと、
選択された注入設定構成のもとで前記ビームライン装置を使用して、イオン源から注入処理室までビームラインにおける基準となるビーム中心軌道に沿ってイオンビームを輸送することと、
前記被処理物のメカニカルスキャンと協働して前記被処理物に前記イオンビームを照射することと、を備え、
前記基準となるビーム中心軌道は、前記第1注入設定構成と前記第2注入設定構成とで同一である。
V6=K*T’/q+VOS=K*(T/q+k1*VOS+k2*V3)+VOS
ここで、qはイオン価数、Kは偏向電極部306の構造から決まるビーム偏向に関する正の定数、k1及びk2は偏向電極部306、上流補助電極部402、及び下流補助電極部404の構造から決まるエネルギーに関する負の定数を表す。次式により決定される電圧が正であるときは第6正電源427が使用され、決定される電圧が負であるときは第6負電源428が使用される。同様に、オフセットモードにおいて第2偏向電極316に印加される電圧V4は、次式により決定される。電圧V4は負である。
V4=−K*T’/q+VOS=−K*(T/q+k1*VOS+k2*V3)+VOS
(d+W1/2)/L2>(W1/2+W2/2)/L1
(g+W1/2)/L3>(W1/2+W2/2)/L1
Claims (23)
- 目的のエネルギーを有するイオンビームを被処理物に照射するための注入処理室と、
前記注入処理室の上流に配設されているビームライン出口部と、
前記ビームライン出口部と前記被処理物との間に配設されている最終エネルギーフィルターと、を備え、
前記最終エネルギーフィルターは、
前記ビームライン出口部の下流に配設され、前記イオンビームのビーム形状を調整する第1調整電極部と、
前記第1調整電極部の下流に配設され、前記イオンビームを偏向する中間電極部と、
前記中間電極部の下流に配設され、前記イオンビームのビーム形状を調整する第2調整電極部と、
前記第1調整電極部と前記中間電極部との間において前記イオンビームの減速、加速、又は等エネルギー輸送のいずれか1つが行われ、前記中間電極部と前記第2調整電極部との間において前記イオンビームの減速、加速、又は等エネルギー輸送のいずれか1つが行われるように、前記第1調整電極部、前記中間電極部、及び前記第2調整電極部にそれぞれ個別に電圧を印加するよう構成されている電源部と、を備え、
前記中間電極部は、偏向電極部と、前記第1調整電極部と前記偏向電極部との間に配設されている上流補助電極部と、前記偏向電極部と前記第2調整電極部との間に配設されている下流補助電極部と、を備え、
前記電源部は、前記上流補助電極部と前記偏向電極部との間の第1領域におけるイオンビームのエネルギー範囲と、前記偏向電極部と前記下流補助電極部との間の第2領域におけるイオンビームのエネルギー範囲と、が同程度となるように、前記上流補助電極部、前記偏向電極部、及び前記下流補助電極部にそれぞれ電圧を印加するよう構成されていることを特徴とするイオン注入装置。 - 前記電源部は、前記中間電極部において前記イオンビームが等エネルギーで輸送されるように、前記上流補助電極部、前記偏向電極部、及び前記下流補助電極部にそれぞれ電圧を印加することを特徴とする請求項1に記載のイオン注入装置。
- 前記偏向電極部は、イオンビームの一方側に配置される第1偏向電極と、前記第1偏向電極に対向してイオンビームの他方側に配置される第2偏向電極と、を備え、
前記電源部は、
前記上流補助電極部に上流補助電圧を印加し、
前記下流補助電極部に前記上流補助電圧と等しい下流補助電圧を印加し、
前記第1偏向電極と前記第2偏向電極との平均電圧が前記上流補助電圧及び前記下流補助電圧に等しくなるように、前記第1偏向電極及び前記第2偏向電極にそれぞれ電圧を印加することを特徴とする請求項2に記載のイオン注入装置。 - 前記電源部は、前記上流補助電極部と前記偏向電極部との間において前記イオンビームが加速されかつ前記偏向電極部と前記下流補助電極部との間において前記イオンビームが減速されるように、または、前記上流補助電極部と前記偏向電極部との間において前記イオンビームが減速されかつ前記偏向電極部と前記下流補助電極部との間において前記イオンビームが加速されるように、前記上流補助電極部、前記偏向電極部、及び前記下流補助電極部にそれぞれ電圧を印加することを特徴とする請求項1に記載のイオン注入装置。
- 前記偏向電極部は、イオンビームの一方側に配置される第1偏向電極と、前記第1偏向電極に対向してイオンビームの他方側に配置される第2偏向電極と、を備え、
前記電源部は、
前記上流補助電極部に上流補助電圧を印加し、
前記下流補助電極部に前記上流補助電圧と等しい下流補助電圧を印加し、
前記第1偏向電極と前記第2偏向電極との平均電圧が前記上流補助電圧及び前記下流補助電圧と異なるように、前記第1偏向電極及び前記第2偏向電極にそれぞれ電圧を印加することを特徴とする請求項4に記載のイオン注入装置。 - 前記中間電極部は、面対称に構成されており、その対称面は、前記偏向電極部への入射ビーム軌道と前記偏向電極部からの出射ビーム軌道との交点である偏向点を含み、かつ前記偏向電極部における偏向ビーム軌道に垂直な平面であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のイオン注入装置。
- 前記第1調整電極部及び前記第2調整電極部の少なくとも一方は、アインツェルレンズまたはサプレッション電極を備えることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のイオン注入装置。
- 前記電源部は、前記第1調整電極部と前記中間電極部との間において前記イオンビームが減速され、及び/または、前記中間電極部と前記第2調整電極部との間において前記イオンビームが減速されるように、前記第1調整電極部、前記中間電極部、及び前記第2調整電極部にそれぞれ個別に電圧を印加することを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載のイオン注入装置。
- 前記最終エネルギーフィルターは、前記偏向電極部の少なくとも一部の表面が前記被処理物から視認不能であるように前記下流補助電極部と前記被処理物との間に配設されている少なくとも1つの開口部を備えることを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載のイオン注入装置。
- 前記少なくとも1つの開口部は、ビームサイズ制限スリットまたはエネルギースリットであることを特徴とする請求項9に記載のイオン注入装置。
- 前記少なくとも1つの開口部は、ビーム軌道上に配設されている第1開口部と、前記ビーム軌道上において前記第1開口部の上流に配設されている第2開口部と、を備え、
前記第1開口部の開口幅をW1、前記第2開口部の開口幅をW2、前記ビーム軌道に沿う前記第1開口部と前記第2開口部との距離をL1、前記ビーム軌道に沿う前記第1開口部と前記偏向電極部に形成されるイオンビーム衝突点との距離をL2、前記ビーム軌道から前記イオンビーム衝突点までの距離をdと表すとき、
前記最終エネルギーフィルターは、
(d+W1/2)/L2>(W1/2+W2/2)/L1
を満たすように構成されていることを特徴とする請求項9または10に記載のイオン注入装置。 - 前記少なくとも1つの開口部は、ビーム軌道上に配設されている第1開口部と、前記ビーム軌道上において前記第1開口部の上流に配設されている第2開口部と、を備え、
前記第1開口部の開口幅をW1、前記第2開口部の開口幅をW2、前記ビーム軌道に沿う前記第1開口部と前記第2開口部との距離をL1、前記ビーム軌道に沿う前記第1開口部と前記下流補助電極部の入口との距離をL3、前記ビーム軌道から前記下流補助電極部の入口上縁までの距離をgと表すとき、
前記最終エネルギーフィルターは、
(g+W1/2)/L3>(W1/2+W2/2)/L1
を満たすように構成されていることを特徴とする請求項9から11のいずれかに記載のイオン注入装置。 - 前記イオンビーム衝突点は、前記第1調整電極部の入口電極及び出口電極それぞれの開口上縁を通りかつ前記偏向電極部への入射ビーム軌道に平行な直線と前記偏向電極部との交点であることを特徴とする請求項11または12に記載のイオン注入装置。
- 前記第1開口部は、ビームサイズ制限スリットまたはエネルギースリットであり、前記第2開口部は、前記第2調整電極部の入口電極であることを特徴とする請求項11から13のいずれかに記載のイオン注入装置。
- 前記第2調整電極部は、ビーム軌道を囲むように又はビーム軌道の上下方向に両側に配設されている少なくとも1つの電極部を備え、
前記少なくとも1つの電極部は、前記ビーム軌道に面する内側表面を備え、前記内側表面は、当該電極部の入口から出口に向けて前記ビーム軌道から離れる傾斜面を有するエッジ部を備えることを特徴とする請求項1から14のいずれかに記載のイオン注入装置。 - 前記傾斜面の傾斜角は、前記偏向電極部における偏向角より大きいことを特徴とする請求項15に記載のイオン注入装置。
- 前記内側表面は、複数のエッジ部を備え、各エッジ部が前記傾斜面を有することを特徴とする請求項15または16に記載のイオン注入装置。
- 前記電源部は、前記第1調整電極部と前記第2調整電極部との間において前記イオンビームが等エネルギーで輸送されるように、前記第1調整電極部、前記中間電極部、及び前記第2調整電極部にそれぞれ個別に電圧を印加することを特徴とする請求項1から17のいずれかに記載のイオン注入装置。
- 前記電源部は、前記上流補助電極部及び前記下流補助電極部の少なくとも一方において前記イオンビームが偏向されるように、前記上流補助電極部、前記偏向電極部、及び前記下流補助電極部にそれぞれ電圧を印加することを特徴とする請求項18に記載のイオン注入装置。
- 前記最終エネルギーフィルターを制御するよう構成されている制御部をさらに備え、
前記制御部は、前記目的のエネルギーに応じて複数の運転モードのいずれかを選択して前記最終エネルギーフィルターを運転し、
前記複数の運転モードは、前記第1調整電極部と前記第2調整電極部との間において前記イオンビームが等エネルギーで輸送されるよう前記最終エネルギーフィルターを運転する第1運転モードと、前記第1調整電極部と前記中間電極部との間において前記イオンビームが減速されかつ前記中間電極部と前記第2調整電極部との間において前記イオンビームが減速されるよう前記最終エネルギーフィルターを運転する第2運転モードと、を含むことを特徴とする請求項1から19のいずれかに記載のイオン注入装置。 - 前記制御部は、前記目的のエネルギーが所定のしきい値より大きい場合に前記第1運転モードを選択し、前記目的のエネルギーが所定のしきい値より小さい場合に前記第2運転モードを選択することを特徴とする請求項20に記載のイオン注入装置。
- 目的のエネルギーを有するイオンビームを被処理物に照射するための注入処理室と、前記注入処理室の上流に配設されているビームライン出口部との間に配設されている最終エネルギーフィルターであって、
前記ビームライン出口部の下流に配設され、前記イオンビームのビーム形状を調整する第1調整電極部と、
前記第1調整電極部の下流に配設され、前記イオンビームを偏向する中間電極部と、
前記中間電極部の下流に配設され、前記イオンビームのビーム形状を調整する第2調整電極部と、
前記第1調整電極部と前記中間電極部との間において前記イオンビームの減速、加速、又は等エネルギー輸送のいずれか1つが行われ、前記中間電極部と前記第2調整電極部との間において前記イオンビームの減速、加速、又は等エネルギー輸送のいずれか1つが行われるように、前記第1調整電極部、前記中間電極部、及び前記第2調整電極部にそれぞれ個別に電圧を印加するよう構成されている電源部と、を備え、
前記中間電極部は、偏向電極部と、前記第1調整電極部と前記偏向電極部との間に配設されている上流補助電極部と、前記偏向電極部と前記第2調整電極部との間に配設されている下流補助電極部と、を備え、
前記電源部は、前記上流補助電極部と前記偏向電極部との間の第1領域におけるイオンビームのエネルギー範囲と、前記偏向電極部と前記下流補助電極部との間の第2領域におけるイオンビームのエネルギー範囲と、が同程度となるように、前記上流補助電極部、前記偏向電極部、及び前記下流補助電極部にそれぞれ電圧を印加するよう構成されていることを特徴とする最終エネルギーフィルター。 - 被処理物へのイオン注入方法であって、
最終エネルギーフィルターを通じて、目的のエネルギーを有するイオンビームを前記被処理物に向けることと、
前記目的のエネルギーを有するイオンビームを前記被処理物に照射することと、を備え、
前記最終エネルギーフィルターは、前記イオンビームを前記被処理物に照射するための注入処理室と、前記注入処理室の上流に配設されているビームライン出口部との間に配設されており、
前記最終エネルギーフィルターは、
前記ビームライン出口部の下流に配設され、前記イオンビームのビーム形状を調整する第1調整電極部と、
前記第1調整電極部の下流に配設され、前記イオンビームを偏向する中間電極部と、
前記中間電極部の下流に配設され、前記イオンビームのビーム形状を調整する第2調整電極部と、
前記第1調整電極部と前記中間電極部との間において前記イオンビームの減速、加速、又は等エネルギー輸送のいずれか1つが行われ、前記中間電極部と前記第2調整電極部との間において前記イオンビームの減速、加速、又は等エネルギー輸送のいずれか1つが行われるように、前記第1調整電極部、前記中間電極部、及び前記第2調整電極部にそれぞれ個別に電圧を印加するよう構成されている電源部と、を備え、
前記中間電極部は、偏向電極部と、前記第1調整電極部と前記偏向電極部との間に配設されている上流補助電極部と、前記偏向電極部と前記第2調整電極部との間に配設されている下流補助電極部と、を備え、
前記電源部は、前記上流補助電極部と前記偏向電極部との間の第1領域におけるイオンビームのエネルギー範囲と、前記偏向電極部と前記下流補助電極部との間の第2領域におけるイオンビームのエネルギー範囲と、が同程度となるように、前記上流補助電極部、前記偏向電極部、及び前記下流補助電極部にそれぞれ電圧を印加するよう構成されていることを特徴とするイオン注入方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014067156A JP6257411B2 (ja) | 2014-03-27 | 2014-03-27 | イオン注入装置、最終エネルギーフィルター、及びイオン注入方法 |
TW104106051A TWI662584B (zh) | 2014-03-27 | 2015-02-25 | Ion implantation device, final energy filter, and ion implantation method |
KR1020150028994A KR102342019B1 (ko) | 2014-03-27 | 2015-03-02 | 이온주입장치, 최종에너지필터, 및 이온주입방법 |
CN201510104494.2A CN104952681B (zh) | 2014-03-27 | 2015-03-10 | 离子注入装置、最终能量过滤器以及离子注入方法 |
US14/670,173 US9293295B2 (en) | 2014-03-27 | 2015-03-26 | Ion implantation apparatus, final energy filter, and ion implantation method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014067156A JP6257411B2 (ja) | 2014-03-27 | 2014-03-27 | イオン注入装置、最終エネルギーフィルター、及びイオン注入方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015191740A true JP2015191740A (ja) | 2015-11-02 |
JP6257411B2 JP6257411B2 (ja) | 2018-01-10 |
Family
ID=54167260
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014067156A Active JP6257411B2 (ja) | 2014-03-27 | 2014-03-27 | イオン注入装置、最終エネルギーフィルター、及びイオン注入方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9293295B2 (ja) |
JP (1) | JP6257411B2 (ja) |
KR (1) | KR102342019B1 (ja) |
CN (1) | CN104952681B (ja) |
TW (1) | TWI662584B (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019164614A1 (en) * | 2018-02-21 | 2019-08-29 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Conductive beam optics for reducing particles in ion implanter |
WO2019164615A1 (en) * | 2018-02-21 | 2019-08-29 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Conductive beam optic containing internal heating element |
WO2020106428A1 (en) * | 2018-11-20 | 2020-05-28 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic filter and ion implanter having asymmetric electrostatic configuration |
US10790116B2 (en) | 2018-11-20 | 2020-09-29 | Applied Materials, Inc. | Electostatic filter and method for controlling ion beam using electostatic filter |
US10804068B2 (en) | 2018-11-20 | 2020-10-13 | Applied Materials, Inc. | Electostatic filter and method for controlling ion beam properties using electrostatic filter |
US10937624B2 (en) | 2018-11-20 | 2021-03-02 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for controlling ion beam using electrostatic filter |
WO2021118696A1 (en) * | 2019-12-13 | 2021-06-17 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic filter providing reduced particle generation |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9502213B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-11-22 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Ion beam line |
JP6257411B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2018-01-10 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置、最終エネルギーフィルター、及びイオン注入方法 |
US9767984B2 (en) * | 2014-09-30 | 2017-09-19 | Fei Company | Chicane blanker assemblies for charged particle beam systems and methods of using the same |
JP6474359B2 (ja) * | 2016-02-22 | 2019-02-27 | 日新イオン機器株式会社 | イオンビーム照射装置 |
CN106328478A (zh) * | 2016-10-27 | 2017-01-11 | 中国科学院武汉物理与数学研究所 | 一种产生低能离子的装置 |
US10068758B2 (en) * | 2017-01-27 | 2018-09-04 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion mass separation using RF extraction |
WO2019016857A1 (ja) * | 2017-07-18 | 2019-01-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム装置 |
US10468224B2 (en) * | 2017-12-21 | 2019-11-05 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and method for controlling ion beam properties using energy filter |
JP6982531B2 (ja) * | 2018-03-26 | 2021-12-17 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置および測定装置 |
CN110556281B (zh) * | 2018-06-01 | 2024-01-23 | 日新离子机器株式会社 | 离子束照射装置 |
CN109148248B (zh) * | 2018-08-13 | 2020-10-16 | 江苏未名华芯半导体有限公司 | 一种芯片生产用离子植入设备 |
US10665415B1 (en) * | 2018-11-06 | 2020-05-26 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for controlling ion beam properties using electrostatic filter |
JP7132828B2 (ja) * | 2018-11-13 | 2022-09-07 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置およびビームパーク装置 |
JP7417611B2 (ja) * | 2018-12-17 | 2024-01-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 傾斜回折格子のローリングkベクトルの調整 |
US10811214B2 (en) * | 2019-01-18 | 2020-10-20 | Applied Materials, Inc. | Low emission cladding and ion implanter |
US20210090845A1 (en) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic filter with shaped electrodes |
USD956005S1 (en) | 2019-09-19 | 2022-06-28 | Applied Materials, Inc. | Shaped electrode |
CN111105971B (zh) * | 2019-12-06 | 2022-06-14 | 中国科学院微电子研究所 | 一种离子注入装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002052609A2 (en) * | 2000-12-27 | 2002-07-04 | Proteros, Llc | Compact beamline and ion implanter system using same |
JP2004525480A (ja) * | 2000-11-20 | 2004-08-19 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 低ビーム発散となる,低エネルギービームの抽出および減速 |
JP2005190979A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-07-14 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオンビーム装置 |
JP2009505384A (ja) * | 2005-08-09 | 2009-02-05 | カール ツァイス エスエムエス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 粒子光学系 |
WO2009119504A1 (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-01 | 株式会社堀場製作所 | 荷電粒子線用静電レンズ |
JP2012503295A (ja) * | 2008-09-17 | 2012-02-02 | アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド | イオン注入に用いる調整可能な偏向光学 |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0744025B2 (ja) | 1985-11-14 | 1995-05-15 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子の加減速方法 |
JPS62122044A (ja) | 1985-11-22 | 1987-06-03 | Hitachi Ltd | イオン加速器 |
JP2662960B2 (ja) | 1987-12-08 | 1997-10-15 | 日本真空技術株式会社 | イオン注入装置 |
JP4163344B2 (ja) * | 1999-03-05 | 2008-10-08 | 株式会社東芝 | 基板検査方法および基板検査システム |
GB2389452B (en) * | 2001-12-06 | 2006-05-10 | Bruker Daltonik Gmbh | Ion-guide |
JP3738734B2 (ja) | 2002-02-06 | 2006-01-25 | 日新電機株式会社 | 静電加速管およびそれを備えるイオン注入装置 |
US6777696B1 (en) | 2003-02-21 | 2004-08-17 | Axcelis Technologies, Inc. | Deflecting acceleration/deceleration gap |
JP5068928B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2012-11-07 | 株式会社Sen | 低エネルギービーム増大化方法及びビーム照射装置 |
JP5042451B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2012-10-03 | 株式会社Sen | ビーム空間電荷中和装置及びこれを備えたイオン注入装置 |
JP5214090B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2013-06-19 | 株式会社Sen | ビーム偏向走査方法及びビーム偏向走査装置並びにイオン注入方法及びイオン注入装置 |
JP4954465B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2012-06-13 | 株式会社Sen | イオンビーム/荷電粒子ビーム照射装置 |
US7507978B2 (en) * | 2006-09-29 | 2009-03-24 | Axcelis Technologies, Inc. | Beam line architecture for ion implanter |
JP5242937B2 (ja) * | 2007-04-10 | 2013-07-24 | 株式会社Sen | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
JP5204421B2 (ja) * | 2007-04-10 | 2013-06-05 | 株式会社Sen | イオン注入装置 |
JP5329050B2 (ja) * | 2007-04-20 | 2013-10-30 | 株式会社Sen | ビーム処理装置 |
JP5176903B2 (ja) * | 2008-11-21 | 2013-04-03 | 日新イオン機器株式会社 | イオン注入装置 |
US7888653B2 (en) | 2009-01-02 | 2011-02-15 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for independently controlling deflection, deceleration and focus of an ion beam |
US8129695B2 (en) | 2009-12-28 | 2012-03-06 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | System and method for controlling deflection of a charged particle beam within a graded electrostatic lens |
US8519353B2 (en) * | 2010-12-29 | 2013-08-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method and apparatus for controlling an asymmetric electrostatic lens about a central ray trajectory of an ion beam |
US8921803B2 (en) * | 2011-03-04 | 2014-12-30 | Perkinelmer Health Sciences, Inc. | Electrostatic lenses and systems including the same |
JP5638995B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2014-12-10 | 株式会社Sen | イオン注入方法及びイオン注入装置 |
JP5808706B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2015-11-10 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置及びその制御方法 |
JP6184254B2 (ja) * | 2013-08-29 | 2017-08-23 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置、ビーム平行化装置、及びイオン注入方法 |
JP6086845B2 (ja) * | 2013-08-29 | 2017-03-01 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
US8673753B1 (en) * | 2012-12-03 | 2014-03-18 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Multi-energy ion implantation |
US9000395B2 (en) * | 2013-03-25 | 2015-04-07 | Hermes Microvision, Inc. | Energy filter for charged particle beam apparatus |
JP6080706B2 (ja) * | 2013-06-24 | 2017-02-15 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | 高周波加速式のイオン加速・輸送装置 |
JP6053611B2 (ja) * | 2013-05-27 | 2016-12-27 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | 高エネルギーイオン注入装置 |
JP6251525B2 (ja) * | 2013-09-13 | 2017-12-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
JP6253362B2 (ja) * | 2013-11-21 | 2017-12-27 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | 高エネルギーイオン注入装置、ビーム電流調整装置、及びビーム電流調整方法 |
JP6257411B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2018-01-10 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置、最終エネルギーフィルター、及びイオン注入方法 |
-
2014
- 2014-03-27 JP JP2014067156A patent/JP6257411B2/ja active Active
-
2015
- 2015-02-25 TW TW104106051A patent/TWI662584B/zh active
- 2015-03-02 KR KR1020150028994A patent/KR102342019B1/ko active IP Right Grant
- 2015-03-10 CN CN201510104494.2A patent/CN104952681B/zh active Active
- 2015-03-26 US US14/670,173 patent/US9293295B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004525480A (ja) * | 2000-11-20 | 2004-08-19 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 低ビーム発散となる,低エネルギービームの抽出および減速 |
WO2002052609A2 (en) * | 2000-12-27 | 2002-07-04 | Proteros, Llc | Compact beamline and ion implanter system using same |
JP2005190979A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-07-14 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオンビーム装置 |
JP2009505384A (ja) * | 2005-08-09 | 2009-02-05 | カール ツァイス エスエムエス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 粒子光学系 |
WO2009119504A1 (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-01 | 株式会社堀場製作所 | 荷電粒子線用静電レンズ |
JP2012503295A (ja) * | 2008-09-17 | 2012-02-02 | アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド | イオン注入に用いる調整可能な偏向光学 |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021514530A (ja) * | 2018-02-21 | 2021-06-10 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | イオン注入装置内の粒子を低減するための導電性ビーム光学素子 |
WO2019164615A1 (en) * | 2018-02-21 | 2019-08-29 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Conductive beam optic containing internal heating element |
US10504682B2 (en) | 2018-02-21 | 2019-12-10 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Conductive beam optic containing internal heating element |
KR102488074B1 (ko) | 2018-02-21 | 2023-01-12 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 내부의 입자들을 감소시키기 위한 에너지 퓨리티 모듈, 이온 주입 시스템 및 방법 |
US10714301B1 (en) | 2018-02-21 | 2020-07-14 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Conductive beam optics for reducing particles in ion implanter |
JP7121801B2 (ja) | 2018-02-21 | 2022-08-18 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | イオン注入装置内の粒子を低減するための導電性ビーム光学素子 |
KR20200113278A (ko) * | 2018-02-21 | 2020-10-06 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 내부의 입자들을 감소시키기 위한 에너지 퓨리티 모듈, 이온 주입 시스템 및 방법 |
JP7050163B2 (ja) | 2018-02-21 | 2022-04-07 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 内部加熱要素を含む電導性ビーム光学系 |
WO2019164614A1 (en) * | 2018-02-21 | 2019-08-29 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Conductive beam optics for reducing particles in ion implanter |
TWI757582B (zh) * | 2018-02-21 | 2022-03-11 | 美商瓦里安半導體設備公司 | 用於向晶圓遞送離子束的靜電過濾器及離子植入系統 |
JP2021514533A (ja) * | 2018-02-21 | 2021-06-10 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 内部加熱要素を含む電導性ビーム光学系 |
US10886098B2 (en) | 2018-11-20 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic filter and ion implanter having asymmetric electrostatic configuration |
US10937624B2 (en) | 2018-11-20 | 2021-03-02 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for controlling ion beam using electrostatic filter |
US10804068B2 (en) | 2018-11-20 | 2020-10-13 | Applied Materials, Inc. | Electostatic filter and method for controlling ion beam properties using electrostatic filter |
US10790116B2 (en) | 2018-11-20 | 2020-09-29 | Applied Materials, Inc. | Electostatic filter and method for controlling ion beam using electostatic filter |
WO2020106428A1 (en) * | 2018-11-20 | 2020-05-28 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic filter and ion implanter having asymmetric electrostatic configuration |
WO2021118696A1 (en) * | 2019-12-13 | 2021-06-17 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic filter providing reduced particle generation |
US11437215B2 (en) | 2019-12-13 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic filter providing reduced particle generation |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI662584B (zh) | 2019-06-11 |
JP6257411B2 (ja) | 2018-01-10 |
KR20150112785A (ko) | 2015-10-07 |
CN104952681B (zh) | 2018-06-19 |
US9293295B2 (en) | 2016-03-22 |
US20150279612A1 (en) | 2015-10-01 |
KR102342019B1 (ko) | 2021-12-22 |
TW201537608A (zh) | 2015-10-01 |
CN104952681A (zh) | 2015-09-30 |
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