JP2015103629A5 - - Google Patents
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Description
本発明の光電変換装置の製造方法は、光電変換素子及び前記光電変換素子で生じた信号を増幅する増幅素子が配されたウェルを有する画素回路部と、ＭＯＳトランジスタを含む周辺回路部と、前記ウェルに所定の電圧を供給するためのコンタクトを備える光電変換装置の製造方法であって、前記光電変換素子が配される部分、前記増幅素子が配される部分、前記コンタクトが配される部分及び前記ＭＯＳトランジスタのゲート電極を覆う誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜における前記光電変換素子を覆う部分及び前記増幅素子を覆う部分をレジストによって保護して残存させつつ、前記ゲート電極の側面に前記誘電体膜の残存物によりサイドスペーサが形成されるように、前記誘電体膜をエッチングする工程とを有し、前記エッチングに伴って前記誘電体膜の前記コンタクトの一部が配される部分に開口を形成し、前記コンタクトの一部を前記開口に形成することを特徴とする。
Claims (14)
- 光電変換素子及び前記光電変換素子で生じた信号を増幅する増幅素子が配されたウェルを有する画素回路部と、ＭＯＳトランジスタを含む周辺回路部と、前記ウェルに所定の電圧を供給するためのコンタクトを備える光電変換装置の製造方法であって、
前記光電変換素子が配される部分、前記増幅素子が配される部分、前記コンタクトが配される部分及び前記ＭＯＳトランジスタのゲート電極を覆う誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜における前記光電変換素子を覆う部分及び前記増幅素子を覆う部分をレジストによって保護して残存させつつ、前記ゲート電極の側面に前記誘電体膜の残存物によりサイドスペーサが形成されるように、前記誘電体膜をエッチングする工程と、を有し、
前記エッチングに伴って前記誘電体膜の前記コンタクトの一部が配される部分に開口を形成し、前記コンタクトの一部を前記開口に形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 前記コンタクトの形成は、前記開口を介して前記ウェルに不純物を注入することで、前記ウェルよりも不純物濃度の高い不純物領域を形成する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記ＭＯＳトランジスタのドレインを形成するための、前記不純物領域を形成するための不純物と同一導電型の不純物の注入を、前記不純物領域を形成するための不純物の注入と並行して行うことを特徴とする請求項２に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記不純物領域を形成するための不純物のドーズ量は、５×１０１４［ｉｏｎｓ／ｃｍ２］以上、５×１０１６［ｉｏｎｓ／ｃｍ２］以下であることを特徴とする請求項２又は３に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記コンタクトの形成は、前記開口形成後の前記誘電体膜上に、前記画素回路部および前記周辺回路部に渡って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の前記不純物領域となる領域の上に位置する部分にコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールを介して前記領域に不純物を注入する段階を含むことを特徴とする請求項４に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記コンタクトホールは前記開口よりも幅が小さいことを特徴とする請求項５に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記不純物領域を形成する際に注入された不純物とは反対の導電型の不純物を、前記コンタクトホールを介して前記不純物領域となる領域に注入する段階を含むことを特徴とする請求項５又は６に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記不純物領域となる領域の上に前記コンタクトホールを形成する前又は後に、前記絶縁膜の前記ＭＯＳトランジスタのドレインとなる領域の上に位置する部分にコンタクトホールを形成する段階を含むことを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記コンタクトの形成は、前記不純物領域に接続するコンタクトプラグを形成する段階を含むことを特徴とする請求項２乃至８のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記不純物領域は、素子分離用の絶縁物で囲まれていることを特徴とする請求項２乃至９のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記サイドスペーサを形成する前に、前記ＭＯＳトランジスタのドレインを形成するための不純物の注入と、前記増幅素子を形成するための不純物の注入とを並行して行うことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記誘電体膜は酸化シリコン層と窒化シリコン層とを含む複層膜であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記誘電体膜は水素を含む窒化シリコン層を有することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記開口を覆う誘電体膜を形成した状態で、前記ＭＯＳトランジスタをシリサイド化することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
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