JP2015135454A - 電気光学装置、電子機器および電気光学装置の駆動方法 - Google Patents
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Abstract
Description
この構成によれば、特定階調値が最小階調値である場合、変換部の最大出力電圧を上回る第1電圧をデータ電圧として用いることができるため、データ電圧として使える電圧の範囲を広げることができる。これにより、データ電圧の階調毎の刻み幅を大きくできる。
この構成によれば、特定階調値が最大階調値である場合、変換部の最小出力電圧を下回る第1電圧をデータ電圧として用いることができるため、データ電圧として使える電圧の範囲を広げることができる。これにより、データ電圧の階調毎の刻み幅を大きくできる。
この構成によれば、変換部の電源電圧を第1電圧として利用することができ、特定階調値に対応するデータ電圧とするための特別な電圧を準備する必要がない。
階調信号の階調値が特定階調値である場合には変換部の出力は不要であるため、この際に変換部の出力を最小値にすれば、電気光学装置の消費電力を低減できる。
この構成によれば、表示品位に優れた表示部を備えた電子機器を実現できる。
この構成によれば、これにより、データ電圧以外の電圧である第1電圧をデータ電圧として用いることができるため、データ電圧の階調毎の刻み幅を、第1電圧を用いない場合に比べて大きくできる。その結果、階調値に対応するデータ信号を精度良く生成することができる。
以下、本発明の第1実施形態について、図1〜図5を用いて説明する。
本実施形態の電気光学装置は、有機材料からなる発光層を備えた有機エレクトロルミネッセンス(Electroluminescence, 以下、ELと略記する)装置の一例である。
なお、以下の各図面においては各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
本実施形態の有機EL装置100は、有機EL材料を利用した発光素子を基板10上に形成した有機EL装置である。基板10は、シリコン等の半導体材料で形成された板状部材(半導体基板)であり、複数の発光素子を形成する基材として利用される。
図2に示すように、画素Pは、発光素子45、駆動トランジスターTDR、発光制御トランジスターTEL、選択トランジスターTSL、および容量素子Cを備える。なお、本実施形態では、画素Pのトランジスター(TDR,TEL,TSL)をPチャネル型のトランジスターで構成するが、Nチャネル型のトランジスターで構成することも可能である。
図4は、データ線駆動回路34の構成を示す等価回路図である。
図3に示すように、有機EL装置100は、画素部12と、駆動回路部30と、階調電源線51と、電源回路52と、インターフェース53と、を備えている。画素部12には、m(m:自然数)行の走査線22が一方向に延在して設けられ、3列毎にグループ化された3n(n:自然数)列のデータ線26が走査線22と直交して設けられている。そのため、画素部12の画素回路は、縦m行×横3n列のマトリクス状に配列されている。駆動回路部30は、入力される階調信号(データ信号)に応じて画素部12の各画素回路を駆動する。階調電源線51には、後述する第1電圧が供給される。駆動回路部30は、走査線駆動回路32と、データ線駆動回路34と、を備えている。走査線駆動回路32は、シフトレジスタ55と、バッファ56と、を備えている。
本実施形態の「アンプ61」は、特許請求の範囲の「変換部」に対応する。本実施形態の「アンプ/階調電源選択スイッチ62」は、特許請求の範囲の「切り替え部」に対応する。
階調値が相対的に小さい領域では、階調値の変化に対する輝度比の変化率が大きい。言い換えると、輝度比は階調値の変化に対して離散的である。一方、階調値が相対的に大きい領域では、階調値の変化に対する輝度比の変化率が小さい。言い換えると、輝度比は階調値の変化に対して連続的である。
上述したように、アンプ61においては、画素部12に供給する電源電圧範囲よりも狭い範囲の電圧を出力する。ここで、図に示すように、アンプ61に供給する電源電圧をVH、アンプ61の最大出力電圧をVdata-max、アンプ61の最小出力電圧をVdata-minとしたとき、これらの大小関係は、Vdata-min<Vdata-max<VH、となる。また、0階調での電流値をIbk(黒表示に対応)、255階調での電流値をIwh(白表示に対応)と表示する。
以下、本発明の第2実施形態について、図6を用いて説明する。
第2実施形態の有機EL装置の基本構成は第1実施形態と同様であり、レベルシフト回路を備えた点が異なる。
図6において、第1実施形態で用いた図4と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
上述の各実施形態に例示した有機EL装置は、各種の電子機器の表示装置として好適に利用される。図7には、各実施形態に例示した有機EL装置を利用した頭部装着型の表示装置90(HMD:Head Mounted Display)が電子機器として例示されている。
例えば上記の実施形態では、階調信号の階調値が0階調のときのデータ電圧としてアンプの最大出力電圧Vdata-maxよりも高い電源電圧VHを用いる例を示したが、この構成に代えて、特定階調値が最大階調値である場合に階調電源線からの第1電圧としてアンプの最小出力電圧よりも小さい電圧を用いてもよい。例えば第1実施形態に即して言えば、階調信号の階調値が255階調のときのデータ電圧としてアンプの最小出力電圧Vdata-minよりも低い電圧を用いてもよい。
上記の実施形態では、特定階調値が1つだけの例を示したが、特定階調値は複数存在していてもよい。例えば階調信号の階調値が0階調、1階調、2階調の3つの場合に階調電源線から供給される電圧を用いるなどの構成であってもよい。
また、上記の実施形態では有機EL装置の例を示したが、有機EL装置以外にも液晶表示装置、プラズマディスプレイ(PDP)、電気泳動装置等の電気光学装置に本発明が適用できる。
Claims (7)
- 画素部と、入力される階調信号に応じて前記画素部を駆動する駆動回路部と、第1電圧が供給される階調電源線と、を備え、
前記駆動回路部は、
前記階調信号の階調値が特定階調値でない場合に前記階調信号をデータ電圧に変換する変換部と、
前記階調信号の階調値が特定階調値である場合に前記第1電圧を出力する第1状態と、前記階調信号の階調値が特定階調値でない場合には前記変換部から出力される前記データ電圧を出力する第2状態と、を切り替える切り替え部と、
を備えることを特徴とする電気光学装置。 - 前記特定階調値は、最小階調値であり、前記第1電圧は、前記変換部の最大出力電圧よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記特定階調値は、最大階調値であり、前記第1電圧は、前記変換部の最小出力電圧よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記第1電圧は、前記変換部の電源電圧として使用されることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記階調信号の階調値が特定階調値である場合に前記変換部の出力を最小値にすることを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 請求項1から請求項5までのいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
- 画素部と、入力される階調信号に応じて前記画素部を駆動する駆動回路部と、第1電圧が供給される階調電源線と、を備えた電気光学装置の駆動方法であって、
前記駆動回路部は、
前記階調信号の階調値が特定階調値でない場合に前記階調信号をデータ電圧に変換して出力し、前記階調信号の階調値が特定階調値である場合には前記第1電圧を出力することを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
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JP2004274335A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Alps Electric Co Ltd | 信号処理回路及びこれを用いた液晶表示装置 |
US20120162287A1 (en) * | 2010-12-28 | 2012-06-28 | Hitachi Displays, Ltd. | Driver circuit |
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