JP2015155362A - 合成石英ガラスの熱処理方法 - Google Patents

合成石英ガラスの熱処理方法 Download PDF

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Abstract

【解決手段】OH基濃度の最大値と最小値の差(ΔOH)が350ppm未満である合成石英ガラスを
1150〜1060℃にて一定時間保持する第1の熱処理工程と、
第2の熱処理温度まで一定速度で冷却する冷却工程と、
1030〜950℃にて一定時間保持する第2の熱処理工程と、
−25〜−85℃/hrの速度で徐冷する工程と
を含む合成石英ガラスの熱処理方法であって、前記第2の熱処理工程時間が5時間以上である合成石英ガラスの熱処理方法。
【効果】本発明によれば、2段階の熱処理を行うことにより、ArFエキシマレーザ用光学部材としてレーザの照射を受ける有効範囲内において好適な低複屈折率の合成石英ガラスを得ることができる。
【選択図】なし

Description

本発明は、合成石英ガラスの熱処理方法に関する。更に詳しくは、最先端用途のフォトマスク用合成石英ガラス基板として好適な低複屈折率合成石英ガラスを得るための熱処理方法に関する。
近年、超LSIの高集積化に伴う露光パターンの微細化が進み、回路パターンを半導体ウェーハ上に描画するリソグラフィー装置(ステッパー装置)においても、光源はより短波長化が進んでいる。この結果、露光装置の光源として、従来のi線(波長365nm)からKrFエキシマレーザ(波長248nm)、近年ではArFエキシマレーザ(波長193nm)が使用されている。
光源の短波長化に伴って、露光装置に使用されるレンズ等の光学部品に加えて、IC回路の原版であるフォトマスク用合成石英マスク基板についてもより高精度なものが求められてきている。
特にArFエキシマレーザ用途において、レーザ照射初期吸収の抑制及び均質性に加えてガラス基板中の残留複屈折率の存在や、レーザ照射中の複屈折率の変化が重要になっている。合成石英ガラス中の複屈折率は素材に残存する応力に起因するものであり、複屈折率を低減するには応力除去のための適切なアニール処理を行うことが有効である。
例えば、特許文献1では、OH基濃度が230ppmの合成石英ガラスを1100℃で200時間熱処理後、500℃まで−20℃/hrで徐冷して、複屈折率を10nm/cm以下まで低減する方法が開示されている。また、特許文献2では、OH基濃度が800〜1300ppmの合成石英ガラスを1000℃で10時間熱処理後、500℃まで−10℃/hrで徐冷して、複屈折率を2.0nm/cm以下まで低減する方法が開示されている。更に、特許文献3では、合成石英ガラスブロックを900℃以上の範囲内にある第1の保持温度まで加熱し、所定時間保持した後、500℃以下の温度まで10℃/hr以下の降温速度で冷却し、更に、500〜1100℃の範囲内にある第2の保持温度まで加熱し、所定時間保持した後、前記第2の保持温度より100℃低い温度まで50℃/hr以上の降温速度で冷却することにより、複屈折率分布不均質性を改善することが開示されている。
特開2000−154029号公報 国際公開第2002/085808号 特開2011−201771号公報
しかし、特許文献1に記載される方法では、200時間を超える熱処理時間を必要とする。アニール処理に要する時間が長くなると、生産性の低下、処理環境からの不純物汚染の面から好ましくない。
また、特許文献2に記載される方法では、OH基濃度の最大値と最小値の差(ΔOH)が50ppm以下と限定されており、ΔOHがこの範囲から外れると、複屈折率が2nm/cmより高くなってしまう問題がある。加えて、1000℃で一定時間保持したのち、500℃まで−10℃/hrの速度で徐冷を行う必要があるため、長い熱処理時間を必要とする。
更に、特許文献3に記載される方法では、第1の保持温度で所定時間保持した後、第2の保持温度以下まで冷却し、その後、第2の保持温度まで昇温する工程が必要となるため、熱処理時間が長くなってしまう問題がある。したがって、より短時間のアニール処理によって複屈折率を低減可能な合成石英ガラスの製造方法が求められる。
本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、エキシマレーザ照射、特にArFエキシマレーザ照射、更にはArF液浸技術等にも使用されるレチクル、フォトマスク用低複屈折率合成石英ガラスを得るために有効な合成石英ガラスの熱処理方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記目標を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、合成石英ガラスについて2段階の熱処理を行い、かつ第2の熱処理工程を後述する所定時間行うことにより、短い熱処理時間により複屈折率を低減可能にすることを見出し、本発明をなすに至ったものである。
従って、本発明は、以下の合成石英ガラスの熱処理方法を提供する。
〔1〕
OH基濃度の最大値と最小値の差(ΔOH)が350ppm未満である合成石英ガラスを
1150〜1060℃にて一定時間保持する第1の熱処理工程と、
第2の熱処理温度まで一定速度で冷却する冷却工程と、
1030〜950℃にて一定時間保持する第2の熱処理工程と、
−25〜−85℃/hrの速度で徐冷する工程と
を含む合成石英ガラスの熱処理方法であって、前記第2の熱処理工程時間が5時間以上である合成石英ガラスの熱処理方法。
〔2〕
第2の熱処理工程時間が5〜20時間である〔1〕記載の合成石英ガラスの熱処理方法。
〔3〕
OH基濃度の最大値と最小値の差(ΔOH)が350ppm以上である合成石英ガラスを
1150〜1060℃にて一定時間保持する第1の熱処理工程と、
第2の熱処理温度まで一定速度で冷却する冷却工程と、
1030〜950℃にて一定時間保持する第2の熱処理工程と、
−25〜−85℃/hrの速度で徐冷する工程と
を含む合成石英ガラスの熱処理方法であって、前記第2の熱処理工程時間が10〜15時間である合成石英ガラスの熱処理方法。
〔4〕
第1の熱処理工程時間が0.5〜10時間である〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載の合成石英ガラスの熱処理方法。
〔5〕
前記第2の熱処理工程後に徐冷する工程が、第2の熱処理工程時の温度から850℃まで−25〜−45℃/hrの速度で徐冷する第1の徐冷工程と、
850〜500℃まで−25〜−85℃/hrの速度で徐冷する第2の徐冷工程と
を含む〔1〕〜〔4〕のいずれかに記載の合成石英ガラスの熱処理方法。
〔6〕
前記第2の熱処理温度まで冷却する冷却工程が、−7〜−30℃/hrの速度で冷却する〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載の合成石英ガラスの熱処理方法。
〔7〕
熱処理を行う合成石英ガラスの中心部のOH基濃度が400〜600ppmである〔1〕〜〔6〕のいずれかに記載の合成石英ガラスの熱処理方法。
〔8〕
合成石英ガラスのArFエキシマレーザの照射を受ける有効範囲における複屈折率を2nm/cm以下とする〔1〕〜〔7〕のいずれかに記載の合成石英ガラスの熱処理方法。
本発明によれば、2段階の熱処理を行うことにより、合成石英ガラスの複屈折率を決定づける上で重要な温度域である第2の熱処理工程において、上記した一定温度に保持することによって、第1の熱処理工程後の冷却時に合成石英ガラス内に生じる温度分布を抑制することができるため、ArFエキシマレーザ用光学部材としてレーザの照射を受ける有効範囲内において好適な低複屈折率の合成石英ガラスを得ることができる。
更に、第2の熱処理時間を変化させることにより、OH濃度の最大値と最小値との差(以下、「ΔOH」という)に応じた熱処理工程が可能となり、より低複屈折率の合成石英ガラスを得ることができる。
徐冷工程を2段階に分けて行う場合には、徐冷によって生じる外周部の歪みが中央部に移行する前に石英ガラスブロックが冷却、高粘性化されるため、ArFエキシマレーザ用光学部材としてレーザの照射を受ける有効範囲内において低複屈折率の合成石英ガラスを得ることができる。
加えて、第2の熱処理工程において、合成石英ガラスを一定温度で保持することによって、第2の熱処理工程後の徐冷速度を上げることができるため、短時間で熱処理を行うことができる上、ArFエキシマレーザ用光学部材としてArFエキシマレーザの照射を受ける有効範囲内の複屈折率を特に低くすることができる。
合成石英ガラスは、シラン化合物やシロキサン化合物等のシリカ原料化合物を酸水素火炎によって気相加水分解又は酸化分解して生じるシリカ微粒子をターゲット上に堆積させてガラス化することにより製造することができる。この場合、シリカ微粒子をターゲット上に堆積させると共に、これを溶融ガラス化する直接法や、発生したシリカ微粒子をターゲット上に堆積後、加熱ガラス化する間接法のいずれの方法によっても製造することができる。なお、直接法の場合には、合成石英ガラスインゴット作製時のシリカ原料化合物量、使用する酸水素量、バーナ形状を制御することにより、合成石英ガラス内のΔOH及び中心部OH基濃度を調整することができる。一方、間接法の場合には、シリカ微粒子堆積時のシリカ原料化合物量、使用する酸水素量、バーナ形状を制御することやシリカ微粒子をガラス化する温度より低温の水蒸気雰囲気下で熱処理する等の方法によっても合成石英ガラス内のΔOH及び中心部OH基濃度を調整することが可能である。
得られた合成石英ガラスインゴットは、真空溶解炉にて、高純度カーボン製の型材を使用し、温度1700〜1900℃で30〜120分間保持して、所望の形状の合成石英ガラスブロックに熱間成型する。熱間成型した合成石英ガラスブロックの複屈折率は通常15〜35nm/cmであるが、その後、これを2nm/cm以下に低減させる熱処理を行う。
まず、合成石英ガラスブロックを1150〜1060℃、好ましくは1120〜1080℃にて一定時間保持する(第1の熱処理工程)。第1の熱処理温度が1150℃より高い場合には熱処理後のブロック複屈折率が2nm/cmより高くなるばかりでなく、合成石英ガラスの失透、変形、水素等の含有ガスの放出に伴う物性変化を生じやすく、1060℃未満だと熱処理後のブロック複屈折率が2nm/cmより高くなる。また、第1の熱処理工程の所要時間は、生産性の点から、好ましくは0.5〜10時間、より好ましくは2〜8時間である。
次に、第2の熱処理温度までは一定速度、好ましくは−7.5〜−30℃/hr、より好ましくは−10〜−25℃で冷却する。冷却速度が−30℃/hrを超える場合には熱処理後の合成石英ガラスブロックの複屈折率が2nm/cmより高くなると同時に、仮想温度が高くなりやすく、ArFエキシマレーザ耐性の低下及び193nmにおける透過率低下の原因となる場合がある。一方、−7.5℃/hr未満でも熱処理後のブロック複屈折率が2nm/cmより高くなるおそれがある。
その後、合成石英ガラスブロックを1030〜950℃、好ましくは1010〜980℃にて5時間以上、より好ましくは10〜15時間保持する(第2の熱処理工程)。
第2の熱処理温度が1030℃より高い場合、又は950℃より低い場合には、複屈折率が2nm/cm以下の石英ガラスを得ることができない。
また、第2の熱処理工程は、ΔOHが350ppm未満、好ましくは250ppm未満の場合、5時間以上、好ましくは5〜20時間、より好ましくは10〜15時間保持し、ΔOHが350ppm以上、好ましくは400ppm以上の場合、10〜15時間、好ましくは10時間保持する。
各々の第2の熱処理時間の下限時間未満だと冷却時の熱履歴の影響やブロック内の温度分布が均一にならず、熱処理後のブロック複屈折率が2nm/cmより高くなる。
また、経済性の面から、合成石英ガラスのΔOHが350ppm未満の場合、第2の熱処理工程で20時間より長時間保持することは好ましくない。
一方、ΔOHが350ppm以上の合成石英ガラスの場合、第2の熱処理工程で15時間より長時間保持した場合、熱処理後のブロック複屈折率が2nm/cmより高くなる。この理由は必ずしも明らかになっていないが、ΔOHに伴う合成石英ガラス内のOH基の配向性、構造緩和時間の違いにより、本発明の熱処理方法においては、ΔOHによって第2の熱処理工程において好適な保持時間が存在するものと思われる。
熱処理を行う合成石英ガラスは、好ましくは中心部のOH基濃度が400〜600ppm、より好ましくは450〜550ppmである。OH基濃度が400ppm未満及び600ppmを超えると本発明の熱処理方法においては、合成石英ガラス内に複屈折率が2nm/cmより高くなる部位が生じやすくなる。OH基濃度は、赤外分光光度計(例えば、SHIMADZU社製の分光光度計(SolidSpec−3700)を用いてOH基の吸収を測定した。
第2の熱処理後の合成石英ガラスブロックは、500℃まで−25〜−85℃/hrの速度で徐冷する。この徐冷工程は、2段階に分けて行うことが好ましい。具体的には、第2の熱処理工程時の温度から850℃までは、好ましくは−25〜−45℃/hr、より好ましくは−30〜−40℃/hrの速度で徐冷する第1の徐冷工程と、850〜500℃までは、好ましくは−25〜−85℃/hr、より好ましくは−35〜−75℃/hr、更に好ましくは−45〜−75℃/hrの速度で徐冷する第2の徐冷工程からなる。
2段階に分けて徐冷することにより、従前の熱処理方法に比べて速い徐冷速度で行うことができるため、全体の熱処理時間を短縮することができる。また徐冷工程を2段階に分けて行うことにより、ArFエキシマレーザ用光学部材としてArFエキシマレーザの照射を受ける有効範囲内の複屈折率を特に低く保つことができる。
一定時間、一定温度で合成石英ガラスを保持する第2の熱処理工程により石英ガラスブロック内の温度分布を抑制した状態で、上記第1の徐冷工程の条件で冷却すると、石英ガラスブロック内に温度分布が生じて外周部が低温化するため、石英ガラスブロック内の歪みは外周部に集中すると考えられる。この状態で第1の徐冷工程と同じ徐冷速度で冷却を継続した場合には、外周部の歪みが石英ガラスブロック中央部に向けて進行するため、ArFエキシマレーザ用光学部材としての有効範囲内が高複屈折化してしまうと考えられる。
一方、高速な徐冷速度である第2の徐冷工程により徐冷する場合には、外周部の歪みが中央部に移行する前に石英ガラスブロックが冷却、高粘性化されるため、有効範囲内の複屈折率が低いまま保持されるものと推定される。
上記徐冷工程終了温度に到達した後は特に制限されないが、通常は室温まで自然冷却される。また、本発明の合成石英ガラスの熱処理方法の雰囲気は特に制限されず、大気中で行って良く、圧力も特に制限されず、大気圧下で行って良い。
本発明で得られた合成石英ガラスブロックは、スライス加工、ラッピング加工、研磨加工と従来の研磨加工工程を経て、例えば6インチ角、厚さ6.35mmのArFエキシマレーザ用合成石英ガラス基板を製造することができる。
なお、本発明における合成石英ガラス製ArFエキシマレーザ用光学部材の有効範囲内とは、合成石英ガラス内のArFエキシマレーザの照射を受ける領域を意味する。具体的には、例えばArFエキシマレーザ用フォトマスク用光学部材の場合、6インチ角基板の中央部132×132mm角内を意味する。
本発明によると、有効範囲内の複屈折率が2nm/cm以下、好ましくは1.5nm/cm以下、より好ましくは1.0nm/cm以下のArFエキシマレーザ用合成石英ガラスを得ることができる。
複屈折率は、UNIOPT社製の複屈折率測定装置(ABR−10A)を用いて室温(25℃)で測定した。測定は合成石英ガラス中を10mm間隔で測定し、その最大値を測定値とした。なお、測定光源にはHe−Neレーザを使用し、測定値に1.5を乗じることにより、波長193nmにおける複屈折率値とした。
以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。なお、OH基濃度、複屈折率の測定方法は、前記の通りである。
[実施例1]
表1に示すΔOH及び中心部OH基濃度を有する187mm×187mm×50mmの合成石英ガラスブロックを大気中、常圧の電気炉内にて1100℃まで5時間で昇温後、4時間保持した。980℃まで−15℃/hrの速度で冷却後、980℃で10時間保持した。更に、850℃まで−30℃/hrの速度で徐冷後、500℃まで−50℃/hrの速度で徐冷し、その後に電気炉の電源を落とし、室温まで冷却した。得られたブロックの中央部よりスライス基板を切り出し、ラッピング加工、研磨加工を通じて、6インチ角の厚み6.35mmの合成石英ガラス研磨基板を得た。
得られた研磨基板の193nmにおける複屈折率を複屈折率測定装置で測定した。その結果を表1に示す。
[実施例2]
表1に示すΔOH及び中心部OH基濃度を有する187mm×187mm×50mmの合成石英ガラスブロックを大気中、常圧の電気炉内にて1100℃まで5時間で昇温後、4時間保持した。980℃まで−15℃/hrの速度で冷却後、980℃で5時間保持した。更に850℃まで−30℃/hrの速度で徐冷後、500℃まで−50℃/hrの速度で徐冷し、その後に電気炉の電源を落とし、室温まで冷却した。得られたブロックの中央部よりスライス基板を切り出し、ラッピング加工、研磨加工を通じて、6インチ角の厚み6.35mmの合成石英ガラス研磨基板を得た。
得られた研磨基板の193nmにおける複屈折率を複屈折率測定装置で測定した。その結果を表1に示す。
[実施例3]
表1に示すΔOH及び中心部OH基濃度を有する187mm×187mm×50mmの合成石英ガラスブロックを大気中、常圧の電気炉内にて1100℃まで5時間で昇温後、4時間保持した。980℃まで−15℃/hrの速度で冷却後、980℃で20時間保持した。更に850℃まで−30℃/hrの速度で徐冷後、500℃まで−50℃/hrの速度で徐冷し、その後に電気炉の電源を落とし、室温まで冷却した。得られたブロックの中央部よりスライス基板を切り出し、ラッピング加工、研磨加工を通じて、6インチ角の厚み6.35mmの合成石英ガラス研磨基板を得た。
得られた研磨基板の193nmにおける複屈折率を複屈折率測定装置で測定した。その結果を表1に示す。
[実施例4]
表1に示すΔOH及び中心部OH基濃度を有する187mm×187mm×50mmの合成石英ガラスブロックを大気中、常圧の電気炉内にて1100℃まで5時間で昇温後、4時間保持した。980℃まで−15℃/hrの速度で冷却後、980℃で10時間保持した。更に850℃まで−30℃/hrの速度で徐冷後、500℃まで−50℃/hrの速度で徐冷し、その後に電気炉の電源を落とし、室温まで冷却した。得られたブロックの中央部よりスライス基板を切り出し、ラッピング加工、研磨加工を通じて、6インチ角の厚み6.35mmの合成石英ガラス研磨基板を得た。
得られた研磨基板の193nmにおける複屈折率を複屈折率測定装置で測定した。その結果を表1に示す。
[実施例5]
表1に示すΔOH及び中心部OH基濃度を有する187mm×187mm×50mmの合成石英ガラスブロックを大気中、常圧の電気炉内にて1100℃まで5時間で昇温後、4時間保持した。980℃まで−15℃/hrの速度で冷却後、980℃で15時間保持した。更に850℃まで−30℃/hrの速度で徐冷後、500℃まで−50℃/hrの速度で徐冷し、その後に電気炉の電源を落とし、室温まで冷却した。得られたブロックの中央部よりスライス基板を切り出しラッピング加工、研磨加工を通じて、6インチ角の厚み6.35mmの合成石英ガラス研磨基板を得た。
得られた研磨基板の193nmにおける複屈折率を複屈折率測定装置で測定した。その結果を表1に示す。
[実施例6]
表1に示すΔOH及び中心部OH基濃度を有する187mm×187mm×50mmの合成石英ガラスブロックを大気中、常圧の電気炉内にて1100℃まで5時間で昇温後、4時間保持した。980℃まで−15℃/hrの速度で冷却後、980℃で15時間保持した。更に850℃まで−30℃/hrの速度で徐冷後、500℃まで−50℃/hrの速度で徐冷し、その後に電気炉の電源を落とし、室温まで冷却した。得られたブロックの中央部よりスライス基板を切り出し、ラッピング加工、研磨加工を通じて、6インチ角の厚み6.35mmの合成石英ガラス研磨基板を得た。
得られた研磨基板の193nmにおける複屈折率を複屈折率測定装置で測定した。その結果を表1に示す。
[実施例7]
表1に示すΔOH及び中心部OH基濃度を有する187mm×187mm×50mmの合成石英ガラスブロックを大気中、常圧の電気炉内にて1100℃まで5時間で昇温後、4時間保持した980℃まで−15℃/hrの速度で冷却後、980℃で10時間保持した。更に850℃まで−30℃/hrの速度で徐冷後、500℃まで−50℃/hrの速度で徐冷し、その後に電気炉の電源を落とし、室温まで冷却した。得られたブロックの中央部よりスライス基板を切り出し、ラッピング加工、研磨加工を通じて、6インチ角の厚み6.35mmの合成石英ガラス研磨基板を得た。
得られた研磨基板の193nmにおける複屈折率を複屈折率測定装置で測定した。その結果を表1に示す。
[実施例8]
表1に示す中心部OH基濃度及びΔOHを有する187mm×187mm×50mmの合成石英ガラスブロックを大気中、常圧の電気炉内にて1100℃まで5時間で昇温後、4時間保持した。980℃まで−15℃/hrの速度で冷却後、980℃で10時間保持した。更に850℃まで−30℃/hrの速度で徐冷後、500℃まで−50℃/hrの速度で徐冷し、その後に電気炉の電源を落とし、室温まで冷却した。得られたブロックの中央部よりスライス基板を切り出し、ラッピング加工、研磨加工を通じて、6インチ角の厚み6.35mmの合成石英ガラス研磨基板を得た。
得られた研磨基板の193nmにおける複屈折率を複屈折率測定装置で測定した。その結果を表1に示す。
[比較例1]
表1に示すΔOH及び中心部OH基濃度を有する187mm×187mm×50mmの合成石英ガラスブロックを大気中、常圧の電気炉内にて1100℃まで5時間で昇温後、4時間保持した。980℃まで−15℃/hrの速度で冷却後、980℃で20時間保持した。更に850℃まで−30℃/hrの速度で徐冷後、500℃まで−50℃/hrの速度で徐冷し、その後に電気炉の電源を落とし、室温まで冷却した。得られたブロックの中央部よりスライス基板を切り出し、ラッピング加工、研磨加工を通じて、6インチ角の厚み6.35mmの合成石英ガラス研磨基板を得た。
得られた研磨基板の193nmにおける複屈折率を複屈折率測定装置で測定した。その結果を表1に示す。
[比較例2]
表1に示すΔOH及び中心部OH基濃度を有する187mm×187mm×50mmの合成石英ガラスブロックを大気中、常圧の電気炉内にて980℃まで5時間で昇温後、15時間保持した。更に850℃まで−30℃/hrの速度で徐冷後、500℃まで−50℃/hrの速度で徐冷し、その後に電気炉の電源を落とし、室温まで冷却した。得られたブロックの中央部よりスライス基板を切り出し、ラッピング加工、研磨加工を通じて、6インチ角の厚み6.35mmの合成石英ガラス研磨基板を得た。
得られた研磨基板の193nmにおける複屈折率を複屈折率測定装置で測定した。その結果を表1に示す。
Figure 2015155362

Claims (8)

  1. OH基濃度の最大値と最小値の差(ΔOH)が350ppm未満である合成石英ガラスを
    1150〜1060℃にて一定時間保持する第1の熱処理工程と、
    第2の熱処理温度まで一定速度で冷却する冷却工程と、
    1030〜950℃にて一定時間保持する第2の熱処理工程と、
    −25〜−85℃/hrの速度で徐冷する工程と
    を含む合成石英ガラスの熱処理方法であって、前記第2の熱処理工程時間が5時間以上である合成石英ガラスの熱処理方法。
  2. 第2の熱処理工程時間が5〜20時間である請求項1記載の合成石英ガラスの熱処理方法。
  3. OH基濃度の最大値と最小値の差(ΔOH)が350ppm以上である合成石英ガラスを
    1150〜1060℃にて一定時間保持する第1の熱処理工程と、
    第2の熱処理温度まで一定速度で冷却する冷却工程と、
    1030〜950℃にて一定時間保持する第2の熱処理工程と、
    −25〜−85℃/hrの速度で徐冷する工程と
    を含む合成石英ガラスの熱処理方法であって、前記第2の熱処理工程時間が10〜15時間である合成石英ガラスの熱処理方法。
  4. 第1の熱処理工程時間が0.5〜10時間である請求項1〜3のいずれか1項記載の合成石英ガラスの熱処理方法。
  5. 前記第2の熱処理工程後に徐冷する工程が、第2の熱処理工程時の温度から850℃まで−25〜−45℃/hrの速度で徐冷する第1の徐冷工程と、
    850〜500℃まで−25〜−85℃/hrの速度で徐冷する第2の徐冷工程と
    を含む請求項1〜4のいずれか1項記載の合成石英ガラスの熱処理方法。
  6. 前記第2の熱処理温度まで冷却する冷却工程が、−7〜−30℃/hrの速度で冷却する請求項1〜5のいずれか1項記載の合成石英ガラスの熱処理方法。
  7. 熱処理を行う合成石英ガラスの中心部のOH基濃度が400〜600ppmである請求項1〜6のいずれか1項記載の合成石英ガラスの熱処理方法。
  8. 合成石英ガラスのArFエキシマレーザの照射を受ける有効範囲における複屈折率を2nm/cm以下とする請求項1〜7のいずれか1項記載の合成石英ガラスの熱処理方法。
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