JP2015127272A - シリコン破砕片の真空乾燥方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】洗浄籠に収容して洗浄した後のシリコン破砕片を乾燥室内に収容し、乾燥室内を加熱して減圧することにより、シリコン破砕片を真空乾燥する方法であって、シリコン破砕片を前記洗浄籠ごと乾燥室内に収容し、乾燥室内を所定の真空圧力に保持する真空乾燥工程と、真空圧力下の乾燥室内に窒素ガスを導入して真空圧力より高いパージ圧力に保持するパージ乾燥工程とを交互に繰り返すとともに、パージ乾燥工程時に前記パージ圧力に対する乾燥室内の圧力変動がしきい値以下であるか否かを検出し、しきい値以下である場合に乾燥終了と判定する。
【選択図】 図1
Description
また、このシリコン破砕片の乾燥処理は、一般に、シリコン破砕片を多数入れた籠を乾燥装置内に多数収容し、真空状態で70℃程度の温度に数時間保持することにより行われる。
シリコン破砕片は乾燥後に梱包されるが、乾燥が不十分であると、保管中等に表面にシミが生じて単結晶シリコンの品質を阻害することになる。このため、シミ等が生じないように十分に乾燥させることが求められるが、乾燥の終点を時間により管理するだけでは不完全な場合がある。
この特許文献1に記載の方法では、真空ポンプで容器内の圧力PCが5torrになるように真空化し、この状態で温度センサと露点センサの信号から算出した相対湿度RHが降下する事と、圧力センサが検出した容器内圧力PCが降下する事と、底部温度センサが検出した容器底部の温度TBが上昇する事との3つの現象の内の少なくとも2つが確認された場合に真空乾燥が完了したと判定している。また、容器内の圧力PCを5torrとして、水分が氷結する圧力(4.6torr)より少しだけ高い真空状態を保つことが記載されている。
また、高純度のシリコン破砕片を洗浄した後に乾燥処理によって汚染させることがあってはならない。
窒素ガスをパージして、真空圧力より高いパージ圧力下での圧力変動を検出することにより乾燥終了を判断するので、水分の氷結のおそれがなく、管理が容易で乾燥の終点を確実に把握することができる。
また、窒素ガスであるので、濡れた状態のシリコン破砕片の表面に溶解することもなく、シリコン破砕片の汚染を防止することができる。
シリコン破砕片を洗浄後に濡れた状態で乾燥室内に収容することにより、シリコン破砕片が洗浄後に汚染されることなく乾燥室内に収容され、高純度を維持することができる。
図2は、本発明の真空乾燥方法に使用される真空乾燥装置の例を示しており、この真空乾燥装置1においては、2基の乾燥器2が備えられるとともに、これら乾燥器2にそれぞれ真空配管3、パージ配管4が接続され、両真空配管3は一つの真空ポンプ5に接続され、パージ配管4はそれぞれ窒素ガス供給器6に接続されている。また、各乾燥器2には、乾燥室7を囲む壁、床及び天井に面状にヒータ(いずれも図示略)が設けられており、乾燥室7内を周囲から加熱することができるようになっている。図2の符号8は乾燥器2内の圧力を検出する圧力計を示す。
シリコン破砕片11は多結晶シリコンを破砕して得られた塊状であり、図4に示すように、多数のシリコン破砕片11が洗浄籠12の中に収容された状態で取り扱われる。この洗浄籠12は、例えば合成樹脂からなり、図に示すように、上方が開放状態とされた直方体の箱状に形成され、その側面及び底面には多数の孔13が開口している。
そして、シリコン破砕片11は洗浄籠12に収容された状態で、洗浄籠12ごとエッチング洗浄、水洗処理され、この洗浄籠12ごと乾燥器2の乾燥室7内に収容される。一つの乾燥器2の乾燥室内7には、複数の棚14が設けられ、各棚14の上にシリコン破砕片11を入れた洗浄籠12が複数収容される。
この場合、洗浄後にいわゆる水切りされる程度の時間放置し、洗浄籠12内の水の流下が止まった程度で、シリコン破砕片11の表面がまだ濡れている状態のときに乾燥室7に収容される。
まず、真空ポンプ5により乾燥室7内が−760mmHg(−0.101MPa)になるまで減圧する。そして、減圧開始から所定時間、例えば30分経過するまで、乾燥室7内の圧力を−760mmHgに保持する。
この処理は乾燥室7内を真空状態にすることにより、水蒸気分圧を低下させて、シリコン破砕片11に付着している水分を蒸発させる。また、真空状態であるので、多数収容した洗浄籠12内の特に内部に存在するシリコン破砕片11の水分も蒸発し易くなる。
この真空状態の乾燥工程を真空乾燥工程Vとし、このときの乾燥室7内の圧力を真空圧力とする。
この窒素ガスをパージした状態での乾燥工程をパージ乾燥工程Pとし、このときの乾燥室7内の圧力をパージ圧力とする。
この圧力変動は、シリコン破砕片11からの水分の蒸発により生じるものであり、水分が蒸発すると、その分、圧力が上昇する。したがって、−500mmHgに対して、差圧ΔPが2mmHg、つまり−498mmHgを超えて圧力上昇した場合には乾燥不十分と判定される。
この乾燥状態を判定するためのしきい値は、乾燥室7内を−500mmHgに保持したときの乾燥器2のリーク圧を考慮して設定され、このリーク圧と未乾燥時のシリコン破砕片からの水分の蒸発による圧力変化との総和として2mmHgに設定される。真空乾燥状態のときに乾燥終点を判定しようとすると、−760mmHgという高真空であるため、リーク圧も大きくなり、未乾燥時の圧力上昇を見極めにくいが、−500mmHgでの判定であることから、リーク圧も小さく、乾燥状態を正確に把握することが可能になる。
実用的には、パージ圧力は、−520mmHg(−6.9×10−2MPa)〜−480mmHg(−6.4×10−2MPa)の範囲内で任意の圧力に設定すればよく、そのときの圧力変動のしきい値は−505mmHg(−6.7×10−2MPa)〜−490mmHg(−6.5×10−2MPa)の範囲で設定すればよい。一方、真空乾燥工程時の真空圧力としては、−760mmHg(−1.0×10−1MPa)〜−740mmHg(−9.8×10−2MPa)が好ましい。
2 乾燥器
3 真空配管
4 パージ配管
5 真空ポンプ
6 窒素ガス供給器
7 乾燥室
11 シリコン破砕片
12 洗浄籠
13 孔
Claims (2)
- 洗浄籠に収容して洗浄した後のシリコン破砕片を乾燥室内に収容し、乾燥室内を加熱して減圧することにより、前記シリコン破砕片を真空乾燥する方法であって、前記シリコン破砕片を前記洗浄籠ごと前記乾燥室内に収容し、前記乾燥室内を所定の真空圧力に保持する真空乾燥工程と、前記真空圧力下の乾燥室内に窒素ガスを導入して前記真空圧力より高いパージ圧力に保持するパージ乾燥工程とを交互に繰り返すとともに、前記パージ乾燥工程時に前記パージ圧力に対する前記乾燥室内の圧力変動がしきい値以下であるか否かを検出し、しきい値以下である場合に乾燥終了と判定することを特徴とする真空乾燥方法。
- 前記シリコン破砕片をその表面が濡れている状態で前記乾燥室内に収容することを特徴とする請求項1記載の真空乾燥方法。
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