JP2015141950A - フレキシブル配線板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】樹脂フィルム基板1の表面に、接着剤を介することなくニッケル合金からなる下地金属層2と、その表面に備えられた銅層5とからなる金属積層体7の配線が設けられたフレキシブル配線板6において、その金属積層体の配線が、「JIS C−5016−1994に規定の耐折れ性試験」の実施前後において得られる銅層の結晶配向比の[(200)/(111)]配向の比の差dが0.03以上で、配線の幅方向断面の底部幅Bと頂部幅Tと、底部及び頂部の略中央の中央部幅Mが、「B≧M≧T」の関係を有し、且つ底部幅Bが50μm以下である。
【選択図】図1
Description
即ち、フレキシブル配線用基板の銅層のうち導体配線として残したい部分の表面にレジストを設け、銅に対応するエッチング液による化学エッチング処理と水洗を経て、銅層の不要部分を選択的に除去して導体配線を形成するものである。
即ち、フレキシブル配線用基板の銅層のうち導体配線を形成したい部分の表面にレジストを形成せず、電気銅めっき法で銅を析出させ、極薄銅層および下地金属層に対応するエッチング液による化学エッチング処理と水洗を経て、極薄銅層および下地金属層の不要部分を選択的に除去して導体配線を形成するものである。
3層FCCLは、電解銅箔や圧延銅箔をベース(絶縁層)の樹脂フィルムに接着した構造(銅箔/接着剤層/樹脂フィルム)となっている。一方、2層FCCLは、銅層若しくは銅箔と樹脂フィルム基材とが積層された構造(銅層若しくは銅箔/樹脂フィルム)となっている。
即ち、樹脂フィルムの表面に下地金属層と銅層を順次めっきして形成したFCCL(通称メタライジング基板)、銅箔に樹脂フィルムのワニスを塗って絶縁層を形成したFCCL(通称キャスト基板)、及び銅箔に樹脂フィルムをラミネートしたFCCL(通称ラミネート基板)でがある。
例えば、メタライジング基板の銅層は、乾式めっき法及び電気めっき法により層厚を自由に制御できるのに対し、キャスト基板やラミネート基板あるいは3層FCCLは使用する銅箔によって、その厚みなどは制約されてしまうからである。
しかし、これらの方法は、3層FCCLの圧延銅箔や電解銅箔、2層FCCLのうちのキャスト基板とラミネート基板に用いられる銅箔自体の処理に関するものである。
この試験では、試験片に形成した回路パターンが断線するまでの屈折回数をもって評価し、この屈折回数が大きいほど耐屈折れ性が良いとされている。
このような状況に鑑み、本発明は、耐折れ性に優れた2層フレキシブル配線板と、その製造方法を提供するものである。
そこで、サブトラクティブ法を用いて2層フレキシブル配線用基板に配線加工を施して作製した本発明に係るフレキシブル配線板を用いて、本発明を説明する。なお、本発明に係るフレキシブル配線板の結晶構造と配線の断面形状が達成できれば製法は限定されない。
まず、本発明のフレキシブル配線板に用いた2層フレキシブル配線用基板について説明する。
本発明で用いた2層フレキシブル配線用基板は、ポリイミドフィルムのような樹脂フィルム基板の少なくとも片面に接着剤を介さずに下地金属層と銅層が逐次的に積層された積層構造の金属積層体を備え、そして、その銅層は、銅薄膜層と銅電気めっき層により構成されている。
樹脂フィルム基板1にポリイミドフィルムを用い、そのポリイミドフィルム1の少なくとも一方の面には、ポリイミドフィルム1側から下地金属層2、銅薄膜層3、銅電気めっき層4の順に成膜され積層されている。なお、銅薄膜層3と銅電気めっき層4から銅層5が構成され、この銅層5と下地金属層2を含めて金属積層体7を形成している。
特に、機械的強度や耐熱性や電気絶縁性の観点から、ポリイミドフィルムが特に好ましい。
さらに、フィルムの厚みが12.5〜75μmの上記樹脂フィルム基板が好ましく使用することができる。
このうち20重量%クロムのニッケル・クロム合金は、ニクロム合金として流通し、マグネトロンスパッタリング法のスパッタリングターゲットとして容易に入手可能である。また、ニッケルを含む合金には、クロム、バナジウム、チタン、モリブデン、コバルト等を添加しても良い。
さらに、クロム濃度の異なる複数のニッケル・クロム合金の薄膜を積層して、ニッケル・クロム合金の濃度勾配を設けた下地金属層を構成しても良い。
下地金属層の膜厚が3nm未満では、ポリイミドフィルムと銅層の密着性を保てず、耐食性や耐マイグレーション性で劣る。一方、下地金属層の膜厚が50nmを越えると、サブトラクティブ法で配線加工する際に、下地金属層の十分な除去が困難な場合が生じる。その下地金属層の除去が不十分な場合は、配線間のマイグレーション等の不具合が懸念される。
銅薄膜層の膜厚が10nm未満では、銅薄膜層上に銅電気めっき層を電気めっき法で成膜する際の導電性が確保できず、電気めっきの際の外観不良に繋がる。銅薄膜層の膜厚が1μmを越えても2層フレキシブル配線用基板の品質上の問題は生じないが、生産性が劣る問題がある。
下地金属層および銅薄膜層は、乾式めっき法で形成することが好ましい。
乾式めっき法には、スパッタリング法、イオンプレーティング法、クラスターイオンビーム法、真空蒸着法、CVD法等が挙げられる。乾式めっき法では、シード層の組成の制御等の観点から、スパッタリング法が望ましい。
ロール・ツー・ロールスパッタリング装置10は、その構成部品のほとんどを収納した直方体状の筐体12を備えている。
筐体12は円筒状でも良く、その形状は問わないが、10−4Pa〜1Paの範囲に減圧された状態を保持できれば良い。
この筐体12内には、長尺の樹脂フィルム基板であるポリイミドフィルムFを、供給する巻出ロール13、キャンロール14、スパッタリングカソード15a、15b、15c、15d、前フィードロール16a、後フィードロール16b、テンションロール17a、テンションロール17b、巻取ロール18を有する。
テンションロール17a、17bは、表面が硬質クロムめっきで仕上げられ張力センサーが備えられている。
スパッタリングカソード15a〜15dは、マグネトロンカソード式でキャンロール14に対向して配置される。スパッタリングカソード15a〜15dのポリイミドフィルムFの巾方向の寸法は、長尺樹脂フィルムポリイミドフィルムFの巾より広ければよい。
キャンロール14は、その表面が硬質クロムめっきで仕上げられ、その内部には筐体12の外部から供給される冷媒や温媒が循環し、略一定の温度に調整される。
また、下地金属層をスパッタリングで成膜した後に、銅薄膜層を蒸着法で成膜しても良い。
銅電気めっき層は、電気めっき法により成膜される。その銅電気めっき層の膜厚は、1μm〜20μmが望ましい。
ここで、使用する電気めっき法は、鉄イオンを含む硫酸銅のめっき浴中にて、不溶性アノードを用いて電気めっきを行う銅電気めっきで、使用する銅めっき浴の組成は、通常用いられるフレキシブル配線板のスルーホールめっきなどで使用されるハイスロー硫酸銅めっき浴でも良い。
下地金属層と銅薄膜層を成膜して得られた銅薄膜層付ポリイミドフィルムF2は、巻出ロール22から巻き出され、電気めっき槽21内のめっき液28への浸漬を繰り返しながら連続的に搬送される。なお、28aはめっき液の液面を指している。
銅薄膜層付ポリイミドフィルムF2は、めっき液28に浸漬されている間に電気めっきにより金属薄膜の表面に銅層が成膜され、所定の膜厚の銅層が形成された後、金属化樹脂フィルム基板である2層フレキシブル配線用基板Sとして、巻取ロール29に巻き取られる。なお、銅薄膜層付ポリイミドフィルムF2の搬送速度は、数m〜数十m/分の範囲が好ましい。
このように、銅薄膜層付ポリイミドフィルムF2が、めっき液への浸漬を複数回(図3では10回)繰り返す間に、銅薄膜層付ポリイミドフィルムF2の金属薄膜上に銅層を形成するものである。
給電ロール26a、アノード24a、めっき液、銅薄膜層付ポリイミドフィルムF2および前記電源により、電気めっき回路が構成される。
ここで、使用するアノードは、不溶性アノードが良く、また特別な不溶性アノードを必要とせず、導電性セラミックで表面をコーティングした公知の不溶性アノードでよい。なお、電気めっき槽21の外部に、めっき液28に銅イオンを供給する機構を備える。
このように電流密度を上昇させることで、銅層の変色を防ぐことができる。特に銅層の膜厚が薄い場合に電流密度が高いと銅層の変色が起こりやすいために、めっき中の電流密度は、後述するPR電流の反転電流を除き0.1A/dm2〜8A/dm2が望ましい。電流密度が高くなると銅電気めっき層の外観不良が発生する。
PR電流を使用する場合、反転電流は正電流の1〜9倍の電流を加えると良い。
反転電流時間割合としては1〜10%程度が望ましい。
また、PR電流の次の反転電流が流れる周期は、10m秒以上が望ましく、より望ましくは20m秒〜300m秒である。
図4はPR電流の時間と電流密度を模式的に示したものである。
なお、めっき電圧は、上述の電流密度が実現できるように適宜調整すればよい。
なお、全アノードにPR電流を流してもよいが、PR電流用の整流器が高価な為、製造コストが増加する。そこで、本発明に係る2層フレキシブル配線用基板では、銅電気めっき層の表面からポリイミド方向に膜厚の10%をPR電流で成膜すれば、耐折れ性試験(JIS C−5016−1994)の実施前後で、その銅層の結晶配向比[(200)/(111)]の差d[(200)/(111)]が0.03以上となるので、結果的に耐折れ性試験(MIT試験)の向上が望める。
本発明のフレキシブル配線板における銅層を主として構成する銅電気めっき層の特徴は、1.2以上の銅の(111)結晶配向度指数を示すことである。
この状態では、MIT耐折れ試験(JIS C−5016−1994)において、結晶が滑りやすくなる。なお、本発明で用いるフレキシブル配線板の銅層には(111)配向のほかに(200)、(220)、(311)配向も含むが、そのうち(111)配向が殆どを占め、その結晶配向度指数が1.20以上を示すということである。
表面の光沢性は、表面の凹凸が切り欠きの要因とならないよう光沢膜が好ましい。
サブトラクティブ法での銅層のエッチングに塩化第二鉄水溶液を用いる場合には、銅層の結晶粒径は影響しないこともあるが、銅層の結晶粒子の粒界をエッチングする場合には、結晶粒径が配線の形状にも影響するのである。平均結晶粒径としては、200nm〜400nm程度が望ましい。
平均結晶粒径が、200nm以下であると結晶粒界が多く、破断の起点となるクラックが入りやすくなり、400nm以下とするのは、金属表面の平滑性を保つためである。
一般に、銅の電気めっきによる膜は、常温下で動的再結晶しないと考えられてきた。しかし、本発明のフレキシブル配線板においては、常温下で動的再結晶するので、結果的に、MIT試験のような屈折試験を行うと試料が切れ難い。銅層の平均結晶粒径と常温下での動的再結晶は、断面SIM像での観察することができる。
フレキシブル配線板のMIT耐折れ性試験の結果は、配線幅が細くなると悪化する。
即ち、「JIS C−5016−1994」に従った耐折れ性試験では、その配線幅が1mmであるが、液晶ディスプレイ内の屈曲配線に用いられるフレキシブル配線板では、配線幅が50μm以下であり、さらに高精細な25μm以下の配線幅に移行している。試験用として配線幅1mmのフレキシブル配線板に加工され、十分な耐折れ性を実現できるフレキシブル配線板であっても、実際に用いられる配線幅が50μm以下の配線を有するフレキシブル配線板では十分な耐折れ性を実現できないことがある。
もちろん、配線幅1mmで不十分な耐折れ性となるフレキシブル配線板では、配線幅を50μm以下とした場合でも不十分な耐折れ性の結果となる。
なお、ここで、中央部幅Mとは配線の厚みの略中央での配線幅のことである。
上記2層フレキシブル配線用基板を、サブトラクティブ法を用いて配線加工する場合、配線部の形成時のエッチング条件を適切にすることで対応可能である。
例えば、エッチング液のシャワー条件を最適化することも挙げられる。さらに、一般的な比重1.30〜1.45の塩化第二鉄水溶液や比重1.30〜1.45の塩化第二銅水溶液とは異なる商業的に入手可能な塩化第二鉄と塩化第二銅と硫酸銅とを含むエッチング液を用いることが挙げられる。
例えば、配線の断面形状が上記(1)式を満足するためにフレキシブル配線用基板6は、樹脂フィルム基板1の表面から金属積層体7の0.4μmまでの膜厚範囲の電子線後方散乱回折法(EBSD)で測定した結晶の001方位の結晶割合OR001に対する111方位の結晶割合OR111との比(OR111/OR001)が7以下とすることができる。
そこで、スパッタリング雰囲気のアルゴンに窒素を加えていくと、銅薄膜層には面心立方格子の(200)面、EBSDでは001方位に相当する面が観測されるようになる。
このような条件と後述する電気めっきの条件により、配線の頂部と底部の幅の差が少ない本発明に係るフレキシブル配線板が実現可能となる。
本発明に係るフレキシブル配線板をセミアディティブ法で得るには、2層フレキシブル配線用基板に銅電気めっきする際に、上述の2層フレキシブル配線用基板と同様の銅めっき手順を取ることもでき、その銅層の厚みは、セミアディティブ法の銅めっきの膜厚を考慮して適宜定めればよい。
銅層の膜厚が5μm未満では、配線の導電性が不十分となる。一方、銅層が12μmを超えると導電性は十分でも、配線幅50μm以下の配線の形成が困難となる。特にサブトラクティブ法では配線の膜厚が厚くなるほど、精細な配線の加工が難しくなる。
なお、2層フレキシブル配線用基板の銅薄膜層と銅電気めっき層の両者の合計の膜厚(フレキシブル配線板の銅層の膜厚に相当)が12μmを超えることもある。このように2層フレキシブル配線用基板の銅薄膜層と銅電気めっき層の膜厚の合計が12μmを超える場合は、2層フレキシブル配線用基板の銅電気めっき層等を化学研磨などで所定の膜厚にすればよく、所定の膜厚にした後に本発明に係るフレキシブル配線板の銅層の結晶構造を維持できればよい。
より具体的に説明すると、配線加工がされたフレキシブル配線板は、錫めっきが施された後、公知のソルダーレジストの被覆、金バンプを介したIC等の素子の実装が行われ、ICパッケージ部品に加工される。
なお、本発明に係るフレキシブル配線板では、錫めっき等の過程、ソルダーレジストの被覆やIC実装を経ても特徴的な結晶構造が維持できるように銅電気めっき等の条件やICパッケージ部品への加工条件を適宜選択すればよい。
樹脂フィルム基板にポリイミドフィルムを用いた銅薄膜層付ポリイミドフィルムは、図2に示すロール・ツー・ロールスパッタリング装置10を用いて製造した。
下地金属層を成膜するためのニッケル−20重量%クロム合金ターゲットをスパッタリングカソード15aに、銅ターゲットをスパッタリングカソード15b〜15dにそれぞれ装着し、樹脂フィルム基板に厚み38μmのポリイミドフィルム(カプトン:登録商標/東レ・デュポン社製)をセットした装置内を真空排気した後、装置内を1.3Paに保持して銅薄膜層付ポリイミドフィルムを製造した。下地金属層(ニッケル−クロム合金)の膜厚は20nm、銅薄膜層の膜厚は200nmであった。
耐折れ性試験前後の銅電気めっき層の結晶配向は、X線回折でWilsonの配向度指数を用い測定した。
MIT耐折れ性試験において配線幅1mmで851回、配線幅20μmで45回という良好な結果を得た。
配線幅20μmの配線ファクターFEは5.5であった。
なお、底部幅(B)20.0μm、中間幅(M)18.5μm、頂部幅(T)16.9μmであった。
銅電気めっき層は、銅層のうち銅薄膜層表面から膜厚1.5μmの範囲を成膜するアノード24a〜24fの電流密度を1A/dm2以下にし、銅電気めっき層の表面から10%の膜厚範囲までをPR電流を用いて電気めっきを行う為に、アノード24tにPR電流を流して、実施例2に係る2層フレキシブル配線用基板を作製した。この時の負電流時間割合を10%とした。
配線幅20μmの配線ファクターFEは6.3であった。
なお、底部幅(B)20.0μm、中間幅(M)18.7μm、頂部幅(T)17.3μmであった。
実施例1の2層フレキシブル配線用基板のエッチング液のシャワーの圧力を増して配線幅20μmの比較例1に係る試験片を作成した。
上記特性を有する比較例1に係るプリント配線板の耐折れ性は、配線幅20μmでは20回という振るわない結果を示し、明らかに本発明に係る実施例1より劣っている結果であった。
底部幅(B)は20.0μm、中間幅(M)は16.4μm、頂部幅(T)は17.1μmであった。
2 下地金属層
3 銅薄膜層
4 銅電気めっき層
5 銅層
6 2層フレキシブル配線用基板
7 金属積層体
10 ロール・ツー・ロールスパッタリング装置
12 筐体
13 巻出ロール
14 キャンロール
15a、15b、15c、15d スパッタリングカソード
16a 前フィードロール
16b 後フィードロール
17a、17b テンションロール
17b テンションロール
18 巻取ロール
20 (ロール・ツー・ロール連続電気)めっき装置
21 電気めっき槽
22 巻出ロール
23 反転ロール
24a〜24t 陽極アノード
26a〜26k 給電ロール
28 めっき液
28a めっき液の液面
29 巻取ロール
F ポリイミドフィルム(樹脂フィルム基板)
F2 銅薄膜層付ポリイミドフィルム
S 2層フレキシブル配線用基板
Claims (5)
- 前記下地金属層の膜厚が、3nm〜50nmであることを特徴とする請求項1又は2に記載のフレキシブル配線板。
- 前記銅層の膜厚が、5μm〜12μmであることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のフレキシブル配線板。
- 前記樹脂フィルム基板が、ポリイミド系フィルム、ポリアミド系フィルム、ポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレン系フィルム、ポリフェニレンサルファイド系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、液晶ポリマー系フィルムから選ばれた少なくとも1種以上の樹脂フィルムであることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のフレキシブル配線板。
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