JP2015099869A - 面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】面発光型半導体レーザアレイ10は、下部DBR、活性領域、上部DBRを含むメサを複数含んで形成される。各メサの頂部には、p側電極16が形成され、メサから隣接してn側電極18が形成される。1つの発光部12のn側電極18からp側電極16までの距離L1は、1つの発光部12のn側電極18から隣接する発光部のp側電極16までの距離L2よりも小さい。
【選択図】図1
Description
請求項2は、複数の柱状構造は、それぞれ等間隔で配置される、請求項1に記載の面発光型半導体レーザアレイ。
請求項3は、複数の柱状構造は、マルチコアファイバのコア位置に対応するように円周方向に配置される、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザアレイ。
請求項4は、複数の第1の電極は、それぞれ等間隔で配置される、請求項1ないし3いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。
請求項5は、第1の電極は、対応する第2の電極の半径方向の外側に配置される、請求項1ないし4いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。
請求項6は、第1の電極および対応する第2の電極は、回転対称の位置に配置される、請求項1ないし5いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。
請求項7は、第1の電極と第2の電極は、同一平面に配置される、請求項1ないし6いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。
請求項8は、第1の電極は、柱状構造の底部に配置される、請求項1ないし6いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。
請求項9は、基板は、半絶縁性の半導体基板であり、当該半導体基板上に第1導電型の半導体層が形成され、当該半導体層は、複数の柱状構造の第1の半導体多層膜反射鏡に共通に電気的に接続される、請求項1ないし8いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。
請求項10は、請求項1ないし9いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイと、前記面発光型半導体レーザアレイからの光を入射する光学部材とを実装した面発光型半導体レーザ装置。
請求項11は、請求項1ないし9いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイと、前記面発光型半導体レーザアレイから発せられたレーザ光を光媒体を介して伝送する伝送手段とを備えた光伝送装置。
請求項12は、請求項1ないし9いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイと、前記面発光型半導体レーザアレイから出射されるレーザ光を記録媒体に集光する集光手段と、前記集光手段により集光されたレーザ光を前記記録媒体上で走査する機構とを有する情報処理装置。
請求項2、3によれば、柱状構造の位置決めを容易にすることができる。
請求項4によれば、第1の電極の位置決めを容易にすることができる。
請求項5によれば、距離L1と距離L2の差分を大きくすることができる。
請求項6によれば、第1の電極および第2の電極の位置決めを容易にすることができる。
請求項7、8によれば、コプレーナ電極構造により高周波特性を改善することができる。
12:発光部
13:溝
14:光出射口
16:p側電極
17、19:引き出し用の金属配線
18:n側電極
100:基板
102:コンタクト層
104:下部DBR
106:活性領域
108:上部DBR
120:電流狭窄層
130:層間絶縁膜
130A、130B:コンタクトホール
140:開口
Claims (12)
- 基板上に、第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡、活性領域、第2導電型の第2の半導体多層膜反射鏡を含む柱状構造が複数形成された面発光型半導体レーザアレイであって、
各柱状構造の第1の半導体多層膜反射鏡に電気的に接続される複数の第1の電極と、
各柱状構造の頂部において第2の半導体多層膜反射鏡に電気的に接続される複数の第2の電極とを有し、
第1の電極から対応する第2の電極までの距離L1は、当該第1の電極から隣接する第2の電極までの距離L2よりも小さい、面発光型半導体レーザアレイ。 - 複数の柱状構造は、それぞれ等間隔で配置される、請求項1に記載の面発光型半導体レーザアレイ。
- 複数の柱状構造は、マルチコアファイバのコア位置に対応するように円周方向に配置される、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザアレイ。
- 複数の第1の電極は、それぞれ等間隔で配置される、請求項1ないし3いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。
- 第1の電極は、対応する第2の電極の半径方向の外側に配置される、請求項1ないし4いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。
- 第1の電極および対応する第2の電極は、回転対称の位置に配置される、請求項1ないし5いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。
- 第1の電極と第2の電極は、同一平面に配置される、請求項1ないし6いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。
- 第1の電極は、柱状構造の底部に配置される、請求項1ないし6いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。
- 基板は、半絶縁性の半導体基板であり、当該半導体基板上に第1導電型の半導体層が形成され、当該半導体層は、複数の柱状構造の第1の半導体多層膜反射鏡に共通に電気的に接続される、請求項1ないし8いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。
- 請求項1ないし9いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイと、
前記面発光型半導体レーザアレイからの光を入射する光学部材とを実装した面発光型半導体レーザ装置。 - 請求項1ないし9いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイと、
前記面発光型半導体レーザアレイから発せられたレーザ光を光媒体を介して伝送する伝送手段とを備えた光伝送装置。 - 請求項1ないし9いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイと、
前記面発光型半導体レーザアレイから出射されるレーザ光を記録媒体に集光する集光手段と、
前記集光手段により集光されたレーザ光を前記記録媒体上で走査する機構とを有する情報処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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