JP2015124145A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015124145A5 JP2015124145A5 JP2013272402A JP2013272402A JP2015124145A5 JP 2015124145 A5 JP2015124145 A5 JP 2015124145A5 JP 2013272402 A JP2013272402 A JP 2013272402A JP 2013272402 A JP2013272402 A JP 2013272402A JP 2015124145 A5 JP2015124145 A5 JP 2015124145A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- atoms
- ratio
- powder
- indium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013272402A JP6064895B2 (ja) | 2013-12-27 | 2013-12-27 | 酸化インジウム系酸化物焼結体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013272402A JP6064895B2 (ja) | 2013-12-27 | 2013-12-27 | 酸化インジウム系酸化物焼結体およびその製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015124145A JP2015124145A (ja) | 2015-07-06 |
| JP2015124145A5 true JP2015124145A5 (enExample) | 2016-01-21 |
| JP6064895B2 JP6064895B2 (ja) | 2017-01-25 |
Family
ID=53535117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013272402A Expired - Fee Related JP6064895B2 (ja) | 2013-12-27 | 2013-12-27 | 酸化インジウム系酸化物焼結体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6064895B2 (enExample) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5983903B2 (ja) * | 2014-08-01 | 2016-09-06 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化インジウム系酸化物焼結体とその製造方法 |
| KR102380806B1 (ko) * | 2017-02-22 | 2022-03-30 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 산화물 반도체막, 박막 트랜지스터, 산화물 소결체 및 스퍼터링 타깃 |
| CN114180938A (zh) * | 2021-12-15 | 2022-03-15 | 先导薄膜材料(广东)有限公司 | 一种氧化铟铈钛钽粉体及其制备方法 |
| CN116813310B (zh) * | 2023-06-01 | 2024-06-07 | 先导薄膜材料(广东)有限公司 | 一种稀土元素掺杂氧化铟锡镓靶材及其制备方法 |
| CN117185781B (zh) * | 2023-09-11 | 2025-10-17 | 先导薄膜材料(广东)有限公司 | 一种氧化铟镓铝粉体、靶材及粉体、靶材的制备方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103320755A (zh) * | 2006-12-13 | 2013-09-25 | 出光兴产株式会社 | 溅射靶及氧化物半导体膜 |
| JP5023745B2 (ja) * | 2007-03-12 | 2012-09-12 | 住友金属鉱山株式会社 | 透明導電膜、この透明導電膜を用いた透明導電性基板、透明導電性フィルム、並びに近赤外線遮断フィルター、および、この透明導電膜の製造方法 |
| CN103030381B (zh) * | 2007-07-06 | 2015-05-27 | 住友金属矿山株式会社 | 氧化物烧结体及其制造方法、靶、使用该靶得到的透明导电膜以及透明导电性基材 |
| KR20140041675A (ko) * | 2011-07-06 | 2014-04-04 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타겟 |
-
2013
- 2013-12-27 JP JP2013272402A patent/JP6064895B2/ja not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI525060B (zh) | An oxide sintered body, a sputtering target, a thin film, and an oxide sintered body | |
| EA033259B1 (ru) | Композиция для ухода за полостью рта | |
| JP2012043622A5 (enExample) | ||
| JP2018190490A5 (enExample) | ||
| JP2005307269A (ja) | 酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化マグネシウム系スパッタリングターゲット及び透明導電膜 | |
| TWI487687B (zh) | Indium oxide sintered body and indium oxide transparent conductive film | |
| JP2017123472A5 (enExample) | ||
| JP2013136835A5 (ja) | スパッタリングターゲットの作製方法 | |
| CN105622086A (zh) | 制备高梯度氧化锌压敏电阻陶瓷的方法 | |
| CN105821377A (zh) | 氧化物烧结体、溅射靶以及氧化物薄膜 | |
| JP2014224025A5 (enExample) | ||
| JP2011174167A5 (enExample) | ||
| JP2016510363A5 (enExample) | ||
| TWI537404B (zh) | Oxide sintered body, oxide sputtering target, and method for producing conductive oxide film and oxide sintered body | |
| JP6064895B2 (ja) | 酸化インジウム系酸化物焼結体およびその製造方法 | |
| JP2013053058A5 (enExample) | ||
| JP2016113673A5 (enExample) | ||
| JP2015059050A5 (enExample) | ||
| JP2017095790A5 (enExample) | ||
| JP2015001014A (ja) | In−Ce−O系スパッタリングターゲットとその製造方法 | |
| Lacerda et al. | Ba-Doped ZnO materials: a DFT simulation to investigate the doping effect on ferroelectricity | |
| JP2015030778A5 (enExample) | ||
| JPWO2018211792A1 (ja) | 透明導電膜用スパッタリングターゲット | |
| CN104736497B (zh) | 氧化物烧结体、氧化物溅射靶和高折射率的导电性氧化物薄膜、以及氧化物烧结体的制造方法 | |
| WO2014112209A1 (ja) | 低屈折率のアモルファス透明導電膜作製用焼結体及び低屈折率のアモルファス透明導電膜 |