JP2015099881A - ガス供給装置、成膜装置、ガス供給方法及び記憶媒体 - Google Patents
ガス供給装置、成膜装置、ガス供給方法及び記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015099881A JP2015099881A JP2013240041A JP2013240041A JP2015099881A JP 2015099881 A JP2015099881 A JP 2015099881A JP 2013240041 A JP2013240041 A JP 2013240041A JP 2013240041 A JP2013240041 A JP 2013240041A JP 2015099881 A JP2015099881 A JP 2015099881A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- gas
- flow rate
- gas supply
- film forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 254
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 159
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims abstract description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 35
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 41
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 31
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 12
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229920002939 poly(N,N-dimethylacrylamides) Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- YGYCECQIOXZODZ-UHFFFAOYSA-N 4415-87-6 Chemical compound O=C1OC(=O)C2C1C1C(=O)OC(=O)C12 YGYCECQIOXZODZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWRKHZDUJPWJKV-UHFFFAOYSA-N 6-(carboxymethyl)bicyclo[2.2.1]heptane-2,3,5-tricarboxylic acid Chemical compound C1C2C(C(O)=O)C(CC(=O)O)C1C(C(O)=O)C2C(O)=O VWRKHZDUJPWJKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVOLTBSCXRRQFR-SJORKVTESA-N Cannabidiolic acid Natural products OC1=C(C(O)=O)C(CCCCC)=CC(O)=C1[C@@H]1[C@@H](C(C)=C)CCC(C)=C1 WVOLTBSCXRRQFR-SJORKVTESA-N 0.000 description 1
- -1 ODA (4 Chemical class 0.000 description 1
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- WVOLTBSCXRRQFR-DLBZAZTESA-M cannabidiolate Chemical compound OC1=C(C([O-])=O)C(CCCCC)=CC(O)=C1[C@H]1[C@H](C(C)=C)CCC(C)=C1 WVOLTBSCXRRQFR-DLBZAZTESA-M 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
Abstract
Description
液体または固体の原料を収容した原料容器と、
前記原料容器内の原料を気化または昇華させるためのキャリアガスを供給するキャリアガス供給部と、
気化または昇華した原料及び前記キャリアガスからなる原料ガスを成膜処理部に供給する原料ガス供給路と、
前記原料ガス供給路に各々設けられた原料ガスの流量検出部及び原料ガスの流量調整バルブと、
前記成膜処理部に対する原料ガスの給断を行う原料ガス給断部と、
前記キャリアガス供給部から供給されるキャリアガスの流量と前記流量検出部により検出された原料ガスの流量とに基づいて原料ガス中の原料の流量を求め、この原料の流量が設定値になる前記流量調整バルブの開度を取得する第1のステップと、次いで、前記流量調整バルブの開度を前記取得した開度に固定した状態で原料ガスを成膜処理部に間欠的に供給するために、前記原料ガス給断部による給断を行う第2のステップと、が実施されるように制御信号を出力する制御部と、
を備えたことを特徴とする。
上記の成膜装置1と略同様に構成された成膜装置(実験用成膜装置)を用いて、上記の実施形態に沿ってウエハWに処理を行ったときに測定されるキャリアガスの流量Q1、原料ガスの流量Q3を夫々記録した。また、このQ1及びQ3から算出される原料の気化流量Q2(=Q3−Q1)についても記録した。ただし、前記実験用成膜装置は、成膜装置1と異なり、MFC52の代わりにMFMを用いて構成されており、前記原料ガスの流量Q3は、当該MFMを用いて測定されている。このMFMはMFC52と異なり、制御部4の制御信号によって開度が変更されるバルブ67を備えていない。従って、この実験1では、上記の成膜装置1を用いて行う実施形態のステップS2において、MFC52のバルブ67の開度の調整が行われないため、ステップS2、S3、S7において当該バルブ67の開度を互いに同じ開度に固定して処理が行われていることになる。
1 成膜装置
12 反応容器
13 ウエハボート
2 ガス供給装置
21、22 ガス供給系
3 原料容器
4 制御部
51、52 MFC
Claims (8)
- 被処理基板に対して成膜処理を行う成膜処理部に原料ガスを間欠的に供給するガス供給装置において、
液体または固体の原料を収容した原料容器と、
前記原料容器内の原料を気化または昇華させるためのキャリアガスを供給するキャリアガス供給部と、
気化または昇華した原料及び前記キャリアガスからなる原料ガスを成膜処理部に供給する原料ガス供給路と、
前記原料ガス供給路に各々設けられた原料ガスの流量検出部及び原料ガスの流量調整バルブと、
前記成膜処理部に対する原料ガスの給断を行う原料ガス給断部と、
前記キャリアガス供給部から供給されるキャリアガスの流量と前記流量検出部により検出された原料ガスの流量とに基づいて原料ガス中の原料の流量を求め、この原料の流量が設定値になる前記流量調整バルブの開度を取得する第1のステップと、次いで、前記流量調整バルブの開度を前記取得した開度に固定した状態で原料ガスを成膜処理部に間欠的に供給するために、前記原料ガス給断部による給断を行う第2のステップとが、被処理基板が前記成膜処理部に搬入される度毎に実施されるように制御信号を出力する制御部と、
を備えたことを特徴とするガス供給装置。 - 前記キャリアガス供給部と原料容器との間のキャリアガス供給路にはキャリアガスの流量を設定値に設定するためのキャリアガス用のマスフローコントローラが設けられ、前記第1のステップで用いられるキャリアガスの流量は、前記マスフローコントローラにおける設定値であることを特徴とする請求項1記載のガス供給装置。
- 前記原料ガスの流量検出部及び流量調整バルブは、原料ガス用のマスフローコントローラにより構成されていることを特徴とする請求項1または2記載のガス供給装置。
- 請求項1ないし3のいずれか一つに記載のガス供給装置と、
前記成膜処理部と、
を備えたことを特徴とする成膜装置。 - 前記原料ガスとは異なる処理ガスを、前記原料ガスに対して交互に成膜処理部に供給するガス供給部を備えたことを特徴とする請求項4記載の成膜装置。
- 被処理基板に対して成膜処理を行う成膜処理部に原料ガスを間欠的に供給するガス供給方法において、
液体または固体の原料を収容した原料容器にキャリアガスを供給し、前記原料を気化または昇華させる工程と、
前記原料容器から原料ガス供給路を介して、気化または昇華した原料及び前記キャリアガスからなる原料ガスを、前記被処理基板に供給する工程と、
前記原料ガス供給路に設けられた流量検出部により原料ガスの流量を検出する工程と、
前記原料容器に供給されるキャリアガスの流量と前記流量検出部により検出された前記原料ガスの流量とに基づいて、前記原料ガス中の原料の流量を求める工程と、
前記原料ガス供給路に設けられた流量調整バルブの開度を調整し、前記原料ガス供給路を流れる原料ガスの流量を調整する工程と、
前記原料の流量が設定値になる流量調整バルブの開度を取得する工程と、
前記取得した開度に前記調整バルブを固定した状態で、原料ガスを前記成膜処理部に間欠的に供給するために、当該成膜処理部に対する原料ガスの給断を行う工程と、
を備え、
被処理基板が前記成膜処理部に搬入される度毎に、各工程が実施されることを特徴とするガス供給方法。 - 前記原料ガスとは異なる処理ガスを、前記原料ガスに対して交互に成膜処理部に供給する工程を含むことを特徴とする請求項6記載のガス供給方法。
- 基板に対して成膜処理を行うために成膜処理部に原料ガスを供給するガス供給装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは請求項6または7に記載されたガス供給方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013240041A JP6135475B2 (ja) | 2013-11-20 | 2013-11-20 | ガス供給装置、成膜装置、ガス供給方法及び記憶媒体 |
KR1020140160543A KR101866611B1 (ko) | 2013-11-20 | 2014-11-18 | 가스 공급 장치, 성막 장치, 가스 공급 방법 및 기억 매체 |
TW103139961A TWI601846B (zh) | 2013-11-20 | 2014-11-18 | 氣體供給方法及非暫時性記憶媒體 |
US14/548,654 US20150140694A1 (en) | 2013-11-20 | 2014-11-20 | Gas supply device, film forming apparatus, gas supply method, and storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013240041A JP6135475B2 (ja) | 2013-11-20 | 2013-11-20 | ガス供給装置、成膜装置、ガス供給方法及び記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015099881A true JP2015099881A (ja) | 2015-05-28 |
JP6135475B2 JP6135475B2 (ja) | 2017-05-31 |
Family
ID=53173698
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013240041A Active JP6135475B2 (ja) | 2013-11-20 | 2013-11-20 | ガス供給装置、成膜装置、ガス供給方法及び記憶媒体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150140694A1 (ja) |
JP (1) | JP6135475B2 (ja) |
KR (1) | KR101866611B1 (ja) |
TW (1) | TWI601846B (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017066511A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 原料ガス供給装置、原料ガス供給方法及び記憶媒体 |
JP2017076784A (ja) * | 2015-10-09 | 2017-04-20 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 有機膜の気相堆積 |
JP2017101295A (ja) * | 2015-12-02 | 2017-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 原料ガス供給装置、原料ガス供給方法及び記憶媒体 |
US10923361B2 (en) | 2016-06-01 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of organic films |
CN112695297A (zh) * | 2020-11-24 | 2021-04-23 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种半导体工艺中腔室压力的控制方法 |
US11094535B2 (en) | 2017-02-14 | 2021-08-17 | Asm Ip Holding B.V. | Selective passivation and selective deposition |
US11387107B2 (en) | 2016-06-01 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of organic films |
US11389824B2 (en) | 2015-10-09 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Vapor phase deposition of organic films |
US11446699B2 (en) | 2015-10-09 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Vapor phase deposition of organic films |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10428421B2 (en) | 2015-08-03 | 2019-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition on metal or metallic surfaces relative to dielectric surfaces |
US10256101B2 (en) | 2015-09-30 | 2019-04-09 | Tokyo Electron Limited | Raw material gas supply apparatus, raw material gas supply method and storage medium |
US10087523B2 (en) * | 2016-05-20 | 2018-10-02 | Lam Research Corporation | Vapor delivery method and apparatus for solid and liquid precursors |
CN110230041B (zh) * | 2018-03-05 | 2021-05-07 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种原子层沉积设备及方法 |
JP7129798B2 (ja) * | 2018-03-16 | 2022-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 流量制御方法及び成膜装置 |
KR102196514B1 (ko) * | 2018-07-16 | 2020-12-31 | (주)지오엘리먼트 | 기화량을 일정하게 유지하면서 예비 퍼지가 가능한 기화 시스템 및 기화 방법 |
CN109807954B (zh) * | 2019-04-18 | 2022-02-22 | 威海市龙升精密机械股份有限公司 | 一种ro膜裁边套圈气检一体化装置 |
CN110034011A (zh) * | 2019-04-23 | 2019-07-19 | 湖南艾科威智能装备有限公司 | 一种适用于低压扩散炉的源压控制方法及系统 |
US11946136B2 (en) * | 2019-09-20 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing device |
KR20220047806A (ko) * | 2019-12-27 | 2022-04-19 | 가부시키가이샤 후지킨 | 유량 제어 장치 및 유량 제어 방법 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05305228A (ja) * | 1992-04-28 | 1993-11-19 | Soken Kogyo Kk | 定量気化供給装置 |
JPH05329357A (ja) * | 1992-05-28 | 1993-12-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ガス供給装置 |
JPH11131237A (ja) * | 1997-10-31 | 1999-05-18 | Sony Corp | ソースガス供給方法及びソースガス供給装置 |
JP2006052424A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
JP2009016799A (ja) * | 2007-06-07 | 2009-01-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2009231428A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Panasonic Corp | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
JP2010153741A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
JP2011066263A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6701066B2 (en) * | 2001-10-11 | 2004-03-02 | Micron Technology, Inc. | Delivery of solid chemical precursors |
JP2004091850A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
US20050095859A1 (en) * | 2003-11-03 | 2005-05-05 | Applied Materials, Inc. | Precursor delivery system with rate control |
JP5045000B2 (ja) * | 2006-06-20 | 2012-10-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、ガス供給装置、成膜方法及び記憶媒体 |
JP4605790B2 (ja) * | 2006-06-27 | 2011-01-05 | 株式会社フジキン | 原料の気化供給装置及びこれに用いる圧力自動調整装置。 |
JP5236755B2 (ja) * | 2011-01-14 | 2013-07-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
JP5720406B2 (ja) * | 2011-05-10 | 2015-05-20 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置、熱処理装置、ガス供給方法及び熱処理方法 |
-
2013
- 2013-11-20 JP JP2013240041A patent/JP6135475B2/ja active Active
-
2014
- 2014-11-18 KR KR1020140160543A patent/KR101866611B1/ko active IP Right Grant
- 2014-11-18 TW TW103139961A patent/TWI601846B/zh active
- 2014-11-20 US US14/548,654 patent/US20150140694A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05305228A (ja) * | 1992-04-28 | 1993-11-19 | Soken Kogyo Kk | 定量気化供給装置 |
JPH05329357A (ja) * | 1992-05-28 | 1993-12-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ガス供給装置 |
JPH11131237A (ja) * | 1997-10-31 | 1999-05-18 | Sony Corp | ソースガス供給方法及びソースガス供給装置 |
JP2006052424A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
JP2009016799A (ja) * | 2007-06-07 | 2009-01-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2009231428A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Panasonic Corp | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
JP2010153741A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
JP2011066263A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017066511A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 原料ガス供給装置、原料ガス供給方法及び記憶媒体 |
US11654454B2 (en) | 2015-10-09 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Vapor phase deposition of organic films |
US11446699B2 (en) | 2015-10-09 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Vapor phase deposition of organic films |
JP7383192B2 (ja) | 2015-10-09 | 2023-11-17 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 有機膜の気相堆積 |
JP7299289B2 (ja) | 2015-10-09 | 2023-06-27 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 有機膜の気相堆積 |
KR102546221B1 (ko) * | 2015-10-09 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 유기막들의 기상 퇴적 |
JP2017076784A (ja) * | 2015-10-09 | 2017-04-20 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 有機膜の気相堆積 |
KR20170044026A (ko) * | 2015-10-09 | 2017-04-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 유기막들의 기상 퇴적 |
JP2022009666A (ja) * | 2015-10-09 | 2022-01-14 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 有機膜の気相堆積 |
JP7007795B2 (ja) | 2015-10-09 | 2022-01-25 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 有機膜の気相堆積 |
US11389824B2 (en) | 2015-10-09 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Vapor phase deposition of organic films |
JP2017101295A (ja) * | 2015-12-02 | 2017-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 原料ガス供給装置、原料ガス供給方法及び記憶媒体 |
US11387107B2 (en) | 2016-06-01 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of organic films |
US10923361B2 (en) | 2016-06-01 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of organic films |
US11728175B2 (en) | 2016-06-01 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of organic films |
US11094535B2 (en) | 2017-02-14 | 2021-08-17 | Asm Ip Holding B.V. | Selective passivation and selective deposition |
CN112695297A (zh) * | 2020-11-24 | 2021-04-23 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种半导体工艺中腔室压力的控制方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101866611B1 (ko) | 2018-06-11 |
KR20150058040A (ko) | 2015-05-28 |
TWI601846B (zh) | 2017-10-11 |
JP6135475B2 (ja) | 2017-05-31 |
TW201546319A (zh) | 2015-12-16 |
US20150140694A1 (en) | 2015-05-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6135475B2 (ja) | ガス供給装置、成膜装置、ガス供給方法及び記憶媒体 | |
US9563209B2 (en) | Raw material gas supply method | |
US9725808B2 (en) | Raw material gas supply apparatus | |
JP6678489B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US10113235B2 (en) | Source gas supply unit, film forming apparatus and source gas supply method | |
JP6627474B2 (ja) | 原料ガス供給装置、原料ガス供給方法及び記憶媒体 | |
US9777377B2 (en) | Film forming method and film forming device | |
US20140209021A1 (en) | Raw material gas supply device, film forming apparatus, flow rate measuring method, and non-transitory storage medium | |
US10256101B2 (en) | Raw material gas supply apparatus, raw material gas supply method and storage medium | |
KR20190070872A (ko) | 기판 처리 방법, 기억 매체 및 원료 가스 공급 장치 | |
JP2013076113A (ja) | ガス供給装置及び成膜装置 | |
JP2005307233A (ja) | 成膜装置及び成膜方法及びプロセスガスの供給方法 | |
CN115698374A (zh) | 石英晶体微天平浓度监测 | |
JP2008248395A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の調圧方法 | |
JP2017053039A (ja) | 原料ガス供給装置、成膜装置、流量の測定方法及び記憶媒体 | |
JP2023047087A (ja) | ガス供給システム、基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
TW202319575A (zh) | 用於監測至製程室的前驅物輸送之系統 | |
JP2015040337A (ja) | 基板処理装置、気化器及び半導体装置の製造方法 | |
JP2000183050A (ja) | 成膜処理システムの液体原料の気化量評価方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160525 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160525 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170316 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170328 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170410 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6135475 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |