JP2015124145A5 - - Google Patents

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WO2016017546A1 (ja) * 2014-08-01 2016-02-04 住友金属鉱山株式会社 酸化インジウム系酸化物焼結体とその製造方法
JP6902090B2 (ja) * 2017-02-22 2021-07-14 出光興産株式会社 酸化物半導体膜、薄膜トランジスタ、スパッタリングターゲット用酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及び電子機器
CN114180938A (zh) * 2021-12-15 2022-03-15 先导薄膜材料(广东)有限公司 一种氧化铟铈钛钽粉体及其制备方法
CN116813310B (zh) * 2023-06-01 2024-06-07 先导薄膜材料(广东)有限公司 一种稀土元素掺杂氧化铟锡镓靶材及其制备方法
CN117185781B (zh) * 2023-09-11 2025-10-17 先导薄膜材料(广东)有限公司 一种氧化铟镓铝粉体、靶材及粉体、靶材的制备方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103320755A (zh) * 2006-12-13 2013-09-25 出光兴产株式会社 溅射靶及氧化物半导体膜
JP5023745B2 (ja) * 2007-03-12 2012-09-12 住友金属鉱山株式会社 透明導電膜、この透明導電膜を用いた透明導電性基板、透明導電性フィルム、並びに近赤外線遮断フィルター、および、この透明導電膜の製造方法
KR101646488B1 (ko) * 2007-07-06 2016-08-08 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 산화물 소결물체와 그 제조 방법, 타겟, 및 그것을 이용해 얻어지는 투명 도전막 및 투명 도전성 기재
US9039944B2 (en) * 2011-07-06 2015-05-26 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Sputtering target

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