JP2015115692A - 半導体異常検出回路 - Google Patents
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Abstract
Description
(1) 電源と負荷との間の通電路に配されるスイッチ素子、及び前記スイッチ素子に流れる電流に対応したセンス信号を生成するセンス信号生成部を含む半導体回路と、
前記スイッチ素子の制御入力端子へ印加する指令電圧レベルの高/低を二値的に切り替えて、前記負荷への電力供給を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記指令電圧レベルが、前記スイッチ素子の非通電に対応するオフ電圧であり、且つ、前記センス信号の電圧値が前記スイッチ素子の非通電に対応した規定オフ電圧と同等であるとき、または、前記指令電圧レベルが、前記スイッチ素子の通電に対応するオン電圧であり、且つ、前記センス信号の電圧値が前記負荷の定常通電状態に対応する規定オン電圧と同等であるとき、前記半導体回路が正常に駆動していると識別する、
こと。
(2) 上記(1)の半導体異常検出回路において、
前記制御部は、前記指令電圧レベルが前記オフ電圧である場合における前記センス信号の電圧値が前記規定オフ電圧と同等であり、且つ、前記指令電圧レベルが前記オン電圧である場合における前記センス信号の電圧値が前記規定オン電圧と同等であるとき、前記半導体回路が正常に駆動していると識別する、
こと。
(3) 上記(2)の半導体異常検出回路において、
前記制御部は、前記指令電圧レベルが前記オフ電圧である場合における前記センス信号の電圧値を検出した後、前記指令電圧レベルが前記オン電圧である場合における前記センス信号の電圧値を検出する、
こと。
(4) 上記(1)〜(3)の半導体異常検出回路において、
前記半導体回路との間で信号の送受が可能な制御回路をさらに備え、
前記制御回路には、前記制御部が含まれる、
こと。
(5) 上記(1)〜(3)の半導体異常検出回路において、
前記半導体回路には、前記制御部が含まれる
こと。
(6) 上記(4)の半導体異常検出回路において、
前記スイッチ素子の出力端子に現れる電圧と同等の信号を前記制御回路に入力するためのモニタ信号線をさらに備え、
前記制御回路は、前記センス信号の電圧値、及び前記モニタ信号線から入力される電圧値に基づき、前記半導体回路が正常に駆動しているか否かを識別する、
こと。
(7) 上記(1)〜(6)の半導体異常検出回路において、
前記制御部は、前記指令電圧レベルが前記オン電圧になったことを検知した後、少なくとも事前に定めた遅延時間を経過するまで待機してから前記センス信号の電圧値を検出する、
こと。
上記(2)の構成の半導体異常検出回路によれば、前記スイッチ素子がショート状態、オープン状態のいずれの故障状態になった場合でも確実にこの故障を検出できる。また、完全なショートや完全なオープン以外の故障状態も検出可能である。
上記(3)の構成の半導体異常検出回路によれば、故障の識別に要する時間を短縮することができる。例えば、車両上の電装品の場合には、イグニッションスイッチがオンになった後、何らかのトリガを契機として負荷への通電が開始される。その場合、前記スイッチ素子を制御する前記指令電圧レベルは、最初はオフ電圧であり、トリガによりオン電圧に切り替わる。したがって、最初に前記指令電圧レベルがオフ電圧の状態で前記センス信号の電圧値を識別し、次に前記指令電圧レベルがオン電圧の状態で前記センス信号の電圧値を識別することにより、何回も識別を繰り返すことなく、故障の有無を正しく識別できる。
上記(4)の構成の半導体異常検出回路によれば、前記半導体回路の外側に接続した前記制御回路が、前記スイッチ素子の故障の有無を識別する。したがって、既存の半導体回路をそのまま利用して故障の有無を識別できる。
上記(5)の構成の半導体異常検出回路によれば、前記半導体回路に内蔵した前記制御部が、前記スイッチ素子の故障の有無を識別する。したがって、前記半導体回路の外側にマイクロコンピュータなどの特別な装置を接続していない場合でも故障検出が可能であり、装置の小型化が可能になる。
上記(6)の構成の半導体異常検出回路によれば、互いに異なる箇所から出力される2系統の信号に基づいて故障の有無を識別するので、より信頼性の高い識別結果が得られる。
上記(7)の構成の半導体異常検出回路によれば、負荷自体が特別なスイッチを内蔵し独自のタイミングで通電を開始するような場合であっても、故障の有無を正しく識別できる。例えば、負荷が車両用のHID(High Intensity Discharge)ランプや、LED(発光ダイオード)ランプである場合には、これらの負荷に電源電圧の供給が開始された後、ある遅延時間を経過してから電流が流れる。このような遅延時間の影響によるタイミングのずれを考慮することにより、故障を正しく検出可能になる。
本発明の半導体異常検出回路を含む電子制御装置(ECU)100の構成例(1)を図1に示す。
この電子制御装置100は、例えば車両に搭載され、車両上の様々な電装品を負荷50として制御するために利用される。すなわち、電源ライン70から負荷50への電力供給のオンオフを制御するために電子制御装置100が利用される。電源ライン70には、車両側から例えば+12Vの直流電圧が供給される。電子制御装置100内部のスイッチがオンになると、電源ライン70から電子制御装置100を経由して負荷50に電源電圧(+12V)が供給され、負荷50からアースライン71に電流が流れる。負荷50の具体例としては、ヘッドライト、テールランプなどのランプ類やその他の様々な電装品が挙げられる。
図1に示すように、この電子制御装置100は、パワー半導体デバイス10、マイクロコンピュータ(CPU)20、インタフェース(I/F)30、及び信号入力回路40を内蔵している。
図1に示した電子制御装置100における各部の信号電位の対応関係の一覧を図2に示す。パワー半導体デバイス10の制御入力端子10cに印加される「IN入力」の二値信号SG1と、出力端子10bに現れる「OUT出力」の出力信号SG2と、センス信号出力端子(IS)10dに現れるセンス信号SG3の各々の電圧の状態が図2に示してある。
図1に示した電子制御装置100においては、マイクロコンピュータ20は2種類の検出モード、すなわち「第1検出モード」及び「第2検出モード」のいずれかを用いてパワー半導体デバイス10の半導体ショートを検出することができる。
なお、図3に示した処理においては「LO時異常フラグ」及び「HI時異常フラグ」を使用しているが、図3に示した処理を実行する前の初期状態で「LO時異常フラグ」及び「HI時異常フラグ」はいずれも「0」にクリアされる。「LO時異常フラグ」及び「HI時異常フラグ」はマイクロコンピュータ20の内部メモリ上に存在する。
図3に示した処理と同様に、図4の処理においても「LO時異常フラグ」及び「HI時異常フラグ」を使用している。図4に示した処理を実行する前の初期状態で「LO時異常フラグ」及び「HI時異常フラグ」はいずれも「0」にクリアされる。
<特殊な負荷の説明>
電子制御装置100が一般的な負荷50を制御する場合には、図2に示した条件に基づいてスイッチ素子11の異常の有無を正しく識別できる。しかし、特殊な負荷が電子制御装置100の出力端子100aに接続される場合もある。
図5に示したような特性を有する特殊な負荷を電子制御装置100に接続する場合には、印加電圧Vinと負荷電流ILとの間にタイミングのずれがあるので、図2に示したような識別条件をそのまま適用してもスイッチ素子11の故障の有無を正しく識別することができない。
図6に示すように、マイクロコンピュータ20は、ステップS51でパワー半導体デバイス10の制御入力端子(IN入力)10cにおける二値信号SG1の「LO」から「HI」への立ち上がりを検出したか否かを識別する。実際には、出力ポート20aに出力している二値信号の状態を識別する。
図6の処理と同様に、図7の処理においても、マイクロコンピュータ20は、ステップS51でパワー半導体デバイス10の制御入力端子(IN入力)10cにおける二値信号SG1の「LO」から「HI」への立ち上がりを検出したか否かを識別する。実際には、出力ポート20aに出力している二値信号の状態を識別する。
<適用される状況の説明>
車両に搭載される様々な負荷、すなわち電装品の多くは、車両が停止している時には電源電力が供給されない非通電の状態にあり、イグニッションスイッチがオンになった後、何らかのトリガ入力を契機として、例えば前述のスイッチ素子11がオフからオンに切り替わり、電源電力の供給が開始される状態になる。
図3に示した処理の変形例を図8に示す。すなわち、前述のマイクロコンピュータ20が図3に示した処理を実行し、スイッチ素子11の故障の有無を識別する。電子制御装置100の構成については図1と同一である。
<装置の構成>
半導体異常検出回路を含む電子制御装置の構成例(2)を図9に示す。図9に示す構成は、図1に示した構成の変形例であり、出力モニタ回路60が追加された点が異なっている。出力モニタ回路60以外の構成は図1とほぼ同じである。
図9の電子制御装置100Bが出力端子10bの出力信号(SG2)に基づいて故障の有無を識別する場合にも、図2に示した識別条件を利用して診断を実行することができる。つまり、「IN入力=LO」の状態で出力端子10bの出力信号(SG2)が「GNDレベル」と同等であれば正常、「HI」と同等であれば異常とみなすことができる。
図1に示した電子制御装置100においては、スイッチ素子11の故障の有無を検出するための機能を有するマイクロコンピュータ20を、パワー半導体デバイス10の外側に接続してある。しかし、このような故障検出機能を実現する場合に、必ずしもコンピュータを利用する必要はない。
(1) 電源(電源ライン70)と負荷(50)との間の通電路に配されるスイッチ素子(11)、及び前記スイッチ素子に流れる電流に対応したセンス信号を生成するセンス信号生成部(ロジック・センサ回路12)を含む半導体回路(パワー半導体デバイス10)と、
前記スイッチ素子の制御入力端子へ印加する指令電圧(二値信号SG1)レベルの高/低を二値的に切り替えて、前記負荷への電力供給を制御する制御部(パワー半導体デバイス10またはマイクロコンピュータ20)と、
を備え、
前記制御部は、前記指令電圧レベルが、前記スイッチ素子の非通電に対応するオフ電圧であり、且つ、前記センス信号の電圧値が前記スイッチ素子の非通電に対応した規定オフ電圧と同等であるとき、または、前記指令電圧レベルが、前記スイッチ素子の通電に対応するオン電圧であり、且つ、前記センス信号の電圧値が前記負荷の定常通電状態に対応する規定オン電圧と同等であるとき、前記半導体回路が正常に駆動していると識別する、
ことを特徴とする半導体異常検出回路。
(2) 前記制御部は、前記指令電圧レベルが前記オフ電圧である場合における前記センス信号の電圧値が前記規定オフ電圧と同等であり、且つ、前記指令電圧レベルが前記オン電圧である場合における前記センス信号の電圧値が前記規定オン電圧と同等であるとき、前記半導体回路が正常に駆動していると識別する
ことを特徴とする(1)に記載の半導体異常検出回路。
(3) 前記制御部は、前記指令電圧レベルが前記オフ電圧である場合における前記センス信号の電圧値を検出した後、前記指令電圧レベルが前記オン電圧である場合における前記センス信号の電圧値を検出する、
ことを特徴とする(2)に記載の半導体異常検出回路。
(4) 前記半導体回路との間で信号の送受が可能な制御回路(マイクロコンピュータ20)をさらに備え、
前記制御回路には、前記制御部が含まれる、
ことを特徴とする(1)から(3)のいずれか1項に記載の半導体異常検出回路。
(5) 前記半導体回路(パワー半導体デバイス10)には、前記制御部が含まれる
ことを特徴とする(1)から(3)のいずれか1項に記載の半導体異常検出回路。
(6) 前記スイッチ素子の出力端子(10b)に現れる電圧と同等の信号を前記制御回路に入力するためのモニタ信号線(61)をさらに備え、
前記制御回路は、前記センス信号(SG3)の電圧値、及び前記モニタ信号線から入力される電圧値(出力信号SG2)に基づき、前記半導体回路が正常に駆動しているか否かを識別する、
ことを特徴とする(4)に記載の半導体異常検出回路。
(7) 前記制御部は、前記指令電圧レベルが前記オン電圧になったことを検知した後、少なくとも事前に定めた遅延時間(時間閾値Td)を経過するまで待機してから前記センス信号の電圧値を検出する、
ことを特徴とする(1)から(6)のいずれか1項に記載の半導体異常検出回路。
10a 電源入力端子
10b 出力端子
10c 制御入力端子
10d センス信号出力端子
11 スイッチ素子
12 ロジック・センサ回路
20 マイクロコンピュータ
20a 出力ポート
20b アナログ入力ポート
20c アナログ入力ポート
30 インタフェース
40 信号入力回路
50 負荷
60 出力モニタ回路
61 モニタ信号線
70 電源ライン
71 アースライン
100,100B 電子制御装置
100a 出力端子
Claims (7)
- 電源と負荷との間の通電路に配されるスイッチ素子、及び前記スイッチ素子に流れる電流に対応したセンス信号を生成するセンス信号生成部を含む半導体回路と、
前記スイッチ素子の制御入力端子へ印加する指令電圧レベルの高/低を二値的に切り替えて、前記負荷への電力供給を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記指令電圧レベルが、前記スイッチ素子の非通電に対応するオフ電圧であり、且つ、前記センス信号の電圧値が前記スイッチ素子の非通電に対応した規定オフ電圧と同等であるとき、または、前記指令電圧レベルが、前記スイッチ素子の通電に対応するオン電圧であり、且つ、前記センス信号の電圧値が前記負荷の定常通電状態に対応する規定オン電圧と同等であるとき、前記半導体回路が正常に駆動していると識別する、
ことを特徴とする半導体異常検出回路。 - 前記制御部は、前記指令電圧レベルが前記オフ電圧である場合における前記センス信号の電圧値が前記規定オフ電圧と同等であり、且つ、前記指令電圧レベルが前記オン電圧である場合における前記センス信号の電圧値が前記規定オン電圧と同等であるとき、前記半導体回路が正常に駆動していると識別する
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体異常検出回路。 - 前記制御部は、前記指令電圧レベルが前記オフ電圧である場合における前記センス信号の電圧値を検出した後、前記指令電圧レベルが前記オン電圧である場合における前記センス信号の電圧値を検出する、
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体異常検出回路。 - 前記半導体回路との間で信号の送受が可能な制御回路をさらに備え、
前記制御回路には、前記制御部が含まれる、
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体異常検出回路。 - 前記半導体回路には、前記制御部が含まれる
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体異常検出回路。 - 前記スイッチ素子の出力端子に現れる電圧と同等の信号を前記制御回路に入力するためのモニタ信号線をさらに備え、
前記制御回路は、前記センス信号の電圧値、及び前記モニタ信号線から入力される電圧値に基づき、前記半導体回路が正常に駆動しているか否かを識別する、
ことを特徴とする請求項4に記載の半導体異常検出回路。 - 前記制御部は、前記指令電圧レベルが前記オン電圧になったことを検知した後、少なくとも事前に定めた遅延時間を経過するまで待機してから前記センス信号の電圧値を検出する、
ことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体異常検出回路。
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