JP2015059078A - 第13族金属窒化物基板の製造方法 - Google Patents
第13族金属窒化物基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015059078A JP2015059078A JP2013195717A JP2013195717A JP2015059078A JP 2015059078 A JP2015059078 A JP 2015059078A JP 2013195717 A JP2013195717 A JP 2013195717A JP 2013195717 A JP2013195717 A JP 2013195717A JP 2015059078 A JP2015059078 A JP 2015059078A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- group
- growth
- metal nitride
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
【解決手段】極性面を主面とし、おもて側の主面の少なくとも一部を成長阻害部材102で被覆して複数のライン状開口部103を有するストライプパターンを形成した種結晶101を準備し、開口部103から、おもて側の主面に対して垂直な方向に第一の第13族金属窒化物結晶104を成長させ、第一の結晶104が露出するまで、裏側の主面から種結晶101の一部または全部を除去し、露出させた第一の結晶105から、少なくとも裏側の主面に平行な方向に第二の第13族金属窒化物結晶106を成長させ、第二の結晶106を切断および/または研削して、板状の第13族金属窒化物基板107を得る。
【選択図】図3
Description
即ち、本発明は以下の通りである。
[1] 極性面を主面とし、おもて側の主面と裏側の主面を有する種結晶であって、該おもて側の主面の少なくとも一部を成長阻害部材で被覆して複数のライン状開口部を有するストライプパターンを形成した種結晶を準備する準備工程と、
複数の該ライン状開口部から、該おもて側の主面に対して垂直な方向に第一の第13族金属窒化物結晶を成長させる第一成長工程と、
該第一成長工程で成長させた第一の第13族金属窒化物結晶が露出するまで、裏側の主面から種結晶の一部または全部を除去する除去工程と、
該除去工程で露出させた第一の第13族金属窒化物結晶から、少なくとも該裏側の主面に平行な方向に第二の第13族金属窒化物結晶を成長させる第二成長工程と、
該第二成長工程で成長させた第二の第13族金属窒化物結晶を切断および/または研削して、板状の第13族金属窒化物基板を得る基板作製工程とを備え、
前記第一成長工程において、複数のライン状開口部から成長した第一の第13族金属窒化物結晶同士が、互いに連結されるように成長させ、
前記除去工程において、露出した第一の第13族金属窒化物結晶は種結晶の主面と平行な面を複数有しており、
前記第二成長工程において、第一の第13族金属窒化物結晶から成長した複数の第二の第13族金属窒化物結晶同士が接合するまで成長させることを特徴とする、第13族金属窒化物基板の製造方法。
[2] 前記種結晶のおもて側の主面が−C面であり、裏側の主面が+C面である、[1]に記載の第13族金属窒化物基板の製造方法。
[3] 前記複数のライン状開口部が、a軸方向に伸びるストライプパターンを形成する、[1]または[2]に記載の第13族金属窒化物基板の製造方法。
[4] 前記複数のライン状開口部が、m軸方向に伸びるストライプパターンを形成する、[1]または[2]に記載の第13族金属窒化物基板の製造方法。
[5] 前記ストライプパターンの成長阻害部材の幅W1が1mm〜20mmである、[1]〜[4]のいずれかに記載の第13族金属窒化物基板の製造方法。
[6] 前記第一の成長工程において、複数のライン状開口部からおもて側の主面に対して垂直な方向に板状の第13族金属窒化物結晶を成長させる、[1]〜[5]のいずれか
に記載の第13族金属窒化物基板の製造方法。
[7] 前第二成長工程において、第二の第13族金属窒化物結晶の成長表面が連続した平坦な面なるまで成長させる、[1]〜[6]のいずれかに記載の第13族金属窒化物基板の製造方法。
[8] 前記第一成長工程および前記第二成長工程を、超臨界状態および/または亜臨界状態の溶媒中で結晶成長をさせることによって行う、[1]〜[7]のいずれかに記載の第13族金属窒化物基板の製造方法。
[9] 前記第13族金属窒化物基板の主面が極性面である、[1]〜[8]のいずれかに記載の第13族金属窒化物基板の製造方法。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様や具体例に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様や具体例に限定されるものではない。
なお、本願において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。また、本願におけるミラー指数は、指数が負である場合に当該指数の前にマイナス記号をつけて表記している。また、本明細書において<・・・・>との表記は方向の集合表現、[・・・・]との表記は方向の個別表現を表す。それに対して{・・・・}との表記は面の集合表現、(・・・・)との表記は面の個別表現を表す。
本願明細書において「主面」とは、結晶に存在する表面のうち最も広い面を意味し、種結晶の「主面」は、通常、表裏に略平行に存在し、それぞれ「おもて側の主面」と「裏側の主面」と称する。
本願明細書において、「C面」とは、六方晶構造(ウルツ鉱型結晶構造)における{0001}面であり、c軸に直交する面である。かかる面は極性面であり、第13族金属窒化物結晶では「+C面」は第13族金属面(窒化ガリウムの場合はガリウム面)であり、「−C面」は窒素面である。
また、本願明細書において、「A面」とは{2−1−10}面と等価な面であり、具体的には(2−1−10)面、(−12−10)面、(−1−120)面、(−2110)面、(1−210)面、或いは(11−20)面であり、a軸に直交する面である。かかる面は非極性面である。本明細書において「c軸」「m軸」「a軸」とは、それぞれC面、M面、A面に垂直な軸を意味する。
本発明の第13族金属窒化物基板(以下、第13族窒化物基板と称する場合がある)の製造方法は、以下(1)〜(5)の工程を含むことを特徴とする。
(1)極性面を主面とし、おもて側の主面と裏側の主面を有する種結晶であって、該おもて側の主面の少なくとも一部を成長阻害部材で被覆して複数のライン状開口部を有するストライプパターンを形成した種結晶を準備する準備工程
(2)複数の該ライン状開口部から、該おもて側の主面に対して垂直な方向に第一の第13族金属窒化物結晶(以下、第一の第13族窒化物結晶と称する場合がある)を成長させ、複数のライン状開口部から成長した第一の第13族窒化物結晶同士が、互いに連結されるように成長させる第一成長工程
(3)該第一成長工程で成長させた第一の第13族窒化物結晶が露出するまで、裏側の主面から種結晶の一部または全部を除去し、露出した第一の第13族窒化物結晶は種結晶の主面と平行な面を複数有するように加工する除去工程
(4)該除去工程で露出させた第一の第13族窒化物結晶から、少なくとも該裏側の主面に平行な方向に第二の第13族金属窒化物結晶(以下、第二の第13族窒化物と称する場合がある)を成長させ、第一の第13族窒化物結晶から成長した複数の第二の第13族窒化物結晶同士が接合するまで成長させる第二成長工程
(5)該第二成長工程で成長させた第二の第13族金属窒化物結晶を切断および/または研削して、板状の第13族金属窒化物基板を得る基板作製工程
図3に、本製造方法の一連の工程を説明する概念図を示し、以下に第13族金属窒化物結晶としてGaN結晶を成長する場合を例として説明するが、本発明の製造方法はこれに
限定されない。
以下に、各工程についてさらに詳細に説明を行う。
本発明の第13族金属窒化物基板の製造方法に係る準備工程は、「極性面を主面とし、おもて側の主面と裏側の主面を有する種結晶であって、該おもて側の主面の少なくとも一部を成長阻害部材で被覆して複数のライン状開口部を有するストライプパターンを形成した種結晶を準備する」工程である。準備工程は、種結晶の主面の少なくとも一部を成長阻害部材で被覆する工程であってもよく、既に主面の少なくとも一部が成長阻害部材で被覆された種結晶を入手する工程であってもよい。
本発明の製造方法における種結晶は、例えば、GaNに代表される第13族金属窒化物、または、サファイア、Si、SiC、Ga2O3、GaAs、ZnO(酸化亜鉛)などの基板が挙げられ、第13族金属窒化物、サファイア、GaAs、酸化亜鉛、SiおよびSiCからなる群から選ばれる少なくとも1種の結晶であることが好ましい。また、第13族金属窒化物の中でも、その上に成長させる第13族金属窒化物結晶と同種の結晶であることが好ましい。例えば、GaN結晶を成長させてGaN基板を得ようとしている場合は、種結晶もGaNからなることが好ましい。第13族金属窒化物結晶としては、GaNの他に、AlN、InN、またはこれらの混晶などを挙げることができる。混晶としては、AlGaN、InGaN、AlInN、AlInGaNなどを挙げることができる。好ましいのはGaNおよびGaを含む混晶であり、より好ましいのはGaNである。なお、種結晶として、その上に成長させる第13族金属窒化物結晶と異種の結晶を含む基板を用いる場合には、異種の結晶上に第13族金属窒化物結晶からなる結晶層を形成したもの(テンプレート基板)を用いることが好ましい。
種結晶の主面の最大径は10mm以上であることが好ましく、15mm以上であることがより好ましく、20mm以上であることがさらに好ましく、通常、150mm以下である。前記下限値以上とすることで、得られる第13族窒化物基板の主面の大きさをより大きなものとすることができる傾向がある。なお、主面の最大径とは、主面の形状が円形の場合にはその直径を、円形以外の形状の場合には主面における最大長さを意味する。
種結晶の結晶成長方法については何ら限定されないが、種結晶としてGaN等の第13族金属窒化物結晶を用いる場合には、ハイドライド気相成長法(HVPE法)、有機金属化学蒸着法(MOCVD法)、有機金属塩化物気相成長法(MOC法)、分子線エピタキシー法(MBE法)等の気相成長法で成長させた結晶であってもよく、液相エピタキシー法(LPE法)、フラックス法、アモノサーマル法(本明細書において、アモノサーマル法を液相成長法に分類して取り扱うものとする。)等の液相成長法で成長させた結晶であってもよい。この中でも、主面面積が大面積の種結晶を用いるとの観点からは、成長効率の高いHVPE法で得た結晶が好ましい。
本発明の製造方法における成長阻害部材はマスクとして機能する部材であり、種結晶のおもて側の主面上の第一の第13族金属窒化物結晶の成長を抑制するために設けられる。成長阻害部材は、種結晶のおもて側の主面表面が露出しているライン状の開口部が残るように部分的に形成される。前記成長阻害層の材料としては、反応中に溶解したり、分解しなければ特に限定されるものではないが、例えば、Si、Al、W、Mo、Ti、Pt、Ir、Ag、Au、Ta、Ru、Nb、Pd、やそれらの合金、あるいは酸化物や窒化物などが挙げられる。
また、ライン状の開口部の長手方向については何ら限定されないが、{0001}面を主面とする種結晶を用いた場合は、結晶成長時に安定な面となりやすいM面またはA面を主面として板状結晶を成長することができることから、ライン状開口部の長手方向をa軸方向またはm軸方向とすることが好ましい。このような方向にすれば、ライン状開口部は、a軸方向またはm軸方向に伸びるストライプパターンを形成する。a軸方向またはm軸方向に伸びる長手方向は、10°以下のオフ角を有することが好ましく、より好ましくは6°以下である。オフ角を有すると、より安定した板状結晶を成長することができる。
の側端面で連結されるように結晶成長させることができるので、少なくともライン状開口部に隣接する種結晶の側面に成長阻害部材を設けない、つまり、該側面を露出させておくことが好ましい。ライン状開口部に隣接する種結晶の側面を露出させておくことで、該側面からの横方向成長を促進させ、該側面から横方向成長した結晶(枠状結晶)と、主面に形成したライン状開口部から成長した板状結晶とを合一できる。ライン状開口部の最小幅W2に対する、該開口部に隣接する種結晶の側面の長さの比は100以上であることが好ましく、200以上であることがより好ましく、400以上であることがさらに好ましい。前記下限値以上とすることで、該側面からの横方向成長をより促進できる傾向がある。なお、開口部に隣接する種結晶の側面の長さとは、該側面の長さのうち、主面に平行な方向の最大長さを意味するものとする。また、開口部に隣接する種結晶の側面の面方位は特に限定されないが、M面、A面などの非極性面;(10−1−1)面、(10−11)面などの半極性面などを好ましく挙げることができる。
本発明の第13族窒化物基板の製造方法に係る第一成長工程は、「複数のライン状開口部から、おもて側の主面に対して垂直な方向に第一の第13族窒化物結晶を成長させ、複数のライン状開口部から成長した第一の第13族窒化物結晶同士が、互いに連結されるように成長させる」工程である。
ように枠状結晶205を形成することで、それがガイドの役割を果たし、板状結晶の側端面が安定面とならずに、−c面に相当する面積が小さくなることを抑制することができる。また、次工程である除去工程で種結晶を除去した場合にも、枠状結晶205によって複数の板状結晶204が第一成長工程で成長した軸方向を変えることなく一体化している状態を保つことができるため、板状結晶204同士の結晶軸方向を同一の方向に揃えておくことが可能となる。板状結晶204を一体化したまま保持しておくという目的においては、図4(d)に示すような種結晶を用いて、板状結晶の中央部を横断して連結するような枠状結晶を形成してもよい。
本発明の第13族窒化物基板の製造方法に係る除去工程は、「第一成長工程で成長させた第一の第13族窒化物結晶が露出するまで、裏側の主面から種結晶の一部または全部を除去し、露出した第一の第13族窒化物結晶は種結晶の主面と平行な面を複数有するように加工する」工程である。
第13族窒化物結晶枠」と称する。図6の第13族窒化物結晶枠は、種結晶が完全に除去されて第一成長工程で成長された第一の第13族窒化物結晶の+C面が露出しており、板状結晶の+C面は一定の間隔を持って複数並んでいる。
本発明の第13族窒化物基板の製造方法に係る第二成長工程は、「除去工程で露出させた第一の第13族窒化物結晶から、少なくとも該裏側の主面に平行な方向に第二の第13族窒化物を成長させ、第一の第13族窒化物結晶から成長した複数の第二の第13族窒化物結晶同士が接合するまで成長させる」工程である。
本発明の第13族窒化物基板の製造方法に係る基板製造工程は、「該第二成長工程で成長させた第二の第13族金属窒化物結晶を切断および/または研削して、板状の第13族金属窒化物基板を得る」工程である。
第二の第13族金属窒化物結晶を切断および/または研削する方法については、特に限定されず、ワイヤーソーなど公知の手法による切断や、砥石などを用いた公知の方法による研削などを用いて板状の結晶を製造すればよい。少なくとも、第二の第13族金属窒化物結晶から第二成長工程で用いた第13族窒化物結晶枠を分離して、板状とすることが必要である。本工程においては、切断および/または研削の加工以外に、通常、半導体基板を作製する際に実施する研磨やエッチング、洗浄などの工程を含んでいてもよい。表面研磨工程としては、例えばダイヤモンド砥粒等の砥粒を用いて表面を研磨する操作、CMP(chemicalmechanical polishing)、機械研磨後RIEでダメージ層エッチングする操作が挙げられる。
以下、本発明の製造方法第一成長工程および第二成長工程で第13族窒化物結晶を成長させる際に好ましく用いられるアモノサーマル法において、GaN結晶を作製する場合の結晶成長装置の構成及び成長条件の具体例を挙げて説明するが、以下の態様に限定されるものではない。なお、第二成長工程では、以下で説明する種結晶として、除去工程で得られた第13族窒化物結晶枠を用いればよい。
アモノサーマル法とは、超臨界状態及び/又は亜臨界状態にある窒素含有溶媒を用いて、原材料の溶解−析出反応を利用して所望の材料を製造する方法である。以下に本発明における結晶成長方法に用いることのできる、鉱化剤、溶媒、原料について具体的に説明する。
本発明において、アモノサーマル法によって第13族窒化物結晶を結晶成長させるに際して、鉱化剤を用いることが好ましい。アンモニアなどの窒素を含有する溶媒に対する結晶原料の溶解度が高くないために、溶解度を向上させるためにハロゲンやアルカリ金属系の鉱化剤が用いられるが、その種類は特に限定されない。
される。このうち、好ましくはハロゲン化アルカリ、アルカリ土類金属のハロゲン化物、金属のハロゲン化物、ハロゲン化アンモニウム、ハロゲン化水素であり、さらに好ましくはハロゲン化アルカリ、ハロゲン化アンモニウム、第13族金属のハロゲン化物、ハロゲン化水素であり、特に好ましくはハロゲン化アンモニウム、ハロゲン化ガリウム、ハロゲン化水素である。
鉱化剤に含まれる水や酸素の量はできるだけ少ないことが望ましく、これらの含有量は1000wtppm以下であることが好ましく、10wtppm以下であることがより好ましく、1.0wtppm以下であることがさらに好ましい。
なお、結晶成長を行う際には、反応容器にハロゲン化アルミニウム、ハロゲン化リン、ハロゲン化シリコン、ハロゲン化ゲルマニウム、ハロゲン化亜鉛、ハロゲン化ヒ素、ハロゲン化スズ、ハロゲン化アンチモン、ハロゲン化ビスマスなどを存在させておいてもよい。
アモノサーマル法に用いられる溶媒には、窒素を含有する溶媒(窒素含有溶媒)を用いる。窒素を含有する溶媒としては、成長させる周期表第13族金属窒化物半導体結晶の安定性を損なうことのない溶媒が挙げられる。溶媒としては、例えば、アンモニア、ヒドラジン、尿素、アミン類(例えば、メチルアミンのような第1級アミン、ジメチルアミンのような第二級アミン、トリメチルアミンのような第三級アミン、エチレンジアミンのようなジアミン)、メラミン等を挙げることができる。これらの溶媒は単独で用いてもよいし、混合して用いてもよい。
成長工程においては、種結晶上に成長結晶として成長させようとしている第13族窒化物結晶を構成する元素を含む原料を用いる。例えば、第13族金属の窒化物結晶を成長させようとする場合は、第13族金属を含む原料を用いる。好ましくは第13族窒化物結晶の多結晶原料及び/又は周期表第13族金属であり、より好ましくは窒化ガリウム及び/又は金属ガリウムである。多結晶原料は、完全な窒化物である必要はなく、条件によって
は周期表第13族元素がメタルの状態(ゼロ価)である金属成分を含有してもよい。例えば、成長させる第13族金属窒化物結晶が窒化ガリウムである場合には、窒化ガリウムと金属ガリウムの混合物が挙げられる。
本発明の第13族窒化物結晶の製造に用いることのできる結晶製造装置の具体例を図1および図2に示す。本発明で用いる結晶製造装置は反応容器を含む。
図1は、本発明で用いることができる結晶製造装置の模式図である。図1に示される結晶製造装置では、オートクレーブ(耐圧性容器)1の内部がライニングされており、ライニング3内側を反応容器として結晶成長が行われる。オートクレーブ1中は原料を溶解るための原料溶解領域9と結晶を成長させるための結晶成長領域6とから構成されている。その他の部材の設置は、後述する図2の結晶製造装置と同様にすることができる。
本発明の第13族窒化物結晶の製造方法に係る結晶成長方法の一例について説明する。本発明の第13族窒化物結晶の製造方法に係る結晶成長を実施する際には、まず、反応容器内に、種結晶、窒素を含有する溶媒、原料、及び鉱化剤を入れて封止する。ここで、種結晶としては、その主面の少なくとも一部を成長阻害部材で被覆したものを用いる。なお、一度、板状の結晶を成長したあと、再度育成をする際には、成長阻害部材は種結晶の主面上に残っていても、剥がれていてもよい。
その後、全体を加熱して反応容器内を超臨界状態及び/又は亜臨界状態とする。超臨界状態では一般的には、物質の粘度が低くなり、液体よりも容易に拡散されるが、液体と同様の溶媒和力を有する。亜臨界状態とは、臨界温度近傍で臨界密度とほぼ等しい密度を有
する液体の状態を意味する。例えば、原料充填領域では、超臨界状態として原料を溶解し、結晶成長領域では亜臨界状態となるように温度を変化させて超臨界状態と亜臨界状態の原料の溶解度差を利用した結晶成長も可能である。
反応時間は、特に鉱化剤の反応性及び熱力学的パラメーター、すなわち温度及び圧力の数値に依存する。このため、これらの条件をコントロールすることにより、第13族窒化物結晶の成長速度を速くすることが好ましい。第13族窒化物結晶の成長速度を一定速度以上とすることにより、より大面積の主面を有する板状結晶が得られる傾向がある。
反応中、反応温度は一定にしても良いし、徐々に昇温又は降温させることもできる。所望の結晶を生成させるための反応時間を経た後、反応温度を降温させる。降温方法は特に限定されないが、ヒーターの加熱を停止してそのまま炉内に反応容器を設置したまま放冷してもかまわないし、反応容器を電気炉から取り外して空冷してもかまわない。必要であれば、冷媒を用いて急冷することも好適に用いられる。
前述した本発明の製造方法によって、大口径で高品質の第13族窒化物基板を得ることができる。第13族窒化物基板の主面の結晶面は特に限定されないが、大口径の主面を確保できる点から、C面であることが好ましい。
また、本発明の製造方法によって製造される第13族窒化物基板の物性については特に限定されないが、好ましい物性を以下に説明する。
第13族窒化物基板のキャリア濃度は、GaN結晶の場合、通常1.0×1017cm−3以上、好ましくは2.0×1017cm−3以上であり、通常1×1019cm−3以下、好ましくは8.0×1018cm−3以下である。
第13族窒化物基板のX線回折の(002)回折ピークおよび(102)回折ピークの
ロッキングカーブの半値幅は、通常50arcsec以下、好ましくは40arcsec以下、より好ましくは30arcsec以下、さらに好ましくは25arcsec以下、最も好ましくは20arcsec以下である。
第13族窒化物基板の曲率半径は、通常5m以上、好ましくは10m以上、より好ましくは20m以上であり、さらに好ましくは50m以上である。
本発明の製造方法により得られた第13族窒化物基板は、デバイス、即ち発光素子や電子デバイス、パワーデバイスなどの用途に好適に用いられる。本発明の第13族窒化物結晶や基板が用いられる発光素子としては、発光ダイオード、レーザーダイオード、それらと蛍光体を組み合わせた発光素子などを挙げることができる。また、本発明の第13族窒化物基板が用いられる電子デバイスとしては、高周波素子、高耐圧高出力素子などを挙げることができる。高周波素子の例としては、トランジスター(HEMT、HBT)があり、高耐圧高出力素子の例としては、サイリスター(SCR、GTO)、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)、ショットキーバリアダイオード(SBD)がある。
本実施例では、図2に示すような反応装置を用いて窒化物結晶を成長させた。
(1)ニッケル基合金製のオートクレーブ1を耐圧性容器として用い、Pt−Ir製カプセル20を反応容器として用いて結晶成長を行なった。
原料8として多結晶GaN粒子をカプセル下部領域(原料溶解領域9)内に設置し鉱化剤として高純度のNH4Fをカプセル内に投入した。さらに下部の原料溶解領域9と上部の結晶成長領域6の間に白金製のバッフル板5を設置した。種結晶7として、HVPE法で得られたC面基板を、白金製のワイヤーとシード支持枠を用いて吊るし、カプセル上部の結晶成長領域6に設置した。種結晶7のおもて側の主面(−C面)は46mm□であり、長手方向がa軸方向に平行(M面に平行)である50μm幅(W1)の細長いライン状開口部が4mmの間隔(ピッチ)で配置されるように、4mm幅のPtマスクで被覆して、図4(a)のようにおもて側の主面全体にストライプパターンを形成し、ライン状開口部203から、おもて側の主面(−C面)のCMP仕上げされた領域を一部露出させた。次いで、以下に示す手順で、図5(b)のようにライン状開口部から−c軸方向へ板状の結晶をM面が広がるように成長させた。
ルブを閉じた。その後、キャップ上部のチューブを封じ切った。なお、カプセル中に導入されたF濃度はNH3に対して1.0mol%、I濃度は1.5mol%であった。
(4)バルブを開けて真空脱気し、真空状態を維持しながらオートクレーブ1をドライアイスメタノール溶媒によって冷却して外気に触れることなくNH3をオートクレーブ1に充填した後、再びバルブ10を閉じた。
(5)オートクレーブ1を複数に分割されたヒーターで構成された電気炉内に収納した。オートクレーブ内部の平均温度が618℃、内部の温度差(ΔT)が14℃になるようにオートクレーブ外面温度で制御しながら昇温し、設定温度に達した後、その温度にて21日間保持した。オートクレーブ内の圧力は218MPaであった。
(7)オートクレーブの蓋を開け、カプセル20を取り出した。種結晶上に窒化ガリウム結晶(第一のGaN結晶)が成長しており、−c軸方向への成長厚み(N寸法とする)は4mmでN方向(−c軸方向)へ成長速度は190μm/dayという高い成長速度で成長していた。
得られたGaN基板について、C面の曲率半径を測定したところa軸方向が555m、m軸方向が18mと極めて良好な値を示し、反りのないほぼフラットな結晶が得られたことが確認できた。得られた結果を表1にまとめて示す。
また、X線回折ピークのロッキングカーブ(XRC)測定を行い半値幅を求めたところ、(002)回折ピークでは22.0arcsecであり、(102)回折ピークでは20.3arcsecであった。さらに、X線回折の(002)回折ピークのロッキングカーブ測定を、得られたGaN基板のC面について、m軸方向に200μmピッチで連続的に測定した結果を図7に示した。横軸が基板内の中心点を0mmとした測定点を表し、縦軸がXRC半値幅を表す。C面のほぼ全面に渡って30arcsec未満であり、面内で
均一に結晶性に優れることが確認できた。
X線ロッキングカーブ(XRC)は、PANalytical社製の高分解能X線回折計で測定した。GaN(002)反射とGaN(102)反射についてロッキングカーブ測定を実施し、結晶のチルト及びツイスト方向の結晶方位分布を評価した。ここで、(002)、(102)はX線の回折面を表す。
曲率半径は1軸ステージ(x軸)又は2軸ステージ(x−y)のある高精度クレードルを有したPANalytical社製の高分解能X線回折計を用いて測定した。試料を一軸方向(x方向)に0.5〜5mm間隔で移動し、各ポイントで測定したX線ロッキングカーブから最大強度を与えるω値を算出し、移動距離xに対するω値をプロットし、最小自乗法でグラフの傾きkを算出した。傾きkから次式にて曲率半径R[m]を算出した。
種結晶7として、HVPE法で得られたC面基板のおもて側の主面(+C面)に、長手方向がa軸方向に平行(M面に平行)である50μm幅(W1)の細長いライン状開口部が200μmの間隔(ピッチ)で配置されるように、200μm幅のPtマスクで被覆して、図4(a)のようにおもて側の主面全体にストライプパターンを形成した。これ以外は、実施例1の(2)〜(6)と同様の方法でF濃度はNH3に対して0.5mol%、I濃度は1.5mol%、圧力215MPa、平均温度618℃、温度差(ΔT)14℃、保持時間22日として、種結晶7上に窒化ガリウム(GaN)結晶を成長させた。ライン状開口部から成長したGaN結晶は、マスク直上ですぐに隣同士の結晶が接合し、得られたGaN結晶は、種結晶7のおもて側の主面(+C面)に厚さ0.6mmの平坦な膜を形成するように成長していた。得られたGaN結晶を目視で確認したところ、C面内に細かいクラックが複数発生しているのが確認できた。
さらに、X線回折の(002)回折ピークのロッキングカーブ測定を、得られたGaN基板のC面について、m軸方向に200μmピッチで連続的に測定した結果を図8に示した。XRC半値幅は20〜120arcsecの範囲で大きくばらついていた。
種結晶7として、HVPE法で得られたC面基板にマスクでパターンを形成することなく用いた。これ以外は、実施例1の(2)〜(6)と同様の方法でF濃度はNH3に対して0.5mol%、I濃度は4.0mol%、圧力220MPa、平均温度616℃、温度差(ΔT)24℃、保持時間27日として、種結晶7上に窒化ガリウム(GaN)結晶を成長させた。得られたGaN結晶は、種結晶7の+C面側に厚さ0.5mmの平坦な膜を形成し、−C面側に厚さ4mmの平坦な膜を形成するように成長していた。
さらに、X線回折の(002)回折ピークのロッキングカーブ測定を、得られたGaN基板のC面について、m軸方向に200μmピッチで連続的に測定した結果を図9に示した。XRC半値幅は20〜200arcsecの範囲で大きくばらついていた。
また、図7〜9に示す各成長結晶のXRC半値幅の分布について、表2にまとめて示す。
2 オートクレーブ内面
3 ライニング
4 ワイヤー
5 バッフル板
6 結晶成長領域
7 種結晶
8 原料
9 原料充填領域
10 バルブ
11 真空ポンプ
12 アンモニアボンベ
13 窒素ボンベ
14 マスフローメーター
20 カプセル(内筒)
101 種結晶
102 成長阻害部材(マスク)
103 ライン状開口部
104 第一のGaN結晶
105 GaN結晶枠
106 第二のGaN結晶
107 GaN基板
201 種結晶
202 成長阻害部材(マスク)
203 ライン状開口部
204 板状結晶
205 枠状結晶
Claims (9)
- 極性面を主面とし、おもて側の主面と裏側の主面を有する種結晶であって、該おもて側の主面の少なくとも一部を成長阻害部材で被覆して複数のライン状開口部を有するストライプパターンを形成した種結晶を準備する準備工程と、
複数の該ライン状開口部から、該おもて側の主面に対して垂直な方向に第一の第13族金属窒化物結晶を成長させる第一成長工程と、
該第一成長工程で成長させた第一の第13族金属窒化物結晶が露出するまで、裏側の主面から種結晶の一部または全部を除去する除去工程と、
該除去工程で露出させた第一の第13族金属窒化物結晶から、少なくとも該裏側の主面に平行な方向に第二の第13族金属窒化物結晶を成長させる第二成長工程と、
該第二成長工程で成長させた第二の第13族金属窒化物結晶を切断および/または研削して、板状の第13族金属窒化物基板を得る基板作製工程とを備え、
前記第一成長工程において、複数のライン状開口部から成長した第一の第13族金属窒化物結晶同士が、互いに連結されるように成長させ、
前記除去工程において、露出した第一の第13族金属窒化物結晶は種結晶の主面と平行な面を複数有しており、
前記第二成長工程において、第一の第13族金属窒化物結晶から成長した複数の第二の第13族金属窒化物結晶同士が接合するまで成長させることを特徴とする、第13族金属窒化物基板の製造方法。 - 前記種結晶のおもて側の主面が−C面であり、裏側の主面が+C面である、請求項1に記載の第13族金属窒化物基板の製造方法。
- 前記複数のライン状開口部が、a軸方向に伸びるストライプパターンを形成する、請求項1または2に記載の第13族金属窒化物基板の製造方法。
- 前記複数のライン状開口部が、m軸方向に伸びるストライプパターンを形成する、請求項1または2に記載の第13族金属窒化物基板の製造方法。
- 前記ストライプパターンの成長阻害部材の幅W1が1mm〜20mmである、請求項1〜4のいずれか1項に記載の第13族金属窒化物基板の製造方法。
- 前記第一の成長工程において、複数のライン状開口部からおもて側の主面に対して垂直な方向に板状の第13族金属窒化物結晶を成長させる、請求項1〜5のいずれか1項に記載の第13族金属窒化物基板の製造方法。
- 前第二成長工程において、第二の第13族金属窒化物結晶の成長表面が連続した平坦な面なるまで成長させる、請求項1〜6のいずれか1項に記載の第13族金属窒化物基板の製造方法。
- 前記第一成長工程および前記第二成長工程を、超臨界状態および/または亜臨界状態の溶媒中で結晶成長をさせることによって行う、請求項1〜7のいずれか1項に記載の第13族金属窒化物基板の製造方法。
- 前記第13族金属窒化物基板の主面が極性面である、請求項1〜8のいずれか1項に記載の第13族金属窒化物基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013195717A JP6263920B2 (ja) | 2013-09-20 | 2013-09-20 | GaN基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013195717A JP6263920B2 (ja) | 2013-09-20 | 2013-09-20 | GaN基板 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017174489A Division JP6455575B2 (ja) | 2017-09-12 | 2017-09-12 | 第13族金属窒化物基板の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015059078A true JP2015059078A (ja) | 2015-03-30 |
JP2015059078A5 JP2015059078A5 (ja) | 2016-06-09 |
JP6263920B2 JP6263920B2 (ja) | 2018-01-24 |
Family
ID=52816887
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013195717A Active JP6263920B2 (ja) | 2013-09-20 | 2013-09-20 | GaN基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6263920B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018024539A (ja) * | 2016-08-08 | 2018-02-15 | 三菱ケミカル株式会社 | C面GaN基板 |
JP2020172438A (ja) * | 2015-02-06 | 2020-10-22 | 三菱ケミカル株式会社 | GaN単結晶 |
JP2022050535A (ja) * | 2020-10-07 | 2022-03-30 | 三菱ケミカル株式会社 | GaN単結晶およびGaN単結晶製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011051849A (ja) * | 2009-09-03 | 2011-03-17 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物半導体自立基板とその製造方法 |
-
2013
- 2013-09-20 JP JP2013195717A patent/JP6263920B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011051849A (ja) * | 2009-09-03 | 2011-03-17 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物半導体自立基板とその製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
R.DWILINSKI. ET AL.: "Ammonothermal growth of GaN substrates", PROC. OF SPIE, vol. 7602, JPN6017011800, 2010, pages 1 - 76020, ISSN: 0003533725 * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020172438A (ja) * | 2015-02-06 | 2020-10-22 | 三菱ケミカル株式会社 | GaN単結晶 |
JP2018024539A (ja) * | 2016-08-08 | 2018-02-15 | 三菱ケミカル株式会社 | C面GaN基板 |
JP2022050535A (ja) * | 2020-10-07 | 2022-03-30 | 三菱ケミカル株式会社 | GaN単結晶およびGaN単結晶製造方法 |
JP7327532B2 (ja) | 2020-10-07 | 2023-08-16 | 三菱ケミカル株式会社 | GaN単結晶およびGaN単結晶製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6263920B2 (ja) | 2018-01-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6593487B2 (ja) | 周期表第13族金属窒化物結晶およびその製造方法 | |
JP5888208B2 (ja) | 窒化物結晶の製造方法 | |
JP2022036135A (ja) | GaN結晶の製造方法 | |
JP6455575B2 (ja) | 第13族金属窒化物基板の製造方法 | |
JP2014118323A (ja) | 周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法及び周期表第13族金属窒化物半導体結晶 | |
JP6263920B2 (ja) | GaN基板 | |
JP6074959B2 (ja) | Iii族窒化物結晶及びその製造方法 | |
JP2015040170A (ja) | 周期表第13族金属窒化物結晶の製造方法 | |
JP2013209274A (ja) | 周期表第13族金属窒化物結晶 | |
JP6187083B2 (ja) | 第13族金属窒化物結晶 | |
JP2010254508A (ja) | 窒化物半導体自立基板及びその製造方法、並びにレーザーダイオード | |
JP6187064B2 (ja) | 周期表第13族金属窒化物半導体基板 | |
JP2015010023A (ja) | 周期表第13族金属窒化物結晶 | |
JP6024335B2 (ja) | 周期表第13属金属窒化物半導体基板の製造方法 | |
JP2013056821A (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法 | |
JP2013075819A (ja) | 窒化物結晶の製造方法 | |
JP6123421B2 (ja) | Iii族窒化物結晶塊 | |
JP6051768B2 (ja) | 窒化物単結晶の製造方法 | |
JP2013170096A (ja) | 第13族窒化物結晶の製造方法 | |
JP2014185070A (ja) | 周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法 | |
JP5601033B2 (ja) | 窒化物単結晶の製造方法及び窒化物単結晶 | |
JP5660146B2 (ja) | 窒化物半導体自立基板及びレーザーダイオード | |
JP2014047134A (ja) | Iii族窒化物結晶塊 | |
JP2017088430A (ja) | GaNウエハ | |
JP2013091596A (ja) | 窒化物結晶の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160418 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160418 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170131 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170220 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20170419 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170425 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170530 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170711 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170912 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20170920 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171121 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171204 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6263920 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |