JP2015135936A - 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本技術が適用される固体撮像装置の一実施の形態を示すブロック図である。以下においては、増幅型固体撮像装置の1つである、表面照射型のCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサの構成について説明する。なお、本技術は、表面照射型のCMOSイメージセンサへの適用に限られるものではなく、裏面照射型のCMOSイメージセンサや他の増幅型固体撮像装置、CCD(Charge Coupled Device)イメージセンサ等の電荷転送型の固体撮像装置にも適用可能である。
次に、図2を参照して、画素アレイ部11の画素配置について説明する。
図3は、CMOSイメージセンサ10における第1の実施の形態の画素の構成例を示す断面図である。図3においては、CMOSイメージセンサ10における撮像画素31および位相差検出画素32の断面図が示されている。
次に、図4乃至図6を参照して、本実施の形態の画素形成の流れについて説明する。図4は、画素形成処理について説明するフローチャートであり、図5および図6は、画素形成の工程を示す断面図である。
なお、以上においては、撮像画素31における高屈折率膜55の断面形状は矩形であるものとしたが、フォトリソグラフィにより、図7に示されるように、高屈折率膜55の断面形状が、上凸型のレンズ形状に形成されるようにしてもよい。
次に、図8を参照して、第2の実施の形態の画素の構成例について説明する。
次に、図9乃至図11を参照して、本実施の形態の画素形成の流れについて説明する。図9は、画素形成処理について説明するフローチャートであり、図10および図11は、画素形成の工程を示す断面図である。
次に、図12を参照して、第3の実施の形態の画素の構成例について説明する。
次に、図13乃至図15を参照して、本実施の形態の画素形成の流れについて説明する。図13は、画素形成処理について説明するフローチャートであり、図14および図15は、画素形成の工程を示す断面図である。
ここで、図16乃至図18を参照して、本実施の形態の画素形成の流れについて説明する。図16は、画素形成処理について説明するフローチャートであり、図17および図18は、画素形成の工程を示す断面図である。
次に、図19を参照して、第4の実施の形態の画素の構成例について説明する。
次に、図20乃至図22を参照して、本実施の形態の画素形成の流れについて説明する。図20は、画素形成処理について説明するフローチャートであり、図21および図22は、画素形成の工程を示す断面図である。
図23は、裏面照射型のCMOSイメージセンサ10における第5の実施の形態の画素の構成例を示す断面図である。図23においては、裏面照射型のCMOSイメージセンサ10における撮像画素31および位相差検出画素32の断面図が示されている。
図25は、CMOSイメージセンサ10における第6の実施の形態の画素の構成例を示す断面図である。図25においては、CMOSイメージセンサ10における撮像画素31のうちのG画素31Gおよび位相差検出画素32の断面図が示されている。
次に、図26乃至図28を参照して、本実施の形態の画素形成の流れについて説明する。図26は、画素形成処理について説明するフローチャートであり、図27および図28は、画素形成の工程を示す断面図である。
そこで、図31および図32を参照して、本実施の形態の画素形成の流れの他の例について説明する。図31は、画素形成処理について説明するフローチャートであり、図32は、画素形成の工程を示す断面図である。
図34は、裏面照射型のCMOSイメージセンサ10における第7の実施の形態の画素の構成例を示す断面図である。図34においては、裏面照射型のCMOSイメージセンサ10における撮像画素31のうちのG画素31Gおよび位相差検出画素32の断面図が示されている。
以上においては、ベイヤ配列で配置されている撮像画素31であるR画素31R、G画素31G、およびB画素31Bのうちの、G画素31Gの一部が、位相差検出画素32に置き換えられた構成について説明してきたが、R画素31RやB画素31Bの一部が、位相差検出画素32に置き換えられるようにしてもよい。
次に、図36を参照して、本技術を適用した電子機器の構成例について説明する。
(1)
入射した光を受光する光電変換部を有する撮像画素と、
前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する位相差検出画素と
を備え、
前記撮像画素は、前記光電変換部より上に形成された高屈折率膜をさらに有し、
前記位相差検出画素は、前記光電変換部より上に形成された低屈折率膜をさらに有する
固体撮像装置。
(2)
前記撮像画素および前記位相差検出画素は、それぞれ、前記高屈折率膜および前記低屈折率膜の上層に形成されたカラーフィルタ層を有し、
前記高屈折率膜または前記低屈折率膜は、平坦化膜を兼ねて形成される
(1)に記載の固体撮像装置。
(3)
前記低屈折率膜は、前記高屈折率膜を覆うように形成され、前記平坦化膜を兼ねている
(2)に記載の固体撮像装置。
(4)
前記高屈折率膜は、前記低屈折率膜を覆うように形成され、前記平坦化膜を兼ねている
(2)に記載の固体撮像装置。
(5)
前記高屈折率膜の屈折率は、前記低屈折率膜の屈折率と比べて0.1以上高い
(1)乃至(4)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(6)
前記高屈折率膜の屈折率は、1.5乃至2.0の間の値とされる
(5)に記載の固体撮像装置。
(7)
前記低屈折率膜の屈折率は、1.1乃至1.5の間の値とされる
(5)に記載の固体撮像装置。
(8)
前記高屈折率膜および前記低屈折率膜のいずれか一方または両方は、感光性を有する材料で形成される
(1)乃至(7)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(9)
前記高屈折率膜または前記低屈折率膜は、断面形状が上凸型レンズ形状となるように形成される
(1)乃至(8)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(10)
前記撮像画素および前記位相差検出画素は、前記カラーフィルタ層より上にマイクロレンズを有し、
前記マイクロレンズは、前記撮像画素および前記位相差検出画素において一様に形成される
(1)乃至(9)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(11)
入射した光を受光する光電変換部を有する撮像画素と、
前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する位相差検出画素とを備える固体撮像装置の製造方法であって、
前記撮像画素において、前記光電変換部より上に高屈折率膜を形成し、
前記位相差検出画素において、前記光電変換部より上に低屈折率膜を形成する
ステップを含む固体撮像装置の製造方法。
(12)
入射した光を受光する光電変換部を有する撮像画素と、
前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する位相差検出画素と
を備え、
前記撮像画素は、前記光電変換部より上に形成された高屈折率膜をさらに有し、
前記位相差検出画素は、前記光電変換部より上に形成された低屈折率膜をさらに有する固体撮像装置
を備える電子機器。
(1)
入射した光を受光する光電変換部、および、前記光電変換部より上に形成されたカラーフィルタを有する撮像画素と、
前記光電変換部、前記カラーフィルタ、および、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部を有する位相差検出画素と
を備え、
前記位相差検出画素が有する前記カラーフィルタは、その膜厚が、前記撮像画素が有する前記カラーフィルタの膜厚より薄くなるように形成された
固体撮像装置。
(2)
前記位相差検出画素が有する前記カラーフィルタは、前記撮像画素が有する前記カラーフィルタの色のうちのいずれか1つと同色のカラーフィルタとして形成される
(1)に記載の固体撮像装置。
(3)
前記位相差検出画素が有する前記カラーフィルタは、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタのいずれか1つとして形成される
(2)に記載の固体撮像装置。
(4)
前記位相差検出画素が有する前記カラーフィルタは、白色カラーフィルタとして形成される
(2)に記載の固体撮像装置。
(5)
入射した光を受光する光電変換部と、前記光電変換部より上に形成されたカラーフィルタを有する撮像画素と、
前記光電変換部、前記カラーフィルタ、および、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部を有する位相差検出画素とを備える固体撮像装置の製造方法であって、
前記位相差検出画素が有する前記カラーフィルタを、その膜厚が、前記撮像画素が有する前記カラーフィルタの膜厚より薄くなるように形成する
ステップを含む固体撮像装置の製造方法。
(6)
前記撮像画素が形成される領域を露光する第1の露光パターンを有する第1のレチクルを用いて、カラーフィルタ材料を露光し、
前記位相差検出画素が形成される領域を露光する第2の露光パターンを有する第2のレチクルを用いて、前記第1のレチクルを用いた場合とは異なる露光条件で、前記カラーフィルタ材料を露光するステップを含む
(5)に記載の固体撮像装置の製造方法。
(7)
前記撮像画素が形成される領域を露光する第1の露光パターンと、前記位相差検出画素が形成される領域を露光する、前記第1の露光パターンと異なる光透過率の第2の露光パターンを有するグレースケールマスクを用いて、カラーフィルタ材料を露光するステップを含む
(5)に記載の固体撮像装置の製造方法。
(8)
入射した光を受光する光電変換部と、前記光電変換部より上に形成されたカラーフィルタを有する撮像画素と、
前記光電変換部、前記カラーフィルタ、および、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部を有する位相差検出画素と
を備え、
前記位相差検出画素が有する前記カラーフィルタは、その膜厚が、前記撮像画素が有する前記カラーフィルタの膜厚より薄くなるように形成された固体撮像装置
を備える電子機器。
Claims (12)
- 入射した光を受光する光電変換部を有する撮像画素と、
前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する位相差検出画素と
を備え、
前記撮像画素は、前記光電変換部より上に形成された高屈折率膜をさらに有し、
前記位相差検出画素は、前記光電変換部より上に形成された低屈折率膜をさらに有する
固体撮像装置。 - 前記撮像画素および前記位相差検出画素は、それぞれ、前記高屈折率膜および前記低屈折率膜の上層に形成されたカラーフィルタ層を有し、
前記高屈折率膜または前記低屈折率膜は、平坦化膜を兼ねて形成される
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記低屈折率膜は、前記高屈折率膜を覆うように形成され、前記平坦化膜を兼ねている
請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記高屈折率膜は、前記低屈折率膜を覆うように形成され、前記平坦化膜を兼ねている
請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記高屈折率膜の屈折率は、前記低屈折率膜の屈折率と比べて0.1以上高い
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記高屈折率膜の屈折率は、1.5乃至2.0の間の値とされる
請求項5に記載の固体撮像装置。 - 前記低屈折率膜の屈折率は、1.1乃至1.5の間の値とされる
請求項5に記載の固体撮像装置。 - 前記高屈折率膜および前記低屈折率膜のいずれか一方または両方は、感光性を有する材料で形成される
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記高屈折率膜または前記低屈折率膜は、断面形状が上凸型レンズ形状となるように形成される
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記撮像画素および前記位相差検出画素は、前記カラーフィルタ層より上にマイクロレンズを有し、
前記マイクロレンズは、前記撮像画素および前記位相差検出画素において一様に形成される
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 入射した光を受光する光電変換部を有する撮像画素と、
前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する位相差検出画素とを備える固体撮像装置の製造方法であって、
前記撮像画素において、前記光電変換部より上に高屈折率膜を形成し、
前記位相差検出画素において、前記光電変換部より上に低屈折率膜を形成する
ステップを含む固体撮像装置の製造方法。 - 入射した光を受光する光電変換部を有する撮像画素と、
前記光電変換部と、前記光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する位相差検出画素と
を備え、
前記撮像画素は、前記光電変換部より上に形成された高屈折率膜をさらに有し、
前記位相差検出画素は、前記光電変換部より上に形成された低屈折率膜をさらに有する固体撮像装置
を備える電子機器。
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KR20220097772A (ko) * | 2020-12-31 | 2022-07-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널, 이를 구비한 표시 장치, 및 표시 패널의 제조방법 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06132502A (ja) * | 1992-10-15 | 1994-05-13 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置 |
JP2007281296A (ja) * | 2006-04-10 | 2007-10-25 | Nikon Corp | 固体撮像装置、および電子カメラ |
JP2008071972A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Canon Inc | 撮像素子及び撮像システム |
JP2009109965A (ja) * | 2007-10-11 | 2009-05-21 | Nikon Corp | 固体撮像素子および撮像装置 |
JP2011210981A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器 |
JP2012151367A (ja) * | 2011-01-20 | 2012-08-09 | Canon Inc | 撮像素子及び撮像装置 |
JP2015005619A (ja) * | 2013-06-20 | 2015-01-08 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、その製造方法、およびカメラ |
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---|---|---|---|---|
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WO2006115142A1 (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 固体撮像素子およびその製造方法ならびに光導波路形成装置 |
US7638804B2 (en) * | 2006-03-20 | 2009-12-29 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and imaging apparatus |
KR20080058549A (ko) * | 2006-12-22 | 2008-06-26 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법 |
JP2009244382A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Sharp Corp | 機能性フィルム及び表示装置 |
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WO2013145433A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 富士フイルム株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
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JP2015026675A (ja) * | 2013-07-25 | 2015-02-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP2015032640A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
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Patent Citations (8)
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---|---|---|---|---|
JPH06132502A (ja) * | 1992-10-15 | 1994-05-13 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置 |
JP2007281296A (ja) * | 2006-04-10 | 2007-10-25 | Nikon Corp | 固体撮像装置、および電子カメラ |
JP2008071972A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Canon Inc | 撮像素子及び撮像システム |
JP2009109965A (ja) * | 2007-10-11 | 2009-05-21 | Nikon Corp | 固体撮像素子および撮像装置 |
JP2011210981A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器 |
JP2012151367A (ja) * | 2011-01-20 | 2012-08-09 | Canon Inc | 撮像素子及び撮像装置 |
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