JP2015138557A - 透明導電体の製造方法、これに使用されるプレッシングロール、透明導電体の製造方法によって製造された透明導電体及びこれを含む表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】金属ナノワイヤの剥離、金属ナノワイヤ層のスクラッチを抑制するプレッシングを含む透明導電体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一具現例によれば、基材層、及び前記基材層上に形成された金属ナノワイヤを含む導電性ネットワーク;を含む積層体を、表面硬度がショアD硬度でD−50〜D−90である第1のプレッシングロールでプレッシングすることを含む透明導電体の製造方法を構成する。本発明によれば、金属ナノワイヤの剥離、スクラッチを抑制するプレッシングを含む透明導電体の製造方法を提供し、面抵抗偏差が低い透明導電体の製造方法を提供し、外観が良好な透明導電体の製造方法を提供することができる。
【選択図】図1
【解決手段】本発明の一具現例によれば、基材層、及び前記基材層上に形成された金属ナノワイヤを含む導電性ネットワーク;を含む積層体を、表面硬度がショアD硬度でD−50〜D−90である第1のプレッシングロールでプレッシングすることを含む透明導電体の製造方法を構成する。本発明によれば、金属ナノワイヤの剥離、スクラッチを抑制するプレッシングを含む透明導電体の製造方法を提供し、面抵抗偏差が低い透明導電体の製造方法を提供し、外観が良好な透明導電体の製造方法を提供することができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、透明導電体の製造方法、これに使用されるプレッシングロール、透明導電体の製造方法によって製造された透明導電体及びこれを含む表示装置に関する。
透明導電体は、ディスプレイ装置に含まれるタッチスクリーンパネル、フレキシブルディスプレイなどの多方面に使用されている。透明導電体は、透明性、面抵抗などの物性が優秀でなければならない。透明導電体は、基材層及び導電層を含む積層体であってもよい。この場合、前記導電層は、基材層上に形成され、金属ナノワイヤ及びマトリックスを含む。
特に、透明導電体は、導電性が高くなければならないと同時に、面抵抗偏差が低くなければならない。このために、透明導電体は、プレッシングする方法で製造することができる。前記プレッシングは、プレッシングロールを用いて基材層及び導電層を含む積層体を圧着する方法である。従来のプレッシング方法では、ゴム材質のプレッシングロールを使用していた。しかし、ゴム材質のプレッシングロールは、金属ナノワイヤを剥離させたり、透明導電体の表面のスクラッチを発生させ得る。そのため、従来の透明導電体の製造方法は、透明導電体の面抵抗偏差が高く、且つ導電性が低く、外観品質も低いという問題を有していた。
これと関連して、特許文献1では、透明導電体の製造方法を開示している。
本発明の目的は、金属ナノワイヤの剥離、金属ナノワイヤ層のスクラッチを抑制するプレッシングを含む透明導電体の製造方法を提供することにある。本発明の他の目的は、面抵抗偏差が低い透明導電体の製造方法を提供することにある。本発明の更に他の目的は、外観が良好な透明導電体の製造方法を提供することにある。さらに、本発明の更に他の目的は、当該製造方法に使用されるプレッシングロール、当該製造方法によって製造された透明導電体、及び当該透明導電体を含む表示装置を提供することにある。
本発明の一具現例は、基材層;及び前記基材層上に形成された金属ナノワイヤを含む導電性ネットワーク;を含む積層体を、表面硬度が、ショアD硬度でD−50〜D−90である第1のプレッシングロールでプレッシングすることを含む透明導電体の製造方法に関する。
前記第1のプレッシングロールの摩擦係数は0.8未満であってもよい。
前記第1のプレッシングロールは、加硫含量20質量%以上の加硫ゴム材質で形成されてもよい。
前記プレッシングは、前記第1のプレッシングロールと所定間隔で対向する第2のプレッシングロールをさらに用いて行ってもよい。
前記第2のプレッシングロールのショアD硬度は、前記第1のプレッシングロールのショアD硬度より高くてもよい。
前記第2のプレッシングロールは、SUSロールまたはSUSにCrがコーティングされたロールであってもよい。
前記第1のプレッシングロール及び前記第2のプレッシングロールが積層体に加えるプレッシング圧力は、0.2MPa〜10MPaであってもよい。
前記プレッシングの後に、前記導電性ネットワーク上にマトリックス用組成物を塗布して硬化させ、導電層を形成することをさらに含んでもよい。
前記導電層をパターン化するステップをさらに含んでもよい。
前記金属ナノワイヤは、銀ナノワイヤを含んでもよい。
本発明の他の具現例は、表面硬度が、ショアD硬度でD−50〜D−90である第1のプレッシングロール、及び前記第1のプレッシングロールと対向して設置された第2のプレッシングロールを含み、基材層;及び前記基材層上に形成された金属ナノワイヤを含む導電性ネットワークを含む積層体をプレッシングする、透明導電体製造用プレッシングロールに関する。
本発明の更に他の具現例は、基材層;及び前記基材層上に形成され、金属ナノワイヤ及びマトリックスを含む導電層;を含み、下記の式1による面抵抗偏差が20%未満である透明導電体に関する。
[式1]
面抵抗偏差(RSd)=│(RSmax−RSavg)/RSavg×100│
面抵抗偏差(RSd)=│(RSmax−RSavg)/RSavg×100│
前記式1において、最大面抵抗(RSmax)は、複数の区画から測定された各面抵抗値のうち最も大きな値で、面抵抗平均値(RSavg)は、複数の区画から測定された各面抵抗値のうち最大値(RSmax)と最小値(RSmin)の平均値で、前記最小値(RSmin)は、複数の区画から測定された各面抵抗値のうち最も小さい値である。
前記透明導電体は、基材層、及び前記基材層上に形成された金属ナノワイヤを含む導電性ネットワークを含む積層体を形成した後に、前記積層体を、表面硬度が、ショアD硬度でD−50〜D−90である第1のプレッシングロールでプレッシングすることで製造することができる。
前記マトリックスは、6官能のアクリレート系モノマー及び3官能のアクリレート系モノマーを含む組成物で形成されてもよい。
前記プレッシングは、前記第1のプレッシングロールと所定間隔で対向する第2のプレッシングロールをさらに用いて行うことを含んでもよい。
本発明の更に他の具現例は、上述した透明導電体を含む表示装置に関する。
前記表示装置は、タッチスクリーン、フレキシブルディスプレイなどを含む光学表示装置であってもよい。
本発明によれば、金属ナノワイヤの剥離、スクラッチを抑制するプレッシングを含む透明導電体の製造方法を提供し、面抵抗偏差が低い透明導電体の製造方法を提供し、外観が良好な透明導電体の製造方法を提供することができる。
添付の図面を参考にして、本発明の実施形態を、本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者が本発明を容易に実施できるように詳細に説明する。本発明は、多様な形態で具現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。図面において、本発明を明確に説明するために説明と関係のない部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似する構成要素に対しては、同一の図面符号を付した。
本明細書において、「(メタ)アクリレート」とは、アクリレート及び/又はメタクリレートを意味し得る。
以下、図1を参考にして本発明の一実施形態に係る透明導電体の製造方法を説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る透明導電体の製造装置100の模式図である。製造装置100は、本発明に係る透明導電体の製造方法を具現する装置の一例である。
図1を参照すると、本発明の一実施形態に係る透明導電体の製造装置100は、基材層110と、基材層110及び導電性ネットワーク120を含む積層体(以下、積層体という)を第1のプレッシングロール130でプレッシングする。ここで、導電性ネットワーク120は、金属ナノワイヤを含む。一実施形態の透明導電体の製造装置100は、導電性ネットワーク120を第1のプレッシングロール130でプレッシングすることによって、金属ナノワイヤの稠密度を向上させることができる。この場合、透明導電体は、導電性が向上し、面抵抗偏差が低いので通電性が優秀になる。
第1のプレッシングロール130は、プレッシング過程で導電性ネットワーク120と接触する。プレッシングを行う第1のプレッシングロール130の表面硬度は、ショアD硬度でD−50〜D−90である。これによって、一実施形態の製造装置100は、導電性ネットワーク120の金属ナノワイヤの剥離現象を防止し、積層体の表面にスクラッチが発生することを抑制することができる。
本明細書において、プレッシングロールのショアD硬度は、ASTM D2240に規定された方法で測定する。
第1のプレッシングロールのショアD硬度は、例えば、D−75〜D−90になってもよい。この場合にも、積層体の表面にスクラッチが発生することをさらに抑制することができる。その結果、プレッシング後に形成される透明導電体の面抵抗偏差がさらに低くなり、導電性がさらに向上し得る。
第1のプレッシングロール130を用いてプレッシングされて製造される透明導電体は、面抵抗偏差が20%未満になってもよい。例えば、透明導電体の面抵抗偏差は、16%以下に低くなってもよい。前記面抵抗偏差の範囲を有する透明導電体は、反り及び面積拡大による抵抗の増加が低下し得る。このような透明導電体は、大面積ディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、タッチスクリーンパネルなどに適用するのに有利である。
本明細書において、透明導電体の面抵抗偏差は、透明導電体の面積を分画した後で測定する。具体的に、プレッシングされた透明導電体の面積を、同一の面積を有する複数の区画、例えば、50mm×50mmのサイズに10個の区画に分画した後、前記10個の区画からそれぞれ面抵抗を測定し、10個の面抵抗値を得た後、下記の式1によって計算する。面抵抗は接触式面抵抗または非接触式面抵抗などであってもよい。
例えば、接触式面抵抗は接触式の測定装置R−CHEK RC2175(EDTM社)で測定することができ、非接触式面抵抗は非接触式の測定装置EC−80P(NAPSON社)で測定することができる。
例えば、接触式面抵抗は接触式の測定装置R−CHEK RC2175(EDTM社)で測定することができ、非接触式面抵抗は非接触式の測定装置EC−80P(NAPSON社)で測定することができる。
[式1]
面抵抗偏差(RSd)=│(RSmax−RSavg)/RSavg×100│
面抵抗偏差(RSd)=│(RSmax−RSavg)/RSavg×100│
前記式1において、最大面抵抗(RSmax)は、複数の区画から測定された各面抵抗値のうち最も大きな値で、面抵抗平均値(RSavg)は、複数の区画から測定された各面抵抗値のうち最大値(RSmax)と最小値(RSmin)の平均値である。前記最小値(RSmin)は、複数の区画から測定された各面抵抗値のうち最も小さい値を意味する。
第1のプレッシングロール130は、表面が加硫ゴム材質、SUS(steel use stainless)、またはSUSロールにCrをコーティングした材質で形成されてもよい。具体的に、加硫ゴムは、合成ゴムに約20質量%以上の硫黄を添加したものを意味する。前記合成ゴムは、天然ゴムまたはスチレンブタジエンゴムなどであってもよいが、これに制限されることはない。一具体例において、第1のプレッシングロール130は、エボナイト(ebonite)で形成されてもよい。この場合、透明導電体の金属ナノワイヤの剥離、及び/またはスクラッチの発生率が著しく低下し得る。また、プレッシングによる金属ナノワイヤの圧着効果に優れる。前記エボナイトは、加硫含量が20質量%以上、例えば、30質量%以上であってもよい。
第1のプレッシングロール130は、表面のショアD硬度がD−50〜D−90であれば、内部の硬度、材質、形状などに制限がない。具体的に、第1のプレッシングロールは、中空のロール、または内部が完全に充填されたロールになってもよい。また、第1のプレッシングロール130の内部は、表面と同一の材質で形成されたり、または異なる種の材質で形成されてもよい。
第1のプレッシングロール130としては、摩擦係数が低いものを使用してもよい。この場合、第1のプレッシングロール130は、金属ナノワイヤの剥離をさらに抑制することによって面抵抗偏差をより低下させることができる。例えば、プレッシングロールの摩擦係数は、0.8未満であってもよい。一具体例において、第1のプレッシングロールの摩擦係数は0.08〜0.72であってもよい。前記摩擦係数の範囲では、金属ナノワイヤの剥離の抑制効果が優秀になり得る。また、前記範囲では、プレッシングによる金属ナノワイヤの圧着効果に優れる。この場合、一具体例の製造方法は、透明導電体の面抵抗偏差をより低下させることができる。
第1のプレッシングロール130としては、表面粗度(中心線平均粗さ(算術平均粗さ)Raまたは二乗平均平方根粗さRq)が低いものを使用してもよい。この場合、プレッシングの遂行時に透明導電体に発生するスクラッチの発生を減少させることができる。具体的に、表面粗度は、0.8S以下であってもよい。前記範囲では、プレッシングの遂行時に積層体に発生するスクラッチの発生をさらに減少させることができ、透明導電体の面抵抗偏差をさらに低下させることができる。
なお、プレッシングは、積層体を所定範囲の走行速度で移動させながら第1のプレッシングロール130で積層体に所定範囲のプレッシング圧力を加えることで行われても良い。
具体的に、前記走行速度は、積層体がプレッシングロールを通過する移動速度であって、例えば、1m/min〜20m/minになってもよい。前記範囲で、プレッシングによる面抵抗偏差低下の効果が優秀になり得る。
具体的に、前記プレッシング圧力(nip pressure)は、第1のプレッシングロールが透明導電体に加える圧力であって、例えば、0.2MPa〜10MPaになってもよい。前記範囲で、プレッシングによる面抵抗偏差低下の効果を奏することができる。
図1には示していないが、積層体は、ロール−ツー−ロール(roll−to−roll)方式、またはコンベヤーベルトによる方式で走行されてもよく、これに制限されることはない。
前記プレッシング方法を通じて、基材層110及び導電性ネットワーク120を含む積層体をプレッシングすると、基材層110及び稠密化された金属ナノワイヤを含む導電性ネットワーク160を含む透明導電体を得ることができる。この場合、
性ネットワーク160は、金属ナノワイヤ間の接触が向上し、導電性及び通電性が向上する。
性ネットワーク160は、金属ナノワイヤ間の接触が向上し、導電性及び通電性が向上する。
導電性ネットワーク120の厚さは、例えば、60nm〜200nmになってもよい。前記範囲内では、プレッシングによる金属ナノワイヤの圧着が効果的であるので、透明導電体の面抵抗偏差を低下させることができる。また、前記範囲では、製造される透明導電体を透明電極フィルムとして使用することができる。
一実施形態の製造装置100は、第1のプレッシングロール130の加圧及び回転を用いて積層体の移動を行うことができる。この場合、第1のプレッシングロールの回転速度は、積層体の走行速度によって変わり得る。具体的に、第1のプレッシングロールの回転速度は1m/min〜20m/minにし、第1のプレッシングロールの回転方向は積層体の走行方向と同一の方向に設定することができる。この場合、積層体の移動が容易になり、第1のプレッシングロール130によるプレッシング効果が向上し得る。
図1に示してはいないが、本実施形態に係る透明導電体の製造方法は、プレッシング後、導電性ネットワーク120上にマトリックス形成用組成物を塗布して硬化させ、導電層を形成することをさらに含んでもよい。マトリックスは、外部環境による導電性ネットワーク、例えば、金属ナノワイヤの酸化を防止し、導電性ネットワーク120と基材層110との間の接着力を高めることができる。
また、図1には示していないが、本実施形態に係る透明導電体の製造方法は、導電性ネットワーク上にマトリックス形成用組成物を塗布して硬化させ、導電層を形成した後、透明導電体をパターン化することをさらに含んでもよい。パターン化は、導電層の全体または一部に対して行ってもよく、パターン化により、透明導電体を表示装置の電極フィルムとして使用することができる。前記パターン化は、当業界で知られている通常の方法で行われてもよく、例えば、乾式エッチングまたは湿式エッチングなどの方法で行われてもよい。
以下、図2を参考にして、本発明の他の実施形態に係る透明導電体の製造装置200の構成を説明する。図2は、本発明の他の実施形態に係る透明導電体の製造装置200である。
他の実施形態に係る透明導電体の製造装置200は、透明導電体を第1のプレッシングロール130及び第1のプレッシングロール130と対向する第2のプレッシングロール170でプレッシングすることを含む。本実施形態の透明導電体の製造装置200は、第1のプレッシングロールとこれに対向する第2のプレッシングロール170を共に使用してプレッシングを行う点を除いては、本発明の一実施形態の製造装置100と実質的に同一である。そのため、以下では、第2のプレッシングロール170及び第1のプレッシングロール130と第2のプレッシングロール170との関係を中心に説明する。
第2のプレッシングロール170は、プレッシング時に積層体の基材層110と接触する。この場合、基材層も所定範囲の圧力で加圧することができる。また、第1のプレッシングロール130のみを使用してプレッシングする場合に比べて、積層体をさらに圧着させることによって、面抵抗偏差をさらに低下させ、導電性をさらに高めることができる。
第2のプレッシングロール170は、第1のプレッシングロール130と対向し、第2のプレッシングロール170と第1のプレッシングロール130との間には所定範囲のギャップが形成される。すなわち、ギャップは、第1のプレッシングロール130と第2のプレッシングロール170との間の間隔である。前記積層体は、前記ギャップを通過しながら、第1のプレッシングロール130と第2のプレッシングロール170が加える圧力によってプレッシングされる。ギャップは、積層体の厚さによって適切なサイズに調節できる。具体的に、ギャップは、0μm〜100μm、例えば、50μm〜100μmになってもよい。前記範囲では、導電層内の導電性ネットワークをプレッシングし、導電性の均一度を高める効果が優秀になり得る。
第2のプレッシングロール170は、第1のプレッシングロール130に比べて弾性度が低くなってもよい。具体的に、第2のプレッシングロール170の弾性度は、第1のプレッシングロール130の弾性度の0.1倍〜0.9倍であってもよい。この場合、透明導電体の金属ナノワイヤを圧着する効果がさらに優秀になり、面抵抗偏差をさらに低下させることができる。
一実施形態の第2のプレッシングロール170は、例えば、硬度、表面粗度、及び/または摩擦係数などを第1のプレッシングロール130と同一にしてもよい。他の実施形態の第2のプレッシングロール170は、例えば、硬度、表面粗度、及び/または摩擦係数などを第1のプレッシングロール130と異ならせてもよい。
具体的に、第2のプレッシングロール170は、ショアD硬度が第1のプレッシングロール130と同一であるか、それより高くてもよい。この場合、プレッシングによる透明導電体の薄型化効果を具現することができる。具体的に、第2のプレッシングロールは、ショアD硬度がD−90以上、例えば、D−100以上であってもよい。前記範囲内では、第2のプレッシングロール170は、透明導電体をさらに薄型化することができる。
第2のプレッシングロール170は、表面粗度が第1のプレッシングロール130と同一であるか、それより高くてもよい。具体的に、第2のプレッシングロールの表面粗度は、0.8S以下であり、かつ第1のプレッシングロール130の表面粗度よりも高い値になってもよい。前記範囲では、第2のプレッシングロール170は、透明導電体の表面のスクラッチを減少させ、面抵抗偏差をより低下させることができる。
第2のプレッシングロール170は、加硫ゴムまたは金属材質で形成されてもよい。前記加硫ゴムは、例えば、合成ゴムに20質量以上を加えたものであってもよい。前記金属材質は、例えば、SUS(Steel Use Stainless、またはStainless Steel)、またはSUSロールにCtがコーティングされたものであってもよい。この場合、第2のプレッシングロール170は、積層体をさらに薄型化することができる。
第2のプレッシングロール170は、加圧及び回転を用いて積層体の移動を行うことができる。第2のプレッシングロール170の回転速度は、第1のプレッシングロール130と同一にするか、または異ならせてもよい。具体的に、第1のプレッシングロールの回転速度は、第2のプレッシングロールの速度の1倍〜1.1倍になってもよい。前記範囲では、積層体の外観を良好にし、面抵抗偏差を低下させることができる。また、第2のプレッシングロール170の回転方向は、積層体の走行方向と同一の方向に設定してもよい。この場合、プレッシング効果をさらに高めることができる。
一具体例の製造装置200は、第1のプレッシングロール130と第2のプレッシングロール170の速度を実質的に同一にすることができる。この場合、金属ナノワイヤの損傷を防止することができる。
第2のプレッシングロール170の回転速度は、例えば、1m/min〜20m/minになってもよい。前記範囲で、プレッシングによる面抵抗偏差抵抗の効果が優秀になり得る。
一具体例の製造装置200において、第1のプレッシングロール130と第2のプレッシングロール170が積層体に加えるプレッシング圧力(nip pressure)は、例えば、0.2MPa〜10MPaになってもよい。前記範囲では、プレッシングによる面抵抗偏差低下の効果に優れ、積層体の薄型化効果があり得る。
本明細書において、「プレッシング圧力」とは、0μm〜100μmのギャップ、1m/min〜20m/minのプレッシングロールの走行速度、0.2MPa〜10MPaのニップ圧(nip pressure)下で50μm〜75μmの厚さの感圧紙(Fujifilm社製造、PRESCALE)に加えられる圧力を測定したものである。このとき、プレッシングロールは、第1のプレッシングロール;または第1のプレッシングロール及び第2のプレッシングロールを意味し得る。前記感圧紙(Fujifilm社製造、PRESCALE)を前記条件でプレッシングしたときに変色する程度を専用スキャナー(Fujifilm、FPD−8010E)を通じて数値化することによって、プレッシング圧力を算出する。
図2を参照すると、積層体は、ロール190、195によってロール−ツー−ロール方式で走行してもよいが、これに制限されることはない。
以下、図3を参考にして本発明の一実施形態に係る透明導電体300の構成を説明する。図3は、本発明の一実施形態に係る透明導電体300の断面図である。
図3を参照すると、本発明の一実施形態に係る透明導電体300は、基材層110と、基材層110上に形成され、金属ナノワイヤ及びマトリックスを含む導電層180とを含んでもよい。
基材層110は、可撓性絶縁フィルムであってもよい。例えば、基材層110は、ポリエチレンテレフタレート(polyethylene terephthalate、PET)、ポリエチレンナフタレートなどを含むポリエステルフィルム;ポリカーボネート樹脂;環状オレフィンポリマー;ポリオレィン樹脂;ポリスルホン樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリビニルクロライド樹脂、またはこれらの混合物などを含むフィルムになってもよいが、これに制限されることはない。また、基材層は、単一層であってもよく、または、2種以上の樹脂フィルムが接着剤などによって積層された形態になってもよい。
基材層110の厚さは、10μm〜100μm、具体的に30μm〜100μm、40μm〜90μm、より具体的に30μm〜80μmになってもよい。前記範囲では、ディスプレイ、例えば、フレキシブルディスプレイに有利に使用することができる。
導電層180は、基材層110の上部面に形成されてもよい。導電層180は、金属ナノワイヤ121及びマトリックス122を含む。導電層180は、金属ナノワイヤ121で形成された導電性ネットワーク(すなわち図1、図2に示す導電性ネットワーク160)を含んでもよく、これを通じて、導電性、良好な柔軟性及び屈曲性を有することができる。このような導電層は、エッチングなどのパターニング方法によってパターン化されて電極を形成することができ、柔軟性を確保するのでフレキシブル装置に使用することができる。具体例において、前記電極は、第1の方向と第2の方向に複数のライン形態を有してもよい。
金属ナノワイヤ121は、ナノワイヤの形状を有するので、金属ナノ粒子に比べて分散性が良い。また、金属ナノワイヤ121は、粒子形状とナノワイヤ形状との相違点により、透明導電性フィルムの面抵抗を著しく低下させる効果を提供することができる。金属ナノワイヤ121は、特定断面を有する極微細線の形態を有する。具体例において、金属ナノワイヤの断面の直径(d)に対するナノワイヤの長さ(L)の比(L/d、アスペクト比)は10〜2,000になってもよい。例えば、ナノワイヤのL/dは、500〜1,000、より具体的に500〜700になってもよい。前記範囲では、低いナノワイヤの密度でも高い伝導性ネットワークを具現することができ、面抵抗が低くなり得る。
金属ナノワイヤは、断面の直径(d)が100nm以下になってもよい。例えば、金属ナノワイヤの断面の直径(d)は、30nm〜100nmまたは60nm〜100nmになってもよい。前記範囲では、高いL/dを確保するので、伝導性が高く、且つ面抵抗が低い透明導電体を具現することができる。金属ナノワイヤは、長さ(L)が20μm以上になってもよい。例えば、金属ナノワイヤの長さ(L)は、20μm〜50μmになってもよい。前記範囲では、高いL/dを確保するので、伝導性が高く、且つ面抵抗が低い導電性フィルムを具現することができる。金属ナノワイヤ121は、任意の金属で製造されたナノワイヤを含んでもよい。例えば、金属ナノワイヤ121は、銀ナノワイヤ、銅ナノワイヤ、金ナノワイヤまたはこれらの混合物になってもよい。一具体例において、ナノワイヤとしては、銀ナノワイヤまたはこれを含む混合物を使用してもよい。
金属ナノワイヤ121は、通常の方法で製造したり、商業的に市販される製品であってもよい。製造して使用する場合は、例えば、ポリオールとポリ(ビニルピロリドン)の存在下で、金属塩(例えば、窒酸銀、AgNO3)の還元反応を通じて合成することができる。商業的に市販される製品を使用する場合は、例えば、Cambrios社の製品(例えば、ClearOhm Ink.,金属ナノワイヤ含有溶液)を使用することができる。金属ナノワイヤは、塗布容易性及び基材層110との付着力向上のために液体に分散された状態で使用されてもよく、金属ナノワイヤが液体に分散された状態を、本願では「金属ナノワイヤ分散液」という。前記金属ナノワイヤ分散液は、基材層110との付着などの向上のためにバインダーを含んでもよい。金属ナノワイヤ121は、前記金属ナノワイヤ分散液中に0.1質量%〜2.5質量%、例えば、1質量%〜2.5質量%で含まれてもよい。前記範囲で、金属ナノワイヤは、伝導性ネットワークを形成することによって十分な伝導性を確保することができ、基材層に対する付着力効果があり得る。
マトリックス122は、金属ナノワイヤ121を含有する。マトリックス122内に金属ナノワイヤ121が散在されているか、埋没されていてもよい。マトリックス122は、金属ナノワイヤ121が導電層180の上部に露出して酸化及び磨耗されることを防止することができる。このようなマトリックス122は、導電層180と基材層110との間の接着力を付与し、透明導電体の光学特性、耐化学性、耐溶剤性などを高めることもできる。また、一部の金属ナノワイヤ121は、マトリックス122の表面に突出して露出してもよい。
マトリックス122は、マトリックス用組成物で形成されてもよい。マトリックス用組成物は、マトリックスの形成を容易にするためにバインダー及び開始剤を含んでもよい。
前記バインダーは、単官能または多官能モノマーのうち一つ以上を含んでもよい。多官能モノマーは、具体的に、2官能〜6官能のモノマーであってもよい。前記単官能または多官能モノマーは、例えば、(メタ)アクリレート系であってもよい。
前記(メタ)アクリレート系単官能または多官能モノマーは、フッ素を含有するフッ素系モノマー、またはフッ素を含有しない非フッ素系モノマーであってもよい。また、(メタ)アクリレート系単官能または多官能モノマーは、ウレタン基を含まない非ウレタン系であって、線形の炭素数1〜20のアルキル基、または分枝型の炭素数1〜20のアルキル基を有する(メタ)アクリレート、ヒドロキシ基を有する炭素数1〜20の(メタ)アクリレート、脂環族基を有する炭素数3〜20の(メタ)アクリレート、炭素数3〜20の多価アルコールの多官能(メタ)アクリレート、またはこれらの混合物になってもよい。
具体的に、バインダーは、5官能または6官能モノマー;及び3官能モノマーを含んでもよい。前記5官能または6官能モノマーは、(メタ)アクリレート基を有する5官能または6官能(メタ)アクリレートモノマーであってもよく、具体的に、炭素数3〜20の多価アルコールの5官能モノマーまたは6官能モノマーになってもよい。一具体例において、ウレタン基を有さない非ウレタン系5官能または6官能モノマーを含む場合、特に、金属ナノワイヤ121の構造内の硬化物の積層が稠密になり、基材層110に対する付着性が向上し得る。
5官能または6官能モノマーは、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、及びカプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレートのうち一つ以上を含んでもよいが、これに制限されることはない。
3官能モノマーは、(メタ)アクリレート基を有する3官能(メタ)アクリレートモノマーであってもよい。一具体例において、ウレタン基を有さない非ウレタン系3官能モノマーを含むことによって、金属ナノワイヤ121の構造内の硬化物の積層が稠密になり、基材層110に対する付着性がさらに向上し得る。3官能モノマーは、炭素数3〜20の多価アルコールの3官能モノマー、及びアルコキシ基に改質された炭素数3〜20の多価アルコールの3官能モノマーのうち一つ以上を含んでもよい。
炭素数3〜20の多価アルコールの3官能モノマーは、より具体的に、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、グリセロールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、及びジペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレートうち一つ以上を含んでもよいが、これに制限されることはない。アルコキシ基に改質された炭素数3〜20の多価アルコールの3官能モノマーは、アルコキシ基を有さない3官能モノマーに比べて、透明導電体の透過度及び信頼性をさらに高めることができ、透過b*値を低下させ、導電層が黄色に歪曲されたように見える現象を防止することができる。アルコキシ基(例えば、炭素数1〜5のアルコキシ基)を有する3官能モノマーは、具体的に、アルコキシ基に改質された(メタ)アクリレート系モノマーであってもよく、例えば、エトキシ化されたトリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、及びプロポキシ化されたグリセリルトリ(メタ)アクリレートのうち一つ以上を含んでもよいが、これに制限されることはない。前記5官能または6官能モノマー:3官能モノマーは、マトリックス用組成物中に1:1〜5:1、より具体的に1:1〜3.5:1の質量比で含まれてもよい。前記範囲では、透明導電体の透過度及び信頼性が高くなり、基材層110との付着力が向上し得る。
開始剤は、通常の光重合開始剤であって、開始剤としては、例えば、α−ヒドロキシケトン系列、より具体的には、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンまたはこれを含む混合物を使用してもよい。
導電層180は、基材層上に前記金属ナノワイヤ分散液を塗布することによって導電成ネットワークを形成し、この導電性ネットワークをプレッシングした後、導電成ネットワーク上にマトリックス用組成物を塗布して形成することができる。
金属ナノワイヤ分散液は、塗布容易性及び基材層との付着力を向上させるために金属ナノワイヤ用バインダーを含んでもよい。前記金属ナノワイヤ用バインダーとしては、特別に限定されることなく、例えば、カルボキシメチルセルロース(carboxy methyl cellulose;CMC)、2−ヒドロキシエチルセルロース(2−hydroxy ethyl cellulose;HEC)、ヒドロキシプロピルメチルセルロース(hydroxy propyl methyl cellulose;HPMC)、メチルセルロース(methylcellulose;MC)、ポリビニルアルコール(poly vinyl alcohol;PVA)、トリプロピレングリコール(tripropylene glycol;TPG)、ポリビニルピロリドン系、キサンタンゴム(xanthan gum;XG)、エトキシレート、アルコキシレート、酸化エチレン、酸化プロピレンまたはそれらの共重合体を使用してもよい。金属ナノワイヤ分散液を基材層上にコーティングする方法は、特別に制限されないが、バーコーティング、スピンコーティング、ディップコーティング、ロールコーティング、フローコーティング、ダイコーティングなどによってもよい。金属ナノワイヤ分散液を基材層上にコーティングした後で乾燥させ、基材層上に導電成ネットワークを形成することができる。乾燥は、例えば、80℃〜140℃で1分〜30分間行ってもよい。
マトリックス用組成物は、上述したバインダー及び開始剤を含んでもよく、場合によって溶剤をさらに含んでもよい。マトリックス用組成物は、具体的に、上述した通りである。導電成ネットワーク上にマトリックス用組成物をコーティングする方法は、特別に制限されないが、バーコーティング、スピンコーティング、ディップコーティング、ロールコーティング、フローコーティング、ダイコーティングなどによってもよい。
導電成ネットワーク上にコーティングされたマトリックス用組成物は、導電成ネットワーク内に浸透される。これにより、金属ナノワイヤは、マトリックス用組成物内に含浸され、金属ナノワイヤ及びマトリックスを含む導電層を形成することができる。金属ナノワイヤは、マトリックスに全体的に含浸されたり、導電層の表面に部分的に露出した状態で存在し得る。マトリックス用組成物をコーティングした後、乾燥させるステップをさらに含んでもよい。例えば、80℃〜120℃で1分〜30分間乾燥させてもよく、乾燥後、光硬化及び熱硬化のうち一つ以上を行ってもよい。光硬化は、400nm以下の波長で300mJ/cm2〜1000mJ/cm2の光量を照射して行ってもよく、熱硬化は、50℃〜200℃で1時間〜120時間の熱硬化を含んでもよい。
他の各例示において、透明導電体は、基材層とは別途に導電層を製造し、別途に製造された導電層を基材層上に積層して製造することもできる。積層体の製造時、基材層に、例えば、プラズマ処理、洗浄処理などを行うことによって、表面が均一な透明導電体300を具現することができる。
以下、図4を参考にして、本発明の他の実施形態に係る透明導電体400の構成を説明する。図4は、本発明の他の実施形態に係る透明導電体400の断面図である。
図4を参照すると、本発明の他の実施形態に係る透明導電体400は、基材層110と、基材層110上に形成され、金属ナノワイヤ及びマトリックスを含む導電層180と、導電層180上に形成されるオーバーコーティング層185とを含む。本実施形態の透明導電体400は、オーバーコーティング層185がさらに形成された点を除いては、本発明の一実施形態に係る透明導電体300(図3)と実質的に同一であるので、以下では、オーバーコーティング層185を中心に説明する。
オーバーコーティング層185は、金属ナノワイヤの外部環境による酸化を防止し、透明性及びヘーズなどの透明導電体400の光学的特性を向上させることができる。オーバーコーティング層185は、オーバーコーティング層用組成物を塗布・硬化させて形成されてもよく、前記オーバーコーティング層用組成物は、紫外線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、紫外線硬化型モノマー及び熱硬化型モノマーのうち一つ以上を含んでもよい。また、オーバーコーティング層用組成物は、開始剤、付着増進剤及び酸化防止剤のうち1種以上をさらに含んでもよい。
付着増進剤は、通常のシランカップリング剤であって、付着増進剤としては、例えば、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシランを使用してもよい。
酸化防止剤としては、例えば、リン系酸化防止剤、フェノール系酸化防止剤、HALS(hindered amine light stabilizer)系酸化防止剤を使用してもよい。
開始剤は、通常の光重合開始剤として、開始剤としては、例えば、α−ヒドロキシケトン系列、特に、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンまたはこれを含む混合物を使用してもよい。
本発明の各実施形態に係る透明導電体300、400は、面抵抗偏差が20%未満になってもよい。例えば、透明導電体の面抵抗偏差は、16%以下に低くなってもよい。前記面抵抗偏差の範囲を有する透明導電体は、反り及び面積拡大による抵抗の増加が低下し得る。このような透明導電体は、大面積ディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、タッチスクリーンパネルなどに有利に適用することができる。
前記透明導電体の面抵抗偏差は、上述したように、透明導電体の面積を分画した後で測定する。具体的に、プレッシングされた透明導電体の面積を、同一の面積を有する複数の区画に分画する。その後、前記複数の区画からそれぞれ面抵抗を測定し、複数の面抵抗値を得た後、下記の式1によって計算する。面抵抗は接触式面抵抗または非接触式面抵抗などであってもよい。
例えば、接触式面抵抗は接触式の測定装置R−CHEK RC2175(EDTM社)で測定することができ、非接触式面抵抗は非接触式の測定装置EC−80P(NAPSON社)で測定することができる。
例えば、接触式面抵抗は接触式の測定装置R−CHEK RC2175(EDTM社)で測定することができ、非接触式面抵抗は非接触式の測定装置EC−80P(NAPSON社)で測定することができる。
[式1]
面抵抗偏差(RSd)=│(RSmax−RSavg)/RSavg×100│
面抵抗偏差(RSd)=│(RSmax−RSavg)/RSavg×100│
前記式1において、最大面抵抗(RSmax)は、複数の区画から測定された各面抵抗値のうち最も大きな値で、面抵抗平均値(RSavg)は、複数の区画から測定された各面抵抗値のうち最大値(RSmax)と最小値(RSmin)の平均値である。前記最小値(RSmin)は、複数の区画から測定された各面抵抗値のうち最も小さい値を意味する。
透明導電体300は、可視光線領域、例えば、400nm〜700nmで透明性を有することができる。具体例において、透明導電体300は、400nm〜700nmの波長でヘーズメーターで測定されたヘーズが1.5%以下、具体的に1.0%以下であってもよい。また、透明導電体300は、前記波長での全光線透過率が90%以上、具体的に90%〜95%になってもよい。前記範囲で、透明導電体300を透明導電体として使用することができる。
透明導電体300は、4−プローブで測定された面抵抗が150(Ω/sq)以下、具体的に50(Ω/sq)〜150(Ω/sq)、より具体的に50(Ω/sq)〜100(Ω/sq)になってもよい。前記範囲では、面抵抗が低いので、タッチパネル用電極フィルムとして有利に使用される。
本発明の各実施形態の表示装置は、上述した透明導電体を含んでもよい。前記表示装置は、具体的に、タッチスクリーンパネル、フレキシブルディスプレイなどを含む光学表示装置、E−ペーパーなどであってもよい。また、透明導電体は、太陽電池などに使用されても良い。もちろん、透明導電体の用途は上記に制限されることはない。
以下、本発明の一実施形態に係る表示装置を図5を参考にして説明する。図5は、本発明の一実施形態に係る表示装置の断面図である。
図5を参照すると、本発明の一実施形態に係る光学表示装置500は、基材層110、基材層110の上部面に形成された第1の電極255と第2の電極260、及び基材層110の下部面に形成された第3の電極265と第4の電極270を含む透明電極体230と、第1の電極255及び第2の電極260の上部に形成されたウィンドウ205と、第3の電極265及び第4の電極270の下部に形成された第1の偏光板235と、第1の偏光板235の下部面に形成されたCF(COLOR FILTER)ガラス240と、CFガラス240の下部面に形成され、TFT(THIN FILM TRANSISTOR)ガラス245を含むパネルと、TFTガラス245の下部面に形成された第2の偏光板250とを含んでもよい。透明電極体230は、本発明の実施形態に係る透明導電体をそれぞれ所定の方法(例えば、エッチングなど)でパターニングし、第1の電極、第2の電極、第3の電極及び第4の電極を形成することによって製造することができる。
第1の電極255と第2の電極260はRx電極になり、第3の電極265と第4の電極270はTx電極になってもよく、その逆の場合も本発明の範囲に含まれ得る。ウィンドウ205は、光学表示装置で画面表示機能を行うものであって、通常のガラス材質またはプラスチック材質で製造することができる。第1の偏光板235及び第2の偏光板250は、光学表示装置に偏光性能を付与するためのものであって、外部光または内部光を偏光させることができ、偏光子、または偏光子と保護フィルムの積層体を含んでもよく、偏光子及び保護フィルムは、偏光板分野で知られている通常のものを含んでもよい。ウィンドウ205と透明電極体230との間及び透明電極体230と第1の偏光板235との間にそれぞれ粘着フィルム210、212を付加することによって、透明電極体230、ウィンドウ205及び第1の偏光板235の間の結合を維持することができる。粘着フィルム210、212は、通常の粘着フィルムであって、例えば、OCA(optical clear adhesive)フィルムになってもよい。
以下、本発明の好ましい実施例を通じて本発明の構成及び作用をより詳細に説明する。ただし、これは、本発明の好ましい例示として提示されたものであって、如何なる意味でも、これによって本発明が制限されると解釈してはならない。
(実施例1)
金属ナノワイヤ(銀ナノワイヤ)含有溶液(Clearohm Ink、Cambrios社)48質量部を超純水蒸留水52質量部に入れて撹拌し、金属ナノワイヤ分散液を製造した。
金属ナノワイヤ(銀ナノワイヤ)含有溶液(Clearohm Ink、Cambrios社)48質量部を超純水蒸留水52質量部に入れて撹拌し、金属ナノワイヤ分散液を製造した。
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(SK CYTEC社)65.4質量部、エトキシ化されたトリメチロールプロパントリアクリレート(SARTOMER社)20.8質量部、開始剤Irgacure 184(CIBA社)4.3質量部、付着増進剤KBE−903(SHIN−ETSU社)8.6質量部、及び酸化防止剤Irganox 1010とIrgafos 168(BASF社)混合物0.9質量部を含むマトリックス用組成物を製造した。
前記金属ナノワイヤ分散溶液をポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム上にコーティングし、80℃のオーブンで2分間乾燥させ、基材層及び導電性ネットワークを含む積層体を製造した。
前記積層体をコンベヤーベルトで走行させながらエボナイトロール(加硫含量が25質量%)を回転させ、積層体をプレッシングすることによって透明導電体を製造した。
このとき、プレッシング圧力(nip pressure)は0.7MPa、積層体の走行速度は1m/分にした。
その後、導電性ネットワーク上にマトリックス用組成物をコーティングし、コーティング層を50nmの厚さに形成した。その後、80℃のオーブンで2分間乾燥させ、300mJ/cm2でUV硬化させて、基材層及び導電層を含む積層体を製造した。
(実施例2)
金属ナノワイヤ(Clearohm Ink、Cambrios社)48質量部を超純水蒸留水52質量部に入れて撹拌し、金属ナノワイヤ分散溶液を製造した。
金属ナノワイヤ(Clearohm Ink、Cambrios社)48質量部を超純水蒸留水52質量部に入れて撹拌し、金属ナノワイヤ分散溶液を製造した。
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(SK CYTEC社)65.4質量部、エトキシ化されたトリメチロールプロパントリアクリレート(SARTOMER社)20.8質量部、開始剤Irgacure 184(CIBA社)4.3質量部、付着増進剤KBE−903(SHIN−ETSU社)8.6質量部、及び酸化防止剤Irganox 1010とIrgafos 168(BASF社)混合物0.9質量部を含むマトリックス用組成物を製造した。
前記金属ナノワイヤ分散溶液をポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム上にコーティングし、80℃のオーブンで2分間乾燥させ、基材層及び導電性ネットワークを含む積層体を製造した。
エボナイトロール(第1のプレッシングロール)と、エボナイト材質のロールと所定のギャップで隣接しているSUS/Crロール(第2のプレッシングロール)との間に積層体を通過させながらプレッシングした。プレッシング時、エボナイトロールは導電層と接触させ、PETフィルムはSUS/Crロールと接触させた。プレッシング圧力は0.7MPaにし、ギャップ間隔は0μmにし、積層体の走行速度は1m/minにし、エボナイトロールとSUS/Crロールの回転速度は同一にした。
その後、導電性ネットワーク上にマトリックス用組成物を再びコーティングし、コーティング層を50nmの厚さに形成した。その後、80℃のオーブンで2分間乾燥させ、300mJ/cm2でUV硬化させることによって基材層及び導電層を含む積層体を製造した。
(比較例1)
エボナイトロールを同一直径のNBR(nitrile butadiene rubber)ロールに変更したことを除いては、実施例2と同一の方法で透明導電体を製造した。
エボナイトロールを同一直径のNBR(nitrile butadiene rubber)ロールに変更したことを除いては、実施例2と同一の方法で透明導電体を製造した。
(比較例2)
エボナイトロールを同一直径のシリコンゴムロール(RTV)に変更したことを除いては、実施例2と同一の方法で透明導電体を製造した。このとき、シリコンゴムロールの表面粗度は0.8Sであった。
エボナイトロールを同一直径のシリコンゴムロール(RTV)に変更したことを除いては、実施例2と同一の方法で透明導電体を製造した。このとき、シリコンゴムロールの表面粗度は0.8Sであった。
(比較例3)
エボナイトロールを同一直径のSUS/Crロールに変更したことを除いては、実施例2と同一の方法で透明導電体を製造した。
エボナイトロールを同一直径のSUS/Crロールに変更したことを除いては、実施例2と同一の方法で透明導電体を製造した。
<物性評価方法>
実施例と比較例の透明導電体に対して下記の方法で物性を評価し、その結果を下記の表1に示した。
実施例と比較例の透明導電体に対して下記の方法で物性を評価し、その結果を下記の表1に示した。
(1)面抵抗偏差:上記の各実施例及び比較例で作製された透明導電体から試験片を切り出した。そして、この試験片の表面を同一面積の複数の区画(50mm×50mm)に分画し、それぞれの区画で面抵抗(単位:Ω/sq)を測定した。面抵抗は非接触式の測定装置EC−80P(NAPSON社)で測定した。前記複数の区画から測定した面抵抗値を下記の式1に代入して計算した。
[式1]
面抵抗偏差(RSd)=│(RSmax−RSavg)/RSavg×100│
面抵抗偏差(RSd)=│(RSmax−RSavg)/RSavg×100│
前記式1において、最大面抵抗(RSmax)は、複数の区画から測定された各面抵抗値のうち最も大きな値で、面抵抗平均値(RSavg)は、複数の区画から測定された各面抵抗値のうち最大値(RSmax)と最小値(RSmin)の平均値である。前記最小値(RSmin)は、複数の区画から測定された各面抵抗値のうち最も小さい値を意味する。
(2)外観:透明導電体のうち導電層側の表面を光学顕微鏡で観察し、イメージを比較した。銀ナノワイヤ剥離の有無、スクラッチの有無を評価した。銀ナノワイヤの剥離とスクラッチがない場合は「良好」と評価し、銀ナノワイヤの剥離及び/またはスクラッチがある場合は「不良」と評価した。
前記表1に示すように、本発明の製造方法で製造された透明導電体の場合、金属ナノワイヤの剥離とスクラッチがないので、面抵抗偏差が低く、且つ外観が良好な透明導電体を得ることができる。
その一方、表1に示すように、ショア硬度が本発明に比べて低いNBRまたはシリコンロールを第1のプレッシングロールとして使用して製造された比較例1と2の透明導電体の場合、スクラッチはないが、金属ナノワイヤの剥離があり、面抵抗偏差が本発明に比べて高く、且つ外観も不良であった。
また、表1に示すように、ショア硬度が本発明に比べて著しく高いSUS/Crロールを第1のプレッシングロールとして使用して製造された比較例3の透明導電体の場合、銀ナノワイヤの剥離はないが、スクラッチがあり、面抵抗偏差が本発明に比べて高く、且つ外観も不良であった。
本発明の単純な変形及び変更は、この分野で通常の知識を有する者によって容易に実施することができ、このような変形や変更は、いずれも本発明の領域に含まれるものと見なすことができる。
110:基材層、120:導電性ネットワーク、130:第1のプレッシングロール、160:導電性ネットワーク
Claims (19)
- 基材層、及び前記基材層上に形成された金属ナノワイヤを含む導電性ネットワークを含む積層体を、
表面硬度がショアD硬度でD−50〜D−90である第1のプレッシングロールでプレッシングすることを含む、透明導電体の製造方法。 - 前記第1のプレッシングロールの摩擦係数は0.8未満である、請求項1に記載の透明導電体の製造方法。
- 前記第1のプレッシングロールは加硫含量20質量%以上の加硫ゴム材質で形成されるロールである、請求項1または2に記載の透明導電体の製造方法。
- 前記プレッシングは、前記第1のプレッシングロールと所定間隔で対向する第2のプレッシングロールをさらに用いて行うことを含む、請求項1〜3の何れか1項に記載の透明導電体の製造方法。
- 前記第2のプレッシングロールのショアD硬度は、前記第1のプレッシングロールのショアD硬度より高い、請求項4に記載の透明導電体の製造方法。
- 前記第2のプレッシングロールは、SUSロールまたはSUSにCrがコーティングされたロールである、請求項4または5に記載の透明導電体の製造方法。
- 前記第1のプレッシングロール及び前記第2のプレッシングロールが積層体に加えるプレッシング圧力は、0.2MPa〜10MPaである、請求項4〜6の何れか1項に記載の透明導電体の製造方法。
- 前記プレッシングするステップの後に、前記導電性ネットワーク上にマトリックス用組成物を塗布・硬化させ、導電層を形成することをさらに含む、請求項1〜7の何れか1項に記載の透明導電体の製造方法。
- 前記導電層をパターン化するステップをさらに含む、請求項8に記載の透明導電体の製造方法。
- 前記金属ナノワイヤは銀ナノワイヤを含む、請求項1〜9の何れか1項に記載の透明導電体の製造方法。
- 表面硬度がショアD硬度でD−50〜D−90である第1のプレッシングロール、及び前記第1のプレッシングロールと対向して設置された第2のプレッシングロールを含み、
基材層;及び前記基材層上に形成された金属ナノワイヤを含む導電性ネットワークを含む積層体をプレッシングする、透明導電体製造用プレッシングロール。 - 前記第1のプレッシングロールは加硫含量20質量%以上の加硫ゴム材質で形成されるロールである、請求項11に記載の透明導電体製造用プレッシングロール。
- 前記第2のプレッシングロールは、SUSロールまたはSUSにCrがコーティングされたロールである、請求項11または12に記載の透明導電体製造用プレッシングロール。
- 基材層;及び前記基材層上に形成され、金属ナノワイヤ及びマトリックスを含む導電層;を含み、下記の式1による面抵抗偏差が20%未満である透明導電体。
[式1]
面抵抗偏差(RSd)=│(RSmax−RSavg)/RSavg×100│
前記式1において、最大面抵抗(RSmax)は、複数の区画から測定された各面抵抗値のうち最も大きな値で、面抵抗平均値(RSavg)は、複数の区画から測定された各面抵抗値のうち最大値(RSmax)と最小値(RSmin)の平均値で、前記最小値(RSmin)は、複数の区画から測定された各面抵抗値のうち最も小さい値である。 - 前記透明導電体は、基材層、及び前記基材層上に形成された金属ナノワイヤを含む導電性ネットワークを含む積層体を形成した後に、前記積層体を、表面硬度がショアD硬度でD−50〜D−90である第1のプレッシングロールでプレッシングすることで製造されたものである、請求項14に記載の透明導電体。
- 前記第1のプレッシングロールは、加硫含量20質量%以上の加硫ゴム材質で形成されるロールである、請求項15に記載の透明導電体。
- 前記プレッシングは、前記第1のプレッシングロールと所定間隔で対向する第2のプレッシングロールをさらに用いて行うことを含む、請求項15または16に記載の透明導電体。
- 前記マトリックスは、6官能のアクリレート系モノマー及び3官能のアクリレート系モノマーを含む組成物で形成される、請求項14〜17の何れか1項に記載の透明導電体。
- 請求項14〜18の何れか1項に記載の透明導電体を含む表示装置。
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