JP2015091025A - 固体撮像装置およびその駆動方法、並びに電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】固体撮像装置は、複数の画素として、撮像画像を生成するための撮像画素と、位相差検出を行うための位相差検出画素とが配置された画素アレイ部を備え、位相差検出画素は、複数の光電変換部と、光電変換部それぞれに蓄積された電荷を電圧に変換する複数のFD(フローティングディフュージョン)と、FDそれぞれの電圧を増幅する複数の増幅トランジスタとを有する。本技術は、例えばCMOSイメージセンサに適用することができる。
【選択図】図3
Description
図1は、本技術を適用した固体撮像装置を備える電子機器の一実施の形態を示すブロック図である。
次に、図2を参照して、イメージセンサ14の画素アレイ部の画素配置について説明する。
図3は、画素アレイ部に配置される撮像画素31および位相差検出画素32のより詳細な構成例を示している。
まず、図4および図5を参照して、本技術の第1の実施の形態の撮像画素および位相差検出画素の構成例について説明する。図4は、撮像画素および位相差検出画素の構成例を示す平面図であり、図5は、撮像画素および位相差検出画素の構成例を示す回路図である。
次に、図6および図7を参照して、本技術の第1の実施の形態の撮像画素および位相差検出画素の他の構成例について説明する。図6は、撮像画素および位相差検出画素の構成例を示す平面図であり、図7は、撮像画素および位相差検出画素の構成例を示す回路図である。
次に、図8および図9を参照して、本技術の第2の実施の形態の撮像画素および位相差検出画素の構成例について説明する。図8は、撮像画素および位相差検出画素の構成例を示す平面図であり、図9は、撮像画素および位相差検出画素の構成例を示す回路図である。
次に、図12および図13を参照して、本技術の第3の実施の形態の撮像画素および位相差検出画素の構成例について説明する。図12は、撮像画素および位相差検出画素の構成例を示す平面図であり、図13は、撮像画素および位相差検出画素の構成例を示す回路図である。
次に、図14および図15を参照して、本技術の第3の実施の形態の撮像画素および位相差検出画素の他の構成例について説明する。図14は、撮像画素および位相差検出画素の構成例を示す平面図であり、図15は、撮像画素および位相差検出画素の構成例を示す回路図である。
(1)
複数の画素として、撮像画像を生成するための撮像画素と、位相差検出を行うための位相差検出画素とが配置された画素アレイ部を備え、
前記位相差検出画素は、
複数の光電変換部と、
前記光電変換部それぞれに蓄積された電荷を電圧に変換する複数のFD(フローティングディフュージョン)と、
前記FDそれぞれの電圧を増幅する複数の増幅トランジスタと
を有する
固体撮像装置。
(2)
前記位相差検出画素において、複数の前記光電変換部の少なくとも1つは、前記位相差検出画素に隣接する前記撮像画素の少なくとも1つと、前記FDおよび前記増幅トランジスタを共有する
(1)に記載の固体撮像装置。
(3)
前記位相差検出画素は、第1の光電変換部と第2の光電変換部とを有し、
前記第1の光電変換部は、前記位相差検出画素に隣接する第1の撮像画素と、前記FDおよび前記増幅トランジスタを共有し、
前記第2の光電変換部は、前記位相差検出画素に隣接する、前記第1の撮像画素とは異なる第2の撮像画素と、前記FDおよび前記増幅トランジスタを共有する
(1)または(2)に記載の固体撮像装置。
(4)
前記位相差検出画素と前記第1の撮像画素とは、1つの画素共有単位に含まれ、
前記第2の撮像画素は他の画素共有単位に含まれる
(3)に記載の固体撮像装置。
(5)
前記増幅トランジスタを含む画素トランジスタは、前記画素共有単位を構成する画素同士の間に配置される
(4)に記載の固体撮像装置。
(6)
前記画素共有単位は、
前記画素共有単位を構成する画素それぞれの前記FDに蓄積されている電荷を排出するリセットトランジスタと、
前記リセットトランジスタそれぞれに接続され、前記画素共有単位を構成する画素それぞれの前記FDの容量を変化させる変換効率切替トランジスタとを有する
(4)または(5)に記載の固体撮像装置。
(7)
前記リセットトランジスタそれぞれのソースは、前記画素共有単位を構成する画素それぞれの前記FDに接続され、
前記リセットトランジスタそれぞれのドレインは、前記変換効率切替トランジスタのソースに接続される
(6)に記載の固体撮像装置。
(8)
前記FDは、STI(Shallow Trench Isolation)による素子分離領域に囲まれて形成される
(4)乃至(7)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(9)
前記第2の撮像画素を含む前記画素共有単位は、前記位相差検出画素と前記第1の撮像画素とを含む前記画素共有単位の隣接行に配置される
(4)に記載の固体撮像装置。
(10)
前記第2の光電変換部に対応する前記FDと、前記第2の撮像画素の前記FDとの間に、前記第2の光電変換部に蓄積された電荷を読み出すための読み出し用トランジスタが形成される
(9)に記載の固体撮像装置。
(11)
前記画素はそれぞれ、前記光電変換部に蓄積された電荷を前記FDに転送する転送トランジスタを有し、
前記転送トランジスタは、矩形状に形成される前記光電変換部の角部に形成される
(4)乃至(10)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(12)
前記画素共有単位は、縦2画素共有で構成される
(4)乃至(11)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(13)
前記画素共有単位は、2×2画素共有で構成される
(4)乃至(11)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(14)
複数の画素として、撮像画像を生成するための撮像画素と、位相差検出を行うための位相差検出画素とが配置された画素アレイ部を備え、
前記位相差検出画素が、複数の光電変換部と、前記光電変換部それぞれに蓄積された電荷を電圧に変換する複数のFD(フローティングディフュージョン)と、前記FDそれぞれの電圧を増幅する複数の増幅トランジスタとを有する固体撮像装置の駆動方法であって、
前記固体撮像装置が、
前記位相差検出画素において、複数の前記光電変換部における電荷の蓄積、および、複数の前記光電変換部に蓄積された電荷に対応する信号の読み出しを、それぞれ同時に行う
ステップを含む固体撮像装置の駆動方法。
(15)
複数の画素として、撮像画像を生成するための撮像画素と、位相差検出を行うための位相差検出画素とが配置された画素アレイ部を備え、
前記位相差検出画素は、
複数の光電変換部と、
前記光電変換部それぞれに蓄積された電荷を電圧に変換する複数のFD(フローティングディフュージョン)と、
前記FDそれぞれの電圧を増幅する複数の増幅トランジスタと
を有する固体撮像装置
を備える電子機器。
Claims (15)
- 複数の画素として、撮像画像を生成するための撮像画素と、位相差検出を行うための位相差検出画素とが配置された画素アレイ部を備え、
前記位相差検出画素は、
複数の光電変換部と、
前記光電変換部それぞれに蓄積された電荷を電圧に変換する複数のFD(フローティングディフュージョン)と、
前記FDそれぞれの電圧を増幅する複数の増幅トランジスタと
を有する
固体撮像装置。 - 前記位相差検出画素において、複数の前記光電変換部の少なくとも1つは、前記位相差検出画素に隣接する前記撮像画素の少なくとも1つと、前記FDおよび前記増幅トランジスタを共有する
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記位相差検出画素は、第1の光電変換部と第2の光電変換部とを有し、
前記第1の光電変換部は、前記位相差検出画素に隣接する第1の撮像画素と、前記FDおよび前記増幅トランジスタを共有し、
前記第2の光電変換部は、前記位相差検出画素に隣接する、前記第1の撮像画素とは異なる第2の撮像画素と、前記FDおよび前記増幅トランジスタを共有する
請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記位相差検出画素と前記第1の撮像画素とは、1つの画素共有単位に含まれ、
前記第2の撮像画素は他の画素共有単位に含まれる
請求項3に記載の固体撮像装置。 - 前記増幅トランジスタを含む画素トランジスタは、前記画素共有単位を構成する画素同士の間に配置される
請求項4に記載の固体撮像装置。 - 前記画素共有単位は、
前記画素共有単位を構成する画素それぞれの前記FDに蓄積されている電荷を排出するリセットトランジスタと、
前記リセットトランジスタそれぞれに接続され、前記画素共有単位を構成する画素それぞれの前記FDの容量を変化させる変換効率切替トランジスタとを有する
請求項4に記載の固体撮像装置。 - 前記リセットトランジスタそれぞれのソースは、前記画素共有単位を構成する画素それぞれの前記FDに接続され、
前記リセットトランジスタそれぞれのドレインは、前記変換効率切替トランジスタのソースに接続される
請求項6に記載の固体撮像装置。 - 前記FDは、STI(Shallow Trench Isolation)による素子分離領域に囲まれて形成される
請求項4に記載の固体撮像装置。 - 前記第2の撮像画素を含む前記画素共有単位は、前記位相差検出画素と前記第1の撮像画素とを含む前記画素共有単位の隣接行に配置される
請求項4に記載の固体撮像装置。 - 前記第2の光電変換部に対応する前記FDと、前記第2の撮像画素の前記FDとの間に、前記第2の光電変換部に蓄積された電荷を読み出すための読み出し用トランジスタが形成される
請求項9に記載の固体撮像装置。 - 前記画素はそれぞれ、前記光電変換部に蓄積された電荷を前記FDに転送する転送トランジスタを有し、
前記転送トランジスタは、矩形状に形成される前記光電変換部の角部に形成される
請求項4に記載の固体撮像装置。 - 前記画素共有単位は、縦2画素共有で構成される
請求項4に記載の固体撮像装置。 - 前記画素共有単位は、2×2画素共有で構成される
請求項4に記載の固体撮像装置。 - 複数の画素として、撮像画像を生成するための撮像画素と、位相差検出を行うための位相差検出画素とが配置された画素アレイ部を備え、
前記位相差検出画素が、複数の光電変換部と、前記光電変換部それぞれに蓄積された電荷を電圧に変換する複数のFD(フローティングディフュージョン)と、前記FDそれぞれの電圧を増幅する複数の増幅トランジスタとを有する固体撮像装置の駆動方法であって、
前記固体撮像装置が、
前記位相差検出画素において、複数の前記光電変換部における電荷の蓄積、および、複数の前記光電変換部に蓄積された電荷に対応する信号の読み出しを、それぞれ同時に行う
ステップを含む固体撮像装置の駆動方法。 - 複数の画素として、撮像画像を生成するための撮像画素と、位相差検出を行うための位相差検出画素とが配置された画素アレイ部を備え、
前記位相差検出画素は、
複数の光電変換部と、
前記光電変換部それぞれに蓄積された電荷を電圧に変換する複数のFD(フローティングディフュージョン)と、
前記FDそれぞれの電圧を増幅する複数の増幅トランジスタと
を有する固体撮像装置
を備える電子機器。
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