JP2015149418A - 電子装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】リフロー処理時の加熱温度を低下させつつ高温環境下でも使用可能な電子装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】電子部品３０の端子３１とプリント基板２０のランド２３とはんだ接続するはんだ４０は、ランド２３に接触する高融点はんだ４１と端子３１に接触する低融点はんだ４２とを接触させた状態で加熱することで、両はんだ４１，４２が融合して形成される。そして、低融点はんだ４２は、低融点化金属としてビスマスが含有されることで、低融点金属層として機能し、高融点はんだ４１は、低融点化金属が含まれないことで低融点はんだ４２よりも融点が高い高融点金属層として機能する。【選択図】図４

Description

本発明は、電子部品の端子がプリント基板のランドにはんだ接続される電子装置およびその製造方法に関するものである。

一般に、電子部品が実装されるプリント基板では、電子部品の端子と基板面のランドとの電気的接続にはんだが用いられる。このようなはんだ接続において、鉛フリーはんだなど比較的融点が高い高融点はんだは、リフロー温度を高温にする必要があるため、部品耐熱が低い電子部品に採用することが困難であるという問題がある。

この問題を解決するための技術として、例えば、下記特許文献１に開示される電子部品の実装方法が知られている。この電子部品の実装方法では、回路基板の所定の基板電極上にクリームはんだをコーティングした後に、弱耐熱性電子部品を除く他の一般電子部品を所定箇所のクリームはんだ上に装着した状態にてリフロー処理することで、一般電子部品のはんだ付けを行う。このとき、弱耐熱性電子部品用のクリームはんだが予備はんだとして形成される。この予備はんだ上に弱耐熱性電子部品の端子を装着した状態で、４００℃程度に加熱された加熱ツールにより予備はんだを再溶融させることで、弱耐熱性電子部品のはんだ付けを行う。これにより、弱耐熱性電子部品にリフロー処理時の熱が影響することを防止している。

特開平１０−２１５０６４号公報

ところで、上記特許文献１に開示されるような加熱ツールを用いる製造方法では、加熱ツール動作等の工程が増えるために、製造コストが増加するだけでなく製造時間が長くなるという問題がある。また、ビスマス（Ｂｉ）等を比較的高い比率で含有させた低融点はんだであれば、リフロー処理に必要な加熱温度を低くできるため、部品耐熱が低い電子部品に採用することもできるが、電子装置が車両のエンジンルームなど高温環境で使用される場合には、低融点はんだが溶けてしまう可能性がある。

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、リフロー処理時の加熱温度を低下させつつ高温環境下でも使用可能な電子装置およびその製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するため、特許請求の範囲の請求項１に記載の発明は、電子部品（３０，３０ａ）の端子（３１）がプリント基板（２０，２０ａ）のランド（２３）にはんだ接続される電子装置（１０）であって、前記はんだ（４０）は、前記ランドに接触する第１金属層と前記端子に接触する第２金属層とを接触させた状態で加熱することで両金属層が融合して形成され、前記第１金属層および前記第２金属層のうち、一方は、融点を低下させるための低融点化金属が含有される低融点金属層（４２，４４）であり、他方は、前記低融点化金属が含まれないことで前記低融点金属層よりも融点が高い高融点金属層（４１，４３）であることを特徴とする。

また、請求項６に記載の発明は、電子部品（３０，３０ａ）の端子（３１）がプリント基板（２０，２０ａ）のランド（２３）にはんだ接続される電子装置（１０）の製造方法であって、前記ランドが形成された前記プリント基板を用意する第１工程と、前記ランド上に第１金属層を配置する第２工程と、前記第１金属層上に第２金属層を配置する第３工程と、前記端子を対応する前記ランド上の前記第２金属層に接触させるように前記電子部品を前記プリント基板に搭載する第４工程と、所定の温度（Ｔｐ）に加熱することで前記第１金属層および前記第２金属層が融合して形成されるはんだ（４０）により前記端子と前記ランドとをはんだ接続する第５工程と、を備え、前記第１金属層および前記第２金属層のうち、一方は、融点を低下させるための低融点化金属が含有される低融点金属層（４２，４４）であり、他方は、前記低融点化金属が含まれないことで前記低融点金属層よりも融点が高い高融点金属層（４１，４３）であることを特徴とする。

また、請求項７に記載の発明は、電子部品（３０，３０ａ）の端子（３１）がプリント基板（２０，２０ａ）のランド（２３）にはんだ接続される電子装置（１０）の製造方法であって、前記ランドが形成された前記プリント基板を用意する第１工程と、前記ランド上に第１金属層を配置する第２工程と、前記端子に対して第２金属層を配置する第３工程と、前記第２金属層を対応する前記第１金属層に接触させるように前記電子部品を前記プリント基板に搭載する第４工程と、所定の温度（Ｔｐ）に加熱することで前記第１金属層および前記第２金属層が融合して形成されるはんだ（４０）により前記端子と前記ランドとをはんだ接続する第５工程と、を備え、前記第１金属層および前記第２金属層のうち、一方は、融点を低下させるための低融点化金属が含有される低融点金属層（４２，４４）であり、他方は、前記低融点化金属が含まれないことで前記低融点金属層よりも融点が高い高融点金属層（４１，４３）であることを特徴とする。
なお、特許請求の範囲および上記手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

請求項１の発明では、電子部品の端子とプリント基板のランドとはんだ接続するはんだは、ランドに接触する第１金属層と端子に接触する第２金属層とを接触させた状態で加熱することで、両金属層が融合して形成される。そして、第１金属層および第２金属層のうち、一方は、低融点化金属が含有される低融点金属層であり、他方は、低融点化金属が含まれないことで低融点金属層よりも融点が高い高融点金属層である。

請求項６の発明では、第１工程によりランドが形成されたプリント基板が用意され、第２工程によりランド上に第１金属層が配置され、第３工程により第１金属層上に第２金属層が配置され、第４工程により端子を対応するランド上の第２金属層に接触させるように電子部品がプリント基板に搭載され、第５工程により所定の温度に加熱することで第１金属層および第２金属層が融合して形成されるはんだにより端子とランドとがはんだ接続される。そして、第１金属層および第２金属層のうち、一方は、低融点化金属が含有される低融点金属層であり、他方は、低融点化金属が含まれないことで低融点金属層よりも融点が高い高融点金属層である。

また、請求項７の発明では、第１工程によりランドが形成されたプリント基板が用意され、第２工程によりランド上に第１金属層が配置され、第３工程により端子に対して第２金属層が配置され、第４工程により第２金属層を対応する第１金属層に接触させるように電子部品がプリント基板に搭載され、第５工程により所定の温度に加熱することで第１金属層および第２金属層が融合して形成されるはんだにより端子とランドとがはんだ接続される。そして、第１金属層および第２金属層のうち、一方は、低融点化金属が含有される低融点金属層であり、他方は、低融点化金属が含まれないことで低融点金属層よりも融点が高い高融点金属層である。

これにより、第１金属層と第２金属層とを融合させてはんだ接続するリフロー処理時（第５工程時）には、低融点金属層の融点を超える程度の比較的低い温度（高融点金属層の融点よりも低い温度）ではんだ接続できるので、リフロー処理時の加熱温度を低下させることができる。そして、上記リフロー処理時には、低融点金属層に含有される低融点化金属が高融点金属層に拡散して低融点化金属の濃度が低下するため、低融点金属層部分の融点が融合前の低融点金属層の融点よりも高くなる。すなわち、両金属層が融合して形成されるはんだの融点を高くすることができる。したがって、リフロー処理時の加熱温度を低下させつつ高温環境下でも使用可能な電子装置およびその製造方法を実現することができる。

本実施形態に係る電子装置の概略構成を示す断面図である。 図１のはんだ接続部を拡大して示す断面図である。 電子部品をプリント基板に実装する製造工程を説明するための説明図の一部である。 電子部品をプリント基板に実装する製造工程を説明するための説明図の一部である。 図３（Ｃ）の状態での高融点はんだを上面から見た上面図である。 リフロー処理時の加熱温度の時間変化を示すグラフである。 高融点はんだおよび低融点はんだの融合体の融点の変化を説明するための状態図である。 両はんだの厚さの比率と融合後のはんだのＢｉ含有量との関係を示す図表である。 評価対象の電子部品とプリント基板との構成を示す拡大断面図である。 ピーク温度およびピーク温度保持時間とＢｉ拡散領域の広がりとの関係を示す説明図である。 ピーク温度保持時間と電子装置の故障率との関係を示すグラフである。

以下、本発明に係る電子装置およびその製造方法を具現化した一実施形態について、図面を参照して説明する。
図１に示す電子装置１０は、比較的高温になりやすい使用環境にて使用されており、例えば、車両に搭載されたエンジン等の車載機器を制御する電子制御装置（Electronic Control Unit）として構成されている。電子装置１０は、筐体１１内にプリント基板２０や他の基板等を収容して構成されている。プリント基板２０の実装面２１には、ソルダレジスト２２から露出するランド等にはんだ接続されて、電子部品３０や外部コネクタ１２等が実装されている。

電子部品３０は、例えば、積層セラミックコンデンサであって、図２に示すように、その端子３１にて、プリント基板２０のランド２３に対して、はんだ４０を用いてはんだ接続されている。

次に、電子装置１０の製造方法の一部として、電子部品３０をプリント基板２０にはんだ接続する工程について、図３〜図５を用いて詳細に説明する。なお、図３および図４は、電子部品３０をプリント基板２０に実装する製造工程を説明するための説明図である。図５は、図３（Ｃ）の状態での高融点はんだ４１を上面から見た上面図である。

まず、図３（Ａ）に示すように、実装面２１に設けられるソルダレジスト２２から各ランド２３が露出するように配置されるプリント基板２０を用意する。なお、図３（Ａ）に示す工程は、「第１工程」の一例に相当し得る。

次に、図３（Ｂ）に示すように、各ランド２３上に高融点はんだ４１をプリコートする。本実施形態では、高融点はんだ４１として採用されるＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕはんだ（融点２１９℃）が、厚さ４０μｍのペースト状にてランド２３上に配置される。なお、図３（Ｂ）に示す工程は、「第２工程」の一例に相当し、高融点はんだ４１は、「第１金属層」の一例に相当し得る。

なお、高融点はんだ４１として、Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕはんだに限らず、ビスマス（Ｂｉ）等の融点を低下させやすい低融点化金属を含まない他の組成の高融点のはんだ（Ｓｎ、Ｓｎ−Ａｇ系）を採用してもよい。また、プリコート方法として、はんだペーストを採用することに限らず、例えば、めっき法や溶融はんだ浸漬法を採用してもよい。また、高融点はんだ４１の厚さは、４０μｍに設定されることに限らず、後述するように融合して形成されるはんだ４０に求められる融点に応じて、例えば、２５μｍ〜７５μｍに設定されてもよい。

次に、図３（Ｃ）および図５に示すように、高融点はんだ４１の表面４１ａに表面が凸凹した治具を押し当てることで、その表面４１ａを凸凹状に形成し、さらに表面４１ａの外縁に内側よりも高くなる凸部４１ｂを形成する。この表面４１ａの凸凹状部は、後述する低融点はんだ４２との接触面積を増やすために形成されもので、外縁の凸部４１ｂは、溶融した低融点はんだ４２が表面４１ａから流れ落ちることを防止するために形成されるものである。

次に、図４（Ａ）に示すように、高融点はんだ４１上に低融点はんだ４２を配置する。低融点はんだ４２は、融点を低下させるための低融点化金属が含有されて構成されるもので、本実施形態では、低融点化金属としてビスマス（Ｂｉ）が採用されている。このため、低融点はんだ４２として、Ｓｎ−５８Ｂｉはんだ（融点１３９℃）が採用されている。低融点はんだ４２は、厚さ２０μｍのペースト状にてランド２３上に配置される。なお、図４（Ａ）に示す工程は、「第３工程」の一例に相当し、低融点はんだ４２は、「第２金属層」の一例に相当し得る。

なお、低融点はんだ４２として、Ｓｎ−５８Ｂｉはんだに限らず、ビスマス（Ｂｉ）を含む他の組成の低融点のはんだ（例えば、Ｓｎ−ＸＢｉ：Ｘ＝４０〜５８）を採用してもよい。また、低融点はんだ４２の厚さは、２０μｍに設定されることに限らず、後述するように融合して形成されるはんだ４０に求められる融点に応じて設定することができる。

次に、図４（Ｂ）に示すように、端子３１を対応するランド２３上の低融点はんだ４２に接触させるように電子部品３０をプリント基板２０に搭載（マウント）する。なお、図４（Ｂ）に示す工程は、「第４工程」の一例に相当し得る。

次に、リフロー炉にてリフロー処理することにより、所定の温度に加熱することで、図４（Ｃ）に示すように、高融点はんだ４１と低融点はんだ４２とを融合させて形成されるはんだ４０により端子３１とランド２３とをはんだ接続する。なお、図４（Ｃ）に示す工程は、「第５工程」の一例に相当し得る。

ここで、高融点はんだ４１および低融点はんだ４２の融合により形成されるはんだ４０について、図６〜図１１を用いて説明する。なお、図６は、リフロー処理時の加熱温度Ｔの時間変化（リフロープロファイル）を示すグラフである。図７は、高融点はんだ４１および低融点はんだ４２の融合体の融点の変化を説明するための状態図である。図８は、両はんだ４１，４２の厚さの比率と融合後のはんだ４０のＢｉ含有量との関係を示す図表である。図９は、評価対象の電子部品３０ａとプリント基板２０ａとの構成を示す拡大断面図である。図１０は、ピーク温度Ｔｐおよびピーク温度保持時間ｔｐとＢｉ拡散領域４５の広がりとの関係を示す説明図であり、図１０（Ａ）は、ピーク温度Ｔｐが１７５℃、ピーク温度保持時間ｔｐが３０秒でのＢｉ拡散領域４５の拡散状態を示し、図１０（Ｂ）は、ピーク温度Ｔｐが２００℃、ピーク温度保持時間ｔｐが１２０秒でのＢｉ拡散領域４５の拡散状態を示す。図１１は、ピーク温度保持時間ｔｐと電子装置の故障率との関係を示すグラフである。

リフロー処理では、図６に示すように、熱容量等に起因する温度上昇のばらつきの影響を抑制するため、一旦、低融点はんだ４２の融点よりも低い温度（図６にて符号Ｔｕにて示す）まで加熱した後に、ピーク温度Ｔｐまで加熱する。このピーク温度Ｔｐは、低融点はんだ４２の融点Ｔ２（例えば、１３９℃）以上であって、高融点はんだ４１の融点Ｔ１（例えば、２１９℃）未満、具体的には、図６に例示するように、２００℃に設定される。そして、加熱温度Ｔがピーク温度Ｔｐに到達するとこの過熱状態（ピーク温度Ｔｐ±５℃）が一定時間（以下、ピーク温度保持時間ｔｐともいう）維持される。本実施形態では、一般的なピーク温度保持時間よりも長い時間が設定されており、ピーク温度保持時間ｔｐとして、図６に例示するように、１２０秒が採用されている。

高融点はんだ４１および低融点はんだ４２が接触した状態で上記ピーク温度Ｔｐにて加熱されると、溶融した低融点はんだ４２が高融点はんだ４１と融合する際に、この低融点はんだ４２に低融点化金属として含まれるビスマスが高融点はんだ４１に拡散する。このため、低融点はんだ４２部分のビスマスの濃度が低下するので、低融点はんだ４２部分の融点が融合前の低融点はんだ４２の融点よりも高くなる。すなわち、高融点はんだ４１および低融点はんだ４２が融合して形成されるはんだ４０の融点が、低融点はんだ４２の融点よりも高くなる。

図７に例示するように、符号Ｐ２にて示す融合前の低融点はんだ４２は、融点が１３９℃であるが、上述のようなビスマスの拡散によりＢｉ含有量が２１％（ｗｔ％）以下になると、その融点が高くなる（図７の矢印Ｘ２参照）。一方で、図７の符号Ｐ１にて示す融合前の高融点はんだ４１は、融点が２１９℃であるが、ビスマスが拡散してくることでＢｉ含有量が増加すると、融点が低くなる（図７の矢印Ｘ１参照）。すなわち、高融点はんだ４１および低融点はんだ４２の融合体であるはんだ４０の融点は、図７の符号Ｐ０にて示すように、低融点はんだ４２の融点よりも高く、高融点はんだ４１の融点よりも低くなる。

ここで、高融点はんだ４１と低融点はんだ４２との厚さの比率について、図８を参照して説明する。なお、図８では、例えば、高融点はんだ４１としてＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕはんだが採用され、低融点はんだ４２としてＳｎ−５８Ｂｉはんだが採用される場合に、高融点はんだ４１の厚さと低融点はんだ４２の厚さの比率を２：１にすると、融合後のはんだ４０のＢｉ含有量が１９．３％になることを示している。

図７からわかるように、融合後のはんだ４０のＢｉ含有量を２１％未満にすることで、はんだ４０の融点を高めることができる。２種類の高融点はんだと２種類の低融点はんだとの組み合わせについて、厚さの比率を変えてＢｉ含有量を計算した結果を図８に示す。図８からわかるように、どの組み合わせでも高融点はんだ４１の厚さを低融点はんだ４２の厚さの２倍以上にすることで、はんだ４０のＢｉ含有量を２１％よりもさらに小さくすることができる。このように、Ｂｉ含有量の観点から、高融点はんだ４１と低融点はんだ４２との厚さの比率は、高融点はんだ４１の厚さが低融点はんだ４２の厚さの２倍以上とすることが望ましい。このため、本実施形態では、高融点はんだ４１の厚さが低融点はんだ４２の厚さの２倍となるように設定されている。

また、融合後のはんだ４０の状態を評価するために行った評価結果について、図９および図１０を用いて以下に説明する。
図９に示すように、評価対象の電子部品としてＢＧＡ（Ball Grid Array）型の電子部品３０ａを用意し、この電子部品３０ａの端子に高融点はんだ４３として構成されるはんだバンプを形成する。この高融点はんだ４３は、上述した高融点はんだ４１と同様にＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕはんだ（融点２１９℃）により構成されている。また、プリント基板２０ａのランド２３上に低融点はんだ４４をペースト状に配置する。この低融点はんだ４４は、上述した低融点はんだ４２と同様にＳｎ−５８Ｂｉはんだ（融点１３９℃）により構成されている。

そして、高融点はんだ４３を対応する低融点はんだ４４に接触させるように電子部品３０ａをプリント基板２０ａに搭載（マウント）した後に、リフロー処理を行う。このとき、ピーク温度Ｔｐが１７５℃、ピーク温度保持時間ｔｐが３０秒となる加熱状態でリフロー処理を行うと、低融点はんだ４４に含まれるビスマスが高融点はんだ４３に拡散することで、図１０（Ａ）に例示するようなＢｉ拡散領域４５が形成される。また、ピーク温度Ｔｐが２００℃、ピーク温度保持時間ｔｐが１２０秒となる加熱状態でリフロー処理を行うと、図１０（Ｂ）に例示するように、図１０（Ａ）の状態よりもＢｉ拡散領域４５が広くなる。

Ｂｉ拡散領域４５は、融点変化領域に相当するものであり、この領域が広がるほど低融点はんだ４４部分の融点が高くなる。このように、ピーク温度Ｔｐおよびピーク温度保持時間ｔｐに応じてＢｉ拡散領域４５の広がりが変化するため、ピーク温度Ｔｐおよびピーク温度保持時間ｔｐを適切な値に設定する必要がある。

また、ピーク温度保持時間ｔｐを変化させると、電子装置１０の故障率が変化する。例えば、あるピーク温度Ｔｐにおいて、図１１に示すように、ピーク温度保持時間ｔｐを変化させると、ピーク温度保持時間ｔｐが所定の下限値（図１１の例では６０秒）未満となるか所定の上限値（図１１の例では２４０秒）を超えると、故障率が高くなる。ピーク温度保持時間ｔｐが所定の下限値未満では、高融点はんだ４１と低融点はんだ４２との融合不足により、高温環境下で使用されることで低融点はんだ４２部分が溶融するために生じる接続不良等に起因して故障率が高くなる。また、ピーク温度保持時間ｔｐが所定の上限値を超えると、電子部品３０の耐熱保障領域を超える加熱のために故障率が高くなる。このため、故障率を目標不良率より小さくするためにも、ピーク温度Ｔｐおよびピーク温度保持時間ｔｐを適切な値に設定する必要がある。

以上説明したように、本実施形態に係る電子装置１０では、電子部品３０の端子３１とプリント基板２０のランド２３とはんだ接続するはんだ４０は、ランド２３に接触する高融点はんだ４１と端子３１に接触する低融点はんだ４２とを接触させた状態で加熱することで、両はんだ４１，４２が融合して形成される。

また、本実施形態に係る電子装置１０の製造方法では、図３（Ａ）に示す工程（第１工程）によりランド２３が形成されたプリント基板２０が用意され、図３（Ｂ）に示す工程（第２工程）によりランド２３上に高融点はんだ４１ａが配置され、図４（Ａ）に示す工程（第３工程）により高融点はんだ４１上に低融点はんだ４２が配置され、図４（Ｂ）に示す工程（第４工程）により端子３１を対応するランド２３上の低融点はんだ４２に接触させるように電子部品３０がプリント基板２０に搭載され、図４（Ｃ）に示す工程（第５工程）により所定の温度（ピーク温度Ｔｐ）に加熱することで高融点はんだ４１および低融点はんだ４２が融合して形成されるはんだ４０により端子３１とランド２３とがはんだ接続される。

そして、低融点はんだ４２は、低融点化金属としてビスマスが含有されることで、低融点金属層として機能し、高融点はんだ４１は、低融点化金属が含まれないことで低融点はんだ４２よりも融点が高い高融点金属層として機能する。

これにより、高融点はんだ４１と低融点はんだ４２とを融合させてはんだ接続するリフロー処理時には、低融点はんだ４２の融点を超える程度の比較的低い温度（高融点はんだ４１の融点よりも低い温度）ではんだ接続できるので、リフロー処理時の加熱温度を低下させることができる。そして、上記リフロー処理時には、低融点はんだ４２に含有されるビスマス（低融点化金属）が高融点はんだ４１に拡散してその濃度が低下するため、低融点はんだ４２部分の融点が融合前の低融点はんだ４２ａの融点よりも高くなる。すなわち、両はんだ４１，４２が融合して形成されるはんだ４０の融点を高くすることができる。したがって、リフロー処理時の加熱温度を低下させつつ高温環境下でも使用可能な電子装置を実現することができる。

また、はんだ４０を形成するために必要な量のはんだ供給を２回に分けて行うことから、１回のはんだ供給量を減らすことができ、微細部品への安定したはんだ供給を実現することができる。

また、高融点はんだ４１の低融点はんだ４２側の表面４１ａが凸凹状に形成されるため、表面４１ａが平面状に形成される場合と比較して、低融点はんだ４２との接触面積を増やすことができる。このため、両はんだ４１，４２の融合が促進されるとともにビスマスが高融点はんだ４１に拡散しやすくなり、はんだ４０について融点が比較的低くなる部分の発生が抑制されるだけでなく、ビスマスの拡散に必要な時間を短縮することができる。

さらに、高融点はんだ４１の低融点はんだ４２側の表面４１ａの外縁には、内側よりも高くなる凸部４１ｂが形成されるため、溶融した低融点はんだ４２が表面４１ａから流れ落ちることを防止することができる。

また、高融点はんだ４１の厚さは、低融点はんだ４２の厚さの２倍に設定されているため、はんだ４０のＢｉ含有量が２１％未満になり、ビスマスを拡散させて形成されるはんだ４０の融点を確実に高めることができる。また、高融点はんだ４１の厚さを、低融点はんだ４２の厚さの２倍以上に調整することで、はんだ４０のＢｉ含有量を２１％よりもさらに小さくして、ビスマスを拡散させて形成されるはんだ４０の融点をさらに高めるように調整することができる。

なお、上記実施形態の第１変形例として、ランド２３上に低融点はんだ４２を配置した後、この低融点はんだ４２上に高融点はんだ４１を配置し、両はんだ４１，４２を融合することではんだ４０を形成してもよい。このようにしても、両はんだ４１，４２が融合して形成されるはんだ４０の融点を低融点はんだ４２の融点よりも高くすることができるので、リフロー処理時の加熱温度を低下させつつ高温環境下でも使用可能な電子装置を実現することができる。この場合、高融点はんだ４１は、「第２金属層」の一例に相当し、低融点はんだ４２は、「第１金属層」の一例に相当し得る。

また、上記実施形態の第２変形例として、ランド２３上に配置された高融点はんだ４１上に低融点はんだ４２を配置することで、両はんだ４１，４２を接触させた状態でリフロー処理を行うことに限らず、ランド２３上に配置された低融点はんだと電子部品の端子に配置された高融点はんだとを接触させた状態でリフロー処理を行ってもよい。具体的には、図９に例示するようなＢＧＡ型の電子部品３０ａの端子に形成されるはんだバンプに高融点はんだを採用することで、この高融点はんだとランド２３上の低融点はんだとを接触させた状態でリフロー処理を行ってもよい。

すなわち、図９の例では、ランド２３が形成されたプリント基板２０ａを用意し（第１工程）、ランド２３上に低融点はんだ４４を配置し（第２工程）、端子に対して高融点はんだ４３を配置し（第３工程）、高融点はんだ４３を対応する低融点はんだ４４に接触させるように電子部品３０ａをプリント基板２０ａに搭載し（第４工程）、所定の温度（ピーク温度Ｔｐ）に加熱することで高融点はんだ４３および低融点はんだ４４が融合して形成されるはんだ４０により端子とランド２３とをはんだ接続する（第５工程）。この図９の例では、低融点はんだ４４は、低融点化金属としてビスマスが含有されることで、低融点金属層として機能し、「第１金属層」の一例に相当し得る。また、高融点はんだ４３は、低融点化金属が含まれないことで低融点はんだ４２よりも融点が高い高融点金属層として機能し、「第２金属層」の一例に相当し得る。

このようにしても、両はんだ４３，４４が融合して形成されるはんだ４０の融点を高くすることができるので、リフロー処理時の加熱温度を低下させつつ高温環境下でも使用可能な電子装置を実現することができる。

また、上記第２変形例のさらなる変形例として、ランド２３上に高融点はんだ４３を配置するとともに端子に対して低融点はんだ４４を配置し、低融点はんだ４４を対応する高融点はんだ４３に接触させるように電子部品３０ａをプリント基板２０ａに搭載し、この状態で両はんだ４３，４４を融合することではんだ４０を形成してもよい。このようにしても、両はんだ４３，４４が融合して形成されるはんだ４０の融点を高くすることができるので、リフロー処理時の加熱温度を低下させつつ高温環境下でも使用可能な電子装置を実現することができる。この場合、高融点はんだ４３は、「第１金属層」の一例に相当し、低融点はんだ４４は、「第２金属層」の一例に相当し得る。

なお、本発明は上記実施形態および各変形例に限定されるものではなく、例えば、以下のように具体化してもよい。
（１）本発明の特徴的構成は、車両用の電子制御装置に適用されることに限らず、比較的高温になりやすい使用環境にて使用される電子装置に適用されてもよい。

（２）高融点はんだ４１の表面４１ａは、凸凹状に形成されることに限らず、低融点はんだ４２との接触面積を増やすための形状であればよい。また、高融点はんだ４１の表面４１ａは、溶融した低融点はんだ４２が表面４１ａから流れ落ちる影響がなければ平面状に形成されてもよい。

１０…電子装置
２０，２０ａ…プリント基板
２３…ランド
３０，３０ａ…電子部品
３１…端子
４０…はんだ
４１，４３…高融点はんだ（高融点金属層）
４２，４４…低融点はんだ（低融点金属層）

Claims (12)

1. 電子部品（３０，３０ａ）の端子（３１）がプリント基板（２０，２０ａ）のランド（２３）にはんだ接続される電子装置（１０）であって、
   前記はんだ（４０）は、前記ランドに接触する第１金属層と前記端子に接触する第２金属層とを接触させた状態で加熱することで両金属層が融合して形成され、
   前記第１金属層および前記第２金属層のうち、一方は、融点を低下させるための低融点化金属が含有される低融点金属層（４２，４４）であり、他方は、前記低融点化金属が含まれないことで前記低融点金属層よりも融点が高い高融点金属層（４１，４３）であることを特徴とする電子装置。
2. 前記低融点化金属は、ビスマスであることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
3. 前記第１金属層の第２金属層側の面（４１ａ）が凸凹状に形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の電子装置。
4. 前記第１金属層の第２金属層側の面の外縁には、内側よりも高くなる凸部（４１ｂ）が形成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子装置。
5. 前記高融点金属層の厚さは、前記低融点金属層の厚さの２倍以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子装置。
6. 電子部品（３０，３０ａ）の端子（３１）がプリント基板（２０，２０ａ）のランド（２３）にはんだ接続される電子装置（１０）の製造方法であって、
   前記ランドが形成された前記プリント基板を用意する第１工程と、
   前記ランド上に第１金属層を配置する第２工程と、
   前記第１金属層上に第２金属層を配置する第３工程と、
   前記端子を対応する前記ランド上の前記第２金属層に接触させるように前記電子部品を前記プリント基板に搭載する第４工程と、
   所定の温度（Ｔｐ）に加熱することで前記第１金属層および前記第２金属層が融合して形成されるはんだ（４０）により前記端子と前記ランドとをはんだ接続する第５工程と、
   を備え、
   前記第１金属層および前記第２金属層のうち、一方は、融点を低下させるための低融点化金属が含有される低融点金属層（４２，４４）であり、他方は、前記低融点化金属が含まれないことで前記低融点金属層よりも融点が高い高融点金属層（４１，４３）であることを特徴とする電子装置の製造方法。
7. 電子部品（３０，３０ａ）の端子（３１）がプリント基板（２０，２０ａ）のランド（２３）にはんだ接続される電子装置（１０）の製造方法であって、
   前記ランドが形成された前記プリント基板を用意する第１工程と、
   前記ランド上に第１金属層を配置する第２工程と、
   前記端子に対して第２金属層を配置する第３工程と、
   前記第２金属層を対応する前記第１金属層に接触させるように前記電子部品を前記プリント基板に搭載する第４工程と、
   所定の温度（Ｔｐ）に加熱することで前記第１金属層および前記第２金属層が融合して形成されるはんだ（４０）により前記端子と前記ランドとをはんだ接続する第５工程と、
   を備え、
   前記第１金属層および前記第２金属層のうち、一方は、融点を低下させるための低融点化金属が含有される低融点金属層（４２，４４）であり、他方は、前記低融点化金属が含まれないことで前記低融点金属層よりも融点が高い高融点金属層（４１，４３）であることを特徴とする電子装置の製造方法。
8. 前記低融点化金属は、ビスマスであることを特徴とする請求項６または７に記載の電子装置の製造方法。
9. 前記第１金属層の第２金属層側の面（４１ａ）が凸凹状に形成されることを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法。
10. 前記第１金属層の第２金属層側の面の外縁には、内側よりも高くなる凸部（４１ｂ）が形成されることを特徴とする請求項６〜９のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法。
11. 前記高融点金属層の厚さは、前記低融点金属層の厚さの２倍以上であることを特徴とする請求項６〜１０のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法。
12. 前記所定の温度は、前記低融点金属層の融点以上であり、かつ、前記高融点金属層の融点未満であることを特徴とする請求項６〜１１のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法。

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