JP2013162112A - 欠陥判別装置、およびその方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】欠陥判別装置は、オフ角7を有する炭化珪素基板5の表面において、平面視で三角形状に形成された三角欠陥の、ステップフロー成長方向に沿うフォトルミネッセンス測定を行い、特定波長の発光ラインプロファイルを検出する、光検出器と、検出した発光ラインプロファイルに基づいて、三角欠陥の種別を判別する判別部とを備える。
【選択図】図6
Description
<構成>
以下、本発明にかかる実施の形態を、図面を用いて説明する。
次に、欠陥判別動作について、図3を参照しつつ説明する。
図1では、光検出器18はコンピュータ19と別途備えられているが、光検出器18にコンピュータが内蔵されているような場合であってもよい。
本発明にかかる実施の形態によれば、欠陥判別装置において、オフ角を有する炭化珪素基板5の表面において、平面視で三角形状に形成された三角欠陥1の、ステップフロー成長方向4に沿うPL測定を行い、特定波長のPLラインプロファイル(発光ラインプロファイル)を検出する、光検出器18と、検出したPLラインプロファイルに基づいて、三角欠陥1の種別を判別する判別部101とを備える。
Claims (10)
- オフ角を有する炭化珪素半導体基板の表面において、平面視で三角形状に形成された三角欠陥の、ステップフロー成長方向に沿うフォトルミネッセンス測定を行い、特定波長の発光ラインプロファイルを検出する、光検出部と、
検出した前記発光ラインプロファイルに基づいて、前記三角欠陥の種別を判別する判別部とを備えることを特徴とする、
欠陥判別装置。 - 前記判別部が、前記発光ラインプロファイルから、発光強度の極大点と、前記極大点を挟んで存在する、前記発光強度が前記極大点の半分となる第1半値点および第2半値点とを読み取り、
前記極大点が前記第1半値点および前記第2半値点のいずれに近い位置で読み取られるかに基づいて、前記三角欠陥の種別を判別することを特徴とする、
請求項1に記載の欠陥判別装置。 - 前記判別部は、前記三角欠陥が、前記炭化珪素半導体基板を用いて作製される半導体素子の電気的特性を低下させる種別であるか否かを判別することを特徴とする、
請求項1または2に記載の欠陥判別装置。 - 前記光検出部が、前記三角欠陥の単一波長の前記発光ラインプロファイルを検出することを特徴とする、
請求項1〜3のいずれかに記載の欠陥判別装置。 - 前記光検出部が、前記三角欠陥の波長540nmの前記発光ラインプロファイルを検出することを特徴とする、
請求項1〜4のいずれかに記載の欠陥判別装置。 - (a)オフ角を有する炭化珪素半導体基板の表面において、平面視で三角形状に形成された三角欠陥の、ステップフロー成長方向に沿うフォトルミネッセンス測定を行い、特定波長の発光ラインプロファイルを検出する工程と、
(b)検出した前記発光ラインプロファイルに基づいて、前記三角欠陥の種別を判別する工程とを備えることを特徴とする、
欠陥判別方法。 - 前記工程(b)が、
(b−1)前記発光ラインプロファイルから、発光強度の極大点と、前記極大点を挟んで存在する、前記発光強度が前記極大点の半分となる第1半値点および第2半値点とを読み取る工程と、
(b−2)前記極大点が前記第1半値点および前記第2半値点のいずれに近い位置で読み取られるかに基づいて、前記三角欠陥の種別を判別する工程とを備えることを特徴とする、
請求項6に記載の欠陥判別方法。 - 前記工程(b)は、前記三角欠陥が、前記炭化珪素半導体基板を用いて作製される半導体素子の電気的特性を低下させる種別であるか否かを判別する工程であることを特徴とする、
請求項6または7に記載の欠陥判別方法。 - 前記工程(a)が、前記三角欠陥の単一波長の前記発光ラインプロファイルを検出する工程であることを特徴とする、
請求項6〜8のいずれかに記載の欠陥判別方法。 - 前記工程(a)が、前記三角欠陥の波長540nmの前記発光ラインプロファイルを検出する工程であることを特徴とする、
請求項6〜9のいずれかに記載の欠陥判別方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5633099B1 (ja) * | 2013-12-18 | 2014-12-03 | レーザーテック株式会社 | 欠陥分類方法及び検査装置 |
WO2016121628A1 (ja) * | 2015-01-28 | 2016-08-04 | 東レエンジニアリング株式会社 | ワイドギャップ半導体基板の欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
WO2018142668A1 (ja) * | 2017-01-31 | 2018-08-09 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006147848A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-08 | Japan Aerospace Exploration Agency | 半導体試料の欠陥評価方法及び装置 |
JP2007318031A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 炭化珪素半導体素子の製造方法 |
JP2011220744A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査方法、及びこの方法を用いた炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査システム、並びに欠陥情報付き炭化珪素バルク単結晶基板 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006147848A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-08 | Japan Aerospace Exploration Agency | 半導体試料の欠陥評価方法及び装置 |
JP2007318031A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 炭化珪素半導体素子の製造方法 |
JP2011220744A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査方法、及びこの方法を用いた炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査システム、並びに欠陥情報付き炭化珪素バルク単結晶基板 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5633099B1 (ja) * | 2013-12-18 | 2014-12-03 | レーザーテック株式会社 | 欠陥分類方法及び検査装置 |
WO2016121628A1 (ja) * | 2015-01-28 | 2016-08-04 | 東レエンジニアリング株式会社 | ワイドギャップ半導体基板の欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
JPWO2016121628A1 (ja) * | 2015-01-28 | 2017-11-02 | 東レエンジニアリング株式会社 | ワイドギャップ半導体基板の欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
WO2018142668A1 (ja) * | 2017-01-31 | 2018-08-09 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
CN110214362A (zh) * | 2017-01-31 | 2019-09-06 | 住友电气工业株式会社 | 碳化硅外延衬底和制造碳化硅半导体器件的方法 |
JPWO2018142668A1 (ja) * | 2017-01-31 | 2019-11-21 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
US10825903B2 (en) | 2017-01-31 | 2020-11-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide epitaxial substrate and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device |
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