JP2015138932A - 静電気保護部品 - Google Patents

Abstract

【課題】素体の絶縁劣化を抑制し、受動素子での所望の電気的特性を確保することが可能な静電気保護部品を提供する。【解決手段】静電気保護部品は、素体４内に配置されているＥＳＤサプレッサＳＰ１及びコイルＬ１を備えている。ＥＳＤサプレッサＳＰ１は、互いに離間するように素体４内に配置されている第一及び第二放電電極１１，１２と、素体４内に配置され、第一及び第二放電電極１１，１２の対向部１１ｂ，１２ｂを接続するように第一及び第二放電電極１１，１２に接している放電誘発部１３と、第一及び第二放電電極１１，１２の対向部１１ｂ，１２ｂと放電誘発部１３とに接するように素体４内に形成されている空洞部１４と、素体４を構成する電気絶縁材料よりも耐電圧が高い電気絶縁材料からなり、放電誘発部１３と空洞部１４とを囲むように素体４内に配置されている保護部１５と、を備えている。【選択図】図３

Description

本発明は、静電気保護部品に関する。

電気絶縁材料からなる素体と、素体内に配置され、放電によりＥＳＤ（Electro-Static Discharge）を吸収するＥＳＤ吸収素子と、素体内に配置され、ＥＳＤ吸収素子とは異なる受動素子と、を備えている静電気保護部品が知られている（たとえば、特許文献１参照）。

特開２０１１−１８７６７６号公報

ＥＳＤ吸収素子と、当該ＥＳＤ吸収素子とは異なる受動素子と、を備えている静電気保護部品では、一般に、素体は、受動素子が所望の電気的特性を得るための電気絶縁材料からなる。このため、ＥＳＤ吸収素子がＥＳＤを吸収する際に、生じた放電によって、素体が絶縁劣化する懼れがある。特に、素体における、放電に曝される部分が、絶縁劣化する可能性が高い。素体が絶縁劣化すると、受動素子は所望の電気的特性を確保することが難しい。

本発明は、素体の絶縁劣化を抑制し、受動素子での所望の電気的特性を確保することが可能な静電気保護部品を提供することを目的とする。

本発明に係る静電気保護部品は、第一電気絶縁材料からなる素体と、素体内に配置されているＥＳＤ吸収素子と、素体内に配置され、ＥＳＤ吸収素子とは異なる受動素子と、を備え、ＥＳＤ吸収素子は、互いに離間するように素体内に配置されている第一及び第二放電電極と、素体内に配置され、第一及び第二放電電極における互いに対向する部分同士を接続するように第一及び第二放電電極に接している放電誘発部と、第一及び第二放電電極における互いに対向する部分同士と放電誘発部とに接するように素体内に形成されている空洞部と、第一電気絶縁材料よりも耐電圧が高い第二電気絶縁材料からなり、放電誘発部と空洞部とを囲むように素体内に配置されている保護部と、を備えていることを特徴とする。

本発明に係る静電気保護部品では、空洞部が、第一及び第二放電電極における互いに対向する部分同士と放電誘発部とに接している。これにより、第一及び第二放電電極における互いに対向する部分の間での放電が適切に生じることとなり、ＥＳＤ吸収素子は所望のＥＳＤ吸収性能を確保することができる。

第一電気絶縁材料よりも耐電圧が高い第二電気絶縁材料からなる保護部が、放電誘発部と空洞部とを囲んでいる。これにより、素体が、直接、放電に曝されることが防止され、素体の絶縁劣化が抑制される。この結果、受動素子は所望の電気的特性を確保することができる。

保護部は、第一及び第二放電電極における互いに対向する部分同士も囲むように素体内に配置されていてもよい。この場合、素体が、直接、放電に曝されることを確実に防止することができる。

素体と保護部との間に、第一電気絶縁材料の元素と第二電気絶縁材料の元素とが相互に拡散した相互拡散層が形成されていてもよい。この場合、相互拡散層により素体と保護部との接合性が高まり、素体から保護部が剥離するのを抑制することができる。

第一電気絶縁材料が、フェライト材料であってもよい。第二電気絶縁材料が、ガラス成分を含有するセラミック材料であってもよい。

受動素子が、コイル及びコンデンサのうち少なくとも一方であってもよい。

本発明によれば、素体の絶縁劣化を抑制し、受動素子での所望の電気的特性を確保することが可能な静電気保護部品を提供することができる。

第１実施形態に係る静電気保護部品を示す斜視図である。 第１実施形態に係る素体の構成を示す分解斜視図である。 図１に示されたIII−III線に沿った断面構成を示す図である。 図１に示されたIV−IV線に沿った断面構成を示す図である。 第１実施形態に係る静電気保護部品の製造過程を説明するためのフロー図である。 第２及び第３実施形態に係る静電気保護部品を示す斜視図である。 第２実施形態に係る素体の構成を示す分解斜視図である。 第２実施形態に係る静電気保護部品の、第一ＥＳＤサプレッサ及び第三ＥＳＤサプレッサを含む断面構成を示す図である。 第２実施形態に係る静電気保護部品の、第二ＥＳＤサプレッサ及び第四ＥＳＤサプレッサを含む断面構成を示す図である。 第２実施形態に係る静電気保護部品の、第一ＥＳＤサプレッサ及び第四ＥＳＤサプレッサを含む断面構成を示す図である。 第３実施形態に係る素体の構成を示す分解斜視図である。 第３実施形態に係る静電気保護部品の、第一ＥＳＤサプレッサ及び第二ＥＳＤサプレッサを含む断面構成を示す図である。 第３実施形態に係る静電気保護部品の、第三ＥＳＤサプレッサ及び第四ＥＳＤサプレッサを含む断面構成を示す図である。 第３実施形態に係る静電気保護部品の、第一ＥＳＤサプレッサ及び第三ＥＳＤサプレッサを含む断面構成を示す図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

（第１実施形態）
まず、図１〜図４を参照して、第１実施形態に係る静電気保護部品ＥＰ１の構成を説明する。図１は、本実施形態に係る静電気保護部品を示す斜視図である。図２は、素体の構成を示す分解斜視図である。図３は、図１に示されたIII−III線に沿った断面構成を説明するための図である。図４は、図１に示されたIV−IV線に沿った断面構成を説明するための図である。

静電気保護部品ＥＰ１は、電子機器の回路基板に実装され、ＥＳＤから電子機器を保護する電子部品である。図１〜図４に示されるように、静電気保護部品ＥＰ１は、略直方体形状を呈する素体４と、素体４の外表面に配置された外部電極７及び外部電極８と、素体４の内部に配置されたＥＳＤサプレッサ（ＥＳＤ吸収素子）ＳＰ１と、素体４の内部に配置されたコイルＬ１と、を備えている。静電気保護部品ＥＰ１は、ＥＳＤサプレッサＳＰ１以外の受動素子として、コイルＬ１を備えている。

ＥＳＤサプレッサＳＰ１は、外部電極７と外部電極８とに、電気的に接続されている。
コイルＬ１も、ＥＳＤサプレッサＳＰ１と同じく、外部電極７と外部電極８とに、電気的に接続されている。ＥＳＤサプレッサＳＰ１は、ＥＳＤ吸収性能を有する。

素体４は、複数の絶縁体層１０が積層されて構成されている。各絶縁体層１０は、略長方形状を有している。各絶縁体層１０は、電気絶縁性を有する絶縁体であり、絶縁体グリーンシートの焼結体から構成される。実際の素体４では、各絶縁体層１０は、その間の境界が視認できない程度に一体化されている。素体４は、外表面として、互いに対向する一対の端面４ａ，４ｂと、端面４ａ，４ｂに隣り合う四つの側面を有している。四つの側面のうち一の側面４ｃは、図示しない他の電子機器（たとえば、回路基板又は電子部品など）に対面する面（実装面）として規定されている。

外部電極７は、素体４の一方の端面４ａの全面を覆い且つその一部が当該端面４ａと隣り合う四側面上に回り込むように形成されている。すなわち、外部電極７は、素体４の一方の端面４ａ側に配置されている。外部電極８は、素体４の他方の端面４ｂの全面を覆い且つその一部が当該端面４ｂと隣り合う四側面上に回り込むように形成されている。すなわち、外部電極８は、素体４の他方の端面４ｂ側に配置されている。

コイルＬ１は、素体４内に配置されている複数の内部導体２１〜２４により構成されている。複数の内部導体２１〜２４は、素体４内において、絶縁体層１０の積層方向に併置されている。複数の内部導体２１〜２４は、その端部同士が、対応するスルーホール導体３１〜３３で接続されることにより、コイルＬ１を構成している。各内部導体２１〜２４は、絶縁体層１０の積層方向に、素体４の側面４ｃに近い方から、内部導体２１、内部導体２２、内部導体２３、内部導体２４の順に位置している。

スルーホール導体３１は、内部導体２１と内部導体２２との間に位置し、内部導体２１と内部導体２２とを電気的に接続する。スルーホール導体３２は、内部導体２２と内部導体２３との間に位置し、内部導体２２と内部導体２３とを電気的に接続する。スルーホール導体３３は、内部導体２３と内部導体２４との間に位置し、内部導体２３と内部導体２４とを電気的に接続する。各スルーホール導体３１〜３３は、コイルＬ１の一部として機能する。

内部導体２４の端部２４ａは、素体４の端面４ａに露出するように延びている。内部導体２４は、その端部２４ａが端面４ａに露出し、露出した端部２４ａで外部電極７に接続されている（図４参照）。内部導体２１の端部２１ａは、素体４の端面４ｂに露出するように延びている。内部導体２１は、その端部２１ａが端面４ｂに露出し、露出した端部２１ａで外部電極８に接続されている。内部導体２４の端部２４ａはコイルＬ１の一端Ｅ１_１に対応し、内部導体２１の端部２１ａはコイルＬ１の他端Ｅ１_２に対応する。したがって、コイルＬ１は、各外部電極７，８と電気的に接続されている。

ＥＳＤサプレッサＳＰ１は、第一放電電極１１及び第二放電電極１２と、放電誘発部１３と、空洞部１４と、保護部１５と、を備えている。第一放電電極１１と第二放電電極１２とは、同一の絶縁体層１０上において、互いに離間して配置されている。放電誘発部１３は、第一放電電極１１と第二放電電極１２とを接続している。ＥＳＤサプレッサＳＰ１は、絶縁体層１０の積層方向において、コイルＬ１よりも素体４の側面４ｃに近い位置に配置されている。

第一放電電極１１は、引出部１１ａと、対向部１１ｂと、を有している。引出部１１ａは、対向部１１ｂから端面４ａに露出するように延びている。引出部１１ａと、対向部１１ｂとは、一体的に形成されている。対向部１１ｂは、絶縁体層１０の長手方向（一対の端面４ａ，４ｂが対向している方向）に延在している。引出部１１ａは、対向部１１ｂの端面４ａ側の端部から対向部１１ｂと同じ幅で端面４ａまで延びている。引出部１１ａは、その端が端面４ａに露出し、当該露出した端部で外部電極７に接続されている。

第二放電電極１２は、引出部１２ａと、対向部１２ｂと、を有している。引出部１２ａは、対向部１２ｂから端面４ｂに露出するように延びている。引出部１２ａと、対向部１２ｂとは、一体的に形成されている。対向部１２ｂは、絶縁体層１０の長手方向に延在している。引出部１２ａは、対向部１２ｂの端面４ｂ側の端部から対向部１２ｂと同じ幅で端面４ｂまで延びている。引出部１２ａは、その端が端面４ｂに露出し、当該露出した端部で外部電極８に接続されている。

第一放電電極１１と第二放電電極１２とは、積層方向に直交する一の方向に延在する対向部１１ｂと、当該一の方向に延在する対向部１２ｂとが、対向するように、互いに離間して配置されている。すなわち、第一放電電極１１と第二放電電極１２とは、絶縁体層１０の長手方向に直交する方向に隣り合うように配置されている。対向部１１ｂと対向部１２ｂとは、厚みを有している。このため、対向部１１ｂの側面と対向部１２ｂの側面とが対向する。対向部１１ｂと対向部１２ｂとの間に、ギャップ部ＧＰ１が形成されている（図３参照）。外部電極７及び外部電極８に所定以上の電圧が印加されると、第一放電電極１１と第二放電電極１２との間のギャップ部ＧＰ１において、放電が生じる。ギャップ部ＧＰ１の幅は、所望の放電特性が得られるように、所定の値に設定されている。

放電誘発部１３は、第一放電電極１１の対向部１１ｂ及び第二放電電極１２の対向部１２ｂ同士を接続するように、第一放電電極１１と第二放電電極１２とに接している。すなわち、放電誘発部１３は、第一及び第二放電電極１１，１２における互いに対向する部分同士を接続するように形成され、第一放電電極１１と第二放電電極１２との間の放電を発生し易くする機能を有する。

空洞部１４は、素体４内に形成されている（図３及び図４参照）。空洞部１４を画成する面は、第一及び第二放電電極１１，１２（対向部１１ｂ，１２ｂ）並びに放電誘発部１３（対向部１１ｂ，１２ｂから露出する部分）の表面１３ａと、当該表面１３ａに対向する面１４ｂと、を含んでいる。空洞部１４は、積層方向から見て、放電誘発部１３の全体を覆うように位置している。空洞部１４は、対向部１１ｂ，１２ｂと、放電誘発部１３（対向部１１ｂ，１２ｂから露出する部分）と、に接している。空洞部１４は、放電時における第一放電電極１１、第二放電電極１２、絶縁体層１０及び放電誘発部１３の熱膨張を吸収する機能を有する。

保護部１５は、放電誘発部１３と空洞部１４とを囲むように素体４内に配置されている。これにより、保護部１５は、対向部１１ｂ，１２ｂも囲むように素体４内に配置されていることとなる。面１４ｂは、保護部１５により構成されている。すなわち、保護部１５は、その一部が空洞部１４に露出している。保護部１５は、放電誘発部１３における、表面１３ａとは反対側の面に接しており、当該面全体を覆っている。

次に、各構成要素の材料について説明する。

絶縁体層１０は、電気絶縁材料としてのフェライト材料（Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、又はＮｉ−Ｃｕ系フェライトなど）から構成されている。このフェライト材料（たとえば、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト）の耐電圧は、２０〜２５Ｖ／μｍである。

各内部導体２１〜２４及び各スルーホール導体３１〜３３は、Ａｇ又はＰｄなどの導体材料によって構成される。各内部導体２１〜２４及び各スルーホール導体３１〜３３は、上記導体材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成される。

外部電極７，８と、第一放電電極１１と、第二放電電極１２とは、それぞれＡｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｍｏ、又はＷを含有する導体材料によって構成される。外部電極７，８を構成する導体材料として、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｇ−Ｃｕ合金、Ａｇ−Ａｕ合金、又はＡｇ−Ｐｔ合金などを用いることができる。

放電誘発部１３は、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｍｎ_２Ｏ_３、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｎＯ_２、Ｋ_２О、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、又はＢ_２Ｏ_３などの中の単独材料を含んで構成される。放電誘発部１３は、これらの二種類以上を混合させた材料を含んで構成されてもよい。放電誘発部１３には、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ／Ｐｄ合金、Ａｇ／Ｃｕ合金、Ａｇ／Ａｕ合金、又はＡｇ／Ｐｔ合金などの金属粒子が含有されている。放電誘発部１３に金属粒子として含有されている金属材料の融点は、コイルＬ１を構成する各内部導体２１〜２４に含有されている導体材料の融点よりも高くてもよい。放電誘発部１３には、ＲｕＯ_２などの半導体粒子が含有されていてもよい。放電誘発部１３には、ガラス又は酸化錫（ＳｎＯ又はＳｎＯ_２）が含有されていてもよい。

保護部１５は、ガラス成分を含有するセラミック材料から構成されている。ガラス成分を含有するセラミック材料は、電気絶縁材料である。保護部１５を構成する電気絶縁材料の耐電圧は、絶縁体層１０を構成する電気絶縁材料の耐電圧よりも高い。ガラス成分を含有するセラミック材料として、ホウケイ酸ガラス又はフォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ_２など）などが用いられる。フォルステライトとして、特開２００９−２９８６８４号公報に記載された誘電体磁器組成物などを用いることができる。ホウケイ酸ガラスとして、特許第２６４１５２１号公報に記載された絶縁性磁器組成物などを用いることができる。

特開２００９−２９８６８４号公報に記載された誘電体磁器組成物は、主成分として、Ｚｎの酸化物単独ならびにＭｇの酸化物およびＺｎの酸化物から選ばれる１つと、Ｃｕの酸化物と、Ｓｉの酸化物と、を含有し、副成分として、Ｓｉの酸化物、Ｂａの酸化物、Ｃａの酸化物、Ｓｒの酸化物、Ｌｉの酸化物およびＺｎの酸化物から選ばれる少なくとも１つと、Ｂの酸化物と、を含み、ガラス軟化点が７５０℃以下であるガラス成分と、を含有している。ガラス成分の含有量は、主成分１００重量％に対して、１．５〜１５重量％である。この誘電体磁器組成物の耐電圧は、１２０Ｖ／μｍ以上である。

特許第２６４１５２１号公報に記載された絶縁性磁器組成物は、アルミナ成分３０〜５０重量％及びガラス成分７０〜５０重量％を含有している。ガラス成分は、ＳｉＯ_２が４６〜６０重量％であり、Ｂ_２Ｏ_３が０．５〜５重量％であり、Ａｌ_２Ｏ_３が６〜１７．５重量％であり、及び、アルカリ土類金属酸化物が２５〜４５重量％である組成を有している。アルカリ土類金属酸化物中の少なくとも６０重量％がＳｒＯである。この絶縁性磁器組成物の耐電圧は、１２０Ｖ／μｍ以上である。

素体４と保護部１５との間には、相互拡散層１６が形成されている。相互拡散層１６では、素体４を構成する電気絶縁材料の元素と保護部１５を構成する電気絶縁材料の元素とが相互に拡散している。たとえば、素体４を構成する電気絶縁材料がＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトであり且つ保護部１５を構成する電気絶縁材料が特開２００９−２９８６８４号公報に記載された誘電体磁器組成物である場合、当該誘電体磁器組成物から、ＭｇがＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトに拡散し、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトから、Ｎｉ及びＣｕが上記誘電体磁器組成物に拡散する。このとき、誘電体磁器組成物のＭｇの一部が、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトのＮｉ及びＣｕと置換される。すなわち、相互拡散層１６は、誘電体磁器組成物のＭｇの一部がＮｉ及びＣｕと置換された構成を有する。

次に、図５を参照して、静電気保護部品ＥＰ１の製造過程について説明する。図５は、第１実施形態に係る静電気保護部品の製造過程を説明するためのフロー図である。

まず、絶縁体層１０を構成するフェライト材料のスラリーを調合し（Ｓ１０１）、絶縁体層１０用のグリーンシートを形成する（Ｓ１０３）。具体的には、所定量のフェライト材料の粉末と、有機溶剤及び有機バインダを含む有機ビヒクルと、を混合し、絶縁体層１０用のスラリーを調合する。その後、ドクターブレード法などによって、ＰＥＴフィルム上にスラリーを塗布し、厚さ２０μｍ程度のグリーンシートを形成する。グリーンシートにおける各スルーホール導体３１〜３３の形成予定位置には、レーザ加工によって貫通孔が形成される。

絶縁体層１０用のグリーンシートを形成した後、当該グリーンシートの所定の位置に、保護材料スラリー、放電誘発材料スラリー、導体ペースト、及び溶剤（空洞用ラッカー）をそれぞれ印刷する（Ｓ１０５）。ここでは、まず、保護部１５を形成するための保護材料スラリーを付与する（Ｓ１０５Ａ）。保護材料スラリーは、ガラス成分を含有するセラミック材料と、有機溶剤及び有機バインダを含む有機ビヒクルと、を混合して、調合する。保護材料スラリーは、絶縁体層１０用のシートに、スクリーン印刷法などにより付与される。保護材料スラリーは、後述する焼成工程により、保護部１５となる。

次に、放電誘発部１３を形成するための放電誘発材料スラリーを付与する（Ｓ１０５Ｂ）。放電誘発材料スラリーは、たとえば、所定量に秤量した酸化錫、絶縁体、及び導体の各粉末と、有機溶剤及び有機バインダを含む有機ビヒクルと、を混合して、調合する。放電誘発材料スラリーは、保護材料スラリー上に、スクリーン印刷法などにより付与される。放電誘発材料スラリーは、後述する焼成工程により、放電誘発部１３となる。放電誘発材料スラリーが付与される領域は、保護材料スラリーが付与される領域の内側に位置し、放電誘発材料スラリーが付与される領域の面積は、保護材料スラリーが付与される領域の面積よりも狭い。

酸化錫として工業用のＳｎＯ_２を使用でき、絶縁体として誘電体粉末を使用できる。誘電体粉末には、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｉ、又はＳｒの酸化物（他の誘電体材料でもよい）を主成分として含む誘電体材料を用いることができる。導体粉末として、Ａｇ−Ｐｄ合金の金属粉末を用いることができる（Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、又はその混合物若しくは化合物などでもよい）。酸化錫の粒子とＡｇ−Ｐｄ合金の金属粒子が混在する状態となるように、各粉末を十分に混合する。

次に、第一及び第二放電電極１１，１２を形成するための導体ペーストを付与する（Ｓ１０５Ｃ）。導体ペーストは、放電誘発材料スラリーが印刷された、絶縁体層１０用のグリーンシートに、スクリーン印刷法などにより付与される。導体ペーストは、後述する焼成工程により、第一及び第二放電電極１１，１２となる。ここでは、保護材料スラリー及び放電誘発材料スラリーが付与されていない、絶縁体層１０用のグリーンシートに、内部導体２１〜２４を形成するための導体ペーストを付与する。当該導体ペーストは、絶縁体層１０用のグリーンシートに、スクリーン印刷法などにより付与される。導体ペーストは、後述する焼成工程により、内部導体２１〜２４となる。グリーンシートに形成された貫通孔には、当該グリーンシートに付与された導体ペーストが充填される。貫通孔に充填された導体ペーストは、後述する焼成工程により、各スルーホール導体３１〜３３となる。

次に、空洞用ラッカーを印刷する（Ｓ１０５Ｄ）。空洞用ラッカーは、絶縁体層１０用のグリーンシートに、既に印刷された放電誘発材料スラリーと導体ペーストとを覆うように、スクリーン印刷法などにより付与される。空洞用ラッカーは、空洞部１４を形成するための塗料である。

次に、保護部１５を形成するための保護材料スラリーを付与する（Ｓ１０５Ｅ）。保護材料スラリーは、放電誘発材料スラリー及び空洞用ラッカー全体を覆うように、スクリーン印刷法などにより付与される。これにより、保護材料スラリーからなる一対の層の間に、放電誘発材料スラリーからなる層及び空洞用ラッカーからなる層が位置し、放電誘発材料スラリーからなる層全体及び空洞用ラッカーからなる層全体が、保護材料スラリーからなる一対の層で覆われることとなる。

次に、保護材料スラリー、放電誘発材料スラリー、導体ペースト、及び空洞用ラッカーが印刷されたグリーンシートを含む複数の絶縁体層１０用のグリーンシートを順次積層し（Ｓ１０７）、プレスし（Ｓ１０９）、積層体を得る。その後、得られた積層体をチップ単位に切断し（Ｓ１１１）、複数のグリーンチップを得る。

次に、得られた各グリーンチップをバレル研磨する（Ｓ１１３）。これにより、グリーンチップの角部や稜線が丸められる。

次に、各グリーンチップを所定の条件（たとえば、大気中で８５０〜９５０℃で２時間）焼成する（Ｓ１１５）。これにより、グリーンチップが焼成され、素体４が得られる。焼成工程では、空洞用ラッカーが消失する。これにより、第一及び第二放電電極１１，１２の対向部１１ｂ，１２ｂと、放電誘発部１３（対向部１１ｂ，１２ｂから露出する部分）と、を覆う空洞部１４が形成される。この結果、素体４内に、第一放電電極１１、第二放電電極１２、放電誘発部１３、空洞部１４、及び保護部１５を備えるＥＳＤサプレッサＳＰ１が形成される。すなわち、焼成工程を経ることにより、ＥＳＤサプレッサＳＰ１とコイルＬ１が内部に配置された素体４が得られる。

次に、外部電極７，８用の導体ペーストを素体４に付与し（Ｓ１１７）、所定条件（たとえば、大気中で６００〜８００℃で２時間）にて熱処理を行い、外部電極７，８用の導体ペーストを素体４に焼き付ける（Ｓ１１９）。これにより、外部電極７，８が素体４の外表面に形成される。外部電極７は、第一放電電極１１の引出部１１ａと内部導体２４の端部２４ａとに接続されるように、形成される。外部電極８は、第二放電電極１２の引出部１２ａと内部導体２１の端部２１ａとに接続されるように、形成される。その後、各外部電極７，８の表面にめっきを施す（Ｓ２１１）。めっきは、電解めっきが好ましく、例えば、Ｎｉ／Ｓｎ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ｓｎ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｇ、又はＮｉ／Ａｇなどを用いることができる。

これらの過程により、静電気保護部品ＥＰ１が得られる。

以上のように、第１実施形態では、空洞部１４が、第一及び第二放電電極１１，１２の対向部１１ｂ，１２ｂと放電誘発部１３とに接している。これにより、対向部１１ｂ，１２ｂの間での放電が適切に生じることとなり、ＥＳＤサプレッサＳＰ１は所望のＥＳＤ吸収性能を確保することができる。

絶縁体層１０（素体４）を構成する電気絶縁材料よりも耐電圧が高い電気絶縁材料からなる保護部１５が、放電誘発部１３と空洞部１４とを囲んでいる。これにより、素体４が、直接、放電に曝されることが防止され、素体４の絶縁劣化が抑制される。この結果、コイルＬ１は所望の電気的特性を確保することができる。

保護部１５は、第一及び第二放電電極１１，１２の対向部１１ｂ，１２ｂも囲むように素体４内に配置されている。これにより、素体４が、直接、放電に曝されることを確実に防止することができる。

素体４と保護部１５との間に、相互拡散層１６が形成されている。相互拡散層１６により、素体４と保護部１５との接合性が高まり、素体４から保護部１５が剥離するのを抑制することができる。

素体４（絶縁体層１０）が、保護部１５を構成する電気絶縁材料により構成されていると、素体４の絶縁劣化は抑制される。しかしながら、素体４を構成する電気絶縁材料が保護部１５を構成する電気絶縁材料である場合、コイルＬ１にて、所望の電気的特性（たとえば、インダクタンス値など）を確保することは難しい。

（第２実施形態）
次に、図６〜図１０を参照して、第２実施形態に係る静電気保護部品ＥＰ２の構成を説明する。図６は、第２及び第３実施形態に係る静電気保護部品を示す斜視図である。図７は、第２実施形態に係る素体の構成を示す分解斜視図である。図８は、第２実施形態に係る静電気保護部品の、第一ＥＳＤサプレッサ及び第三ＥＳＤサプレッサを含む断面構成を示す図である。図９は、第２実施形態に係る静電気保護部品の、第二ＥＳＤサプレッサ及び第四ＥＳＤサプレッサを含む断面構成を示す図である。図１０は、第２実施形態に係る静電気保護部品の、第一ＥＳＤサプレッサ及び第四ＥＳＤサプレッサを含む断面構成を示す図である。

静電気保護部品ＥＰ２は、図６〜図１０に示されるように、素体４と、素体４の外表面に配置された複数の外部電極４１〜４６と、を備えている。静電気保護部品ＥＰ２は、第一コイルＬ２_１及び第二コイルＬ２_２、並びに、第一ＥＳＤサプレッサ（ＥＳＤ吸収素子）ＳＰ２_１、第二ＥＳＤサプレッサ（ＥＳＤ吸収素子）ＳＰ２_２、第三ＥＳＤサプレッサ（ＥＳＤ吸収素子）ＳＰ２_３及び第四ＥＳＤサプレッサ（ＥＳＤ吸収素子）ＳＰ２_４を備えている。第一及び第二コイルＬ２_１，Ｌ２_２と、第一〜第四ＥＳＤサプレッサＳＰ２_１〜ＳＰ２_４とは、素体４の内部に配置されている。第一〜第四ＥＳＤサプレッサＳＰ２_１〜ＳＰ２_４は、ＥＳＤ吸収性能を有する。静電気保護部品ＥＰ２は、第一〜第四ＥＳＤサプレッサＳＰ２_１〜ＳＰ２_４以外の受動素子として、第一及び第二コイルＬ２_１，Ｌ２_２を備えている。

素体４は、外表面として、互いに対向する一対の端面４ａ，４ｂと、端面４ａ，４ｂと隣り合う四つの側面４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆを有している。側面４ｃと側面４ｄとが、互いに対向しており、側面４ｅと側面４ｆとが、互いに対向している。側面４ｃと側面４ｄとは、一対の端面４ａ，４ｂを連結するように一対の端面４ａ，４ｂの対向方向に延びている。側面４ｃと側面４ｄとは、側面４ｅと側面４ｆとの対向方向にも延びている。側面４ｅと側面４ｆとは、一対の端面４ａ，４ｂを連結するように一対の端面４ａ，４ｂの対向方向に延びている。側面４ｅと側面４ｆとは、一対の第一側面２ｂの対向方向にも延びている。側面４ｃと側面４ｄとの対向方向は、絶縁体層１０の積層方向と一致する。

外部電極４１は、端面４ａの一部を側面４ｃと側面４ｄとの対向方向に沿って覆うように、側面４ｃと側面４ｄとにわたって形成されている。外部電極４２は、端面４ｂの一部を側面４ｃと側面４ｄとの対向方向に沿って覆うように、側面４ｃと側面４ｄとにわたって形成されている。

外部電極４３及び外部電極４４は、側面４ｅ側に配置されている。外部電極４３及び外部電極４４は、側面４ｅの一部を側面４ｃと側面４ｄとの対向方向に沿って覆うように、側面４ｃと側面４ｄとにわたって形成されている。外部電極４３は、端面４ａ側に位置し、外部電極４４は、端面４ｂ側に位置している。

外部電極４５及び外部電極４６は、側面４ｆ側に配置されている。外部電極４５及び外部電極４６は、側面４ｆの一部を側面４ｃと側面４ｄとの対向方向に沿って覆うように、側面４ｃと側面４ｄとにわたって形成されている。外部電極４５は、端面４ａ側に位置し、外部電極４６は、端面４ｂ側に位置している。

第一コイルＬ２_１と第二コイルＬ２_２とは、絶縁体層１０の積層方向において、素体４の側面４ｄに近い方から、第一コイルＬ２_１、第二コイルＬ２_２の順に位置している。

第一コイルＬ２_１は、内部導体５１及び内部導体５２の端部同士が、内部導体５１及び内部導体５２の間に位置するスルーホール導体１７で接続されることにより構成されている。内部導体５１及び内部導体５２は、素体４の内部において、絶縁体層１０の積層方向に併置されている。内部導体５２は、スパイラル状を呈している。内部導体５１及び内部導体５２は、絶縁体層１０の積層方向において、側面４ｃに近い方から、内部導体５１、内部導体５２の順に位置している。

内部導体５１の端部５１ａは、側面４ｅに露出しており、外部電極４３と接続されている。内部導体５２の端部５２ａは、素体４の側面４ｆに露出しており、外部電極４５と接続されている。内部導体５１の端部５１ａは第一コイルＬ２_１の一端Ｅ２_１に対応し、内部導体５２の端部５２ａは第一コイルＬ２_１の他端Ｅ２_２に対応する。第一コイルＬ２_１は、各外部電極４３，４５と電気的に接続されている。

第二コイルＬ２_２は、内部導体５３及び内部導体５４の端部同士が、内部導体５３及び内部導体５４の間に位置するスルーホール導体１８で接続されることにより構成されている。内部導体５３及び内部導体５４は、素体４の内部において、絶縁体層１０の積層方向に併置されている。内部導体５４は、スパイラル状を呈している。内部導体５３及び内部導体５４は、絶縁体層１０の積層方向において、側面４ｄに近い方から、内部導体５３、内部導体５４の順に位置している。

内部導体５３の端部５３ａは、側面４ｅに露出しており、外部電極４４と接続されている。内部導体５４の端部５４ａは、素体４の側面４ｆに露出しており、外部電極４６と接続されている。内部導体５３の端部５３ａは第二コイルＬ２_２の一端Ｅ２_３に対応し、内部導体５４の端部５２ａは第二コイルＬ２_２の他端Ｅ２_４に対応する。第二コイルＬ２_２は、各外部電極４４，４６と電気的に接続されている。

スパイラル形状を呈する内部導体５２及び内部導体５４は、絶縁体層１０の積層方向において、隣り合うように位置している。第一コイルＬ２_１と第二コイルＬ２_２とは、内部導体５２と内部導体５４とが磁気的に結合することで、いわゆるコモンモードフィルタを構成する。

第一及び第二ＥＳＤサプレッサＳＰ２_１，ＳＰ２_２は、同じ層に位置している。第一及び第二ＥＳＤサプレッサＳＰ２_１，ＳＰ２_２は、絶縁体層１０の積層方向において、第二コイルＬ２_２よりも側面４ｄに近い。第三及び第四ＥＳＤサプレッサＳＰ２_３，ＳＰ２_４は、同じ層に位置している。第三及び第四ＥＳＤサプレッサＳＰ２_３，ＳＰ２_４は、絶縁体層１０の積層方向において、第一コイルＬ２_１よりも側面４ｃに近い。

第一ＥＳＤサプレッサＳＰ２_１は、第一放電電極６１及び第二放電電極６２と、放電誘発部１３と、空洞部１４と、保護部１５と、を備えている。第一放電電極６１と第二放電電極６２とは、同一の絶縁体層１０上において、互いに離間して配置されている。放電誘発部１３は、第一放電電極６１と第二放電電極６２とを接続している。

第一放電電極６１は、引出部６１ａと対向部６１ｂとを有している。引出部６１ａは、絶縁体層１０の短手方向（側面４ｅと側面４ｆとが対向している方向）に延在している。対向部６１ｂは、絶縁体層１０の長手方向（一対の端面４ａ，４ｂが対向している方向）に延在している。引出部６１ａと、対向部６１ｂとは、一体的に形成されている。第一放電電極６１は、Ｌ字状を呈している。引出部６１ａは、側面４ｅに露出しており、外部電極４３と接続されている。すなわち、第一放電電極６１は、外部電極４３を通して、第一コイルＬ２_１の一端Ｅ２_１と電気的に接続される。対向部６１ｂは、第二放電電極６２と対向している。

第二放電電極６２は、絶縁体層１０の長手方向に延在している。第二放電電極６２は、引出部６２ａと、対向部６２ｂと、を有している。引出部６２ａは、端面４ａに露出しており、外部電極４１と接続されている。対向部６２ｂは、第一放電電極６１の対向部６１ｂと、絶縁体層１０の短手方向で対向している。

第一放電電極６１と第二放電電極６２とは、対向部６１ｂと対向部６２ｂとが対向するように、互いに離間して配置されている。対向部６１ｂと対向部６２ｂとの間に、ギャップ部ＧＰ２_１が形成される（図８参照）。外部電極４１及び外部電極４３の間に所定以上の電圧が印加されると、第一放電電極６１と第二放電電極６２との間のギャップ部ＧＰ２_１において、放電が生じる。ギャップ部ＧＰ２_１の幅は、所望の放電特性が得られるように、所定の値に設定されている。

放電誘発部１３は、第一放電電極６１の対向部６１ｂ及び第二放電電極６２の対向部６２ｂ同士を接続するように、第一放電電極６１と第二放電電極６２とに接している。すなわち、放電誘発部１３は、第一及び第二放電電極６１，６２における互いに対向する部分同士を接続するように形成され、第一放電電極６１と第二放電電極６２との間の放電を発生し易くする機能を有する。

空洞部１４は、第一ＥＳＤサプレッサＳＰ２_１の位置において、素体４内に形成されている（図８及び図１０参照）。空洞部１４を画成する面は、第一及び第二放電電極６１，６２（対向部６１ｂ，６２ｂ）並びに放電誘発部１３（対向部６１ｂ，６２ｂから露出する部分）の表面１３ａと、当該表面１３ａに対向する面１４ｂと、を含んでいる。空洞部１４は、積層方向から見て、放電誘発部１３の全体を覆うように位置している。空洞部１４は、対向部６１ｂ，６２ｂと、放電誘発部１３（対向部６１ｂ，６２ｂから露出する部分）と、に接している。空洞部１４は、放電時における第一放電電極６１、第二放電電極６２、絶縁体層１０及び放電誘発部１３の熱膨張を吸収する機能を有する。

保護部１５は、放電誘発部１３と空洞部１４とを囲むように素体４内に配置されている。これにより、保護部１５は、対向部６１ｂ，６２ｂも囲むように素体４内に配置されていることとなる。

第二ＥＳＤサプレッサＳＰ２_２は、第一放電電極６５及び第二放電電極６２と、放電誘発部１３と、空洞部１４と、保護部１５と、を備えている。第一放電電極６５と第二放電電極６２とは、同一の絶縁体層１０上において、互いに離間して配置されている。放電誘発部１３は、第一放電電極６５と第二放電電極６２とを接続している。

第一放電電極６５は、引出部６５ａと対向部６５ｂとを有している。引出部６５ａは、絶縁体層１０の短手方向に延在している。対向部６５ｂは、絶縁体層１０の長手方向に延在している。引出部６５ａと、対向部６５ｂとは、一体的に形成されている。第一放電電極６５は、Ｌ字状を呈している。引出部６５ａは、側面４ｆに露出しており、外部電極４６と接続されている。すなわち、第一放電電極６５は、外部電極４６を通して、第二コイルＬ２_２の他端Ｅ２_４と電気的に接続される。対向部６５ｂは、第二放電電極６２と対向している。

第二放電電極６２は、引出部６２ｃと、対向部６２ｄと、を有している。引出部６２ｃは、端面４ｂに露出しており、外部電極４２と接続されている。対向部６２ｄは、第一放電電極６５の対向部６５ｂと、絶縁体層１０の短手方向で対向している。引出部６２ａ，６２ｃと、対向部６２ｂ，６２ｄとは、一体的に形成されている。

第一放電電極６５と第二放電電極６２とは、対向部６５ｂと対向部６２ｄとが対向するように、互いに離間して配置されている。対向部６５ｂと対向部６２ｄとの間に、ギャップ部ＧＰ２_２が形成される（図９参照）。外部電極４２及び外部電極４６の間に所定以上の電圧が印加されると、第一放電電極６５と第二放電電極６２との間のギャップ部ＧＰ２_２において、放電が生じる。ギャップ部ＧＰ２_２の幅は、所望の放電特性が得られるように、所定の値に設定されている。

放電誘発部１３は、第一放電電極６５の対向部６５ｂ及び第二放電電極６２の対向部６２ｄ同士を接続するように、第一放電電極６５と第二放電電極６２とに接している。すなわち、放電誘発部１３は、第一及び第二放電電極６５，６２における互いに対向する部分同士を接続するように形成され、第一放電電極６５と第二放電電極６２との間の放電を発生し易くする機能を有する。

空洞部１４は、第二ＥＳＤサプレッサＳＰ２_２の位置において、素体４内に形成されている（図９参照）。空洞部１４を画成する面は、第一及び第二放電電極６５，６２（対向部６５ｂ，６２ｄ）並びに放電誘発部１３（対向部６５ｂ，６２ｄから露出する部分）の表面１３ａと、当該表面１３ａに対向する面１４ｂと、を含んでいる。空洞部１４は、積層方向から見て、放電誘発部１３の全体を覆うように位置している。空洞部１４は、対向部６５ｂ，６２ｄと、放電誘発部１３（対向部６５ｂ，６２ｄから露出する部分）と、に接している。空洞部１４は、放電時における第一放電電極６５、第二放電電極６２、絶縁体層１０及び放電誘発部１３の熱膨張を吸収する機能を有する。

保護部１５は、放電誘発部１３と空洞部１４とを囲むように素体４内に配置されている。これにより、保護部１５は、対向部６５ｂ，６２ｄも囲むように素体４内に配置されていることとなる。

第三ＥＳＤサプレッサＳＰ２_３は、第一放電電極６８及び第二放電電極６９と、放電誘発部１３と、空洞部１４と、保護部１５と、を備えている。第一放電電極６８と第二放電電極６９とは、同一の絶縁体層１０上において、互いに離間して配置されている。放電誘発部１３は、第一放電電極６８と第二放電電極６９とを接続している。

第一放電電極６８は、引出部６８ａと対向部６８ｂとを有している。引出部６８ａは、絶縁体層１０の短手方向に延在している。対向部６８ｂは、絶縁体層１０の長手方向に延在している。引出部６８ａと、対向部６８ｂとは、一体的に形成されている。第一放電電極６８は、Ｌ字状を呈している。引出部６８ａは、側面４ｆに露出しており、外部電極４５と接続されている。すなわち、第一放電電極６８は、外部電極４５を通して、第一コイルＬ２_１の他端Ｅ２_２と電気的に接続される。対向部６８ｂは、第二放電電極６９と対向している。

第二放電電極６９は、絶縁体層１０の長手方向に延在している。第二放電電極６９は、引出部６９ａと、対向部６９ｂと、を有している。引出部６９ａは、端面４ａに露出しており、外部電極４１と接続されている。対向部６９ｂは、第一放電電極６８の対向部６８ｂと、絶縁体層１０の短手方向で対向している。

第一放電電極６８と第二放電電極６９とは、対向部６８ｂと対向部６９ｂとが対向するように、互いに離間して配置されている。対向部６８ｂと対向部６９ｂとの間に、ギャップ部ＧＰ２_３が形成される（図８参照）。外部電極４１及び外部電極４５の間に所定以上の電圧が印加されると、第一放電電極６８と第二放電電極６９との間のギャップ部ＧＰ２_３において、放電が生じる。ギャップ部ＧＰ２_３の幅は、所望の放電特性が得られるように、所定の値に設定されている。

放電誘発部１３は、第一放電電極６８の対向部６８ｂ及び第二放電電極６９の対向部６９ｂ同士を接続するように、第一放電電極６８と第二放電電極６９とに接している。すなわち、放電誘発部１３は、第一及び第二放電電極６８，６９における互いに対向する部分同士を接続するように形成され、第一放電電極６８と第二放電電極６９との間の放電を発生し易くする機能を有する。

空洞部１４は、第三ＥＳＤサプレッサＳＰ２_３の位置において、素体４内に形成されている（図８及び図１０参照）。空洞部１４を画成する面は、第一及び第二放電電極６８，６９（対向部６８ｂ，６９ｂ）並びに放電誘発部１３（対向部６８ｂ，６９ｂから露出する部分）の表面１３ａと、当該表面１３ａに対向する面１４ｂと、を含んでいる。空洞部１４は、積層方向から見て、放電誘発部１３の全体を覆うように位置している。空洞部１４は、対向部６８ｂ，６９ｂと、放電誘発部１３（対向部６８ｂ，６９ｂから露出する部分）と、に接している。空洞部１４は、放電時における第一放電電極６８、第二放電電極６９、絶縁体層１０及び放電誘発部１３の熱膨張を吸収する機能を有する。

保護部１５は、放電誘発部１３と空洞部１４とを囲むように素体４内に配置されている。これにより、保護部１５は、対向部６８ｂ，６９ｂも囲むように素体４内に配置されていることとなる。

第四ＥＳＤサプレッサＳＰ２_４は、第一放電電極７２及び第二放電電極６９と、放電誘発部１３と、空洞部１４と、保護部１５と、を備えている。第一放電電極７２と第二放電電極６９とは、同一の絶縁体層１０上において、互いに離間して配置されている。放電誘発部１３は、第一放電電極７２と第二放電電極６９とを接続している。

第一放電電極７２は、引出部７２ａと対向部７２ｂとを有している。引出部７２ａは、絶縁体層１０の短手方向に延在している。対向部７２ｂは、絶縁体層１０の長手方向に延在している。引出部７２ａと、対向部７２ｂとは、一体的に形成されている。第一放電電極７２は、Ｌ字状を呈している。引出部７２ａは、側面４ｅに露出しており、外部電極４４と接続されている。すなわち、第一放電電極７２は、外部電極４４を通して、第二コイルＬ２_２の一端Ｅ２_３と電気的に接続される。対向部７２ｂは、第二放電電極６９と対向している。

第二放電電極６９は、引出部６９ｃと、対向部６９ｄと、を有している。引出部６９ｃは、端面４ｂに露出しており、外部電極４２と接続されている。対向部６９ｄは、第一放電電極７２の対向部７２ｂと、絶縁体層１０の短手方向で対向している。引出部６９ａ，６９ｃと、対向部６９ｂ，６９ｄとは、一体的に形成されている。

第一放電電極７２と第二放電電極６９とは、対向部７２ｂと対向部６９ｄとが対向するように、互いに離間して配置されている。対向部７２ｂと対向部６９ｄとの間に、ギャップ部ＧＰ２_４が形成される（図９参照）。外部電極４２及び外部電極４４の間に所定以上の電圧が印加されると、第一放電電極７２と第二放電電極６９との間のギャップ部ＧＰ２_４において、放電が生じる。ギャップ部ＧＰ２_４の幅は、所望の放電特性が得られるように、所定の値に設定されている。

放電誘発部１３は、第一放電電極７２の対向部７２ｂ及び第二放電電極６９の対向部６９ｄ同士を接続するように、第一放電電極７２と第二放電電極６９とに接している。すなわち、放電誘発部１３は、第一及び第二放電電極７２，６９における互いに対向する部分同士を接続するように形成され、第一放電電極７２と第二放電電極６９との間の放電を発生し易くする機能を有する。

空洞部１４は、第四ＥＳＤサプレッサＳＰ２_４の位置において、素体４内に形成されている（図９参照）。空洞部１４を画成する面は、第一及び第二放電電極７２，６９（対向部７２ｂ，６９ｄ）並びに放電誘発部１３（対向部７２ｂ，６９ｄから露出する部分）の表面１３ａと、当該表面１３ａに対向する面１４ｂと、を含んでいる。空洞部１４は、積層方向から見て、放電誘発部１３の全体を覆うように位置している。空洞部１４は、対向部７２ｂ，６９ｄと、放電誘発部１３（対向部７２ｂ，６９ｄから露出する部分）と、に接している。空洞部１４は、放電時における第一放電電極７２、第二放電電極６９、絶縁体層１０及び放電誘発部１３の熱膨張を吸収する機能を有する。

保護部１５は、放電誘発部１３と空洞部１４とを囲むように素体４内に配置されている。これにより、保護部１５は、対向部７２ｂ，６９ｄも囲むように素体４内に配置されていることとなる。

第２実施形態においても、絶縁体層１０（素体４）を構成する電気絶縁材料よりも耐電圧が高い電気絶縁材料からなる保護部１５が、放電誘発部１３と空洞部１４とを囲んでいる。これにより、素体４が、直接、放電に曝されることが防止され、素体４の絶縁劣化が抑制される。この結果、第一コイルＬ２_１及び第二コイルＬ２_２（コモンモードフィルタ）は所望の電気的特性を確保することができる。

（第３実施形態）
次に、図６及び図１１〜図１４を参照して、第３実施形態に係る静電気保護部品ＥＰ３の構成を説明する。図１１は、第３実施形態に係る静電気保護部品が備える素体の構成を示す分解斜視図である。図１２は、第３実施形態に係る静電気保護部品の、第一ＥＳＤサプレッサ及び第二ＥＳＤサプレッサを含む断面構成を示す図である。図１３は、第３実施形態に係る静電気保護部品の、第三ＥＳＤサプレッサ及び第四ＥＳＤサプレッサを含む断面構成を示す図である。図１４は、第３実施形態に係る静電気保護部品の、第一ＥＳＤサプレッサ及び第三ＥＳＤサプレッサを含む断面構成を示す図である。

静電気保護部品ＥＰ３は、図６及び図１１〜図１４に示されるように、素体４と、素体４の外表面に配置された複数の外部電極４１〜外部電極４６と、を備えている。静電気保護部品ＥＰ３は、第一コイルＬ３_１及び第二コイルＬ３_２、第一ＥＳＤサプレッサ（ＥＳＤ吸収素子）ＳＰ３_１、第二ＥＳＤサプレッサ（ＥＳＤ吸収素子）ＳＰ３_２、第三ＥＳＤサプレッサ（ＥＳＤ吸収素子）ＳＰ３_３、及び第四ＥＳＤサプレッサ（ＥＳＤ吸収素子）ＳＰ３_４、並びに、第一コンデンサＣ３_１、第二コンデンサＣ３_２、第三コンデンサＣ３_３、及び第四コンデンサＣ３_４を備えている。第一及び第二コイルＬ３_１，Ｌ３_２と、第一〜第四ＥＳＤサプレッサＳＰ２_１〜ＳＰ２_４と、第一〜第四コンデンサＣ３_１〜Ｃ３_４とは、素体４の内部に配置されている。第一〜第四ＥＳＤサプレッサＳＰ３_１〜ＳＰ３_４は、ＥＳＤ吸収性能を有する。静電気保護部品ＥＰ２は、第一〜第四ＥＳＤサプレッサＳＰ３_１〜ＳＰ３_４以外の受動素子として、一及び第二コイルＬ３_１，Ｌ３_２及び第一〜第四コンデンサＣ３_１〜Ｃ３_４を備えている。第一及び第二コイルＬ３_１，Ｌ３_２及び第一〜第四コンデンサＣ３_１〜Ｃ３_４は、いわゆるＬＣフィルタを構成している。

第一コイルＬ３_１と第二コイルＬ３_２とは、絶縁体層１０の積層方向において、第一〜第四ＥＳＤサプレッサＳＰ３_１〜ＳＰ３_４と第一〜第四コンデンサＣ３_１〜Ｃ３_４との間に配置されている。

第一コイルＬ３_１は、複数の内部導体７５_１〜７８_１の端部同士が、内部導体７５_１〜７８_１のそれぞれ間に位置する複数のスルーホール導体７９_１〜８１_１で接続されることにより構成されている。複数の内部導体７５_１〜７８_１は、素体４の内部において、絶縁体層１０の積層方向に併置されている。複数の内部導体７５_１〜７８_１は、絶縁体層１０の積層方向において、素体４の側面４ｃに近い方から、内部導体７５_１、内部導体７６_１、内部導体７７_１、内部導体７８_１の順に位置している。

スルーホール導体７９_１は、内部導体７５_１と内部導体７６_１との間に位置し、内部導体７５_１と内部導体７６_１とを電気的に接続する。スルーホール導体８０_１は、内部導体７６_１と内部導体７７_１との間に位置し、内部導体７６_１と内部導体７７_１とを電気的に接続する。スルーホール導体８１_１は、内部導体７７_１と内部導体７８_１との間に位置し、内部導体７７_１と内部導体７８_１とを電気的に接続する。各スルーホール導体７９_１〜８１_１は、第一コイルＬ３_１の一部として機能する。

内部導体７８_１の端部７８ａ_１は、素体４の側面４ｅに露出しており、外部電極４３に接続されている。内部導体７５_１の端部７５ａ_１は、素体４の側面４ｆに露出しており、外部電極４５に接続されている。内部導体７８_１の端部７８ａ_１は第一コイルＬ３_１の一端Ｅ３_１に対応し、内部導体７５_１の端部７５ａ_１は第一コイルＬ３_１の他端Ｅ３_２に対応する。第一コイルＬ３_１は、各外部電極４３，４５と電気的に接続されている。

第二コイルＬ３_２は、複数の内部導体７５_２〜７８_２の端部同士が、内部導体７５_２〜７８_２のそれぞれ間に位置する複数のスルーホール導体７９_２〜８１_２で接続されることにより構成されている。複数の内部導体７５_２〜７８_２は、素体４の内部において、絶縁体層１０の積層方向に併置されている。各内部導体７５_２〜７８_２は、各内部導体７５_１〜７８_１と、それぞれ同一の絶縁体層１０上に配置されている。複数の内部導体７５_２〜７８_２は、絶縁体層１０の積層方向において、素体４の側面４ｃに近い方から、内部導体７５_２、内部導体７６_２、内部導体７７_２、内部導体７８_２の順に位置している。

スルーホール導体７９_２は、内部導体７５_２と内部導体７６_２との間に位置し、内部導体７５_２と内部導体７６_２とを電気的に接続する。スルーホール導体８０_２は、内部導体７６_２と内部導体７７_２との間に位置し、内部導体７６_２と内部導体７７_２とを電気的に接続する。スルーホール導体８１_２は、内部導体７７_２と内部導体７８_２との間に位置し、内部導体７７_２と内部導体７８_２とを電気的に接続する。各スルーホール導体７９_２〜８１_２は、第二コイルＬ３_２の一部として機能する。

内部導体７８_２の端部７８ａ_２は、素体４の側面４ｅに露出しており、外部電極４４に接続されている。内部導体７５_２の端部７５ａ_２は、素体４の側面４ｆに露出しており、外部電極４６に接続されている。内部導体７８_２の端部７８ａ_２は第二コイルＬ３_２の一端Ｅ３_３に対応し、内部導体７５_２の端部７５ａ_２は第二コイルＬ３_２の他端Ｅ３_４に対応する。第二コイルＬ３_２は、各外部電極４４，４６と電気的に接続されている。

第一ＥＳＤサプレッサＳＰ３_１、第二ＥＳＤサプレッサＳＰ３_２、第三ＥＳＤサプレッサＳＰ３_３、及び第四ＥＳＤサプレッサＳＰ３_４は、同じ層に位置している。第一〜第四ＥＳＤサプレッサＳＰ３_１〜ＳＰ３_４は、絶縁体層１０の積層方向において、第一及び第二コイルＬ３_１，Ｌ３_２よりも側面４ｄに近い。

第一ＥＳＤサプレッサＳＰ３_１は、第一放電電極８２及び第二放電電極８４と、放電誘発部１３と、空洞部１４と、保護部１５と、を備えている。第一放電電極８２と第二放電電極８４とは、同一の絶縁体層１０上において、互いに離間して配置されている。放電誘発部１３は、第一放電電極８２と第二放電電極８４とを接続している。第二ＥＳＤサプレッサＳＰ３_２は、第一放電電極８３及び第二放電電極８４と、放電誘発部１３と、空洞部１４と、保護部１５と、を備えている。第一放電電極８３と第二放電電極８４とは、同一の絶縁体層１０上において、互いに離間して配置されている。放電誘発部１３は、第一放電電極８３と第二放電電極８４とを接続している。

第一放電電極８２は、引出部８２ａと対向部８２ｂとを有している。引出部８２ａは、絶縁体層１０の短手方向に延在している。対向部８２ｂは、絶縁体層１０の長手方向に延在している。引出部８２ａと、対向部８２ｂとは、一体的に形成されている。第一放電電極８２は、Ｌ字状を呈している。引出部８２ａは、側面４ｅに露出しており、外部電極４３と接続されている。すなわち、第一放電電極８２は、外部電極４３を通して、第一コイルＬ３_１の一端と電気的に接続される。対向部８２ｂは、第二放電電極８４と対向している。

第一放電電極８３は、引出部８３ａと対向部８３ｂとを有している。引出部８３ａは、絶縁体層１０の短手方向に延在している。対向部８３ｂは、絶縁体層１０の長手方向に延在している。引出部８３ａと、対向部８３ｂとは、一体的に形成されている。第一放電電極８３は、Ｌ字状を呈している。引出部８３ａは、側面４ｆに露出しており、外部電極４５と接続されている。すなわち、第一放電電極８３は、外部電極４５を通して、第一コイルＬ３_１の他端と電気的に接続される。対向部８３ｂは、第二放電電極８４と対向している。

第二放電電極８４は、絶縁体層１０の長手方向に延在している。第二放電電極８４は、引出部８４ａと、対向部８４ｂと、を有している。引出部８４ａは、端面４ａに露出しており、外部電極４１と接続されている。対向部８４ｂは、第一放電電極８２，８３の対向部８２ｂ，８３ｂと、絶縁体層１０の短手方向で対向している。

第一放電電極８２と第二放電電極８４とは、対向部８２ｂと対向部８４ｂとが対向するように、互いに離間して配置されている。対向部８２ｂと対向部８４ｂとの間に、ギャップ部ＧＰ３_１が形成される（図１２参照）。外部電極４１及び外部電極４３の間に所定以上の電圧が印加されると、第一放電電極８２と第二放電電極８４との間のギャップ部ＧＰ３_１において、放電が生じる。ギャップ部ＧＰ３_１の幅は、所望の放電特性が得られるように、所定の値に設定されている。

第一放電電極８３と第二放電電極８４とは、対向部８３ｂと対向部８４ｂとが対向するように、互いに離間して配置されている。対向部８３ｂと対向部８４ｂとの間に、ギャップ部ＧＰ３_２が形成される（図１２参照）。外部電極４１及び外部電極４５の間に所定以上の電圧が印加されると、第一放電電極８３と第二放電電極８４との間のギャップ部ＧＰ３_２において、放電が生じる。ギャップ部ＧＰ３_２の幅は、所望の放電特性が得られるように、所定の値に設定されている。

放電誘発部１３は、第一放電電極８２，８３の対向部８２ｂ，８３ｂ及び第二放電電極８４の対向部８４ｂ同士を接続するように、第一放電電極８２，８３と第二放電電極８４とに接している。すなわち、放電誘発部１３は、第一及び第二放電電極８２，８３，８４における互いに対向する部分同士を接続するように形成され、第一放電電極８２，８３と第二放電電極８４との間の放電を発生し易くする機能を有する。

空洞部１４は、第一及び第二ＥＳＤサプレッサＳＰ２_１，ＳＰ２_２の位置において、素体４内に形成されている（図１２及び図１４参照）。空洞部１４を画成する面は、第一及び第二放電電極８２，８３，８４（対向部８２ｂ，８３ｂ，８４ｂ）並びに放電誘発部１３（対向部８２ｂ，８３ｂ，８４ｂから露出する部分）の表面１３ａと、当該表面１３ａに対向する面１４ｂと、を含んでいる。空洞部１４は、積層方向から見て、放電誘発部１３の全体を覆うように位置している。空洞部１４は、対向部８２ｂ，８３ｂ，８４ｂと、放電誘発部１３（対向部８２ｂ，８３ｂ，８４ｂから露出する部分）と、に接している。空洞部１４は、放電時における第一放電電極８２，８３、第二放電電極８４、絶縁体層１０及び放電誘発部１３の熱膨張を吸収する機能を有する。

保護部１５は、放電誘発部１３と空洞部１４とを囲むように素体４内に配置されている。これにより、保護部１５は、対向部８２ｂ，８３ｂ，８４ｂも囲むように素体４内に配置されていることとなる。

第三ＥＳＤサプレッサＳＰ３_３は、第一放電電極８７及び第二放電電極８４と、放電誘発部１３と、空洞部１４と、保護部１５と、を備えている。第一放電電極８７と第二放電電極８４とは、同一の絶縁体層１０上において、互いに離間して配置されている。放電誘発部１３は、第一放電電極８７と第二放電電極８４とを接続している。第四ＥＳＤサプレッサＳＰ３_４は、第一放電電極８８及び第二放電電極８４と、放電誘発部１３と、空洞部１４と、保護部１５と、を備えている。第一放電電極８８と第二放電電極８４とは、同一の絶縁体層１０上において、互いに離間して配置されている。放電誘発部１３は、第一放電電極８８と第二放電電極８４とを接続している。

第一放電電極８７は、引出部８７ａと対向部８７ｂとを有している。引出部８７ａは、絶縁体層１０の短手方向に延在している。対向部８７ｂは、絶縁体層１０の長手方向に延在している。引出部８７ａと、対向部８７ｂとは、一体的に形成されている。第一放電電極８７は、Ｌ字状を呈している。引出部８７ａは、側面４ｅに露出しており、外部電極４４と接続されている。すなわち、第一放電電極８７は、外部電極４４を通して、第二コイルＬ３_２の一端と電気的に接続される。対向部８７ｂは、第二放電電極８４と対向している。

第一放電電極８８は、引出部８８ａと対向部８８ｂとを有している。引出部８８ａは、絶縁体層１０の短手方向に延在している。対向部８８ｂは、絶縁体層１０の長手方向に延在している。引出部８８ａと、対向部８８ｂとは、一体的に形成されている。第一放電電極８８は、Ｌ字状を呈している。引出部８８ａは、側面４ｆに露出しており、外部電極４６と接続されている。すなわち、第一放電電極８８は、外部電極４６を通して、第二コイルＬ３_２の他端と電気的に接続される。対向部８３ｂは、第二放電電極８４と対向している。

第二放電電極８４は、絶縁体層１０の長手方向に延在している。第二放電電極８４は、引出部８４ｃと、対向部８４ｄと、を有している。引出部８４ｃは、端面４ｂに露出しており、外部電極４２と接続されている。対向部８４ｄは、第一放電電極８７，８８の対向部８７ｂ，８８ｂと、絶縁体層１０の短手方向で対向している。

第一放電電極８７と第二放電電極８４とは、対向部８７ｂと対向部８４ｄとが対向するように、互いに離間して配置されている。対向部８７ｂと対向部８４ｄとの間に、ギャップ部ＧＰ３_３が形成される（図１３参照）。外部電極４２及び外部電極４４の間に所定以上の電圧が印加されると、第一放電電極８７と第二放電電極８４との間のギャップ部ＧＰ３_３において、放電が生じる。ギャップ部ＧＰ３_３の幅は、所望の放電特性が得られるように、所定の値に設定されている。

第一放電電極８８と第二放電電極８４とは、対向部８８ｂと対向部８４ｄとが対向するように、互いに離間して配置されている。対向部８８ｂと対向部８４ｄとの間に、ギャップ部ＧＰ３_４が形成される（図１３参照）。外部電極４２及び外部電極４６の間に所定以上の電圧が印加されると、第一放電電極８８と第二放電電極８４との間のギャップ部ＧＰ３_４において、放電が生じる。ギャップ部ＧＰ３_４の幅は、所望の放電特性が得られるように、所定の値に設定されている。

放電誘発部１３は、第一放電電極８７，８８の対向部８７ｂ，８８ｂ及び第二放電電極８４の対向部８４ｄ同士を接続するように、第一放電電極８７，８８と第二放電電極８４とに接している。すなわち、放電誘発部１３は、第一及び第二放電電極８７，８８，８４における互いに対向する部分同士を接続するように形成され、第一放電電極８７，８８と第二放電電極８４との間の放電を発生し易くする機能を有する。

空洞部１４は、第３及び第四ＥＳＤサプレッサＳＰ２_３，ＳＰ２_４の位置において、素体４内に形成されている（図１３及び図１４参照）。空洞部１４を画成する面は、第一及び第二放電電極８７，８８，８４（対向部８７ｂ，８８ｂ，８４ｄ）並びに放電誘発部１３（対向部８７ｂ，８８ｂ，８４ｄから露出する部分）の表面１３ａと、当該表面１３ａに対向する面１４ｂと、を含んでいる。空洞部１４は、積層方向から見て、放電誘発部１３の全体を覆うように位置している。空洞部１４は、対向部８７ｂ，８８ｂ，８４ｄと、放電誘発部１３（対向部８７ｂ，８８ｂ，８４ｄから露出する部分）と、に接している。空洞部１４は、放電時における第一放電電極８７，８８、第二放電電極８４、絶縁体層１０及び放電誘発部１３の熱膨張を吸収する機能を有する。

保護部１５は、放電誘発部１３と空洞部１４とを囲むように素体４内に配置されている。これにより、保護部１５は、対向部８７ｂ，８８ｂ，８４ｄも囲むように素体４内に配置されていることとなる。

第３実施形態においても、絶縁体層１０（素体４）を構成する電気絶縁材料よりも耐電圧が高い電気絶縁材料からなる保護部１５が、放電誘発部１３と空洞部１４とを囲んでいる。これにより、素体４が、直接、放電に曝されることが防止され、素体４の絶縁劣化が抑制される。この結果、第一及び第二コイルＬ３_１，Ｌ３_２及び第一〜第四コンデンサＣ３_１〜Ｃ３_４（ＬＣフィルタ）は所望の電気的特性を確保することができる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、各請求項に記載した要旨を変更しない範囲で変形し、又は他のものに適用したものであってもよい。

第一放電電極１１，６１，６５，６８，７２，８２，８３，８７，８８及び第二放電電極１２，６２，６９，８４の構成は、図２、図７及び図１１に示された構成に限定されず、形状、長さ、及び幅が適宜変更されていてもよい。

静電気保護部品ＥＰ１，ＥＰ２，ＥＰ３が備えるＥＳＤサプレッサＳＰ１，ＳＰ２_１〜ＳＰ２_４，ＳＰ３_１〜ＳＰ３_４の数も、図２、図７及び図１１に示された数に限定されず、ＥＳＤサプレッサＳＰ１，ＳＰ２_１〜ＳＰ２_４，ＳＰ３_１〜ＳＰ３_４の数は適宜変更されていてもよい。

静電気保護部品ＥＰ１，ＥＰ２，ＥＰ３は、ＥＳＤ吸収素子（ＥＳＤサプレッサＳＰ１、第一〜第四ＥＳＤサプレッサＳＰ１，ＳＰ２_１〜ＳＰ２_４，ＳＰ３_１〜ＳＰ３_４、及び第一〜第四ＥＳＤサプレッサＳＰ１，ＳＰ２_１〜ＳＰ２_４，ＳＰ３_１〜ＳＰ３_４）以外の受動素子として、コイル（コイルＬ１並びに第一及び第二コイルＬ２_１，Ｌ２_２，Ｌ３_１，Ｌ３_２）又はコンデンサ（第一〜第四コンデンサＣ３_１〜Ｃ３_４）を備えているが、静電気保護部品は、コイル又はコンデンサ以外の受動素子を備えていてもよい。

静電気保護部品は、ＥＳＤ吸収素子とは異なる受動素子として、コンデンサのみを備えていてもよい。この場合、素体４（絶縁体層１０）は、電気絶縁材料としての誘電体材料（ＢａＴｉＯ_３系、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ_３系、又は（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ_３系などの誘電体セラミック）から構成されていてもよい。素体４が上述した誘電体材料からなる場合、保護部１５は、上述した誘電体材料よりも耐電圧が高い電気絶縁材料により構成される。これにより、誘電体材料からなる素体４が、直接、放電に曝されることが防止され、素体４の絶縁劣化を抑制することができる。保護部１５を構成する電気絶縁材料には、ホウケイ酸ガラス又はフォルステライトなどが用いられる。ホウケイ酸ガラスとして、上述した特開２００９−２９８６８４号公報に記載された誘電体磁器組成物又は特許第２６４１５２１号公報に記載された絶縁性磁器組成物などを用いることができる。

素体４（絶縁体層１０）が、保護部１５を構成する電気絶縁材料により構成されていると、上述したように、素体４の絶縁劣化は抑制される。しかしながら、素体４を構成する電気絶縁材料が保護部１５を構成する電気絶縁材料である場合、コンデンサにて、所望の電気的特性（たとえば、静電容量値など）を確保することは難しい。

４…素体、１０…絶縁体層、１１，１２，６１，６２，６５，６８，６９，７２，８２，８３，８４，８７，８８…第一〜第二放電電極、１１ｂ，１２ｂ，６１ｂ，６２ｂ，６２ｄ，６５ｂ，６８ｂ，６９ｂ，６９ｄ，７２ｂ，８２ｂ，８３ｂ，８４ｂ，８４ｄ，８７ｂ，８８ｂ…対向部、１３…放電誘発部、１４…空洞部、１５…保護部、１６…相互拡散層、Ｃ３_１〜Ｃ３_４…第一〜第四コンデンサ、ＥＰ１〜ＥＰ３…静電気保護部品、Ｌ１…コイル、Ｌ２_１，Ｌ２_２，Ｌ３_１，Ｌ３_２…第一〜第二コイル、ＳＰ１…ＥＳＤサプレッサ、ＳＰ２_１〜ＳＰ２_４，ＳＰ３_１〜ＳＰ３_４…第一〜第四サプレッサ。

Claims (6)

1. 第一電気絶縁材料からなる素体と、
   前記素体内に配置されているＥＳＤ吸収素子と、
   前記素体内に配置され、前記ＥＳＤ吸収素子とは異なる受動素子と、を備え、
   前記ＥＳＤ吸収素子は、
   互いに離間するように前記素体内に配置されている第一及び第二放電電極と、
   前記素体内に配置され、前記第一及び第二放電電極における互いに対向する部分同士を接続するように前記第一及び第二放電電極に接している放電誘発部と、
   前記第一及び第二放電電極における互いに対向する前記部分同士と前記放電誘発部とに接するように前記素体内に形成されている空洞部と、
   前記第一電気絶縁材料よりも耐電圧が高い第二電気絶縁材料からなり、前記放電誘発部と前記空洞部とを囲むように前記素体内に配置されている保護部と、を備えていることを特徴とする静電気保護部品。
2. 前記保護部は、前記第一及び第二放電電極における互いに対向する前記部分同士も囲むように前記素体内に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の静電気保護部品。
3. 前記素体と前記保護部との間に、前記第一電気絶縁材料の元素と前記第二電気絶縁材料の元素とが相互に拡散した相互拡散層が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の静電気保護部品。
4. 前記第一電気絶縁材料が、フェライト材料であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の静電気保護部品。
5. 前記第二電気絶縁材料が、ガラス成分を含有するセラミック材料であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の静電気保護部品。
6. 前記受動素子が、コイル及びコンデンサのうち少なくとも一方であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の静電気保護部品。

Images