JP2015179082A - 走査型電子顕微鏡観察コントラスト校正用標準試料及び走査型電子顕微鏡を用いた結晶性基板の検査方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】標準試料41は、単結晶SiCからなるステップ/テラス構造が形成されており、それぞれのテラスの表面は、第1積層配向又は第2積層配向の何れかである。また、テラスの表面の垂直線に対して、走査型電子顕微鏡から照射される電子線がなす角度を入射電子角度としたときに、この標準試料41は、表面直下の第1積層配向のテラスの映像と、表面直下の第2積層配向のテラスの映像と、の明暗の差であるコントラストが入射電子角度に応じて変化する。
【選択図】図6
Description
20 支持台
40 SiC基板
41 標準試料(走査型電子顕微鏡用標準試料)
Claims (10)
- 走査型電子顕微鏡の性能を評価するための走査型電子顕微鏡用標準試料において、
六方晶系SiC単結晶からなり、表面にハーフユニット高さのステップと原子レベルで
平坦なテラスからなるステップ/テラス構造が形成されており、
それぞれのテラスの表面は、第1積層配向又は第2積層配向の何れかであり、
テラスの表面の垂直線に対して、前記走査型電子顕微鏡から照射される電子線がなす角度を入射電子角度としたときに、
表面直下が第1積層配向のテラスの映像と、表面直下が第2積層配向のテラスの映像と、の明暗の差であるコントラストが前記入射電子角度に応じて変化することを特徴とする走査型電子顕微鏡用標準試料。 - 請求項1に記載の走査型電子顕微鏡用標準試料であって、
前記入射電子角度が30°から40°の間において、前記コントラストが最も大きくなることを特徴とする走査型電子顕微鏡用標準試料。 - 請求項1又は2に記載の走査型電子顕微鏡用標準試料であって、
テラスの表面の垂直線を回転軸として当該走査型電子顕微鏡用標準試料を回転させる角度を試料回転角度としたとしたときに、前記コントラストが前記試料回転角度に応じて変化することを特徴とする走査型電子顕微鏡用標準試料。 - 請求項1から3までの何れか一項に記載の走査型電子顕微鏡用標準試料であって、
同心円状又は相似六角形状のステップ/テラス構造を有しており、中央から外側に向かって、ハーフユニットずつ高さが高くなることを特徴とする走査型電子顕微鏡用標準試料。 - 請求項1から4までの何れか一項に記載の走査型電子顕微鏡用標準試料であって、
テラス幅が0.1μm以上20μm以下であることを特徴とする走査型電子顕微鏡用標準試料。 - 請求項1から5までの何れか一項に記載の走査型電子顕微鏡用標準試料であって、
ステップ/テラス構造は、4H−SiC又は6H−SiCの基板表面の(0001)Si面又は(000−1)C面に凹部を形成し、当該SiC基板をSi蒸気圧下で加熱することで形成されることを特徴とする走査型電子顕微鏡用標準試料。 - 請求項1から6までの何れか一項に記載の走査型電子顕微鏡用標準試料に対して入射電子角度を変化させつつ電子線を照射することで得られた前記コントラストの変化と、予め求められたコントラストの変化と、を比較することで、走査型電子顕微鏡が照射する電子線の方向に関する性能を評価することを特徴とする走査型電子顕微鏡の評価方法。
- 請求項7に記載の走査型電子顕微鏡の評価方法であって、
4H−SiCからなる前記走査型電子顕微鏡用標準試料に対して走査型電子顕微鏡から電子線を照射することで得られた映像と、6H−SiCからなる前記走査型電子顕微鏡用標準試料に対して走査型電子顕微鏡から電子線を照射することで得られた映像と、を比較することで、走査型電子顕微鏡が照射する電子線の深さに関する性能を評価することを特徴とする走査型電子顕微鏡の評価方法。 - 請求項1から6までの何れか一項に記載の走査型電子顕微鏡用標準試料に対して走査型電子顕微鏡から電子線を照射することで得られたコントラストと、評価対象のSiC基板に電子線を照射することで得られたコントラストと、を比較することでSiC基板の品質を評価することを特徴とするSiC基板の評価方法。
- 請求項9に記載のSiC基板の評価方法であって、
前記走査型電子顕微鏡用標準試料に対して所定の前記入射電子角度で走査型電子顕微鏡から電子線を照射することで得られた平均輝度と、評価対象のSiC基板に対して同じ前記入射電子角度で電子線を照射することで得られた平均輝度と、を比較することで、SiC基板の品質を評価することを特徴とするSiC基板の評価方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015036074A JP6525189B2 (ja) | 2014-02-28 | 2015-02-26 | 走査型電子顕微鏡用標準試料、その製造方法、走査型電子顕微鏡の評価方法、及びSiC基板の評価方法。 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014039378 | 2014-02-28 | ||
JP2014039378 | 2014-02-28 | ||
JP2015036074A JP6525189B2 (ja) | 2014-02-28 | 2015-02-26 | 走査型電子顕微鏡用標準試料、その製造方法、走査型電子顕微鏡の評価方法、及びSiC基板の評価方法。 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019075366A Division JP6777951B2 (ja) | 2014-02-28 | 2019-04-11 | SiC基板の評価方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015179082A true JP2015179082A (ja) | 2015-10-08 |
JP6525189B2 JP6525189B2 (ja) | 2019-06-05 |
Family
ID=54263208
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015036074A Active JP6525189B2 (ja) | 2014-02-28 | 2015-02-26 | 走査型電子顕微鏡用標準試料、その製造方法、走査型電子顕微鏡の評価方法、及びSiC基板の評価方法。 |
JP2019075366A Active JP6777951B2 (ja) | 2014-02-28 | 2019-04-11 | SiC基板の評価方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019075366A Active JP6777951B2 (ja) | 2014-02-28 | 2019-04-11 | SiC基板の評価方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP6525189B2 (ja) |
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2015
- 2015-02-26 JP JP2015036074A patent/JP6525189B2/ja active Active
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JP6525189B2 (ja) | 2019-06-05 |
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JP2019158888A (ja) | 2019-09-19 |
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