JP2015115338A5 - - Google Patents
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Description
トランジスターＱＮ１４及びＱＮ１５は、抵抗素子Ｒ３〜Ｒ６と共に、分圧回路を構成している。静電気の放電により、検出回路１１の出力信号がハイレベルに活性化されて、静電気保護回路１０ｂが保護動作を一旦開始すると、トランジスターＱＮ１４及びＱＮ１５がオンして、分圧回路における分圧比が上昇する。その結果、ノードＮ１とノードＮ２との間の電圧が低下し、半導体集積回路装置の内部回路が破壊に至る電圧に対するマージンが増えて静電気耐量が向上する。従って、第３の実施形態に係る静電気保護回路１０ｂも、第２の実施形態に係る静電気保護回路１０ａのＩ−Ｖ特性と同様のＩ−Ｖ特性を有するが、第２の実施形態におけるよりもＩ−Ｖ特性をきめ細やかに自由に設定することができる。
抵抗素子Ｒ２の替りにダイオードＤ６及び抵抗素子Ｒ７を用いる場合の静電気保護回路１０の保持電圧ＶＨは、次式（１４）によって近似される。
ＶＨ≒ＶｔｈＱＮ１０（Ｒ３＋Ｒ７）／Ｒ３＋ＶＢＤ６ ・・・（１４）
ここで、ＶｔｈＱＮ１０はトランジスターＱＮ１０の閾値電圧であり、Ｒ３は抵抗素子Ｒ３の抵抗値であり、Ｒ７は抵抗素子Ｒ７の抵抗値であり、ＶＢＤ６はダイオードＤ６のブレークダウン電圧である。式（１４）に示すように、抵抗素子Ｒ３及びＲ７の抵抗値を選択することにより、所望の保持電圧ＶＨを設定することができる。また、ダイオードＤ６のブレークダウン電圧ＶＢＤ６のばらつきはトランジスターＱＮ１０の閾値電圧ＶｔｈＱＮ１０のばらつきと比較して小さいので、抵抗素子のみを用いるよりも保持電圧ＶＨの変動が少ない静電気保護回路を提供することができる。
ＶＨ≒ＶｔｈＱＮ１０（Ｒ３＋Ｒ７）／Ｒ３＋ＶＢＤ６ ・・・（１４）
ここで、ＶｔｈＱＮ１０はトランジスターＱＮ１０の閾値電圧であり、Ｒ３は抵抗素子Ｒ３の抵抗値であり、Ｒ７は抵抗素子Ｒ７の抵抗値であり、ＶＢＤ６はダイオードＤ６のブレークダウン電圧である。式（１４）に示すように、抵抗素子Ｒ３及びＲ７の抵抗値を選択することにより、所望の保持電圧ＶＨを設定することができる。また、ダイオードＤ６のブレークダウン電圧ＶＢＤ６のばらつきはトランジスターＱＮ１０の閾値電圧ＶｔｈＱＮ１０のばらつきと比較して小さいので、抵抗素子のみを用いるよりも保持電圧ＶＨの変動が少ない静電気保護回路を提供することができる。
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