JP2015170787A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高い放熱性を有する樹脂封止型半導体装置を提供する。
【解決手段】平面的に見て四角形形状のダイパッド部１１及び第１リード部１２を有する第１電極部１０と接続部材配置部２１及び第２リード部２２を有する第２電極部２０と、下面側電極がダイパッド部１１のチップ配置面１３と対向するようにダイパッド部１１に配置されたチップ３０と、一方の端部４２が上面側電極に電気的に接続されているとともに、他方の端部４４が接続部材配置部２１に電気的に接続されている接続部材４０とを備え、ダイパッド部１１、接続部材配置部２１、チップ３０及び接続部材４０が樹脂５０で封止され、ダイパッド部１１には、ダイパッド部の外周を構成する辺のうちの向かい合う２つの辺において、チップ配置面１３側とは反対側に向かって折り返された折り返し部１５ａ，１５ｂが設けられていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置１。
【選択図】図１

Description

本発明は、樹脂封止型半導体装置に関する。

図１０は、従来の樹脂封止型半導体装置９００を説明するために示す図である。図１１は、従来の樹脂封止型半導体装置９００を製造する過程におけるリードフレーム８００を示す図である。

従来、ダイパッド部、接続部材配置部、チップ及び接続部材が樹脂で封止された樹脂封止型半導体装置が知られている（例えば、特許文献１参照。）。

従来の樹脂封止型半導体装置９００は、図１０及び図１１に示すように、平面的に見て四角形形状のダイパッド部９１１及びダイパッド部９１１から外側に向かって延在する第１リード部９１２を有する第１電極部９１０と、ダイパッド部９１１と離間して配置された接続部材配置部９２１及び接続部材配置部９２１から外側に向かって延在する第２リード部９２２を有する第２電極部９２０と、上面側電極及び下面側電極を有し、下面側電極がダイパッド部９１１のチップ配置面９１３と対向するようにダイパッド部９１１に配置されたチップ９３０と、一方の端部９４２がチップ９３０の上面側電極に電気的に接続されているとともに、他方の端部９４４が接続部材配置部９２１に電気的に接続されている接続部材９４０とを備える。従来の樹脂封止型半導体装置９００において、接続部材９４０は、金属板からなる。

従来の樹脂封止型半導体装置９００は、ダイパッド部９１１、接続部材配置部９２１、チップ９３０、接続部材９４０、第１リード部９１２の一部及び第２リード部９２２の一部が樹脂９５０で封止されている。ダイパッド部９１１のチップ配置面９１３とチップ９３０、接続部材９４０の一方の端部９４２とチップ９３０、及び、接続部材９４０の他方の端部９４４と接続部材配置部９２１は、それぞれはんだを介して接続されている。

従来の樹脂封止型半導体装置９００は、リードフレーム８００を用いて製造されている（図１１参照。）。リードフレーム８００は、金属板を打ち抜き加工によって打ち抜くことによって作製されている。

従来の樹脂封止型半導体装置９００によれば、接続部材９４０が金属板からなるため、接続部材９４０がボンディングワイヤからなる場合と比較して、大きな電流を流すことが可能となる。

特開２０１０−２１２７２９号公報

ところで、近年、樹脂封止型半導体装置の技術の分野において、高い放熱性を有する樹脂封止型半導体装置が求められている。

そこで、本発明は、高い放熱性を有する樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とする。

［１］本発明の樹脂封止型半導体装置は、平面的に見て四角形形状のダイパッド部及び前記ダイパッド部から外側に向かって延在する第１リード部を有する第１電極部と、前記ダイパッド部と離間して配置された接続部材配置部及び前記接続部材配置部から外側に向かって延在する第２リード部を有する第２電極部と、上面側電極及び下面側電極を有し、前記下面側電極が前記ダイパッド部のチップ配置面と対向するように前記ダイパッド部に配置されたチップと、一方の端部が前記上面側電極に電気的に接続されているとともに、他方の端部が前記接続部材配置部に電気的に接続されている接続部材とを備え、前記ダイパッド部、前記接続部材配置部、前記チップ及び前記接続部材が樹脂で封止された樹脂封止型半導体装置であって、前記ダイパッド部には、前記ダイパッド部の外周を構成する辺のうちの少なくとも１つの辺において、前記チップ配置面側とは反対側に向かって折り返された折り返し部が設けられていることを特徴とする。

なお、本明細書において「四角形形状」とは、正方形、長方形などの一般的な四角形形状のみならず、全体として四角形の形状をしたもののことをいい、例えば、角が丸みを帯びた形状や角が切り落とされた形状も含まれる。

［２］本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、前記折り返し部は、前記ダイパッド部の外周を構成する辺のうちの向かい合う２つの辺において、それぞれ折り返されたものであることが好ましい。

［３］本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、前記ダイパッド部の断面形状が、ヘミング形状であることが好ましい。

［４］本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、前記折り返し部の端部の形状が、鋸刃形状であることが好ましい。

［５］本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、前記折り返し部の端部においては、前記折り返し部を折り返したときに内側となる角が斜めに切り落とされた切り欠きが形成されていることが好ましい。

［６］本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、前記接続部材配置部は、平面的に見て四角形形状であり、前記接続部材の他方の端部が、前記接続部材配置部の接続部材配置面と対向するように配置され、前記接続部材配置部には、前記接続部材配置部の外周を構成する辺のうちの少なくとも１つの辺において、前記接続部材配置面側とは反対側に向かって折り返された第２折り返し部が設けられていることが好ましい。

［７］本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、前記第２折り返し部は、前記接続部材配置部の外周を構成する辺のうちの向かい合う２つの辺において、それぞれ折り返されたものであることが好ましい。

［８］本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、前記接続部材配置部の断面形状が、ヘミング形状であることが好ましい。

［９］本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、前記第２折り返し部の端部の形状が、鋸刃形状であることが好ましい。

［１０］本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、前記第２折り返し部の端部においては、前記第２折り返し部を折り返したときに内側となる角が斜めに切り落とされた切り欠きが形成されていることが好ましい。

本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、ダイパッド部には、折り返し部が設けられているため、従来の樹脂封止型半導体装置よりも、ダイパッド部の断面積が大きくなる。その結果、従来の樹脂封止型半導体装置よりも高い放熱性を有する樹脂封止型半導体装置となる。

本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、ダイパッド部には、折り返し部が設けられ、上記したように従来の樹脂封止型半導体装置よりも高い放熱性を有するため、従来の樹脂封止型半導体装置よりも大きな電流を流した場合であっても、当該電流によって発生した熱を効率よく外部へ放出することが可能となる。このため、従来の樹脂封止型半導体装置よりも大きな電流を流すことが可能となる。

また、本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、ダイパッド部には、折り返し部が設けられているため、従来の樹脂封止型半導体装置よりも、ダイパッド部と樹脂との接触面積が大きくなる。その結果、アンカー効果により、ダイパッド部と樹脂との密着性が高い樹脂封止型半導体装置となる。

また、本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、折り返し部がチップ配置面側とは反対側に向かって折り返されているため、折り返し部がチップ配置面側に向かって折り返されている場合と比較して、チップの端部と折り返し部の先端との間の空間距離が長くなる。その結果、チップの上面側電極と折り返し部とが放電によって短絡することを防ぐことが可能となる。

また、本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、折り返し部がチップ配置面側とは反対側に向かって折り返されているため、樹脂封止型半導体装置を製造する過程において、チップをダイパッド部に配置する際や接続部材を接続部材配置部及びチップに配置する際に折り返し部が邪魔になることがない。従って、折り返し部がチップ配置面側に向かって折り返されている場合と比較して、生産性が低下することを防ぐことが可能となる。

さらにまた、本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、従来の樹脂封止型半導体装置を製造する過程において第１電極部を形成する際に切り落としていた部分(後述する図２における符号１５Ｌ’、１５Ｒ’参照。)を、折り返し部として有効利用することが可能となる。このため、放熱性を高くするための新たな部材を別途設ける必要がない。

実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１を示す図である。 実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１を製造する過程におけるリードフレーム１００を示す図である。 実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１の製造方法を説明するために示す図である。 実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２を示す図である。 実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２を製造する過程におけるリードフレーム１００ａを示す図である。 実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３のダイパッド部１１ａを説明するために示す図である。 実施形態４に係る樹脂封止型半導体装置４のダイパッド部１１ｂの断面図である。 変形例１に係る樹脂封止型半導体装置のダイパッド部１１ｃを示す断面図である。 変形例２に係る樹脂封止型半導体装置のダイパッド部１１ｄを示す断面図である。 従来の樹脂封止型半導体装置９００を説明するために示す断面図である。 従来の樹脂封止型半導体装置９００を製造する過程におけるリードフレーム８００を示す図である。

以下、本発明の樹脂封止型半導体装置について、図に示す実施形態に基づいて説明する。

［実施形態１］
１．実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１の構成
図１は、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１を示す図である。図１（ａ）は実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１の平面図であり、図１（ｂ）は実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１の側面図であり、図１（ｃ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図であり、図１（ｄ）は図１（ａ）におけるダイパッド部１１のＡ−Ａ断面図である。
図２は、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１を製造する過程におけるリードフレーム１００を示す図である。

実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１は、図１に示すように、第１電極部１０と、第２電極部２０と、チップ３０と、接続部材４０とを備える。実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１においては、後述するダイパッド部１１、後述する第１リード部１２の一部、後述する接続部材配置部２１、後述する第２リード部２２の一部、チップ３０及び接続部材４０が樹脂５０で封止されている。

第１電極部１０は、ダイパッド部１１及び第１リード部１２を有する。

ダイパッド部１１は、平面的に見て四角形形状をなし、中心付近にチップ配置面１３が設けられている（図１参照。）。ダイパッド部１１には、ダイパッド部１１の外周を構成する辺のうちの２つの辺１４Ｌ，１４Ｒにおいて、チップ配置面１３側とは反対側に向かって折り返された折り返し部１５Ｌ，１５Ｒ（以下、単に、折り返し部１５ということもある。）が設けられている。ダイパッド部１１の断面形状は、ヘミング形状である。

なお、本明細書において、「ヘミング形状」とは、平板にヘミング加工を施すことによって形成された形状のことをいう。

ダイパッド部１１は、リードフレーム１００に設けられた平板１１’から形成されている（図２参照。）。平板１１’には、２つの直線１４Ｌ’，１４Ｒ’が設定され、平板１１’は、２つの直線１４Ｌ’，１４Ｒ’によって、直線１４Ｌ’よりも外側の第１平板部１５Ｌ’，直線１４Ｒ’よりも外側の第２平板部１５Ｒ’及び、第１平板部１５Ｌ’及び第２平板部１５Ｒ’に挟まれ、チップ配置面１３を有する第３平板部１６の３つの平板部に分けられている（図２における「折り返し前」の図参照。）。

２つの直線１４Ｌ’，１４Ｒ’はそれぞれ、平板１１’の外周を構成する辺のうち向かい合う２つの辺ｓ１、ｓ２に平行になるように設定されている。２つの直線１４Ｌ’，１４Ｒ’においては、平板１１’の外周を構成する辺ｓ１と直線１４Ｌ’との間隔をａ、平板１１’の外周を構成する辺ｓ２と直線１４Ｒ’との間隔をｂ、直線１４Ｌ’と直線１４Ｒ’との間隔をｃとしたときに、ｃ＞ａ＋ｂ、かつ、ａ＝ｂ、が成り立つように設定されている。

ダイパッド部１１は、第１平板部１５Ｌ’及び第２平板部１５Ｒ’を直線１４Ｌ’、１４Ｒ’を折り目としてチップ配置面１３側とは反対側に向かって折り返すことによって形成されている（図２における「折り返し後」の図参照。）。折り返された第１平板部１５Ｌ’及び第２平板部１５Ｒ’は、折り返し部１５Ｌ，１５Ｒとなる。また、直線１４Ｌ’，１４Ｒ’は、ダイパッド部１１の外周を構成する辺のうちの２つの辺１４Ｌ，１４Ｒとなる。

ダイパッド部１１においては、平板１１’において、２つの直線１４Ｌ’，１４Ｒ’が、上記したようにｃ＞ａ＋ｂが成り立つように設定されているため、折り返し部１５Ｌの端部と折り返し部１５Ｒの端部とは、所定の間隔で離間した状態となる。このような構成とすることにより、樹脂封止の際に、折り返し部１５Ｌの先端部と折り返し部１５Ｒの先端部との間にも樹脂５０が入り込み、ダイパッド部１１と樹脂５０との密着性が高くなる。

また、ダイパッド部１１においては、平板部１６（折り返し前の第３平板部１６）と折り返し部１５Ｌ，１５Ｒとの間にはわずかに隙間（図示せず。）がある。このような構成とすることにより、樹脂封止の際に、当該隙間に樹脂５０が入り込むため、ダイパッド部１１と樹脂５０との密着性がより一層高くなる。

第１リード部１２は、図１に示すように、ダイパッド部１１から樹脂封止型半導体装置の本体部の外側（第２電極部２０が配設されている側とは反対側）に向かって延在している。

第２電極部２０は、接続部材配置部２１及び第２リード部２２を有する。接続部材配置部２１は、平面的に見て四角形形状の平板であり、中心付近に接続部材配置面２３が設けられている。接続部材配置部２１は、ダイパッド部１１と離間して配置されている。第２リード部２２は、接続部材配置部２１から樹脂封止型半導体装置の本体部の外側（第１電極部１０が配設されている側とは反対側）に向かって延在する。

チップ３０は、上面側電極及び下面側電極を有する２端子の半導体素子（例えば、パワーダイオード）である。チップ３０は、下面側電極がダイパッド部１１のチップ配置面１３と対向するようにダイパッド部１１に配置されている。チップ３０とダイパッド部１１とははんだを介して電気的に接続されている。

接続部材４０は、一方の端部４２と他方の端部４４との間で屈曲した金属板からなる。接続部材４０においては、一方の端部４２がチップ３０の上面側電極とはんだを介して電気的に接続されているとともに、他方の端部４４が接続部材配置部２１とはんだを介して電気的に接続されている。他方の端部４４は、接続部材配置部２１の接続部材配置面２３と対向するように配置されている。

樹脂５０は、適宜の樹脂を用いることができる。

２．実施形態１における樹脂封止型半導体装置の製造方法
実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置は、以下に示す製造方法（実施形態１における樹脂封止型半導体装置の製造方法）により製造することができる。

実施形態１における樹脂封止型半導体装置の製造方法は、折り曲げ部形成工程Ｓ１０と、チップ配置工程Ｓ２０と、接続部材配置工程Ｓ３０と、樹脂封止工程Ｓ４０とを含む。以下、工程に沿って実施形態１における樹脂封止型半導体装置の製造方法を説明する。

（１）折り曲げ部形成工程Ｓ１０
まず、リードフレーム１００（図２参照。）を準備する。リードフレーム１００は、金属板を打ち抜き加工によって打ち抜くことによって作製されている。リードフレーム１００には、外枠を構成する補助フレーム１１０と、折り曲げることでダイパッド部１１となる平板１１’と、平板形状の接続部材配置部２１とを有し、平板１１’は、第１リード部１２を介して補助フレーム１１０と連結され、接続部材配置部２１は、第２リード部２２を介して補助フレーム１１０と連結されている。リードフレーム１００においては、平板１１’と接続部材配置部２１とが複数個並列されている。

平板１１’には、平板１１’の外周を構成する辺のうち向かい合う２つの辺ｓ１，ｓ２に平行な２つの直線１４Ｌ’，１４Ｒ’が設定されている（図２における「折り返し前」の図及び図３（ａ）参照。）。平板１１’は、直線１４Ｌ’，１４Ｒ’によって、直線１４Ｌ’よりも外側の第１平板部１５Ｌ’、直線１４Ｒ’よりも外側の第２平板部１５Ｒ’及び、第１平板部１５Ｌ’及び第２平板部１５Ｒ’に挟まれ、チップ配置面１３を有する第３平板部１６の３つの平板部に分けられている。

なお、直線１４Ｌ’，１４Ｒ’には、あらかじめ折り返しをしやすくするための加工（例えば、直線１４Ｌ’，１４Ｒ’にくさび（Ｖノッチ）を入れる加工）が施されていることが好ましい。

次に、第１平板部１５Ｌ’及び第２平板部１５Ｒ’を直線１４Ｌ’，１４Ｒ’を折り目としてチップ配置面１３側とは反対側に向かって折り返す。

具体的には、図３（ｂ）に示すように、まず、第１平板部１５Ｌ’及び第２平板部１５Ｒ’を、直線１４Ｌ’，１４Ｒ’を折り目として第３平板部１６とのなす角がそれぞれ鈍角（例えば１３５°）となるまで折り曲げる。次に、第１平板部１５Ｌ’及び第２平板部１５Ｒ’を第３平板部１６とのなす角がそれぞれ直角となるまで折り曲げる。次に、第１平板部１５Ｌ’及び第２平板部１５Ｒ’を第３平板部１６とのなす角がそれぞれ鋭角（例えば４５°）となるまで折り曲げる。

次に、チップ配置面１３側とは反対側から、第１平板部１５Ｌ’及び第２平板部１５Ｒ’を押しつぶして、ヘミング形状となるように折り返す（図２における「折り返し後」の図及び図３（ｃ）参照。）。

このようにして、ダイパッド部１１が形成される。なお、このとき、折り返された第１平板部１５Ｌ’及び第２平板部１５Ｒ’は、折り返し部１５Ｌ，１５Ｒとなる。また、直線１４Ｌ’，１４Ｒ’は、ダイパッド部１１の外周を構成する辺のうちの２つの辺１４Ｌ，１４Ｒとなる。

（２）チップ配置工程Ｓ２０
次に、ダイパッド部１１のチップ配置面１３にはんだ（図示せず。）を載せ、当該はんだを介してチップ３０をチップ配置面１３に配置する。このとき、チップ３０の下面側電極がダイパッド部１１のチップ配置面１３と対向するようにチップ３０を配置する（図３（ｄ）参照。）。

（３）接続部材配置工程Ｓ３０
次に、チップ３０の上面側電極及び接続部材配置部２１の接続部材配置面２３にはんだ（図示せず。）を載せ、当該はんだを介して接続部材４０を上面側電極及び接続部材配置部２１に配置する（図３（ｅ）参照。）。このとき、接続部材４０の一方の端部４２が上面側電極と対向するとともに、他方の端部４４が接続部材配置部２１と対向するように接続部材４０を配置する。

接続部材配置工程Ｓ３０を実施した後、第１電極部１０、第２電極部２０、チップ３０及び接続部材４０を加熱することにより、チップ３０の下面側電極とダイパッド部１１のチップ配置面１３、接続部材４０の一方の端部４２とチップ３０の上面側電極、及び、接続部材４０の他方の端部４４と接続部材配置部４１を、それぞれはんだを介して電気的に接続する。

（４）樹脂封止工程Ｓ４０
次に、モールド金型（図示せず。）にリードフレーム１００を挟み込み、各ダイパッド部１１及び接続部材配置部２１に対応してモールド金型に形成されているキャビティに樹脂を充填することで、ダイパッド部１１、接続部材配置部２１、チップ３０及び接続部材４０を樹脂で封止する（図３（ｆ）参照。）。この際、第１リード部１２及び第２リード部２２の一部も樹脂５０で封止する。

これらの工程を実施した後、リードフレーム１００の補助フレーム１１０から第１リード部１２及び第２リード部２２を切り離すことにより、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１を製造することができる。

３．実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法の効果
実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１によれば、ダイパッド部１１には、折り返し部１５が設けられているため、従来の樹脂封止型半導体装置９００よりも、ダイパッド部１１の断面積が大きくなる。その結果、従来の樹脂封止型半導体装置９００よりも高い放熱性を有する樹脂封止型半導体装置となる。

また、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１によれば、ダイパッド部１１には、折り返し部１５が設けられ、上記したように従来の樹脂封止型半導体装置９００よりも高い放熱性を有するため、従来の樹脂封止型半導体装置９００よりも大きな電流を流した場合であっても、当該電流によって発生した熱を効率よく外部へ放出することが可能となる。このため、従来の樹脂封止型半導体装置よりも大きな電流を流すことが可能となる。

また、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１によれば、ダイパッド部１１には、折り返し部１５が設けられているため、従来の樹脂封止型半導体装置９００よりも、ダイパッド部１１と樹脂５０との接触面積が大きくなる。その結果、アンカー効果により、ダイパッド部１１と樹脂５０との密着性が高い樹脂封止型半導体装置となる。

また、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１によれば、折り返し部１５Ｌ，１５Ｒが、チップ配置面１３側とは反対側に向かって折り返されているため、折り返し部が、チップ配置面１３側に向かって折り返されている場合と比較して、チップ３０と折り返し部１５Ｌ，１５Ｒとの間の空間距離が長くなる。その結果、チップ３０の上面側電極と折り返し部１５Ｌ，１５Ｒとが放電によって短絡することを防ぐことが可能となる。

また、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１によれば、折り返し部１５がチップ配置面１３側とは反対側に向かって折り返されているため、樹脂封止型半導体装置を製造する過程において、チップ３０をダイパッド部１１に配置する際や接続部材４０を接続部材配置部２１及びチップ３０に配置する際に折り返し部１５が邪魔になることがない。従って、折り返し部１５がチップ配置面１３側に向かって折り返されている場合と比較して、生産性が低下することを防ぐことが可能となる。

また、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１によれば、従来の樹脂封止型半導体装置９００を製造する過程においてダイパッド部９１１を形成する際に切り落としていた第１平板部１５Ｌ’及び第２平板部１５Ｒ’（図２参照。)を、折り返し部１５Ｌ，１５Ｒとして有効利用することが可能となる。このため、放熱性を高くするための新たな部材を別途設ける必要がない。

また、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１によれば、折り返し部１５Ｌ，１５Ｒは、ダイパッド部１１の外周を構成する辺のうちの向かい合う２つの辺１４Ｌ，１４Ｒにおいて、それぞれ折り返されたものであるため、ダイパッド部１１の断面形状が対称となる。このため、ダイパッド部１１を流れる電流が偏ることを防ぐことが可能となり、その結果、ダイパッド部１１の一部に熱が集中することを防ぐことが可能となる。

さらにまた、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１によれば、ダイパッド部１１の断面形状が、ヘミング形状であるため、ダイパッド部１１の断面積が大きくなるにもかかわらずダイパッド部１１の実装高さを低く抑えることが可能となる。その結果、樹脂封止型半導体装置１の厚さを比較的薄くすることが可能となる。

［実施形態２］
図４は、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２を示す図である。図４（ａ）は実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２の平面図であり、図４（ｂ）は実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２の側面図であり、図４（ｃ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ断面図であり、図４（ｄ）は図４（ａ）における接続部材配置部２１のＢ−Ｂ断面図である。
図５は、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２を製造する過程におけるリードフレーム１００ａを示す図である。

実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２は、基本的には実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１と同様の構成を有するが、第２電極部にも折り返し部（第２折り返し部）が設けられている点が実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１の場合とは異なる。すなわち、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２においては、図４及び図５に示すように、接続部材配置部２１ａには、接続部材配置部２１ａの外周を構成する辺のうちの向かい合う２つの辺２４Ｌ，２４Ｒにおいて、接続部材配置面２３側とは反対側に向かって折り返された第２折り返し部２５Ｌ，２５Ｒが設けられている

接続部材配置部２１ａの断面形状は、ヘミング形状である。

接続部材配置部２１ａは、リードフレーム１００ａに設けられた平板２１ａ’から形成されている。平板２１ａ’には、２つの直線２４Ｌ’，２４Ｒ’が設定され、平板２１ａ’は、２つの直線２４Ｌ’，２４Ｒ’によって、直線２４Ｌ’よりも外側の第１平板部２５Ｌ’，直線２４Ｒ’よりも外側の第２平板部２５Ｒ’及び、第１平板部２５Ｌ’及び第２平板部２５Ｒ’に挟まれ、接続部材配置面２３を有する第３平板部２６の３つの平板部に分けられている（図５における「折り返し前」の図参照。）。

２つの直線２４Ｌ’，２４Ｒ’はそれぞれ、平板２１ａ’の外周を構成する辺のうち向かい合う２つの辺Ｓ１、Ｓ２に平行になるように設定されている。２つの直線２４Ｌ’，２４Ｒ’においては、平板２１ａ’の外周を構成する辺Ｓ１と直線２４Ｌ’との間隔をａ、平板２１ａ’の外周を構成する辺Ｓ２と直線２４Ｒ’との間隔をｂ、直線２４Ｌ’と直線２４Ｒ’との間隔をｃとしたときに、ｃ＞ａ＋ｂ、かつ、ａ＝ｂ、が成り立つように設定されている。

接続部材配置部２１ａは、第１平板部２５Ｌ’及び第２平板部２５Ｒ’を直線２４Ｌ’，２４Ｒ’を折り目として接続部材配置面２３側とは反対側に向かって折り返すことによって形成されている（図５における「折り返し後」の図参照。）。折り返された第１平板部２５Ｌ’及び第２平板部２５Ｒ’は、第２折り返し部２５Ｌ，２５Ｒとなる。また、直線２４Ｌ’，２４Ｒ’は、接続部材配置部２１ａの外周を構成する辺のうちの２つの辺２４Ｌ，２４Ｒとなる。

接続部材配置部２１ａにおいては、平板２１ａ’において、２つの直線２４Ｌ’，２４Ｒ’が、上記したようにｃ＞ａ＋ｂが成り立つように設定されているため、第２折り返し部２５Ｌの端部と第２折り返し部２５Ｒの端部とは、所定の間隔で離間した状態となる。このような構成とすることにより、樹脂封止の際に、第２折り返し部２５Ｌの先端部と第２折り返し部２５Ｒの先端部との間にも樹脂５０が入り込み、接続部材配置部２１ａと樹脂５０との密着性が高くなる。

また、接続部材配置部２１ａにおいては、平板部２６（折り返し前の第３平板部２６）と第２折り返し部２５Ｌ，２５Ｒとの間にはわずかに隙間（図示せず。）がある。このような構成とすることにより、樹脂封止の際に、当該隙間に樹脂５０が入り込むため、接続部材配置部２１ａと樹脂５０との密着性がより一層高くなる。

このように、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２は、第２電極部にも折り返し部（第２折り返し部）が設けられている点が実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１の場合とは異なるが、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１の場合と同様に、ダイパッド部１１には、ダイパッド部１１の外周を構成する辺のうちの向かい合う２つの辺１４Ｌ、１４Ｒにおいて、チップ配置面１３側とは反対側に向かって折り返された折り返し部１５が設けられているため、従来の樹脂封止型半導体装置９００よりも、ダイパッド部１１の断面積が大きくなる。その結果、従来の樹脂封止型半導体装置９００よりも高い放熱性を有する樹脂封止型半導体装置となる。

また、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２によれば、第２折り返し部２５Ｌ，２５Ｒは、接続部材配置部２１ａの外周を構成する辺のうちの向かい合う２つの辺２４Ｌ，２４Ｒにおいて、それぞれ折り返されたものであるため、接続部材配置部２１ａの断面形状が対称となる。このため、接続部材配置部２１ａを流れる電流が偏ることを防ぐことが可能となり、その結果、接続部材配置部２１ａの一部に熱が集中することを防ぐことが可能となる。

さらにまた、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２によれば、接続部材配置部２１ａの断面形状が、ヘミング形状であるため、接続部材配置部２１ａの断面積が大きくなるにもかかわらず接続部材配置部２１ａの実装高さを低く抑えることが可能となる。その結果、樹脂封止型半導体装置１の厚さを比較的薄くすることが可能となる。

なお、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２は、第２電極部にも折り返し部（第２折り返し部）が設けられている点以外の点においては実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１と同様の構成を有するため、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１が有する効果のうち該当する効果を有する。

［実施形態３］
図６は、実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３のダイパッド部１１ａを説明するために示す図である。図６（ａ）は折り返す前のダイパッド部１１ａの様子を示す図であり、図６（ｂ）は折り返した後のダイパッド部１１ａの様子を示す図である。

実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３は、基本的には実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１と同様の構成を有するが、折り返し部の端部の形状が実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１の場合とは異なる。すなわち、実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３においては、図６に示すように、折り返し部１５Ｌ１、１５Ｒ１の端部の形状が、鋸刃形状である。

このように、実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３は、折り返し部の端部の形状が実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１の場合とは異なるが、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１の場合と同様に、ダイパッド部１１ａには、ダイパッド部１１ａの外周を構成する辺のうちの向かい合う２つの辺１４Ｌ，１４Ｒにおいて、チップ配置面１３側とは反対側に向かって折り返された折り返し部１５Ｌ１，１５Ｒ１が設けられているため、従来の樹脂封止型半導体装置９００よりも、ダイパッド部１１ａの断面積が大きくなる。その結果、従来の樹脂封止型半導体装置９００よりも高い放熱性を有する樹脂封止型半導体装置となる。

また、実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３によれば、折り返し部１５Ｌ１，１５Ｒ１の端部の形状が、鋸刃形状であるため、ダイパッド部１１ａと樹脂５０との接触面積が大きくなり、アンカー効果によって、ダイパッド部１１ａと樹脂５０との密着性がより一層高い樹脂封止型半導体装置となる。

なお、実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３は、折り返し部の端部の形状以外の点においては実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１と同様の構成を有するため、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１が有する効果のうち該当する効果を有する。

［実施形態４］
図７は、実施形態４に係る樹脂封止型半導体装置４のダイパッド部１１ｂの断面図である。

実施形態４に係る樹脂封止型半導体装置４は、基本的には実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１と同様の構成を有するが、折り返し部の端部の形状が実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１の場合とは異なる。すなわち、実施形態４に係る樹脂封止型半導体装置４における折り返し部１５Ｌ２，１５Ｒ２の端部においては、図７に示すように、折り返し部１５Ｌ２，１５Ｒ２を折り返したときに内側となる角が斜めに切り落とされた切り欠きＣが形成されている。

このように、実施形態４に係る樹脂封止型半導体装置４は、折り返し部の端部の形状が実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１の場合とは異なるが、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１の場合と同様に、ダイパッド部１１ｂには、ダイパッド部１１ｂの外周を構成する辺のうちの向かい合う２つの辺において、チップ配置面１３側とは反対側に向かって折り返された折り返し部１５Ｌ２，１５Ｒ２が設けられているため、従来の樹脂封止型半導体装置９００よりも、ダイパッド部１１ｂの断面積が大きくなる。その結果、従来の樹脂封止型半導体装置９００よりも高い放熱性を有する樹脂封止型半導体装置となる。

また、実施形態４に係る樹脂封止型半導体装置４によれば、折り返し部１５Ｌ２，１５Ｒ２の端部においては、折り返し部１５Ｌ２，１５Ｒ２を折り返したときに内側となる角が斜めに切り落とされた切り欠きＣが形成されているため、切り欠きＣにも樹脂５０が入り込み、ダイパッド部１１ｂと樹脂５０との密着性がより一層高い樹脂封止型半導体装置となる。

なお、実施形態４に係る樹脂封止型半導体装置４は、折り返し部の端部の形状以外の点においては実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１と同様の構成を有するため、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１が有する効果のうち該当する効果を有する。

以上、本発明を上記の各実施形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。その趣旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば、次のような変形も可能である。

（１）上記各実施形態において記載した構成要素の数、材質、形状、位置、大きさ等は例示であり、本発明の効果を損なわない範囲において変更することが可能である。

（２）上記実施形態３及び４においては、折り返し部の端部の形状を変更したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、第２折り返し部の端部の形状を変更してもよい。

（３）上記各実施形態においては、折り返し部１５が、ダイパッド部１１の外周を構成する辺のうちの向かい合う２つの辺において、それぞれ折り返されたものであるが、本発明はこれに限定されるものではない。図８は、変形例１に係る樹脂封止型半導体装置のダイパッド部１１ｃを示す断面図である。例えば、折り返し部１５Ｌ３が、ダイパッド部１１の外周を構成する辺のうちの１つの辺において、折り返されたものであってもよい。

（４）上記各実施形態においては、ダイパッド部１１の断面形状が、ヘミング形状であるが、本発明はこれに限定されるものではない。図９は、変形例２に係る樹脂封止型半導体装置のダイパッド部１１ｄを示す断面図である。例えば、ダイパッド部１１ｄの断面形状が、「コ」の字形状であってもよい。

（５）上記各実施形態においては、平板１１’（２１’）の外周を構成する辺ｓ１（Ｓ１）と直線１４Ｌ’（２４Ｌ’）との間隔をａ、平板１１’ （２１’）の外周を構成する辺ｓ２（Ｓ２）と直線１４Ｒ’（２４Ｒ’）との間隔をｂとしたときに、ａ＝ｂ、が成り立つように設定されているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、ａ＞ｂであってもよいし、ａ＜ｂであってもよい。

（６）上記各実施形態においては、２つの直線１４Ｌ’（２４Ｌ’），１４Ｒ’（２４Ｒ’）はそれぞれ、平板１１’ （２１’）の外周を構成する辺のうち向かい合う２つの辺ｓ１（Ｓ１）、ｓ２（Ｓ２）に平行になるように設定されているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、２つの直線１４Ｌ’（２４Ｌ’），１４Ｒ’（２４Ｒ’）が当該２つの辺ｓ１（Ｓ１）、ｓ２（Ｓ２）に平行になっていなくてもよい。

（７）上記各実施形態においては、チップ３０が２端子の半導体素子であるが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、チップ３０が３端子以上の半導体素子であってもよい。

（８）上記各実施形態においては、接続部材４０は屈曲した金属板からなるが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、接続部材４０がボンディングワイヤーであってもよい。

１，２，９００…樹脂封止型半導体装置、１０，９１０…第１電極部、１１，１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，９１１…ダイパッド部、１２，９１２…第１リード部、１３，９１３…チップ配置面、１４…（ダイパッド部の外周となる）辺、１４Ｌ’、１４Ｒ’…（折り目となる）直線、１５，１５Ｌ，１５Ｒ，１５Ｌ１、１５Ｒ１、１５Ｌ２、１５Ｒ２、１５Ｌ３，１５Ｌ４，１５Ｒ４…折り返し部、１５Ｌ’…第１平板部、１５Ｒ’…第２平板部、１６…平板部（第３平板部）、２０，９２０…第２電極部、２１，２１ａ，９２１…接続部材配置部、２２，９２２…第２リード部、２３…接続部材配置面、２４…（接続部材配置部２１の外周となる）辺、２４Ｌ’、２４Ｒ’…（折り目となる）直線、２５，２５Ｌ、２５Ｒ…第２折り返し部、２５Ｌ’…第１平板部、２５Ｒ’…第２平板部、２６…第３平板部、３０，９３０…チップ、４０，９４０…接続部材、４２，９４２…（接続部材の）一方の端部、４４，９４４…（接続部材の）他方の端部、５０，９５０…樹脂、１００，１００ａ, ８００…リードフレーム、１１０，８１０…補助フレーム、Ｃ…切り欠き、ｓ１、ｓ２…（平板１１’の向かい合う２つの）辺、Ｓ１、Ｓ２…（平板２１ａ’の向かい合う２つの）辺

Claims (10)

1. 平面的に見て四角形形状のダイパッド部及び前記ダイパッド部から外側に向かって延在する第１リード部を有する第１電極部と、
   前記ダイパッド部と離間して配置された接続部材配置部及び前記接続部材配置部から外側に向かって延在する第２リード部を有する第２電極部と、
   上面側電極及び下面側電極を有し、前記下面側電極が前記ダイパッド部のチップ配置面と対向するように前記ダイパッド部に配置されたチップと、
   一方の端部が前記上面側電極に電気的に接続されているとともに、他方の端部が前記接続部材配置部に電気的に接続されている接続部材とを備え、
   前記ダイパッド部、前記接続部材配置部、前記チップ及び前記接続部材が樹脂で封止された樹脂封止型半導体装置であって、
   前記ダイパッド部には、前記ダイパッド部の外周を構成する辺のうちの少なくとも１つの辺において、前記チップ配置面側とは反対側に向かって折り返された折り返し部が設けられていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
2. 請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置であって、
   前記折り返し部は、前記ダイパッド部の外周を構成する辺のうちの向かい合う２つの辺において、それぞれ折り返されたものであることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
3. 請求項１又は２に記載の樹脂封止型半導体装置であって、
   前記ダイパッド部の断面形状が、ヘミング形状であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
4. 請求項１〜３のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置であって、
   前記折り返し部の端部の形状が、鋸刃形状であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
5. 請求項１〜４のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置であって、
   前記折り返し部の端部においては、前記折り返し部を折り返したときに内側となる角が斜めに切り落とされた切り欠きが形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
6. 請求項１〜５のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置であって、
   前記接続部材配置部は、平面的に見て四角形形状であり、
   前記接続部材の他方の端部が、前記接続部材配置部の接続部材配置面と対向するように配置され、
   前記接続部材配置部には、前記接続部材配置部の外周を構成する辺のうちの少なくとも１つの辺において、前記接続部材配置面側とは反対側に向かって折り返された第２折り返し部が設けられていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
7. 請求項６に記載の樹脂封止型半導体装置であって、
   前記第２折り返し部は、前記接続部材配置部の外周を構成する辺のうちの向かい合う２つの辺において、それぞれ折り返されたものであることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
8. 請求項６又は７に記載の樹脂封止型半導体装置であって、
   前記接続部材配置部の断面形状が、ヘミング形状であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
9. 請求項６〜８のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置であって、
   前記第２折り返し部の端部の形状が、鋸刃形状であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
10. 請求項６〜９のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置であって、
    前記第２折り返し部の端部においては、前記第２折り返し部を折り返したときに内側となる角が斜めに切り落とされた切り欠きが形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。

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