JP2014520272A - 光ルミネセンス画像化を使用する発光半導体デバイスの検査の方法および装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 28
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 title description 15
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 40
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 37
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 13
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims description 13
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 27
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 230000004044 response Effects 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 241001270131 Agaricus moelleri Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000002902 bimodal effect Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
- G01R31/2632—Circuits therefor for testing diodes
- G01R31/2635—Testing light-emitting diodes, laser diodes or photodiodes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
- G01N21/6489—Photoluminescence of semiconductors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/265—Contactless testing
- G01R31/2656—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Immunology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Pathology (AREA)
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
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Abstract
【選択図】図4
Description
本特許出願は、2011年6月24日付けで出願された米国仮特許出願第61/500,987号に基づく優先権を主張し、この仮特許出願は、参照により本明細書に組み込まれる。
発光半導体の少なくとも所定のエリアを、光源により、検査すべき前記発光半導体中に電子正孔対を発生させることができる光の周波帯λA+λBで照明するステップと、
発光半導体によって放出された光の少なくとも一部λCを対物レンズを通して検出するステップであって、放出光が、放出光の波長に反応するカメラのセンサを用いてキャプチャされ、放出光の波長が、周波帯の幅を上回る、検出するステップと、
センサを用いてキャプチャされた、放出光のデータを、発光半導体の検査結果を計算するためにコンピュータシステムに転送するステップと、
を含む方法によって達成される。
光源と、
検出ビーム経路を規定する対物レンズと、
対物レンズを介して発光半導体デバイスから光を受信するための、検出ビーム経路に配置されたセンサを有するカメラであって、センサが、発光半導体デバイスのグレースケール値を登録する、カメラと、
センサによってウエハマップフォームデータレジスタを計算するためのコンピュータシステムと、
ウエハマップを視覚的に表示するためのディスプレイと、
を備える装置によって達成される。
同じ条件下で、各LEDダイ/チップの少なくとも2つの検査画像を撮影するステップと、
変動する照明強度および/または構成可能である露出設定下で画像を撮影するステップと、
各LEDダイについて発生するグレー値のヒストグラムを発生させるステップと、
合格または失敗の基準を確立するために、ヒストグラムの分布を分析するステップと、
を含む。
Claims (28)
- 発光半導体デバイスの検査のための方法において、
活性層の周囲の層によって吸収されず、前記活性層のみに吸収されるように、発光光源の周波帯λA+/−λBを選択するステップと、
電子正孔対が前記発光半導体の前記活性層中に発生し、発光半導体が前記電子正孔対の再結合プロセスによって引き起こされる光を放出するように、前記発光半導体の少なくとも所定のエリアを、前記光源により、検査すべき前記発光半導体中に電子正孔対を発生させることができる光の周波帯λA+λBで照明するステップと、
前記発光半導体によって放出された光の少なくとも一部λCを対物レンズを通して検出するステップであって、前記放出光が、前記放出光の波長に反応するカメラのセンサを用いてキャプチャされ、前記放出光の前記波長が、前記周波帯の幅を上回る、検出するステップと、
前記センサを用いてキャプチャされた、前記放出光のデータを、発光半導体の検査結果を計算するためにコンピュータシステムに転送するステップと、
を含む、方法。 - 前記発光半導体によって放出された前記光が、順方向電圧が前記発光半導体に印加された場合と同様の波長≧λCを有し、(λA+λB)<λCである、請求項1に記載の方法。
- 前記光源が、前記光源の複数のLEDによって発生した照明のための光の周波帯λA+/−λBで、前記発光半導体の前記エリアを直接的に照明する、請求項1に記載の方法。
- 前記対物レンズの後段の検出ビーム経路に第2のフィルタが配置され、それにより、前記発光半導体によって放出された光のみが、前記カメラの前記センサに達する、請求項3に記載の方法。
- 前記光源が、前記対物レンズを通して前記発光半導体の前記エリアを照明し、照明のための前記光の周波帯λA+/−λBが、照明ビーム経路中の前記対物レンズの前段に第1のフィルタを挿入することによって発生する、請求項1に記載の方法。
- 検出ビーム経路中の前記対物レンズの後段に第2のフィルタが配置され、それにより、前記発光半導体によって放出された光のみが、前記カメラの前記センサに達する、請求項5の記載の方法。
- 前記検出ビーム経路中の前記第2のフィルタが、前記カメラの前記センサに達する入射光の反射を阻止し、少なくとも波長λCが、前記第2のフィルタを通る、請求項6に記載の方法。
- 青色LEDの場合、前記活性層がInGaN層である、請求項1に記載の方法。
- 青色LEDの場合、前記発光光源の前記周波帯が380nm〜440nmの範囲である、請求項8に記載の方法。
- 前記発光半導体が、基板上に形成された複数のLEDダイ/チップを有し、ステージが、前記LEDダイ/チップとともに基板を移動させ、前記カメラの前記センサが、前記基板の表面全体の画像をキャプチャし、前記コンピュータシステムのディスプレイ上に前記LEDダイ/チップを有する前記表面のウエハマップが示され、グレー値の各クラスに別個のカラーコードが割り当てられる、請求項1に記載の方法。
- 前記検査結果が、LED当たりの少なくとも1つのグレー値であり、前記LEDの前記検査結果が、それらのグレー値に従って少なくとも2つのビンに分類される、請求項10に記載の方法。
- 品質レベルの較正が、LEDサンプルを電気プローバに接続することにより前記LEDサンプルの光出力パワーを測定することによって行われる、請求項11に記載の方法。
- 前記検査結果が、LEDダイ/チップ当たりの少なくとも2つのグレー値であり、1つのLEDダイ/チップのグレー値における変動または差が、そのLEDダイ/チップの品質尺度として使用される、請求項11に記載の方法。
- 前記検査結果が、LEDダイ/チップ当たりの少なくとも1つのグレー値であり、前記方法が、
同じ条件下で、各LEDダイ/チップの少なくとも2つの検査画像を撮影するステップと、
ならびに/あるいは、変動する照明強度および/または構成可能である露出設定下で前記画像を撮影するステップと、
各LEDダイについて発生した前記グレー値のヒストグラムを発生させるステップと、
合格または失敗の基準を確立するために、前記ヒストグラムの分布を分析するステップと、
を含む、請求項10に記載の方法。 - 前記発光光源が、リングライトである、請求項1に記載の方法。
- 基板上の発光半導体デバイスの検査装置であって、
光源と、
検出ビーム経路を規定する対物レンズと、
前記対物レンズを介して前記発光半導体デバイスから光を受信するための、前記検出ビーム経路に配置されたセンサを有するカメラであって、前記センサが、前記発光半導体デバイスのグレースケール値を登録する、カメラと、
前記センサによってウエハマップフォームデータレジスタを計算するためのコンピュータシステムと、
前記ウエハマップを視覚的に表示するためのディスプレイと、
を備える、装置。 - 前記検出ビーム経路に第2のフィルタが配置される、請求項16に記載の装置。
- 前記検出ビーム経路中の前記第2のフィルタが、前記センサに達する入射光の反射を阻止し、少なくとも波長λCが、前記第2のフィルタを通る、請求項17に記載の装置。
- 前記光源が、リングライトである、請求項16に記載の装置。
- 前記リングライトが、複数のLEDを有する、請求項19に記載の装置。
- 前記光源の照明ビーム経路中の第1のフィルタが、周波帯λA+λBを通すように設計され、前記検出ビーム経路中の前記第2のフィルタが、前記センサに達する入射光の反射を阻止し、少なくとも波長λCが、前記第2のフィルタを通る、請求項16に記載の装置。
- 前記光源が、同軸光源である、請求項21に記載の装置。
- 前記光源が、パルス光光源または連続スペクトル光源である、請求項16に記載の装置。
- 周波帯制約(λA+λB)<λCが、光学的な第1のフィルタおよび第2のフィルタを使用して実装される、請求項21に記載の装置。
- X/Y方向に移動可能なステージが設けられ、前記コンピュータシステムが、前記基板上の前記発光半導体デバイスの表面全体が前記対物レンズを介して前記カメラの前記センサ中で画像化されるように前記ステージに制御された運動を提供する、請求項16に記載の装置。
- 前記発光半導体デバイスが、LEDダイ/チップであり、前記LEDの放出光は、照明によって発生する電子正孔対の再結合プロセスによって前記LEDの活性層中で生じ、順方向電圧が前記LEDに印加された場合と同様の波長を有する、請求項16に記載の装置。
- 基板上の発光半導体デバイスの検査装置であって、
リング光源として構成された光源と、
検出ビーム経路を規定する対物レンズと、
前記対物レンズを介して前記発光半導体デバイスから光を受信するための、前記検出ビーム経路に配置されたセンサを有するカメラであって、前記センサが、前記発光半導体デバイスのグレースケール値を登録する、カメラと、
前記センサによってデータレジスタからウエハマップを計算するためのコンピュータシステムと、
前記ウエハマップを視覚的に表示するためのディスプレイと、
を備える、装置。 - 基板上の発光半導体デバイスの検査装置であって、
同軸光源として構成された光源と、
照明ビーム経路を規定する対物レンズであって、前記照明ビーム経路中の前記対物レンズの前段に第1のフィルタを配置することが可能である、対物レンズと、
前記対物レンズを介して前記発光半導体デバイスから光を受信するための、前記検出ビーム経路に配置されたセンサを有するカメラであって、前記センサが、前記発光半導体デバイスのグレースケール値を登録する、カメラと、
前記センサによってデータレジスタからウエハマップを計算するためのコンピュータシステムと、
前記ウエハマップを視覚的に表示するためのディスプレイと、
を備える、装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161500987P | 2011-06-24 | 2011-06-24 | |
US61/500,987 | 2011-06-24 | ||
PCT/IB2012/053052 WO2012176106A2 (en) | 2011-06-24 | 2012-06-18 | Method and apparatus for inspection of light emitting semiconductor devices using photoluminescence imaging |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014520272A true JP2014520272A (ja) | 2014-08-21 |
JP6131250B2 JP6131250B2 (ja) | 2017-05-17 |
Family
ID=47423029
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014516470A Active JP6131250B2 (ja) | 2011-06-24 | 2012-06-18 | 光ルミネセンス画像化を使用する発光半導体デバイスの検査の方法および装置 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9638741B2 (ja) |
JP (1) | JP6131250B2 (ja) |
KR (1) | KR101813315B1 (ja) |
CN (2) | CN110441272A (ja) |
DE (1) | DE112012002619T5 (ja) |
MY (1) | MY174546A (ja) |
SG (1) | SG10201607916XA (ja) |
TW (1) | TWI634323B (ja) |
WO (1) | WO2012176106A2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014149206A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子の検査方法及び半導体発光素子の製造方法 |
JP2017504956A (ja) * | 2013-11-21 | 2017-02-09 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス半導体材料の光学的特性を検出する方法および該方法を実施する装置 |
JP2017152653A (ja) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | ウシオ電機株式会社 | 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子用ウェハの製造方法 |
JP2020524416A (ja) * | 2017-06-20 | 2020-08-13 | テソロ・サイエンティフィック・インコーポレーテッド | 発光ダイオード(led)テスト装置および製造方法 |
JP7432558B2 (ja) | 2020-01-17 | 2024-02-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6051917B2 (ja) * | 2013-02-18 | 2016-12-27 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子の検査方法及び半導体発光素子の製造方法 |
US9551672B2 (en) | 2013-12-18 | 2017-01-24 | Lasertec Corporation | Defect classifying method and optical inspection apparatus for silicon carbide substrate |
JP6472336B2 (ja) | 2014-06-18 | 2019-02-20 | キヤノン株式会社 | 画像処理装置、画像処理方法およびプログラム |
JP6893877B2 (ja) | 2014-10-29 | 2021-06-23 | スペクトラル エムディー, インコーポレイテッドSpectral Md, Inc. | 組織を分類するための反射モードマルチスペクトル時間分解型光学イメージングの方法および装置 |
KR20160056167A (ko) | 2014-11-11 | 2016-05-19 | 삼성전자주식회사 | 발광 장치의 제조 방법, 발광 모듈 검사 장비 및 발광 모듈의 양불 판단 방법 |
KR20220047684A (ko) * | 2014-12-05 | 2022-04-18 | 케이엘에이 코포레이션 | 워크 피스들에서의 결함 검출을 위한 장치, 방법 및 컴퓨터 프로그램 제품 |
CN105865668B (zh) * | 2015-01-20 | 2019-12-10 | 北京纳米能源与系统研究所 | 压力传感成像阵列、设备及其制作方法 |
US9641125B2 (en) * | 2015-01-23 | 2017-05-02 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Luminescence imaging systems and methods for evaluating photovoltaic devices |
US10883941B2 (en) | 2015-05-04 | 2021-01-05 | Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co., Ltd. | Micro photoluminescence imaging |
US10018565B2 (en) | 2015-05-04 | 2018-07-10 | Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co., Ltd. | Micro photoluminescence imaging with optical filtering |
TWI571628B (zh) * | 2015-11-06 | 2017-02-21 | 艾斯邁科技股份有限公司 | 基板檢測裝置及其方法 |
CN106290395A (zh) * | 2016-10-12 | 2017-01-04 | 湖北器长光电股份有限公司 | 一种基于图像处理的晶圆检测装置及方法 |
EP3589191A4 (en) | 2017-03-02 | 2020-11-11 | Spectral MD Inc. | AUTOMATIC LEARNING SYSTEMS AND TECHNIQUES FOR MULTISPECTRAL ANALYSIS OF AMPUTATION SITES |
EP3382378B1 (en) * | 2017-03-29 | 2022-10-26 | Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V. | Optical monitoring |
NL2020622B1 (en) * | 2018-01-24 | 2019-07-30 | Lllumina Cambridge Ltd | Reduced dimensionality structured illumination microscopy with patterned arrays of nanowells |
US11614406B2 (en) * | 2018-04-30 | 2023-03-28 | The Southern Company | Systems and methods for inspecting solar modules using high-power light sources |
BR112021011113A2 (pt) | 2018-12-14 | 2021-08-31 | Spectral Md, Inc. | Sistema e método para formação de imagem espectral de múltiplas aberturas de alta precisão |
US10740884B2 (en) * | 2018-12-14 | 2020-08-11 | Spectral Md, Inc. | System and method for high precision multi-aperture spectral imaging |
EP3893733A4 (en) | 2018-12-14 | 2022-10-12 | Spectral MD, Inc. | MACHINE LEARNING SYSTEMS AND METHODS FOR WOUND ASSESSMENT, HEALING PREDICTION AND TREATMENT |
TWI717670B (zh) * | 2018-12-21 | 2021-02-01 | 財團法人工業技術研究院 | 發光二極體的檢測方法及檢測裝置 |
US11474144B2 (en) * | 2018-12-21 | 2022-10-18 | Industrial Technology Research Institute | Method for inspecting light-emitting diodes and inspection apparatus |
US11656181B2 (en) * | 2018-12-21 | 2023-05-23 | Industrial Technology Research Institute | Inspection apparatus and inspection method for inspecting light-emitting diodes |
JP6746744B1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-08-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
KR20210144683A (ko) * | 2019-03-28 | 2021-11-30 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 검사 장치 및 검사 방법 |
US11150189B1 (en) | 2019-09-03 | 2021-10-19 | Innolux Corporation | Methods of manufacturing a light source carrier and an electronic device, and a light source qualification method |
CN112635340B (zh) * | 2019-10-09 | 2023-11-03 | 台湾爱司帝科技股份有限公司 | 发光二极管晶圆检测装置与方法 |
CN112665824A (zh) * | 2019-10-15 | 2021-04-16 | 成都辰显光电有限公司 | 微发光二极管检测设备 |
CN110988003B (zh) | 2019-11-27 | 2021-08-13 | 中科晶源微电子技术(北京)有限公司 | 用于半导体器件的电子束检测设备、和电子束检测组件 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5857764A (ja) * | 1981-10-02 | 1983-04-06 | Fujitsu Ltd | 半導体結晶の評価法 |
JPS6292487A (ja) * | 1985-10-18 | 1987-04-27 | Fujitsu Ltd | 光ルミネセンス評価装置 |
JPH0697508A (ja) * | 1992-09-10 | 1994-04-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子製造用ウエーハの検査方法 |
JP2005061929A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Ricoh Co Ltd | 欠陥検査方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9618897D0 (en) | 1996-09-10 | 1996-10-23 | Bio Rad Micromeasurements Ltd | Micro defects in silicon wafers |
JPH10149705A (ja) | 1996-11-19 | 1998-06-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | リング照明装置 |
IL155021A0 (en) * | 2000-10-06 | 2003-10-31 | Aoti Operating Co Inc | Method to detect surface metal contamination |
US20040207836A1 (en) * | 2002-09-27 | 2004-10-21 | Rajeshwar Chhibber | High dynamic range optical inspection system and method |
US6916221B2 (en) * | 2002-11-18 | 2005-07-12 | Eastman Kodak Company | Determining defects in OLED devices |
TWI439684B (zh) | 2005-07-06 | 2014-06-01 | Nanometrics Inc | 具自晶圓或其他工件特定材料層所發射光致發光信號優先偵測之光致發光成像 |
CN103185854B (zh) | 2006-05-05 | 2015-07-01 | Bt成像股份有限公司 | 利用发光成像测试间接带隙半导体器件的方法和系统 |
US7873585B2 (en) * | 2007-08-31 | 2011-01-18 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for predicting a semiconductor parameter across an area of a wafer |
KR101101132B1 (ko) * | 2007-11-23 | 2012-01-12 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광소자 검사장치 및 이를 이용한 발광소자 검사방법 |
CN102017191B (zh) * | 2008-03-31 | 2014-05-28 | Bt成像股份有限公司 | 用于晶片成像及处理的方法和设备 |
CA2730429C (en) | 2008-07-24 | 2018-02-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Systems and methods for imaging using absorption |
CN101339092B (zh) * | 2008-08-13 | 2010-11-10 | 重庆大学 | Led芯片/晶圆/外延片的非接触式检测方法及检测装置 |
JP2010107254A (ja) | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Ledチップ検査装置、ledチップ検査方法 |
-
2012
- 2012-06-18 US US13/577,518 patent/US9638741B2/en active Active
- 2012-06-18 WO PCT/IB2012/053052 patent/WO2012176106A2/en active Application Filing
- 2012-06-18 DE DE112012002619.5T patent/DE112012002619T5/de not_active Ceased
- 2012-06-18 KR KR1020147001975A patent/KR101813315B1/ko active IP Right Grant
- 2012-06-18 MY MYPI2013004639A patent/MY174546A/en unknown
- 2012-06-18 JP JP2014516470A patent/JP6131250B2/ja active Active
- 2012-06-18 CN CN201910644437.1A patent/CN110441272A/zh active Pending
- 2012-06-18 SG SG10201607916XA patent/SG10201607916XA/en unknown
- 2012-06-18 CN CN201280040779.9A patent/CN103765567A/zh active Pending
- 2012-06-22 TW TW101122546A patent/TWI634323B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5857764A (ja) * | 1981-10-02 | 1983-04-06 | Fujitsu Ltd | 半導体結晶の評価法 |
JPS6292487A (ja) * | 1985-10-18 | 1987-04-27 | Fujitsu Ltd | 光ルミネセンス評価装置 |
JPH0697508A (ja) * | 1992-09-10 | 1994-04-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子製造用ウエーハの検査方法 |
JP2005061929A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Ricoh Co Ltd | 欠陥検査方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014149206A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子の検査方法及び半導体発光素子の製造方法 |
JP2017504956A (ja) * | 2013-11-21 | 2017-02-09 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス半導体材料の光学的特性を検出する方法および該方法を実施する装置 |
JP2017152653A (ja) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | ウシオ電機株式会社 | 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子用ウェハの製造方法 |
JP2020524416A (ja) * | 2017-06-20 | 2020-08-13 | テソロ・サイエンティフィック・インコーポレーテッド | 発光ダイオード(led)テスト装置および製造方法 |
JP7258781B2 (ja) | 2017-06-20 | 2023-04-17 | アップル インコーポレイテッド | 発光ダイオード(led)テスト装置および製造方法 |
JP7432558B2 (ja) | 2020-01-17 | 2024-02-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012176106A3 (en) | 2013-03-07 |
CN103765567A (zh) | 2014-04-30 |
KR101813315B1 (ko) | 2017-12-28 |
TWI634323B (zh) | 2018-09-01 |
KR20140044376A (ko) | 2014-04-14 |
MY174546A (en) | 2020-04-24 |
CN110441272A (zh) | 2019-11-12 |
SG10201607916XA (en) | 2016-11-29 |
JP6131250B2 (ja) | 2017-05-17 |
US9638741B2 (en) | 2017-05-02 |
TW201305552A (zh) | 2013-02-01 |
US20130027543A1 (en) | 2013-01-31 |
WO2012176106A4 (en) | 2013-05-16 |
DE112012002619T5 (de) | 2014-04-17 |
WO2012176106A2 (en) | 2012-12-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150527 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160525 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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