JP2015185753A - モールドパッケージ - Google Patents

Abstract

【課題】ハーフモールドタイプのモールドパッケージにおいて、成形時におけるモールド樹脂の硬化の均一化を図り、成形後における基板の反りを抑制するのに適した構成を実現する。
【解決手段】一面１１と他面１２とが表裏の板面の関係にある基板１０と、基板１０の一面１１に搭載された電子部品２０と、基板１０の一面１１側に設けられ電子部品２０とともに当該一面１１を封止するモールド樹脂３０と、を備え、基板１０の他面１２はモールド樹脂３０より露出しており、基板１０の内部には、基板１０の一面１１側を起点として基板１０の他面１２側に延びる金属製の熱伝導経路４０が設けられており、熱伝導経路４０における基板１０の一面１１側の起点部４１は、基板１０の一面１１のうち電子部品２０とは異なる位置の部位に露出し、当該起点部４１における露出部分はモールド樹脂３０に直接接触して封止されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板の一面側をモールド樹脂で封止し他面側を露出させてなるハーフモールドタイプのモールドパッケージに関する。

従来より、この種のモールドパッケージとしては、基板と、基板の一面に搭載された電子部品と、基板の一面に設けられて電子部品とともに基板の一面を封止するモールド樹脂と、を備えたものが提案されている。ここで、基板における一面とは反対側の他面は、前記モールド樹脂より露出しており、このような構成を採用したものは、いわゆるハーフモールドタイプと言われる。

ここで、多連状態の基板を一括して封止しやすいこと、成形圧が低いこと、あるいは樹脂流れが遅いために基板の一面上のワイヤ流れが防止できること等の利点を考慮して、モールド樹脂は、コンプレッション成形により形成するのが通常である（たとえば、特許文献１参照）。

特開２０１３−３６０２９号公報

ところで、上記コンプレッション成形の場合には、上型と下型よりなる金型の下型に樹脂材料を配置し、上型に基板を配置した状態で、これら上下型を合致させて、加熱および加圧することにより、モールド樹脂を成形する。

そのため、この場合、下型からの熱が樹脂材料への主な伝熱経路となり、モールド樹脂の厚み方向において受熱のばらつきが発生する。具体的に、成形工程では、樹脂材料は、下型には直接接して受熱されるが、上型からは基板を通して受熱されるので、樹脂材料の主な伝熱経路は下型からの受熱とされる。

そのため、樹脂材料の受熱量は、上型側（つまり基板の一面側）で少なく、下型側（つまり基板の一面から遠い側）で多くなり、樹脂全体で硬化速度が不均一となりやすい。すると、モールド樹脂の一部、特にモールド樹脂の内部のうちの上型側である基板の一面に近い部位は、未硬化のまま成形が終了する。この場合、硬化部分と未硬化部分とで硬化収縮の差が生じ、それにより基板の反りが発生しやすくなる。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、ハーフモールドタイプのモールドパッケージにおいて、成形時におけるモールド樹脂の硬化の均一化を図り、成形後における基板の反りを抑制するのに適した構成を実現することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、一面（１１）と他面（１２）とが表裏の板面の関係にある基板（１０）と、基板の一面に搭載された電子部品（２０）と、基板の一面側に設けられ電子部品とともに当該一面を封止するモールド樹脂（３０）と、を備え、基板の他面はモールド樹脂より露出しており、
基板の内部には、基板の一面側を起点として基板の他面側に延びる金属製の熱伝導経路（４０）が設けられており、熱伝導経路における基板の一面側の起点部は、基板の一面のうち電子部品とは異なる位置の部位に露出し、当該起点部における露出部分はモールド樹脂に直接接触して封止されていることを特徴とする。

それによれば、コンプレッション成形によるモールド樹脂の成形時には、下型に配置された樹脂材料に対しては、上型からは基板を介して受熱されるが、このとき、上型から樹脂材料への熱流れは、基板内の熱伝導経路により促進される。そのため、樹脂全体での受熱ばらつきが小さくなり、硬化速度が均一化されやすくなる。

こうして、本発明によれば、成形時におけるモールド樹脂の硬化の均一化を図り、成形後における基板の反りを抑制するのに適した構成を実現することができる。

ここで、請求項２に記載の発明のように、請求項１に記載の発明においては、熱伝導経路における基板の他面側の終点部（４２）は、当該他面寄りにて基板の内部に留まり当該他面には露出していないことが好ましい。

それによれば、モールド樹脂より露出する基板の他面にて、金属製の熱伝導経路が露出していない方が、短絡等の電気的な異常を発生させにくいので、好ましい。

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

本発明の第１実施形態にかかるモールドパッケージの全体構成を示す概略断面図である。 図１に示されるモールドパッケージの全体構成を示す概略平面図である。 図１中のモールドパッケージにおける熱伝導経路の部分を拡大して示す概略断面図である。 図１に示されるモールドパッケージの製造工程を示す概略断面図である。 本発明の第２実施形態にかかるモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。 本発明の第３実施形態にかかるモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。 本発明の第４実施形態にかかるモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。 本発明の第５実施形態にかかるモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。 本発明の第６実施形態にかかるモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。 本発明の第７実施形態にかかるモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。 本発明の第８実施形態にかかるモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかるモールドパッケージＰ１について、図１〜図３を参照して述べる。なお、図２に示される平面図中では、モールド樹脂３０の外形を一点鎖線で示し、モールド樹脂３０を透過してモールド樹脂３０の内部に位置する構成要素を示している。このモールドパッケージＰ１は、たとえば自動車などの車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するための装置として適用されるものである。

本実施形態のモールドパッケージＰ１は、大きくは、一面１１と他面１２とが表裏の板面の関係にある基板１０と、基板１０の一面１１に搭載された電子部品２０と、基板１０の一面１１側に設けられ電子部品２０とともに基板１０の一面１１を封止するモールド樹脂３０と、を備えて構成されている。

ここで、モールドパッケージＰ１において、基板１０の他面１２はモールド樹脂３０で封止されずに、モールド樹脂３０より露出している。つまり、本実施形態のモールドパッケージＰ１は、いわゆるハーフモールドタイプのモールドパッケージとして構成されている。

基板１０は、エポキシ樹脂やガラスエポキシ樹脂等よりなるプリント基板や、あるいは、アルミナ等のセラミックよりなるセラミック基板よりなる配線基板である。また、この基板１０としては、単層基板でもよいが、ビルドアップ基板や多層のセラミック層よりなる多層基板であってもよい。ここでは、基板１０は、樹脂よりなるビルドアップ基板として構成されている。

電子部品２０は、基板１０の一面１１に搭載されているが、この電子部品２０は、基板１０の一面１１に搭載されるものであれば特に限定されるものではない。たとえば、電子部品としては。シリコン半導体等よりなる半導体チップとしてのＩＣチップやマイコン、あるいは、抵抗素子やコンデンサ素子等の受動部品等よりなる。

また、電子部品２０は、図１、図２に示される例では複数個搭載されているが、１個の基板１０について１個の電子部品２０が搭載されたものであってもよい。このような電子部品２０は、基板１０の一面１１に設けられた図示しないランド、パッドあるいは配線等に対して、ダイマウント材を用いた接合、あるいは、フリップチップ接合やワイヤボンド接合等の手法により接合されている。

そして、モールド樹脂３０は、基板１０の一面１１側に設けられ、電子部品２０および基板１０の一面１１を封止しているが、基板１０の他面１２にはモールド樹脂３０は設けられずに、当該他面１２はモールド樹脂３０より露出している。このようなモールド樹脂３０は、典型的には、後述する金型を用いたコンプレッション成形により形成されるもので、エポキシ樹脂等よりなるものである。

ここにおいて、本実施形態のモールドパッケージＰ１では、基板１０の内部には、金属製の熱伝導経路４０が設けられている。この熱伝導経路４０は、基板１０を構成する主材料（たとえば樹脂やセラミック）よりも熱伝導性に優れたＣｕ等の金属よりなる。

そして、この熱伝導経路４０は、基板１０の一面１１側を起点として基板１０の他面１２側に延びるものとされている。つまり、この熱伝導経路４０は、熱伝導経路４０以外の基板１０の部位に比べて、優先的に、基板１０の厚さ方向に沿って熱を伝導させる経路として構成されている。

ここで、熱伝導経路４０における基板１０の一面１１側の起点の部位を起点部４１とし、熱伝導経路４０における基板１０の他面１２側の終点の部位を終点部４２とする。そして、熱伝導経路４０の起点部４１は、基板１０の一面１１のうち電子部品２０とは異なる位置の部位に露出している。

そして、この熱伝導経路４０の起点部４１における露出部分はモールド樹脂３０に直接接触して封止されている。つまり、この熱伝導経路４０の起点部４１には電子部品２０が配置されず、当該起点部４１は電子部品２０とは接続されていないものである。さらに言えば、熱伝導経路４０は、電子部品２０が搭載されるランドではない。

ここでは、熱伝導経路４０の起点部４１の表面は、基板１０の一面１１と同一平面に位置して当該一面１１に露出しつつ、起点部４１の表面はモールド樹脂３０に直接接触して封止されている。

また、熱伝導経路４０の終点部４２は、基板１０の他面１２寄りにて基板１０の内部に留まり基板１０の他面１２には露出していない。つまり、熱伝導経路４０の終点部４２と基板１０の他面１２との間には、基板１０を構成する樹脂やセラミック等の電気絶縁性の主材料が、絶縁部として、介在している。

具体的に、本実施形態では、基板１０が上記したように、多層基板としての樹脂よりなるビルドアップ基板より構成されているから、熱伝導経路４０は、このビルドアップ基板の内部に形成された内層配線４０ｃおよびビアホール４０ｄにより形成された金属導体である。そして、熱伝導経路４０の材質としては、典型的にはＣｕ等の金属よりなるものである。

なお、本実施形態のモールドパッケージＰ１において、基板１０が、多層基板としてのセラミック基板よりなる場合には、熱伝導経路４０は、Ｗ（タングステン）やＭｏ（モリブデン）等の金属導体ペースト等を用いて形成された内層配線およびビアホールにより構成されたものとなる。

次に、上記図１に示される本実施形態のモールドパッケージＰ１の製造方法について、コンプレッション成形による金型を用いた製造方法の例を、図３を参照して述べる。なお、図３では、電子部品２０の図示を省略してある。

まず、上記した熱伝導経路４０を有する基板１０および電子部品２０を用意する（用意工程）。そして、基板１０の一面１１に、ダイボンド実装、フリップチップ実装、およびワイヤボンディング等により電子部品２０を搭載する（搭載工程）。

次に、コンプレッション成形によりモールド樹脂３０を形成する成形工程を行う。この工程では、図３に示されるように、上型１０１と下型１０２とを取り外し可能に合致させることでコンプレッション成形を行う成型用の金型１００を用いる。

ここで、上型１０１は基板１０を支持するものである。下型１０２は、上型１０１に合致されて基板１０を挟んで支持するクランプ型１０３と、このクランプ型１０３に対して図３中の上下方向に可動する可動型１０４と、を有するものである。これら金型１００の各部は、たとえばアクチュエータ等により駆動される。

そして、成形工程では、合致前の上型１０１および下型１０２において、図３（ａ）に示されるように、基板１０の他面１２側を上型１０１に固定する。一方で、図３（ｂ）に示されるように、顆粒状のモールド樹脂３０を、適量に秤量し、これを下型１０２に投入する。

次に、成形工程では、図３（ｃ）に示されるように、上型１０１と下型１０２とを合致させ、この合致状態で、モールド樹脂３０を加圧および加熱して硬化することにより、硬化されたモールド樹脂３０を形成する。

これについて、具体的には、上型１０１とクランプ型１０３とで基板１０を挟んで支持し、可動型１０４を上型１０１に向かって上方に移動させることにより、モールド樹脂３０を成形圧にて圧縮する。そして、この圧縮状態でモールド樹脂３０を硬化させることで、最終的なモールド樹脂３０が形成される。

こうして、モールド樹脂３０を形成した後、クランプ型１０３および可動型１０４を上型１０１から離すように下方に移動させて、モールド樹脂３０が形成された基板１０を、上型１０１から取り外す。以上が成形工程である。こうして、本実施形態のモールドパッケージＰ１ができあがる。

ところで、本実施形態のモールドパッケージＰ１によれば、コンプレッション成形によるモールド樹脂３０の成形時には、下型１０２に配置されたモールド樹脂３０に対しては、上型１０１からは基板１０を介して受熱される。このとき、上型１０１からモールド樹脂３０への熱流れは、基板１０内の熱伝導経路４０により促進される。

そのため、モールド樹脂３０全体での受熱ばらつきが小さくなり、硬化速度が均一化されやすくなる。こうして、本実施形態によれば、成形時におけるモールド樹脂３０の硬化の均一化を図り、成形後における基板１０の反りを抑制するのに適した構成を実現することができる。

また、本実施形態では、上述したように、熱伝導経路４０における基板１０の他面１２側の終点部４２は、基板１０の他面１２寄りにて基板１０の内部に留まり基板１０の他面１２には露出していないものとされている。つまり、上述のように、熱伝導経路４０の終点部４２は、基板１０の絶縁部により被覆されて外部には露出していない。

それによれば、モールド樹脂３０より露出する基板１０の他面１２にて、金属製の熱伝導経路４０が露出していない方が、短絡等の電気的な異常を発生させにくいので、好ましい。

寸法を限定するものではないが、たとえば、基板１０の厚さが１ｍｍ程度である場合、熱伝導経路４０の終点部４２と基板１０の他面１２との間に介在する基板１０の絶縁部の厚さは、数十μｍ〜１００μｍ程度とされる。この基板１０の絶縁部の厚さは、熱伝導経路４０による熱伝導性の確保、および、終点部４２と基板１０外部との電気絶縁性の確保を両立させるべく、適宜設計されるものである。

また、本実施形態において、熱伝導経路４０は、基板１０における熱伝導経路４０自身以外のすべての導電性要素に対して電気的に独立したものであることが望ましい。つまり、熱伝導経路４０は、モールドパッケージＰ１において基板１０および電子部品２０によって構成される電気回路とは、電気的に独立したものとされていることが望ましい。この場合、熱伝導経路４０は、たとえばボディアース等によりＧＮＤ（グランド）電位とされていることが望ましい。

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態にかかるモールドパッケージの要部構成について、図５を参照して、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。

上記第１実施形態では、熱伝導経路４０は、樹脂よりなるビルドアップ基板より構成された基板１０において内部に形成された内層配線４０ｃおよびビアホール４０ｄにより形成されたものであった。そして、熱伝導経路４０の起点部４１の表面は、基板１０の一面１１と同一平面に位置して露出しつつ、起点部４１の表面はモールド樹脂３０に直接接触して封止されているものであった。

これに対して、図５に示されるように、本実施形態では、熱伝導経路４０の起点部４１の表面は、基板１０の一面１１よりも突出して基板１０の一面１１より露出しつつ、モールド樹脂３０に直接接触して封止されているものとされている。

具体的には、図５に示されるように、本実施形態における熱伝導経路４０は、基板１０の内部に位置する内側部４０ａと、基板１０の一面１１上に突出する外側部４０ｂとによりなる。そして、この外側部４０ｂが熱伝導経路４０の起点部４１とされて、モールド樹脂３０に直接接触してモールド樹脂３０に封止されている。

ここで、熱伝導経路４０の内側部４０ａは、上記第１実施形態の熱伝導経路４０と同様、基板１０内部に形成された内層配線４０ｃおよびビアホール４０ｄにより形成された金属導体である。そして、熱伝導経路４０の外側部４０ｂは、内側部４０ａに直接接触して形成されたダミーパッド４３により構成されている。

つまり、この外側部４０ｂとしてのダミーパッド４３は、基板１０の一面１１に露出する金属導体としての内側部４０ａに接続されたものである。そして、本実施形態のダミーパッド４３すなわち外側部４０ｂは、基板１０におけるすべての導電性要素に対して電気的に独立であるダミー部材であり、たとえばＣｕ等の金属よりなるものである。

そして、本実施形態においても、コンプレッション成形による上型１０１からモールド樹脂３０への熱流れは、基板１０内の熱伝導経路４０により促進されるため、モールド樹脂３０全体での受熱ばらつきが小さくなり、硬化速度が均一化されやすくなる。そのため、本実施形態によっても、成形時におけるモールド樹脂３０の硬化の均一化を図り、成形後における基板１０の反りを抑制するのに適した構成を実現することができる。

（第３実施形態）
本発明の第３実施形態にかかるモールドパッケージの要部構成について、図６を参照して述べる。本実施形態においても、上記第２実施形態と同様、熱伝導経路４０の起点部４１を、基板１０の内部に位置する内側部４０ａと、基板１０の一面１１上に突出する外側部４０ｂとによりなるものとしている。そして、外側部４０ｂが起点部４１とされてモールド樹脂３０に直接接触してモールド樹脂３０に封止されている。

ここで、本実施形態では、熱伝導経路４０における起点部４１となる外側部４０ｂを、上記第２実施形態に対して、一部変形したものとしている。すなわち、本実施形態の外側部４０ｂは、上記第２実施形態と同様のダミーパッド４３と、このダミーパッド４３に対してはんだや金属の直接接合等により接合されたＣｕ等の金属ブロック４４と、により構成されている。

この場合も、外側部４０ｂとしてのダミーパッド４３および金属ブロック４４は、基板１０におけるすべての導電性要素に対して電気的に独立であるダミー部材として、構成されている。そして、本実施形態においても、上記第２実施形態と同様、成形時におけるモールド樹脂３０の硬化の均一化を図り、成形後における基板１０の反りを抑制するのに適した構成を実現することができる。

なお、図６の例では、熱伝導経路４０は、２個の内側部４０ａにおける基板１０の一面１１側にそれぞれ、ダミーパッド４３を設け、この２個の内側部４０ａを１個の金属ブロック４４に接続してなる構成とされている。

この場合、基板１０の一面１１より突出しているダミーパッド４３および金属ブロック４４の各表面が、起点部４１の表面とされ、この表面がモールド樹脂３０に直接接触して封止されている。そして、この場合、熱伝導経路４０は、２個の内側部４０ａに応じて終点部４２も２個有するものとなっている。

ここで、本実施形態における熱伝導経路４０としては、１個の金属ブロック４４について、１個の内側部４０ａが接続されてなるものであってもよいし、３個以上の内側部４０ａが接続されてなるものであってもよい。

（第４実施形態）
本発明の第４実施形態にかかるモールドパッケージの要部構成について、図７を参照して、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。

上記第１実施形態では、上記図３に示したように、熱伝導経路４０における基板１０の他面１２側の終点部４２は、基板１０の他面１２寄りにて基板１０の内部に留まり基板１０の他面１２には露出していないものとされていた。

これに対して、図７に示されるように、本実施形態の熱伝導経路４０は、終点部４２が基板１０の他面１２にて基板１０より外部に露出したものとされている。つまり、本実施形態の熱伝導経路４０は、基板１０の一面１１から他面１２まで基板１０を厚さ方向に貫通したものとされている。ここで、熱伝導経路４０における起点部４１の表面、終点部４２の表面は、それぞれ基板１０の一面１１、他面１２と同一平面に位置している。

この場合も、上記第１実施形態と同様、熱伝導経路４０による効果が発揮され、成形時におけるモールド樹脂３０の硬化の均一化を図り、成形後における基板１０の反りを抑制するのに適した構成を実現することができる。

なお、本実施形態は、上記第１実施形態に対して熱伝導経路４０の終点部４２の位置を変更した構成である。それゆえ、本実施形態についても、上記第２実施形態や上記第３実施形態と同様、熱伝導経路４０の起点部４１側においてダミーパッド４３や金属ブロック４４を、追加した構成としてもよいことは、もちろんである。

（第５実施形態）
本発明の第５実施形態にかかるモールドパッケージの要部構成について、図８を参照して、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。

上記第１実施形態では、上記図３に示したように、基板１０がビルドアップ基板等の多層基板である場合において、熱伝導経路４０を、基板１０の内部に形成された内層配線４０ｃおよびビアホール４０ｄにより形成された金属導体より構成していた。

これに対して、図８に示されるように、本実施形態の熱伝導経路４０は、基板１０の一面１１から他面１２に向かう基板１０厚さ方向の途中部まで形成された孔４０ｅに対してめっき等により金属導体４０ｆを充填してなるものとして、構成されている。

ここで、本実施形態の熱伝導経路４０において、起点部４１の表面である金属導体４０ｆの表面は、上記第１実施形態と同様、基板１０の一面１１と同一平面に位置している。一方、終点部４２である金属導体４０ｆの端面は、上記第１実施形態と同様、基板１０の他面１２側の絶縁部分により被覆され、基板１０の外部には露出していない。

この場合、基板１０は、単層基板でもよいし、多層基板であってもよく、孔４０ｅは、たとえばエッチング加工、プレス加工、レーザ加工等により形成することができる。そして、この場合も、上記第１実施形態と同様の効果が発揮されることはもちろんである。

なお、本実施形態についても、上記第２実施形態や上記第３実施形態と同様、熱伝導経路４０の起点部４１側においてダミーパッド４３や金属ブロック４４を、追加した構成としてもよいことは、もちろんである。

（第６実施形態）
本発明の第６実施形態は、上記第５実施形態を一部変形したものである。本実施形態にかかるモールドパッケージの要部構成について、図９を参照して、上記第５実施形態との相違点を中心に述べることとする。

図９に示されるように、本実施形態の熱伝導経路４０は、上記第５実施形態において、孔４０ｅを基板１０厚さ方向に貫通させたスルーホール構造とし、この孔４０ｅの全体に金属導体４０ｆを充填することにより構成されている。これにより、本実施形態では、終点部４２である金属導体４０ｆの端面は、基板１０の他面１２と同一平面の位置にて、基板１０の他面１２より露出している。

そして、この場合も、上記第１実施形態と同様、モールド樹脂３０の硬化の均一化、基板１０の反り抑制の各効果が発揮される。なお、本実施形態についても、上記第２実施形態や上記第３実施形態と同様、熱伝導経路４０の起点部４１側においてダミーパッド４３や金属ブロック４４を、追加した構成としてもよい。

（第７実施形態）
本発明の第７実施形態は、上記第６実施形態を一部変形したものである。本実施形態にかかるモールドパッケージの要部構成について、図１０を参照して、上記第６実施形態との相違点を中心に述べることとする。上記第６実施形態では、熱伝導経路４０は、スルーホール構造の孔４０ｅの全体に金属導体４０ｆを充填してなるものであった。

これに対して、本実施形態の熱伝導経路４０は、図１０に示されるように、スルーホール構造の孔４０ｅの内壁面のみに、Ｃｕめっき等により金属導体４０ｆを設け、孔４０ｅの中心部分は空洞としたものである。つまり、金属導体４０ｆは、中空円筒状をなすものとされている。

この場合も、上記第６実施形態と同様の効果が発揮される。なお、本実施形態についても、上記第２実施形態や上記第３実施形態と同様、熱伝導経路４０の起点部４１側においてダミーパッド４３や金属ブロック４４を、追加した構成としてもよい。

（第８実施形態）
本発明の第８実施形態は、上記第７実施形態を一部変形したものである。本実施形態にかかるモールドパッケージの要部構成について、図１１を参照して、上記第７実施形態との相違点を中心に述べることとする。

図１１に示されるように、本実施形態の熱伝導経路４０は、さらに、金属導体４０ｆの中空部に樹脂等の絶縁材料よりなる絶縁部材４０ｇを充填したものである。そして、この場合も、上記第７実施形態と同様の効果が発揮される。なお、本実施形態についても、ダミーパッド４３や金属ブロック４４の追加が可能であることはもちろんである。

（他の実施形態）
なお、モールド樹脂３０をコンプレッション成形で成形する例を述べたが、トランスファー成形で成形する場合についても、上記各実施形態を適用してもよい。金型からの熱を、基板１０を介してモールド樹脂３０へ伝えるにあたって、基板１０内の熱伝導経路４０により熱の流れが促進される。

また、上記各実施形態では、熱伝導経路４０は、基板１０における熱伝導経路４０自身以外のすべての導電性要素に対して電気的に独立したものであった。これに対して、熱伝導経路４０は、基板１０の電気回路を構成する配線等と基板１０内部にて導通することで、電気配線として機能するものであってもよい。

また、上記第２および第３実施形態では、熱伝導経路４０の外側部４０ｂは、内側部４０ａとは別体のダミーパッド４３や金属ブロック４４であった。これに対して、外側部４０ｂと内側部４０ａとは連続する一体のものであってもよい。この場合、たとえば内側部４０ａとしての金属導体４０ｆが、基板１０内部から連続して基板１０の一面１１上に突出するように延設されたものすればよい。

また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。

１０ 基板
１１ 基板の一面
１２ 基板の他面
２０ 電子部品
３０ モールド樹脂
４０ 熱伝導経路

Claims (6)

1. 一面（１１）と他面（１２）とが表裏の板面の関係にある基板（１０）と、
   前記基板の一面に搭載された電子部品（２０）と、
   前記基板の一面側に設けられ前記電子部品とともに当該一面を封止するモールド樹脂（３０）と、を備え、
   前記基板の他面は前記モールド樹脂より露出しており、
   前記基板の内部には、前記基板の一面側を起点として前記基板の他面側に延びる金属製の熱伝導経路（４０）が設けられており、
   前記熱伝導経路における前記基板の一面側の起点部は、前記基板の一面のうち前記電子部品とは異なる位置の部位に露出し、当該起点部における露出部分は前記モールド樹脂に直接接触して封止されていることを特徴とするモールドパッケージ。
2. 前記熱伝導経路における前記基板の他面側の終点部（４２）は、当該他面寄りにて前記基板の内部に留まり当該他面には露出していないことを特徴とする請求項１に記載のモールドパッケージ。
3. 前記熱伝導経路は、前記基板における自身以外のすべての導電性要素に対して電気的に独立したものであることを特徴とする請求項１または２に記載のモールドパッケージ。
4. 前記起点部の表面は、基板の一面と同一平面に位置して露出しつつ、当該起点部の表面は前記モールド樹脂に直接接触して封止されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載のモールドパッケージ。
5. 前記熱伝導経路は、前記基板の内部に位置する内側部（４０ａ）と、前記基板の一面上に突出する外側部（４０ｂ）とによりなり、前記外側部が前記起点部とされて前記モールド樹脂により封止されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載のモールドパッケージ。
6. 前記外側部は、前記基板におけるすべての導電性要素に対して電気的に独立であるダミー部材であることを特徴とする請求項５に記載のモールドパッケージ。

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