JP2015158398A - 実装基板 - Google Patents

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Abstract

【課題】蛍光X線によるインナーリードのめっき厚み測定の精度向上が可能な実装基板を提供する。
【解決手段】実装基板10は、蛍光X線測定範囲202内において、有効測定面積より大きい総面積のダミーリード2が形成されている。また、ダミーリード2は、インナーリード1と相似形の形状となっており、インナーリード1の近傍に形成されている。
【選択図】図1

Description

本発明は、実装基板に関する。
従来、例えば、特許文献1に記載されているように、蛍光X線を用いて薄膜パターン構造部分の膜厚を測定する方法が知られていた。特許文献1に記載の蛍光X線による膜厚測定方法では、多数の薄膜パターンが繰り返し形成されている場合の薄膜パターンの膜厚の測定時に、個々の薄膜パターンを測定対象とするのではなく、複数の薄膜パターンを測定領域内に含めて測定対象とする。この測定により得られる膜厚は測定領域内に含まれる薄膜パターンの平均膜厚である。
特開2003−294431号公報
しかしながら、特許文献1に記載の蛍光X線による膜厚測定方法では、薄膜パターンが微細化又は薄膜パターンピッチが増大することで、測定範囲内において測定対象の占める面積が減少すると、蛍光X線で測定した薄膜パターンの厚みの値と薄膜パターンの厚みの真値とのずれが生じ、厚み測定値の再現性が低くなるという課題があった。また、蛍光X線測定において、測定範囲が狭くなると励起X線が面積に比例し弱くなり、検出される蛍光X線の強度が得づらくなり、厚み測定値の再現性が低くなる。このため、測定範囲内において測定対象の占める面積を増加させるためにコリメータの直径を減少させても、厚み測定値の再現性を改善することはできないという課題があった。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
[適用例1]本適用例に係る実装基板は、素子が実装される実装基板であって、前記素子の実装領域に形成されているインナーリードと、前記インナーリードと異なる位置に形成されているダミーリードと、を備え、前記インナーリード上と前記ダミーリード上とには同じ形成条件でめっきが形成されており、蛍光X線により前記めっきの厚みを測定する際の、前記蛍光X線により測定可能な前記インナーリードの総面積は前記蛍光X線の有効測定面積よりも小さく、前記蛍光X線により測定可能な前記ダミーリードの総面積は前記有効測定面積よりも大きいことを特徴とする。
本適用例によれば、実装基板は、蛍光X線測定範囲内において、有効測定面積より大きい面積のダミーリードが形成されている。従って、測定対象から検出されるX線の強度が大きくなり、正確なめっき厚みの値が得られる。そのため、蛍光X線測定範囲内においてインナーリードの総面積が有効測定面積よりも小さく、正確なめっき厚みがインナーリードから直接測定できない場合でも、ダミーリードを測定することでインナーリードの正確なめっき厚みの値を推定することができる。
[適用例2]上記適用例に係る実装基板において、前記ダミーリードの形状は、前記インナーリードの形状と相似形であることを特徴とする。
本適用例によれば、ダミーリードの形状はインナーリードの形状と相似形である。従って、ダミーリードのめっき形成環境がインナーリードと略同等となるため、インナーリードとダミーリードとにめっきを形成した際に、インナーリードとダミーリードとに、より等しい厚さのめっきを形成することができるので、インナーリードのめっき膜厚を正確に測定することができる。
[適用例3]上記適用例に係る実装基板において、前記ダミーリードは、前記インナーリードの近傍に形成されていることを特徴とする。
本適用例によれば、ダミーリードはインナーリードの近傍に形成される。従って、ダミーリードとインナーリードとのめっき形成環境が略同等となるため、インナーリードとダミーリードとにめっきを形成した際に、インナーリードとダミーリードとに略同等の厚さのめっきを形成することができるので、インナーリードのめっき膜厚を正確に測定することができる。
[適用例4]上記適用例に係る実装基板において、前記ダミーリードは、前記素子の実装領域に形成されていることを特徴とする。
本適用例によれば、ダミーリードは素子の実装領域に形成される。従って、ダミーリードとインナーリードとのめっき形成環境が略同等となるため、インナーリードとダミーリードとにめっきを形成した際に、インナーリードとダミーリードとに略同等の厚さのめっきを形成することができるので、インナーリードのめっき膜厚を正確に測定することができる。
[適用例5]上記適用例に係る実装基板において、前記ダミーリードは、前記インナーリードと同じ形成条件で形成されていることを特徴とする。
本適用例によれば、ダミーリードはインナーリードと同じ形成条件で形成される。従って、ダミーリードとインナーリードとに形成されるめっきの厚みを略同等にすることができるので、インナーリードのめっき膜厚を正確に測定することができる。
[適用例6]上記適用例に係る実装基板において、前記めっきは電解めっきであり、前記ダミーリードは前記電解めっきの給電線に付帯して形成されていることを特徴とする。
本適用例によれば、ダミーリードに電解めっきの給電線が付帯して形成されているため、インナーリードとダミーリードとに形成するめっきを共に電解めっきで形成することができる。従って、電解めっきにてインナーリードとダミーリードとにめっきを形成する場合でも、インナーリードのめっき膜厚を正確に測定することができる。
[適用例7]上記適用例に係る実装基板において、前記めっきは無電解めっきであることを特徴とする。
本適用例によれば、インナーリードとダミーリードとのめっきには無電解めっきが用いられる。従って、無電解めっきにてインナーリードとダミーリードとにめっきを形成する場合でも、インナーリードのめっき膜厚を正確に測定することができる。
[適用例8]上記適用例に係る実装基板において、前記基板がフレキシブルタイプであることを特徴とする。
本適用例によれば、実装基板はフレキシブルタイプの基板を用いて作製される。従って、フレキシブルタイプの基板においても、インナーリードのめっき膜厚を正確に測定することができる。
[適用例9]上記適用例に係る実装基板において、前記基板がリジッドタイプであることを特徴とする。
本適用例によれば、実装基板はリジッドタイプの基板を用いて作製される。従って、リジッドタイプの基板においても、インナーリードのめっき膜厚を正確に測定することができる。
実施形態1に係る実装基板の概略図。 実施形態1に係る蛍光X線測定範囲内のインナーリード及び蛍光X線測定範囲内のダミーリードの概略図。 インナーリード及びダミーリードの蛍光X線測定めっき厚みとインナーリードのめっき厚み真値との関係図。 ダミーリードの形状を正方形とした場合及びインナーリードと相似形とした場合の蛍光X線測定めっき厚みとインナーリードのめっき厚み真値との関係図。 実施形態2に係る実装基板の概略図。 実施形態2に係る実装基板のインナーリード及びダミーリードが形成された領域の拡大図。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。
(実施形態1)
まず、実施形態1に係る実装基板10の概略構成について説明する。
図1は、実施形態1に係る実装基板10の概略図である。
実装基板10は、基板5の主面上に、インナーリード1、ダミーリード2及び給電線3が形成され、構成されている。
インナーリード1は、基板5の主面上の図示しない素子の実装領域4内に複数形成されている。インナーリード1の材料には、例えば、銅(Cu)が用いられる。インナーリード1に、図示しない素子が接続される。
ダミーリード2は、インナーリード1と同じ基板5の主面上に、インナーリード1と同じ材料且つ同じ形成条件で形成されている。ダミーリード2の形状は、インナーリード1と相似形の形状且つ同様の配列パターンとなっている。また、ダミーリード2は、素子の実装領域4の外部に形成され、ダミーリード2の配列パターンの内、最も実装領域4に近い場所に形成されたダミーリード2は、実装領域4の境界に接している。
電解めっきに用いられる給電線3は、インナーリード1及びダミーリード2と同じ基板5の主面上に配線されている。また、インナーリード1及びダミーリード2は給電線3に付帯して形成されている。給電線3の材料には、例えば、インナーリード1及びダミーリード2と同じ銅(Cu)が用いられる。
インナーリード1上とダミーリード2上とには、電解めっきでめっきが形成されている。給電線3により図示しない外部電源からインナーリード1及びダミーリード2に電流が供給されることで、電解めっきが行われる。めっきの材料には、例えば、金(Au)が用いられる。また、外部電源からインナーリード1までの給電線3のインピーダンスと、外部電源からダミーリード2までの給電線3のインピーダンスとは同じ大きさとすることが好ましい。
基板5は、例えば、フレキシブルタイプの基板である。フレキシブルタイプの基板5の材料には、例えば、ポリアミドが用いられる。
次に、実施形態1に係る蛍光X線によるめっき厚み測定を行う際の測定範囲内におけるインナーリード1及びダミーリード2の概略構成について説明する。
図2は、実施形態1に係る蛍光X線測定範囲201内のインナーリード1及び蛍光X線測定範囲202内のダミーリード2の概略図である。図2(a)はインナーリード1の概略図を示し、図2(b)はダミーリード2の概略図を示す。
蛍光X線測定範囲201,202は、実装基板10上にX線が照射される領域であり、蛍光X線装置のコリメータにより、蛍光X線測定範囲201,202の大きさが調整される。蛍光X線測定範囲201,202の大きさは、例えば、直径φ0.2mmである。蛍光X線による厚み測定では、精度良くめっき厚みの測定が可能な最小の測定対象の面積である有効測定面積Saが存在する。有効測定面積Saは、例えば、蛍光X線測定範囲201,202の面積の20%の大きさであり、この面積よりも測定対象の面積が大きければ、精度良くめっき厚みの測定が可能となる。
インナーリード1は、例えば、長方形の形状をしており、蛍光X線測定範囲201内に複数(例えば、5個)の同じ形状のリードが等間隔で配列している。1つのインナーリード1のリード幅wは、例えば、0.01mm、リード高さhは、例えば、0.03mm、リードピッチp1は、例えば、0.02mmである。蛍光X線測定範囲201内のインナーリード1の総面積S1(1.5×10-3mm2)は、有効測定面積Sa(6.28×10-3mm2)よりも小さい面積となっている(S1<Sa)。
ダミーリード2は、インナーリード1と同様の形状、例えば、インナーリード1のリード幅w、リード高さhをそれぞれa倍(例えば、5倍)した相似形となっている。ダミーリード2のリードピッチp2は、例えば、0.1mmである。蛍光X線測定範囲202内に、例えば2個のダミーリード2が含まれているとすると、蛍光X線測定範囲202内のダミーリード2の総面積S2(15.0×10-3mm2)は、有効測定面積Sa(6.28×10-3mm2)よりも大きい面積となっている(S2>Sa)。
次に、インナーリード1及びダミーリード2のそれぞれの蛍光X線測定めっき厚みとインナーリード1のめっき厚み真値との関係について説明する。本実施例では、めっき厚みの真値として、各リードの断面をSEM(走査型電子顕微鏡)で撮影し、その画像からめっき厚を測定した値を用いている。
図3は、インナーリード1及びダミーリード2の蛍光X線測定めっき厚みとインナーリード1のめっき厚み真値との関係図である。図3の横軸は蛍光X線測定により得られためっき厚みdxの値を示し、縦軸はインナーリード1のめっき厚みの真値dtを示す。図3内の白丸印(○)はインナーリード1の測定結果を示し、図3内の黒丸印(●)はダミーリード2の測定結果を示す。図3内の直線は、ダミーリード2の蛍光X線測定めっき厚みとインナーリード1のめっき厚み真値との相関関係を示す。
インナーリード1の蛍光X線測定めっき厚みとインナーリード1のめっき厚み真値との関係について説明する。蛍光X線測定範囲201内のインナーリード1の総面積S1は有効測定面積Saよりも小さいため(S1<Sa)、蛍光X線測定めっき厚みdxとインナーリード1のめっき厚み真値dtとの間で相関関係は得られていない。このことから蛍光X線測定によって、インナーリード1の正確なめっき厚みが測定できていないことが判る。
ダミーリード2の蛍光X線測定めっき厚みとインナーリード1のめっき厚み真値との関係について説明する。蛍光X線測定範囲202内のダミーリード2の総面積S2は有効測定面積Saよりも大きいため(S2>Sa)、図3内の直線が示すように、蛍光X線測定めっき厚みdxとインナーリード1のめっき厚み真値dtとの間で相関関係が得られている。このことから蛍光X線測定によって、インナーリード1の正確なめっき厚みが測定できていることが判る。
次に、ダミーリード2の形状を正方形(非相似形)とした場合及びインナーリード1と相似形とした場合のそれぞれの蛍光X線測定めっき厚みとインナーリード1のめっき厚み真値との関係について説明する。
図4は、ダミーリード2の形状を正方形とした場合及びインナーリード1と相似形とした場合の蛍光X線測定めっき厚みとインナーリード1のめっき厚み真値との関係図である。図4内の四角印(□)はダミーリード2の形状を正方形とした場合の測定結果を示し、図4内の黒丸印(●)はダミーリード2の形状をインナーリード1と相似形とした場合の測定結果を示す。図4内の横軸及び縦軸が表す値は図3と同じである。
破線は、正方形のダミーリード2の蛍光X線測定めっき厚みとインナーリード1のめっき厚み真値の相関関係を示し、直線は相似形のダミーリード2の蛍光X線測定めっき厚みとインナーリード1のめっき厚み真値の相関関係を示す。
蛍光X線測定範囲202内の正方形のダミーリード2の総面積S3は有効測定面積Saよりも大きい面積となっている(S3>Sa)。ダミーリード2の形状を正方形(非相似形)とすると、インナーリード1とダミーリード2とのめっきの形成環境が異なるため、めっきを行った際に、インナーリード1とダミーリード2とでめっき厚みが異なる度合いが大きい。
一方、ダミーリード2の形状をインナーリード1と相似形とすると、ダミーリード2のめっきの形成環境がインナーリード1に近づき、めっきを行った際に、インナーリード1とダミーリード2とでめっき厚みが異なる度合いが、正方形のダミーリード2に比べ少ない。
正方形のダミーリード2の蛍光X線測定めっき厚みとインナーリード1のめっき厚み真値との関係について説明する。蛍光X線測定範囲202内の正方形のダミーリード2の総面積S3は有効測定面積Saよりも大きい面積となっているものの(S3>Sa)、インナーリード1とめっき厚みが異なっているため、蛍光X線測定めっき厚みdxとインナーリード1のめっき厚み真値dtとの間で相関関係は、図4内の破線に示すように相似形のダミーリード2の場合と比べ、弱い相関関係となっている。このことから正方形のダミーリード2では、蛍光X線測定によって、相似形のダミーリード2の場合に比べインナーリード1の正確なめっき厚みが測定できていないことが判る。
インナーリード1と相似形のダミーリード2の蛍光X線測定めっき厚みとめっき厚み真値との関係について説明する。蛍光X線測定範囲202内の相似形のダミーリード2の総面積S2は有効測定面積Saよりも大きい面積となっており(S2>Sa)、且つ形状が相似形であるので、めっき形成環境がインナーリード1のメッキ形成環境により近いと推定されるため、図4内の直線に示すように、蛍光X線測定めっき厚みdxとインナーリード1のめっき厚み真値dtとの間で、正方形のダミーリード2の場合と比べ強い相関関係が得られている。このことから相似形のダミーリード2では、蛍光X線測定によって、正方形のダミーリード2の場合に比べインナーリード1の正確なめっき厚みが測定できていることが判る。
以上述べたように、実施形態1に係る実装基板10によれば、以下の効果を得ることができる。
実装基板10に形成されたダミーリード2は、蛍光X線測定範囲202内において、有効測定面積Saより大きい総面積S2となっている(S2>Sa)。これにより、測定対象から検出されるX線の強度が大きくなり、正確なめっき厚みの値が得られる。そのため、蛍光X線測定範囲201内においてインナーリード1の総面積S1が有効測定面積Saよりも小さく(S1<Sa)、正確なめっき厚みがインナーリード1から直接蛍光X線測定できない場合でも、ダミーリード2を蛍光X線測定することでインナーリード1の正確なめっき厚みの値を推定することができる。
ダミーリード2は、インナーリード1と相似形の形状となっている。このため、インナーリード1の形状と異なる正方形(非相似形)のような形状のダミーリード2に比べて、めっきの形成環境がインナーリード1のめっきの形成環境と略同等となるため、インナーリード1とダミーリード2とに略同等の厚さのめっきを形成することができ、ダミーリード2の蛍光X線測定結果から、より正確なインナーリード1のめっき厚みの値を推定することができる。
また、ダミーリード2は、インナーリード1の近傍に形成されている。そのため、リードの形成及びめっきの形成において、インナーリード1により等しい形成条件とすることができ、ダミーリード2の蛍光X線測定結果から、より正確なインナーリード1のめっき厚みの値を推定することができる。
(実施形態2)
次に、図5及び図6を参照して実施形態2に係る実装基板10aの概略構成について説明する。図5は、実施形態2に係る実装基板10aの概略図である。図6は、実施形態2に係る実装基板10aのインナーリード1a及びダミーリード2aが形成された領域の拡大図である。図6内の円は、インナーリード1aの蛍光X線測定範囲201a及びダミーリード2aの蛍光X線測定範囲202aを示す。なお、実施形態1と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。
実装基板10aは、基板5の主面上に、インナーリード1a、ダミーリード2a及び給電線3が形成され、構成されている。
インナーリード1aは、基板5の主面上の図示しない素子の実装領域4内に複数形成されている。実施形態2におけるインナーリード1aの形状は、実施形態1のインナーリード1の形状と比較して、リード高さhが高い長方形の形状となっている。インナーリード1a上には保護膜6が形成されている。保護膜6には、例えば、ソルダーレジスト膜が用いられる。インナーリード1aの給電線3に付帯されている側と逆側の端部には保護膜6は形成されておらず、インナーリード1aの端部が露出した状態となっている。保護膜6から露出したインナーリード1aの端部に、図示しない素子が接続される。
ダミーリード2aは、インナーリード1aと同じ基板5の主面上に、インナーリード1aと同じ材料且つ同じ形成条件で形成されている。ダミーリード2aの形状は、インナーリード1aと同じリード幅w及びリード高さhである同一形状となっている。ダミーリード2aのリードピッチp2は、広いピッチと狭いピッチとが混在しているインナーリード1aのリードピッチp1の内、最小のリードピッチp1と同じ大きさのピッチである。
インナーリード1a上には、その端部を除いて保護膜6が形成されており、この保護膜6が形成されている領域では蛍光X線によりインナーリード1aのめっき厚みを測定することができない。これによりインナーリード1aの端部でのみ、めっき厚みの測定が可能であるため、蛍光X線測定範囲201a内のインナーリード1aの総面積S1aは、有効測定面積Saよりも小さい面積となっている(S1a<Sa)。
ダミーリード2a上には、保護膜6は形成されていない。また、ダミーリード2aのリードピッチp2は、インナーリード1aの最小のリードピッチp1と同じ大きさのピッチであるため、蛍光X線測定範囲202a内には高い密度でダミーリード2aが含まれる。このため、蛍光X線測定範囲202a内のダミーリード2aの総面積S2aは、有効測定面積Saよりも大きい面積となっている(S2a>Sa)。
以上述べたように、実施形態2に係る実装基板10aによれば、ダミーリード2aはインナーリード1aと同一形状であり、ダミーリード2aのリードピッチp2は、インナーリード1aの最小のリードピッチp1と同じ大きさのピッチである。この構成により、蛍光X線測定範囲202a内のダミーリード2aの総面積S2aは、有効測定面積Saよりも大きい面積(S2a>Sa)となり、正確なめっき厚みがインナーリード1aから直接蛍光X線測定できない場合でも、ダミーリード2aを蛍光X線測定することでインナーリード1aの正確なめっき厚みの値を推定することができる。また、ダミーリード2aがインナーリード1aと同一形状であることから、実施形態1での効果に加えて、ダミーリード2aのめっきの形成環境がインナーリード1aのめっきの形成環境がさらに同等に近づき、インナーリード1aとダミーリード2aとに略同等の厚さのめっきを形成することができ、ダミーリード2aの蛍光X線測定結果から、さらに高精度にインナーリード1aのめっき厚みの値を推定することができる。
なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。
上述した実施形態では、ダミーリード2,2aは素子の実装領域4の外部に形成されているとして説明したが、素子の実装に影響を与えないのであれば実装領域4の内部であってもよい。これにより、ダミーリード2,2aにおけるめっきの形成環境がインナーリード1,1aにさらに近づき、インナーリード1,1aとダミーリード2,2aとにめっきを形成した際にさらに等しい厚さのめっきが形成できるので、インナーリード1,1aのめっき膜厚を正確に測定することができる。
上述した実施形態では、めっきの材料には金(Au)が用いられるとして説明したが、他の導電材料でもよく、例えば、ニッケル(Ni)やスズ(Sn)でもよく、また金(Au)とニッケル(Ni)などの数種類の材料を同時に用いてもよい。
上述した実施形態では、インナーリード1,1a上とダミーリード2,2a上とには電解めっきでめっきの形成を行うとして説明したが、無電解めっきでめっきの形成を行ってもよい。これにより、給電線3を配線することなく無電解めっきにてインナーリード1,1aとダミーリード2,2aとにめっきを形成する場合でも、インナーリード1,1aのめっき膜厚を正確に測定することができる。
上述した実施形態では、基板5はフレキシブルタイプの基板として説明したが、リジッドタイプの基板であってもよい。これにより、機械的強度の高いリジッドタイプの基板においても、インナーリード1,1aのめっき膜厚を正確に測定することができる。
上述した実施形態では、フレキシブルタイプの基板5の材料にはポリアミドが用いられるとして説明したが、柔軟性を備えた材料であればよく、例えば、ポリアミドイミドであってもよい。
上述した実施形態では、ダミーリード2の形状はインナーリード1と相似の形状であるとして説明したが、インナーリード1と同様の形状であればよく、例えば、上述した実施形態のようにインナーリード1の形状が長方形である場合に、長方形の短辺が丸みを帯びた形状のダミーリード2であってもよい。また、リード幅、リード高さの比が一部異なるものであってもよい。
上述した実施形態では、ダミーリード2aのリードピッチp2は、広いピッチと狭いピッチとが混在しているインナーリード1aのリードピッチp1の内、最小のリードピッチp1と同じ長さのピッチであるとして説明したが、蛍光X線測定範囲202a内のダミーリード2の総面積S2aが有効測定面積Saよりも大きければよく、さらに小さいピッチであってもよい。これにより、蛍光X線測定範囲202a内のダミーリード2の総面積S2aをさらに大きくすることができる。また、蛍光X線測定範囲202a内のダミーリード2の総面積S2aが有効測定面積Saよりも大きいという条件を満たせば、ダミーリード2aのリードピッチp2は、インナーリード1aの最小のリードピッチp1よりも大きいピッチであってもよい。
1,1a…インナーリード、2,2a…ダミーリード、3…給電線、4…実装領域、5…基板、6…保護膜、10,10a…実装基板、201,201a…インナーリードの蛍光X線測定範囲、202,202a…ダミーリードの蛍光X線測定範囲。

Claims (9)

  1. 素子が実装される実装基板であって、
    前記素子の実装領域に形成されているインナーリードと、
    前記インナーリードと異なる位置に形成されているダミーリードと、を備え、
    前記インナーリード上と前記ダミーリード上とには同じ形成条件でめっきが形成されており、
    蛍光X線により前記めっきの厚みを測定する際の、前記蛍光X線により測定可能な前記インナーリードの総面積は前記蛍光X線の有効測定面積よりも小さく、
    前記蛍光X線により測定可能な前記ダミーリードの総面積は前記有効測定面積よりも大きいことを特徴とする実装基板。
  2. 請求項1に記載の実装基板であって、
    前記ダミーリードの形状は、前記インナーリードの形状と相似形であることを特徴とする実装基板。
  3. 請求項1又は請求項2に記載の実装基板であって、
    前記ダミーリードは、前記インナーリードの近傍に形成されていることを特徴とする実装基板。
  4. 請求項3に記載の実装基板であって、
    前記ダミーリードは、前記素子の実装領域に形成されていることを特徴とする実装基板。
  5. 請求項1乃至4のいずれか一項に記載の実装基板であって、
    前記ダミーリードは、前記インナーリードと同じ形成条件で形成されていることを特徴とする実装基板。
  6. 請求項5に記載の実装基板であって、
    前記めっきは電解めっきであり、前記ダミーリードは前記電解めっきの給電線に付帯して形成されていることを特徴とする実装基板。
  7. 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の実装基板であって、
    前記めっきは無電解めっきであることを特徴とする実装基板。
  8. 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の実装基板であって、
    前記基板がフレキシブルタイプであることを特徴とする実装基板。
  9. 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の実装基板であって、
    前記基板がリジッドタイプであることを特徴とする実装基板。
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